「FORMING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

AIR SEAL FOR GAS TURBINE ENGINE, SEAL SYSTEM, AND METHOD FOR FORMING AIR SEAL FOR GAS TURBINE ENGINE例文帳に追加

ガスタ—ビンエンジン用の空気シ—ル、シ—ルシステムおよびガスタ—ビンエンジン用の空気シ—ルの形成方法 - 特許庁

To suppress, with a simple means, discharge of moisture by gas flow in a porous body forming a gas passage to a fuel cell electrode.例文帳に追加

燃料電池電極へのガス流路を形成する多孔質体でのガス流による水分持ち出しを簡便な手法で抑制する。 - 特許庁

The etching gas supply means supplies, to the reaction room 11, an etching gas capable of forming reaction products by reacting with the target to be processed.例文帳に追加

エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。 - 特許庁

In an organic film forming device 100, a heat exchanger 230 is provided in a pipe transporting carrier gas or gas containing organic material.例文帳に追加

有機膜形成装置１００においては、キャリアガスまたは有機材料含有ガスを搬送する配管途中に熱交換器２３０を設ける。 - 特許庁

Then, a liquid carbon dioxide gas blowout nozzle 5 arranged in the dry ice snow forming horn 3 and the liquid carbon dioxide gas storage cylinder 2 are communicated with each other.例文帳に追加

ドライアイススノー形成ホーン(３)内に配置した液体炭酸ガス噴出ノズル(５)と液体炭酸ガス貯蔵ボンベ(２)とを連通させた。 - 特許庁

The exhaust removal device uses a combine of a gas actively oxidizing in the image forming apparatus A and a solution in which the gas is dissolved.例文帳に追加

画像形成装置Ａ内で酸化活性の気体とこの気体を溶解した水溶液を複合して用いる排出物除去装置。 - 特許庁

The gas flow is formed into a flow along an inclined plane forming a wedge shape, thereby preventing corrosion by a corrosive gas and abrasion by dust.例文帳に追加

ガス流れをくさび形状を形成する傾斜面に沿う流れを形成させることで、腐食性ガスによる腐食と煤塵による摩耗を防止する。 - 特許庁

To provide a gas introduction device for forming gas flows for efficiently cooling bases to be treated in load lock chambers.例文帳に追加

ロードロックチャンバー内の処理基板を効率よく冷却できるガス流を形成するガス導入装置を提供する。 - 特許庁

A flow switch 35 is communicated with the gas generation system outlet and also has an outlet, forming a gas exhaust outlet at a first pressure.例文帳に追加

フロースイッチが、上記ガス発生系出口と連通すると共に、第１圧力におけるガス導出口を形成するような出口を有している。 - 特許庁

Hollow particles are manufactured by forming a solid film at the gas-liquid interface of air bubbles generated by blowing the gas containing a monomer into a liquid.例文帳に追加

液体中にモノマーを含む気体を吹き込んで発生させた気泡の気液界面において固体膜を形成させて中空粒子を製造する。 - 特許庁

To provide methods of forming a compressor article such as a cast airfoil, a stator, a blade, a gas turbine, and a gas turbine shell via casting.例文帳に追加

鋳造によって、鋳造翼形部、ステータ、ブレード、ガスタービン及びガスタービンシェルのような圧縮機物品の形成方法を提供する。 - 特許庁

The film forming method of an insulating film according to one embodiment uses a mixture gas of nitrogen and oxygen as a reactive gas.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。 - 特許庁

The gas barrier film is obtained by forming a silicon oxide-based gas barrier film on at least one surface of a substrate.例文帳に追加

本発明のガスバリアフィルムは、酸化珪素を主成分とするガスバリア膜が基板の少なくとも一方の面に形成されたものである。 - 特許庁

A gas supply unit 20 supplies gas for forming a thin film on a surface of the wafer 12 into the reaction furnace 10.例文帳に追加

ガス供給部２０は、ウェハ１２の表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉１０内に供給する。 - 特許庁

To provide a construction method of a high purity gas supply pipe capable of easily forming a bent portion of the gas supply pipe by using a coil pipe.例文帳に追加

コイル管を用いたガス供給管の曲げ部を簡易に形成することが可能な高純度ガス供給管の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition method for improving a film forming speed, while suppressing decrease in the reaction between a material gas and a reaction gas.例文帳に追加

原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

The air flow path forming member is provided with a gas releasing hole for communicating the air flow path with the outside and an opening-closing member for opening-closing the gas releasing hole.例文帳に追加

前記空気流路形成部材には、前記空気流路を外部と連通させる、逃気孔と、前記逃気孔を開閉する、開閉部材とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming an gas-barrier film which has low cost and high gas-barrier properties.例文帳に追加

本発明は、低コストで高度なガスバリア性を有するガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To miniaturize an internal combustion engine by forming a distribution path of a blow-by gas reducing device by using a plate member of an exhaust gas reducing device.例文帳に追加

排気ガス還元装置のプレート部材を利用してブローバイガス還元装置の分配路を形成することにより、内燃機関の小型化を図る。 - 特許庁

To provide a gas mixer capable of forming a good mixed gas while supplying at least two gases.例文帳に追加

少なくとも二種類のガスを供給しつつ、良好な混合ガスを構成することができるガス混合装置を提供する。 - 特許庁

Gas is injected by a gas injection means 7 as a swirling flow forming means to produce a swirling flow in a powder dispersion chamber 5.例文帳に追加

旋回流形成手段である気体噴射手段７によって気体を噴射し、粉体分散容器５内に旋回流を形成する。 - 特許庁

As for a method for forming the underlayer 2, the initial layer part is deposited at a low gas pressure, and the surface layer is deposited at a higher gas pressure than the initial layer part.例文帳に追加

下地層２の形成方法としては、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する。 - 特許庁

To shorten an film forming time and enable the efficient utilization of a material gas by solving the insufficient supply of the material gas to the center of a substrate.例文帳に追加

基板中央部等への原料ガス供給不足を解消し、成膜時間の短縮及び原料ガスの有効利用を図る。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated body excellent in mechanical strength by enhancing film forming property in a gas barrier layer mainly comprising a planar plate-like pigment.例文帳に追加

平板状顔料を主体とするガスバリア層において、成膜性を改良し、機械的強度に優れるガスバリア積層体を提供する。 - 特許庁

As a forming method of the underlayer 2, the initial layer part is film-deposited by a lower gas pressure and the surface layer is film-deposited by a gas pressure higher than that of the initial layer part.例文帳に追加

下地層２の形成方法としては、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する。 - 特許庁

A dome 5, constituting the chamber 50 of a CVD system, is provided with a gas inlet port 8b through which a film-forming gas, such as SiH_4, is introduced into the chamber 50.例文帳に追加

ＣＶＤ装置のチャンバ５０を構成するドーム５には、ＳｉＨ_4等の成膜用ガスが導入されるガス導入口８ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a gas phase reaction growth apparatus and a gas phase reaction growth method capable of forming an excellent film by reducing variations in film quality.例文帳に追加

膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。 - 特許庁

In the forming mold set 2, a gas feed path 24 for feeding an atmospheric gas to a cavity C is formed.例文帳に追加

成形型組２では、キャビティＣに雰囲気ガスを供給するためのガス供給路２４が形成されている。 - 特許庁

In this cyclone separator type oil separator device, the upper face of the lower wall 31 of the gas flow-in chamber forming part 30 is an inclined face 31a being inclined downward onto a gas discharge part 24 side.例文帳に追加

ガス流入室形成部３０の下壁３１の上面が、ガス排出部２４側かつ下方に傾斜する傾斜面３１ａになっている。 - 特許庁

Water drops of the gas flow passages 21c, 22c of the gas-passage forming bodies 21, 22 are absorbed by the water guide layers 25, 26 and are led to the outside.例文帳に追加

前記導水層２５，２６によりガス流路形成体２１，２２のガス流路２１ｃ，２２ｃの水滴を吸収して、外部に導出する。 - 特許庁

The plurality of flow conditioning channels is arranged in a portion of the second volume to discharge gas for forming a gas curtain.例文帳に追加

第２の容積の一部の範囲内に複数の流れ調整チャネルが配置され、ガス・カーテンを形成するガスを放出する。 - 特許庁

To surely avoid contact between a piston and a cylinder, and to restrain the consumption of gas for forming a gas bearing in a piston device for forming the gas bearing by supplying the gas between the piston and the cylinder.例文帳に追加

ピストンとシリンダとの間に気体を供給して気体軸受を形成するピストン装置において、ピストンとシリンダとの接触をより確実に回避するとともに、前記気体軸受を形成するための気体の消費量を抑制すること。 - 特許庁

In the step of forming the second trench 113, a mixture gas of chlorine gas and fluorocarbon gas is used as the second etching gas, and the substrate is etched with lower bias voltage than that for the step of forming the first trench 109.例文帳に追加

第２トレンチ部１１３を形成する前記工程において、前記第２エッチングガスとして塩素ガスとフルオロカーボンガスとの混合ガスを用い、かつ第１トレンチ部１０９を形成する前記工程よりも低いバイアス電圧でエッチングを行う。 - 特許庁

A peripheral wall part for stipulating the filter chamber 18 of the cylindrical member 10 includes a gas injection port non-forming region S1 without a gas injection port 11 and a gas injection port forming region S2 constituted by being provided with a plurality of gas injection ports 11 at positions shifted in the shaft direction.例文帳に追加

円筒状部材１０のフィルタ室１８を規定する周壁部は、ガス噴出口１１が設けられていないガス噴出口非形成領域Ｓ１と、ガス噴出口１１が軸方向においてずれた位置に複数設けられてなるガス噴出口形成領域Ｓ２とを含んでいる。 - 特許庁

After a W film is formed over the entire surface in a film-forming chamber, the film-forming chamber is fed with a ClF3 gas comprising a string reducing function as an etching gas, so that the W film and the tight-contact layer 5 etched back by a gas etching using the gas.例文帳に追加

成膜チャンバー内において全面にＷ膜６を成膜した後、この成膜チャンバー内にエッチングガスとして強い還元作用を有するＣｌＦ_3 ガスを供給し、このガスを用いたガスエッチングにより、Ｗ膜６および密着層５のエッチバックを行う。 - 特許庁

A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage.例文帳に追加

光音響ガスセンサのキャビティを形成するＳiチップ１１におけるガス通流路１４の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層１３を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

This device is provided with an oxidation catalyst 6 provided in an exhaust gas passage 2 of the internal combustion engine at most downstream and forming NO_2, and an electric heater 9 provided in the exhaust gas passage 2 at a downstream of the oxygen catalyst 6 forming NO_2 and converting NO_2 in the exhaust gas to NO by heating the exhaust gas.例文帳に追加

他の触媒よりも最下流の内燃機関１の排気通路２に設けられ、ＮＯ_２を生成する酸化触媒６と、ＮＯ_２を生成する酸化触媒６よりも下流の排気通路２に設けられ、排気を加熱して排気中のＮＯ_２をＮＯに転化させる電気ヒータ９と、を備えた。 - 特許庁

To provide an activated gas forming method of high efficiency, with ozone as one example, a compact forming apparatus, and an exhaust gas treatment system, with low running cost, though a large scale apparatus is required for generating sufficient activated gas in the conventional exhaust gas treatment.例文帳に追加

排ガス処理において十分な活性ガスを発生させるためには大型装置が必要であるが、本発明は、装置をコンパクトにし、且つ運転コストも低価にできる高効率のオゾンを１例とする活性ガス生成方法、生成装置及び排ガス処理システム装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas heating method capable of improving heating efficiency when heating gas in a gas to be heated passage forming member body such as a pipe, and to provide a gas to be heated passage forming member providing easy implementation of the heating method.例文帳に追加

パイプなどの被加熱ガス通路形成部材本体内のガスを加熱するに際して、加熱効率を向上させることができるガス加熱方法およびこのような加熱方法を容易に行うことを可能とする被加熱ガス通路形成部材を提供する。 - 特許庁

A first gas diffusion layer 52 forming an anode side electrode 20 and a second gas diffusion layer 56 forming a cathode side electrode 22 are provided with a first gas passage 58 and a second gas passage 60 facing a first passage 38 and a second passage 46 provided on a first separator 14 and a second separator 16 respectively.例文帳に追加

アノード側電極２０を構成する第１ガス拡散層５２およびカソード側電極２２を構成する第２ガス拡散層５６は、第１および第２セパレータ１４、１６に設けられている第１および第２流路３８、４６に対向して第１および第２ガス流路５８、６０を設けている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a fuel cell system which carries out the detection of gas leak by forming a closed space in a gas passage supplying a reaction gas to a fuel cell, in which a steady gas leak detection can be realized even if there happens an abnormality in one of valves for forming the closed space.例文帳に追加

燃料電池に反応ガスを供給するガス流路に閉空間を形成してガス漏れ検知を行う燃料電池システムにおいて、閉空間を形成するための一の弁に異常が発生した場合においても確実なガス漏れ検知を実現させる。 - 特許庁

The method comprises applying a high frequency power of 500 W or more per total mass flow rate of 100 SCCM of a material gas and an oxidative gas, setting a mass flow rate ratio of the oxidative gas to a material gas to 3 or more to 1 and setting the film forming temperature to a range of 100-300°C, thus forming an oxide film.例文帳に追加

原料ガスと酸化ガスの総質量流量１００ＳＣＣＭ当たりに５００Ｗ以上の高周波パワーを印加し、且つ前記原料ガスに対する酸化ガスの質量流量比を３倍以上とし、更に成膜温度範囲を１００℃〜３００℃として、酸化膜を形成する。 - 特許庁

It is proposed that only the 1st gas forming unit is put into operation during a starting term, the 1st gas forming unit is operated with the electric power Prated-1>Prated-2, and at least the 2nd gas forming unit is operated after the end of the starting term.例文帳に追加

本発明によれば、始動期中に、第１ガス生成ユニットのみが作動され、第１ガス生成ユニットが電力Ｐ__ｓｔａｒｔ＿１＞Ｐ_ｒａｔｅｄ＿１で作動され、始動期の終了後に、少なくとも第２ガス生成ユニットが作動されることが提案される。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁