「Direct Gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A problem inherent in an amount of a consumed on-chip die area and a speed lowering for an embodiment of a circuit according to a prior art is solved by this technique which practically supplies a direct-current voltage V_HVP to a gate of a first transistor of a pair of series-connected thin gate oxides.例文帳に追加

この発明の技術によると、先行技術の回路実現例において消費されるオンチップダイ面積量および速度低下に内在する問題は、直列接続された薄いゲート酸化物の対のうちの第１のトランジスタのゲートに対して実質的に直流の電圧Ｖ_ＨＶＰを提供することによって解決される。 - 特許庁

We therefore direct the Energy Working Group and Transportation Working Group to cooperate on best practices for both the modernization of air traffic management and the development of aviation biofuels, in coordination with ICAO, to limit or reduce the environmental footprint for all phases of flight, from gate to gate. 例文帳に追加

我々はそれゆえ、搭乗口から搭乗口までの飛行の全段階における環境フットプリントを制限・削減するための、航空交通量管理の近代化及び航空バイオ燃料の開発の双方のベストプラクティスについて、ＩＣＡＯと連携しながら、エネルギー作業部会と運輸作業部会が協力することを指示する。 - 経済産業省

In a transmission liquid crystal display of direct vision type, the element substrate includes a gate wire 311, a source wire 302, a pixel part having a pixel TFT, and a driving circuit having an n-channel type TFT and p-channel type TFT.例文帳に追加

直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線３１１と、ソース配線３０２と、画素ＴＦＴを有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴやｐチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路とを含む。 - 特許庁

A collection electrode 19 collecting ions is connected to a gate terminal of a p-MOS type FET 181 via a rectifier diode 182, and direct current voltage is impressed to a drain terminal of the p-MOS type FET 181.例文帳に追加

イオンを捕集するための捕集電極１９は、整流用のダイオード１８２を介してｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続され、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のドレイン端子には直流電圧が印可される。 - 特許庁

This game machine includes an attacker 5 with a door 73 to be opened and closed during the big hit game, a notice motion gate 72 to detect game balls hit out into a game area during a big hit game, and a game control means to direct display of probability of probability variation information on a symbol display by detection by the notice motion gate 72.例文帳に追加

パチンコ機に、大当り遊技中に開閉動作される開閉扉７３を有するアタッカー５と、大当り遊技中に遊技領域に打ち出された遊技球を検知する報知作動ゲート７２と、上記報知作動ゲート７２の検知によって図柄表示装置に確変情報の表示演出を行う遊技制御手段とを備えさせる。 - 特許庁

A sidewall spacer is composed of innermost side insulating film 8a in direct contact with the sidewall of a gate electrode 5, as well as outside insulating film 6a in different etching rate from that of the innerside insulating film 8a covering the innerside insulating film 8a.例文帳に追加

サイドウォールスペーサは、ゲート電極５の側壁に直接接触する最も内側の内側絶縁膜８ａと、内側絶縁膜８ａとエッチング速度の異なるものであり、内側絶縁膜８ａを覆う、外側絶縁膜６ａとからなる。 - 特許庁

A gate insulation film 3 is formed by adding a light emitting substance, e.g. a semiconductor nanocrystal of Si, SiGe or Ge, polycrystal or microcrystal of a direct transition semiconductor, a rare earth element of Er or Eu, or a fluorescent substance of ZnS:Mn, or the like.例文帳に追加

ここで、ゲート絶縁膜３は、内部に発光物質、具体的にはＳｉ，ＳｉＧｅ，Ｇｅなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Ｅｒ，Ｅｕなどの希土類元素、ＺｎＳ：Ｍｎなどの蛍光物質が添加されて形成されている。 - 特許庁

In the wire rope winch type water gate opening/closing device, a drum gear and a plurality of pinions to be meshed with the drum gear are arranged to a gear case, a rotary shaft of the drum gear is connected to a winding drum, and a plurality of hydraulic motors with brakes are mounted to the gear case and direct-coupled to each pinion.例文帳に追加

ワイヤーロープウインチ式水門開閉装置であって、ギアケースにドラムギアと、該ドラムギアに噛合する複数のピニオンを設置し、ドラムギアの回転軸を巻上げドラムに連結し、前記ギアケースに、複数のブレーキ付油圧モータを取付け、前記各個のピニオンと直結させた。 - 特許庁

A special game determination part 501 performs a winning determination where the winning ratio of a small win is increased as compared with the winning ratio of a direct-hit large win without going through a small win to a game ball (start ball) entering a start pocket in a short-time gate state.例文帳に追加

特別遊技判定部５０１は、時短遊技状態において始動口へ進入した遊技球（以下「始動球」という）に対して、小当たりを経由しない直撃大当たりの当選割合よりも小当たりの当選割合を高くした当たり判定をおこなう。 - 特許庁

The direct methanol fuel cell system is constructed by housing a fuel cartridge 1, MEAs 2 arranged on both sides of the fuel cartridge 1 and serving as fuel cells, and a movable gate 3 inside a casing 4, respectively.例文帳に追加

１は燃料カートリッジであり、２はこの燃料カートリッジ１の両側に配置された燃料電池セルとしてのＭＥＡであり、このＭＥＡ２は、燃料極側が燃料カートリッジ１となっていて、ＭＥＡ２の燃料極側には可動式ゲート３が配置されることにより、両者が仕切られている。 - 特許庁

A molten thermoplastic resin material supplied by a direct gate 7 and a hot liner 8 disposed at the fixed side mold member side is injected to fill a cavity 3 formed by a molded article appearance surface side forming part and a molded mold back surface side forming part, thus performing the injection molding.例文帳に追加

成形品外観面側形成部と成形品裏面側形成部によって形成されるキャビティ３に固定側金型部材側に配備されたダイレクトゲート７及びホットランナ８によって供給される溶融した熱可塑性の樹脂材料を射出し、充填して射出成形が行われる。 - 特許庁

When the output current is large in a direct-current power circuit, signals repetitively going 'H' and 'L' are also supplied to the gate of the FET32 of a power conversion portion 30 and a load 15 is supplied with power both from the power conversion portion 30 and from a power conversion portion 20.例文帳に追加

直流電源回路における出力電流が大きい場合には、電力変換部３０のＦＥＴ３２のゲートにも“Ｈ”，“Ｌ”を繰り返す信号が与えられ、該電力変換部３０と電力変換部２０の両方から負荷１５に電力が供給される。 - 特許庁

In a composite-resonance converter, a self-exciting type is used for a primary-side voltage-resonance converter, and a control voltage variably controlled according to the level of a secondary-side direct-current output voltage is applied to a gate electrode of a MOSFET for a constant-voltage control.例文帳に追加

複合共振形コンバータの一次側電圧共振形コンバータとしては自励式としたうえで、定電圧制御のために、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート電極に対しては、二次側直流出力電圧のレベルに応じて可変制御される制御電圧を印加するようにする。 - 特許庁

A high-frequency power source 18 is connected between a base electrode 16 and an emitter electrode 17, and a direct current power source 19 is connected between the collector 11 and the gate electrode 13, so that the electron beam of high output modulated by the high frequency is emitted efficiently from the cathode chip 11a.例文帳に追加

ベース電極１６とエミッタ電極１７との間に高周波電源１８を接続すると共にコレクタ１１とゲート電極１３との間に直流電源１９を接続することにより高周波で変調された電子ビームが高出力かつ高効率で陰極チップ１１ａから放射される。 - 特許庁

The direct lead bonding semiconductor device includes a semiconductor substrate, a surface electrode provided on the surface of the semiconductor substrate, a gate wiring provided on the surface of the semiconductor substrate along with the surface electrode, a metal film provided on the surface electrode, and a lead terminal provided on the metal film.例文帳に追加

ダイレクトリードボンディング方式の半導体装置が、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられた表面電極と、半導体基板の表面に表面電極に沿って設けられたゲート配線と、表面電極の上に設けられた金属膜と、金属膜の上に取り付けられたリード端子とを含む。 - 特許庁

The inductor drive circuit 1 includes a positive electrode terminal TP and negative electrode terminal TN on which a direct current voltage is applied, an inductor 10 and transistor 50 connected in series between the positive electrode terminal TP and negative electrode terminal TN, a gate control circuit 70, a diode 55, and a reflux diode 30.例文帳に追加

インダクタ駆動回路１は、直流電圧が印加される正極端子ＴＰ及び負極端子ＴＮと、それら正極端子ＴＰと負極端子ＴＮとの間に直列に接続されたインダクタ１０及びトランジスタ５０と、ゲート制御回路７０と、ダイオード５５と、還流ダイオード３０とを備える。 - 特許庁

Two transfer chambers 11 and 12 equipped with transfer robots 51 and 52, which transfer substrates 9 inside respectively are connected together direct through the intermediary of a gate valve between the processing chambers 21, 22, 23, 24, and 25 and a load chuck chamber 3, where mooring pieces 61 and 62 which moor the substrates 9, are provided inside the transfer chambers 11 and 12 respectively.例文帳に追加

複数の処理チャンバー２１，２２，２３，２４，２５及びロードロックチャンバー３との間で基板９を搬送する搬送ロボット５１，５２を内部に有する二つの搬送チャンバー１１，１２がゲートバルブ４を介して直接接続され、双方の搬送チャンバー１１，１２内には基板９を係留する係留具６１，６２が設けられている。 - 特許庁

Although many ordinary samurai such as Hatamoto (direct retainers of the shogun) or Gokenin (lower-ranked vassals) had residences which differed little from folk houses, upper or middle class Samurai Yashiki had mud walls, Nagayamon (a gate and long house for vassals), and Shikidai (an entrance hall with a wooden floor), and even lower class ones had at least zashiki (a tatami-mat reception room) of Shoin-zukuri style (a typical traditional Japanese style house), attempting to display their high status. 例文帳に追加

旗本や御家人などの一般の武士の住まいは民家とそれほど変わらない規模の建物であったことも多いが、上級や中級の侍屋敷では土塀や長屋門、式台を構え、下級のものも少なくとも書院造の座敷を設けるなど、格を示すような特徴を持っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To obtain a DRAM semiconductor memory in which a high speed operation can be realized which securing operation margin by dissolving the restriction of connection relation between a pair of bit lines and a pair of data buses by a column selection gate in a DRAM of a direct sense system, and optimizing independently the internal timing control at the read-out and the internal timing control at the time of write-in.例文帳に追加

ダイレクトセンス方式のＤＲＡＭにおけるコラム選択ゲートによる、ビット線対とデータバス対との接続関係の制約を解消するとともに、読み出し時の内部タイミング制御と書き込み時の内部タイミング制御とを独立して最適化することで、動作マージンを確保しながら高速動作を実現できるＤＲＡＭ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁