「FORMING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on the substrate 11 so as to have the cyclic structure of the Si-O bond by the plasma treatment using the film-forming gas comprising a silane-containing gas and an oxygen gas or the film-forming gas comprising an Si-O bond containing gas.例文帳に追加

また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A hopper body 8 storing powder and grain used as material for resin molding includes a material outlet forming part 24 forming a material outlet 25 for discharging the powder and grain in the hopper body 8, and a gas inlet forming part 26 forming a gas inlet 27 for supplying gas into the hopper body 8.例文帳に追加

樹脂成形の材料としての粉粒体が溜められるホッパ本体８は、ホッパ本体８内の粉粒体を排出するための材料出口２５を形成する材料出口形成部２４と、ホッパ本体８内にガスを供給するためのガス入口２７を形成するガス入口形成部２６とを含んでいる。 - 特許庁

The glass forming apparatus has the gas-permeable forming die 11 and catches molten glass on a catch plane 114 of the forming die 11 from which gas is emitted, provided that the forming die 11 emits gas only from the catch plane 114.例文帳に追加

気体が通過可能な成形型１１を有し、気体が噴出している前記成形型１１の受け面１１４上に、溶融ガラスを受けるガラス成形装置であって、前記成形型１１は受け面１１４のみから気体が噴出するガラス成形装置である。 - 特許庁

Introduction of a material gas 121 into a film forming chamber is stopped after an absorbing process, and the inside of the film forming chamber is degassed by a degassing means (vacuum pump), thereby forming a state that an excessive gas other than the gas (aminosilane molecular layer 102) absorbed on a silicon substrate 101 is removed from the film forming chamber with one part left.例文帳に追加

吸着過程の後、成膜室内への原料ガス１２１の導入を停止し、成膜室の内部を排気手段（真空ポンプ）により排気することで、シリコン基板１０１に吸着したもの（アミノシラン分子層１０２）以外の余剰ガスが、一部を残して成膜室から除去された状態とする。 - 特許庁

To provide a gas introduction path which improves the heating efficiency of a film forming gas and heats the film forming gas to a temperature equivalent to the temperature of a processing substrate.例文帳に追加

成膜ガスの加熱効率を向上させ、成膜ガスを処理基板と同等の温度まで加熱することができるガス導入路を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a forming method for forming a metallic gas diffusion layer for fuel cell capable of supplying gas efficiently and superbly by reducing pressure loss at the time of gas supply.例文帳に追加

ガス供給時の圧力損失を低減して、ガスを効率よく良好に供給することができる金属製の燃料電池用ガス拡散層を成形するための成形方法を提供すること。 - 特許庁

SOOT FOR FORMING GAS HYDRATE, SOOT, METHOD FOR MANUFACTURING SOOT, METHOD FOR USING SOOT FOR FORMING GAS HYDRATE, METHOD FOR USING SOOT, GAS SENSOR, PRESSURE SENSOR AND MOLECULAR SIEVE例文帳に追加

ガスハイドレート生成用煤、煤、煤の製造方法、ガスハイドレート生成用煤の使用方法、煤の使用方法、ガスセンサ、圧力センサ、及び分子ふるい - 特許庁

A gas introducing circulation forming section forming a gas introducing circulation section 21 to introduce and circulate nitrogen gas is provided by a bulkhead plate 9 and a retaining member 7.例文帳に追加

そして、窒素ガスを導入して流通させるガス導入流通部２１を形成するガス導入流通部形成部が隔壁板９及び保持部材７によって設けられている。 - 特許庁

The container has a bottom wall forming a first gas layer between two resin layers, and a side wall 22 forming a second gas layer communicating with the first gas layer between two resin layers.例文帳に追加

二つの樹脂層間に第１のガス層が形成された底壁と、二つの樹脂層間に、前記第１のガス層と連通する第２のガス層が形成された側壁２２とを有する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a gas separating layer having high membrane thickness uniformity without using an extender, on an occasion when obtaining a gas separating composite membrane by forming a gas separating layer comprising a thin film of polyimide on a porous support.例文帳に追加

多孔質支持体上にポリイミドの薄膜からなる気体分離層を形成させて気体分離複合膜を得るに当たり、展延剤を用いなくても膜厚の均一性の高い気体分離層を形成可能な方法を提供すること。 - 特許庁

A protective film having a sufficient film quality can be attained by forming an insulation film in the hole of the porous layer using a mixture gas plasma of a rare gas generated through microwave stimulation and an insulation film forming gas.例文帳に追加

多孔質層内の孔内に、マイクロ波励起により発生させられた希ガスと絶縁膜形成ガスの混合ガスプラズマを用いて形成した絶縁膜を形成することにより、保護膜として十分な膜質を得ることができた。 - 特許庁

To provide a method for improving efficiency at a forming process of a gas passage and preventing cracks on an electrode and microcracks in the vicinity of the gas passage when forming the gas passage in the inside of the electrode made of porous ceramics.例文帳に追加

多孔質セラミックスからなる電極の内部にガス流路を形成するのに際して、ガス流路の形成プロセスの効率を高めるのと共に、電極の割れやガス流路付近でのマイクロクラックを防止する方法を提供する。 - 特許庁

A gas (film forming constituent gas) g2 generated by vaporizing a single film forming constituent formed of an organic material is generated, and the gas g2 is carried and supplied into a processing chamber 11 with the substrate W housed.例文帳に追加

有機材料からなる単一の成膜成分を気化させたガス（成膜成分ガス）ｇ２を発生させ、基板Ｗが収納された処理室１１内に成膜成分ガスｇ２を輸送供給する。 - 特許庁

To provide a forming method for a gas throttle layer capable of easily forming the gas throttle layer having the specified depth on the facial layer of a porous static pressure gas bearing without bringing about cost-up etc.例文帳に追加

コストアップ等を招くことなく多孔質静圧気体軸受の表層部に所定深さの気体絞り層を容易に形成することのできる気体絞り層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The gas to be heated is led into an interior of the gas to be heated passage forming member 1, and the gas to be heated passage forming member 1 is heated by a heating means 2 from the outside.例文帳に追加

被加熱ガスを被加熱ガス通路形成部材1の内部に導入し、被加熱ガス通路形成部材1を外部から加熱手段2により加熱する。 - 特許庁

When introducing the gas from a gas-supplying part 107a, this thin-film-forming apparatus is set at a state that the gas is exhausted from an exhaust part 108 of a film-forming chamber, a valve 110a is closed and a valve 110b is opened.例文帳に追加

、ガス供給部１０７ａからガスを導入するときは、成膜室排気部１０８による排気を行う状態で、バルブ１１０ａを閉じてバルブ１１０ｂを開けた状態とする。 - 特許庁

To provide a gas passage forming member used for a power generation cell capable of suppressing biting of the contact part of the gas passage forming member into a gas diffusion layer and enhancing the power generation efficiency of a fuel cell.例文帳に追加

ガス流路形成部材の接触部がガス拡散層に食い込むのを抑制でき、燃料電池の発電効率を向上できる発電セルに用いるガス流路形成部材を提供する。 - 特許庁

This method for forming the metallic thin film, which is formed on a substrate by the sputtering method, is characterized in that a mixture of a reducing gas and a dilution gas is used as an atmospheric gas in forming the above metallic thin film.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板上に金属薄膜を形成する方法において、該金属薄膜を形成する際の雰囲気ガスとして、還元性ガスと希釈ガスとの混合ガスを用いる金属薄膜の形成方法。 - 特許庁

In the manufacturing method for semiconductor devices, there is provided a first three-way valve 18 capable of changing over gas flow passages between a gas mixer 17 for mixing film-forming gases with each other and a shower head portion 14 for feeding a mixed gas to a film-forming chamber 11A.例文帳に追加

成膜ガスを混合するガス混合器１７と、成膜室１１Ａに混合ガスを供給するシャワーヘッド部１４との間に、ガスの流路を切り換え可能な第１の三方バルブ１８が設けられる。 - 特許庁

On the contrary, when introducing the gas from a gas-supplying part 107b, the thin-film forming apparatus is set at a state that the gas is exhausted from the exhaust part 108 of a film-forming chamber, a valve 110b is closed and a valve 110a is opened.例文帳に追加

これに対し、ガス供給部１０７ｂからガスを導入するときは、成膜室排気部１０８による排気を行う状態で、バルブ１１０ｂを閉じてバルブ１１０ａを開けた状態とする。 - 特許庁

The film- forming gas is agitated in the chamber 7A of the mixer 7, the agitated film- forming gas 22 is diffused into the chamber 7B, and the diffused gas 22 is introduced into a reaction chamber.例文帳に追加

混合器７の攪拌室７Ａにおいて成膜ガスを攪拌し、この攪拌された成膜ガス２２を拡散室７Ｂにおいて拡散させた後、この拡散された成膜ガス２２を反応室内に導入する。 - 特許庁

To uniformize a supply rate of a source gas in forming films on many substrates through a batch operation by ALE with the use of a film forming apparatus, without magnifying each system of supplying the source gas and exhausting the gas.例文帳に追加

ＡＬＥによる成膜装置の多数枚の一括成膜において、原料ガス供給およびガス排気の各システムを拡大することなく、原料ガス供給量の均一化を図ること。 - 特許庁

Each separator 28 has a first small-diameter end part 32 forming a fuel gas supply communication hole 30 and circular plate parts 36 forming fuel gas passages 46 and oxidant gas passages 50 by interposing the assembly 26 therebetween.例文帳に追加

セパレータ２８は、燃料ガス供給連通孔３０を形成する第１小径端部３２と、電解質・電極接合体２６を挟持して燃料ガス通路４６及び酸化剤ガス通路５０を形成する円板部３６とを有する。 - 特許庁

In a treatment chamber 2 of a batch CVD film forming device, the turbulent flow of film forming gas is generated by introducing the gas into the chamber 2 through a plurality of holes 7 formed in a gas nozzle 7.例文帳に追加

バッチ式ＣＶＤ成膜装置の処理室２内に、ガスノズル７に設けた複数の孔から成膜用のガスを導入し、処理室２内でガスの乱流を発生させる。 - 特許庁

The method for producing carbonyl difluoride has a process for supplying carbon monoxide gas and fluorine gas into circulating carbonyl difluoride gas, forming carbonyl difluoride by reacting carbon monoxide gas and fluorine gas and taking out carbonyl difluoride gas.例文帳に追加

本発明の二フッ化カルボニルの製造方法は、循環している二フッ化カルボニルガスに一酸化炭素ガスとフッ素ガスとを供給し、一酸化炭素ガスとフッ素ガスとを反応させて二フッ化カルボニルを生成させるとともに、二フッ化カルボニルガスを取り出す工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

Fuel gas piping 13 for supplying fuel gas forming flames, oxygen gas piping 14 for supplying oxygen gas burning fuel gas, and conveyed gas piping 15 for conveying marking powder from a chamber 16 storing the powder are connected to a torch 11 fitted with a marking nozzle 12.例文帳に追加

マーキング用のノズル12を取り付けたトーチ11に火炎を形成する燃料ガスを供給する燃料ガス配管13，燃料ガスを燃焼させる酸素ガスを供給する酸素ガス配管14，マーキング用の粉末を収容したチャンバー16から粉末を搬送する搬送ガス配管15を接続する。 - 特許庁

The ozone gas introducing means may have an oxygen supply means, an ozone gas forming means to form the ozone containing gas in which the ozone gas and oxygen are constituted to have a prescribed ratio, and may have a gas introducing amount adjusting means to adjust the gas amount introduced into the chamber.例文帳に追加

前記オゾンガス導入手段は、酸素供給手段と、オゾンガスと酸素が所定の比率で構成されるオゾン含有ガスを生成するオゾンガス生成手段と、前記チャンバーに導入するガスの量を調整するガス導入量調整手段とを有しても良い。 - 特許庁

The exhaust-gas-cleaning device comprises a reaction section 1 for bringing exhaust gas into contact with ozone-containing gas, a gas-liquid mixing section 2 for ozone-containing gas and hydrogen peroxide solution, and a free radical-forming section 7, which is located between the reaction section and the gas-liquid mixing section, and filled with catalyst.例文帳に追加

本発明は、排ガスとオゾン含有ガスを接触させる反応部１、オゾン含有ガスと過酸化水素水の気液混合部２及び前記反応部と前記気液混合部との間に位置し、触媒を充填したラジカル生成部７から成る排ガス浄化装置である。 - 特許庁

At the time of forming a lower electrode 25A composed of two layers of amorphous silicon films which are different in phosphorus concentration by CDV method using mixed gas of SiH4 gas and PH3 gas as source gas, SiH4 gas concentration is kept constant and PH3 gas concentration is reduced from the middle of deposition.例文帳に追加

リン濃度の異る２層のアモルファスシリコン膜で形成される下部電極２５ＡをＳｉＨ_4ガスおよびＰＨ_3ガスの混合ガスをソースガスに用いたＣＤＶ法により形成する際、ＳｉＨ_4ガスの濃度は一定とし、ＰＨ_3ガスの濃度は成膜途中から低くする。 - 特許庁

The gas treating device treating gas by installing the gas treating filter in a flow passage of flowing gas is constituted by providing a water supply part supplying water to the gas treating filter and by forming the water filter on the surface of the gas treating filter.例文帳に追加

ガスを送気させる流路中に、ガス処理用フィルターを設け、ガスを処理するガス処理装置において、前記ガス処理用フィルターに水を供給する給水部を具備し、前記ガス処理用フィルターの表面に水フィルターを形成するように構成した。 - 特許庁

This gas injector has a tubular body 11 through which liquid 13 is flowing upward roughly vertically; a gas header 18 forming an annular gas supply chamber 17 around the tubular body 11; a gas supply system 19 supplying the gas to the chamber 17; and a gas injection mechanism 12 forming a roughly plane gas flow in the roughly horizontal direction toward the liquid 13 roughly vertically flowing upward.例文帳に追加

内部を液体１３が略鉛直上方へ流れる管体１１と、管体１１の周囲に環状のガス供給室１７を形成するガスヘッダ１８と、このガス供給室１７へガスを供給するガス供給系１９とを有し、略鉛直上方へ流れるこの液体１３へ向けた、略水平方向への略平面状のガス流れを形成するためのガス噴出機構１２とを備えるガスインジェクタである。 - 特許庁

In the activated gas forming method applicable to exhaust gas treatment, surface treatment or deodorization, the method wherein raw material gas is introduced into a plasma reactor discharging between electrodes to generate the activated gas, part of the activated gas is introduced into the plasma reactor, and circulated to form highly concentrated gas; the forming apparatus; and the exhaust gas treatment system are used.例文帳に追加

排ガス処理、表面処理、脱臭などに利用可能な活性ガスの生成方法において、原料のガスを、電極間にて放電を行うプラズマ反応器に導入して前記活性ガスを発生させ、該活性ガスの一部を、前記プラズマ反応器に導入し、循環して高濃度化する活性ガス生成方法及び生成装置並びにこれを用いた排ガス処理システム装置を使用する。 - 特許庁

In conducting a film-forming process on a wafer W by introducing a film-forming gas containing SiH4 gas, O2 gas and Ar gas into a process chamber 2 while plasma is generated in the process chamber 2, SiH4 gas is fed only from a top nozzle 20, and O2 gas and Ar gas are fed from the top nozzle 20 and from a side nozzle 24.例文帳に追加

処理チャンバ２内にプラズマを発生させた状態で、ＳｉＨ_4ガスとＯ_2ガスとＡｒガスとを含む成膜ガスを処理チャンバ２内に導入し、ウェハＷの成膜処理を行う場合、まず、ＳｉＨ_4ガスをトップノズル２０のみから供給すると共に、Ｏ_2ガス及びＡｒガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。 - 特許庁

A sheet forming process to form a sheet 400 mainly composed of the carbon fibers, and a gas diffusion electrode forming process to form the gas diffusion electrode based on the sheet 400 formed in the sheet forming process are carried out.例文帳に追加

カーボン繊維を主要成分とするシート４００を形成するシート形成工程工程と、シート形成工程で形成したシート４００に基づいてガス拡散電極を形成するガス拡散電極形成工程とを実施する。 - 特許庁

The thin film containing at least the metal material is formed on a film forming surface by supplying the surface modification gas and the film forming material gas to the film forming surface of the substrate 16 from the hot wall pipe 12.例文帳に追加

そして、ホットウォール管１２から基板１６の成膜面へと表面改質ガス及び成膜材料ガスを供給することによって、金属材料を少なくとも含む薄膜を成膜面上に形成する。 - 特許庁

To provide a cold trap for a vacuum film forming apparatus having an enhanced efficiency of removing moisture in exhaust gas while suppressing a decrease in exhaust gas conductance of the vacuum film forming apparatus, and an exhausting system for the vacuum film forming apparatus.例文帳に追加

真空成膜装置の排気コンダクタンスの悪化を押さえながら排気中の水分の除去効率を高める真空成膜装置用コールドトラップ及び真空成膜装置用排気システムを提供する。 - 特許庁

When the glass forming gas is prepared, a glass forming raw material is vaporized under reduced pressure, and the obtained glass forming gas is sent onto a base material or into a reaction vessel under the reduced pressure while controlling the flow rate.例文帳に追加

ガラス形成ガスを生成させるに際し、ガラス形成原料を減圧下で気化させ、生成したガラス形成ガスを減圧下で流量制御して基材又は反応容器へ送る。 - 特許庁

The preprocessing step is further constituted by a step of introducing a gas, which contains the same gas used in the film-forming process for forming the thin film on the semiconductor substrate into the reaction chamber, and a step of forming the surface layer on the susceptor surface by a CVD method.例文帳に追加

前処理工程はさらに、半導体基板上に薄膜を成膜する成膜処理と同じガスを含有するガスを反応チャンバ内へ導入する工程と、CVD法により表面層をサセプタ表面に形成する工程からなる。 - 特許庁

During the film forming process, a film forming gas is supplied into the chamber 3 from the gas supply units 7-1, 7-2 and 7-3, and the electrodes 35-1 and 35-2 generate a plasma through their rotating operation, thereby forming the thin film on the substrate material 13.例文帳に追加

成膜時には、チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２は回転しながらプラズマを発生し、基材１３上に薄膜が形成される。 - 特許庁

To provide a gas supply device, a gas supply method, a cleaning method for a thin-film forming device, a thin-film forming method, and a thin-film forming device that enable to suppress deterioration of components.例文帳に追加

部品の劣化を抑制することができるガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

Even when inside gas of the pore forming agent is expanded by heating in drying of the slurry, since gas is exhausted from pores on the surfaces of the pore forming agent, the pore forming agent itself is not expanded, and the sintered plate having uniform pore size can be obtained.例文帳に追加

これにより、スラリー乾燥時の加熱により造孔剤の内部ガスが膨張しても造孔剤表面の孔からガスが抜けるため造孔剤自身は膨張せず、均一な孔径の焼結基板を得ることができる。 - 特許庁

In this case, in at least the final process of embedding, the mixed gas of silicon source gas and halide gas is used as gas supplied for forming the p-type epitaxial film 23.例文帳に追加

この際、少なくとも埋め込みの最終工程において、ｐ型のエピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a risk management support system for gas infrastructure to determine social risk generated by the gas construction based on gas construction information performed on a lifeline forming a gas infrastructure.例文帳に追加

ガスインフラを形成するライフライン上で実施されるガス工事情報に基づき、当該ガス工事によって発生する社会リスクを求めるガスインフラリスク管理支援システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The gas diffusion layer 4 is arranged between the separator 6 and a membrane electrode assembly 3, and has a partition 7 forming the gas passage inside the gas diffusion layer, and the fuel cell uses the gas diffusion layer.例文帳に追加

燃料電池におけるセパレータ６と膜電極複合体３との間に配置されるガス拡散層４であって、ガス拡散層内にガス流路を形成する隔壁７を有するガス拡散層、および、それを用いた燃料電池。 - 特許庁

To provide a gas leak detector which can efficiently detect gas leak of the pipe forming gas passage and identify the gas leak location by simple operation in a short time.例文帳に追加

ガス通路を形成する配管のガス漏れの検知及びガス漏れ位置の特定を簡易な作業で短時間に効率よく実施することのできるガス漏れ検知装置を提供すること。 - 特許庁