「First Growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises forming a protective film for obstructing the crystal growth on a substrate, so that a first nitride semiconductor layer is exposed through window regions partly opened through the protective film, starting the selective growth of a second nitride semiconductor layer from the first nitride semiconductor layer at a required growth starting temperature and rising the temperature over the growth starting temperature to continue the crystal growth.例文帳に追加

基板上に結晶成長を阻害する保護膜を、該保護膜の一部を開口した窓領域内で第１窒化物半導体層が臨むように形成し、その第１窒化物半導体層からの第２窒化物半導体層の選択成長を所要の成長開始温度で開始し、続いて前記成長開始温度よりも高い温度に昇温して結晶成長を継続する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁

During the first stage of growth, the crystal grows in a normal direction while simultaneously expanding laterally.例文帳に追加

成長の第２の段階の間には、結晶は通常の方向に成長すると共に、横方向に拡がる。 - 特許庁

G-20 members welcomed the continued strong growth of the global economy in the first half of 2007 but noted that downside risks to the near-term outlook have increased as a consequence of recent financial market disturbances. 例文帳に追加

今年前半の世界経済が引き続き力強く成長したことを歓迎。 - 財務省

Then a semiconductor growth stopping mask layer 6 is formed selectively on the first electron supply layer 4.例文帳に追加

次に、第１の電子供給層４の上に選択的に半導体成長阻止マスク層６を形成する。 - 特許庁

Next, growth of gallium nitride on the substrate 100 is continued at a second temperature higher than the first temperature.例文帳に追加

次に、第１の温度より高い第２の温度で基板１００上に窒化ガリウムの成長を続ける。 - 特許庁

First, population growth mainly in developing countries may be cited as a factor of increased demand for food.例文帳に追加

まず、食料需要拡大の要因として、途上国を中心とした人口増加を挙げることができる。 - 経済産業省

The first ITD could bring us closer to the above goal and promote green growth in the APEC economies.例文帳に追加

第１回 ITD は我々をこの目標に近づけさせ，APEC エコノミーにおけるグリーン成長を前進させる。 - 経済産業省

Quarterly transition shows five consecutive quarters of decline in real GDP growth rate until the first quarter of 2012.例文帳に追加

四半期ごとの推移を見ると、2012 年の第1 四半期まで5 四半期連続で成長率は低下している。 - 経済産業省

The luminous diode manufacturing method includes the steps of providing a substrate; making a first epitaxial layer grow on the substrate under a first growth condition; making a process changeover layer grow on the first epitaxial layer under a second growth condition; and making a second epitaxial layer grow on the process switchover layer under a third growth condition.例文帳に追加

この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 - 特許庁

Then a light emitting element 1, wherein the first p-type contact layer 106 is so formed that the growth temperature is the critical growth temperature and the Mg concentration is the critical Mg concentration, is manufactured.例文帳に追加

次に、成長温度を臨界成長温度とし、Ｍｇ濃度が臨界Ｍｇ濃度となるように第１ｐ型コンタクト層１０６を形成した発光素子１を作製する。 - 特許庁

Furthermore, according to the preliminary results of the national census taken in 2005, Seika-cho has ranked first in population growth with a growth rate of 29.9 percent (34,540 people in the fiscal year of 2006), far surpassing all other municipalities across Japan. 例文帳に追加

また2005年実施国勢調査速報値によると、人口増加率は29.9%と全国の他の市町村を大きく引き離して1位である（平成17年度に34540人）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first substrate comprises stripe-shaped anti-growth patterns on the upper surface of the substrate, and recess regions having sidewalls of a c-plane between the anti-growth patterns.例文帳に追加

第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。 - 特許庁

GDP The seasonally adjusted real GDP growth rate in the 4th quarter of 2011 in the euro area recorded 0.3% quarter-on-quarter, falling to the first negative quarter-on-quarter growth in ten quarters since the 2nd quarter of 2009.例文帳に追加

2011年第4四半期のユーロ圏の実質GDP成長率は季節調整済み前期比－0.3%と2009年第2四半期以来10四半期ぶりに前期比でマイナスに転じた。 - 経済産業省

After the crisis in the fall of 2008, the global economy entered into the worst economic decline in recent year causing a 2009 GDP growth rate of -0.6% which was the first negative economic growth in 60 years.例文帳に追加

2008年秋の危機の発生後、世界経済は近年で最も深刻な景気後退に見舞われ、2009年のGDP成長率は－0.6％と、過去60年間で初のマイナス成長となった。 - 経済産業省

Regarding exports as well, growth in the value of exports of typical SME products has tended to exceed growth in exports of typical large enterprise products since the first quarter of 2004 (Fig. 1- 1-21). 例文帳に追加

また、輸出を見ても、中小企業性製品の輸出額の伸びは、2004年第I四半期以降、大企業性製品の輸出の伸びを上回る動きとなっている（第1-1-21図）。 - 経済産業省

First, if we look at the growth rate of private nonresidential investment from fiscal 2002 by region, we find that in the Kanto, Chubu, Chugoku, and Kyushu regions the growth rate exceeds the national average. Meanwhile, the growth rate decreased in Hokkaido and the growth margin became relatively smaller in the Tohoku and Shikoku regions (Fig. 1-1-13).例文帳に追加

まず、民間設備投資について、地域別に2002年度からの伸び率を見ると、関東や中部、中国、九州で全国平均を上回る伸びが見られる一方で、北海道では減少し、東北、四国では伸び幅が相対的に小さくなっている（第1-1-13図）。 - 経済産業省

The inhibition layer has an opening, inhibits crystal growth, and contains the first atom, and the first crystal layer is formed in the opening.例文帳に追加

阻害層は開口を有し、阻害層は結晶成長を阻害し、阻害層は第１原子を含み、第１結晶層は、開口に形成される。 - 特許庁

A first epitaxial layer 31 whose conduction type is n-type is formed by epitaxial growth on a first region 2 whose conduction type is p-type.例文帳に追加

導電型がＰ型の第１領域２の上に、エピタキシャル成長により、導電型がＮ型である第１エピタキシャル層３１が形成される。 - 特許庁

Such a device is produced by providing a wafer comprising a growth surface, growing an optical waveguide core mesa on the growth surface by means of micro-selective area growth at a first temperature, and covering the optical waveguide core mesa with a cladding material at a second temperature that is lower than the first temperature.例文帳に追加

このようなデバイスは、成長面を有するウェハを設け、光導波コアメサを、マイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料で覆うことによって製造する。 - 特許庁

In advance of growth of an active layer 27 for an EA modulator, at least part of deposition, namely an abnormal growth portion 25 formed at the growth of the first optical confinement layer 23, on an etching edge face 19a of a first semiconductor portion 19 is removed by etching.例文帳に追加

ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先だって、第１半導体部１９のエッチング端面１９ａ上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に形成された異常成長部２５の少なくとも一部をエッチングによって除去する。 - 特許庁

The economy hovered at a low level in the first half and recovered in the second half The real GDP growth rate in early 2010 achieved a plus growth of 3.7% at an annual rate increase from the previous quarter in the first quarter, and gained a 1.7% increase in the second quarter supported by recovery of personal consumption which account for approximately 70% of the real GDP, but the growth rate slowed down.例文帳に追加

成長が低迷した前半と回復した後半2010年前半の実質 GDP 成長率は、実質 GDP の約7割を占める個人消費の回復などにより、第1四半期に前期比年率3.7％、第2四半期に同1.7％とプラス成長ではあったが、その伸びは鈍化していった。 - 経済産業省

An opening is made in the first unpreferable growth layer by etching, such that the opening extends downward through the first unpreferable growth layer to the shading surface, thus exposing a part of the shading surface.例文帳に追加

第１の好適でない成長層内に開口をエッチングして、この開口が、第１の好適でない成長層を通ってシーディング表面まで下方に延び、これによって、シーディング表面の一部を露出させるようにする。 - 特許庁

Within a first conductive growth layer 12, the guard groove of elongated right rectangle is formed.例文帳に追加

第１導電型の成長層１２内に、平面形状が細長の直角四角形のガード溝を形成する。 - 特許庁

The position of a grain filter 26 serving as the starting point of crystal growth is determined based on the reference of the first alignment mark 21.例文帳に追加

結晶成長の起点となるグレイン・フィルタ２６の位置は、第一アライメント・マーク２１を基準に決定する。 - 特許庁

First and second double-hetero structures are formed on an n-type GaAs substrate 1 by a crystal growth process.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。 - 特許庁

The first torn surface 10C_2 has the crystal lattice plane of a material constituting the growth substrate 10 exposed thereon.例文帳に追加

第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。 - 特許庁

7 days or more, NOEC - the period up to the first spawning, the number of eggs per female, growth rates and survival rates例文帳に追加

７日間以上、NOEC（最初の産卵までの期間、雌1匹あたりの出生個体数、成長および生存率） - 経済産業省

Endpoint in this case concerns the period up to the first spawning, the number of eggs per female, growth rates and survival rates.例文帳に追加

エンドポイントは、最初の産卵までの期間、雌1匹あたりの出生個体数、成長および生存率である。 - 経済産業省

The first step produces a plurality of carbon nanofibers 80 by compressing a plurality of the first carbon nanofibers 60 produced by a vapor growth method.例文帳に追加

第１の工程は、気相成長法によって製造された複数の第1のカーボンナノファイバー６０を圧縮処理して複数のカーボンナノファイバー８０を得る。 - 特許庁

The growing container, the first nitrogen dissolution container, the second nitrogen dissolution container, the first connection section, and the second connection section are put in motion during growth of the crystal.例文帳に追加

結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 - 特許庁

A first nitride semiconductor layer with C surface as a growth surface is formed on a substrate, and a concavoconvex is formed on a surface of the first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上にＣ面を成長面とする第１の窒化物半導体層を形成し、前記第１の窒化物半導体表面に凹凸を形成する。 - 特許庁

In the first step, a first carbon nanofiber produced by a vapor growth method is oxidized to produce a second carbon nanofiber 40 having an oxidized surface.例文帳に追加

第１の工程は、気相成長法によって製造された第１のカーボンナノファイバーを酸化処理して表面が酸化された第２のカーボンナノファイバー４０を得る。 - 特許庁

Microorganisms are, in a first aspect, able to stimulate the growth of microorganisms of the skin normal bacterial flora but do not stimulate the growth of microorganisms of the transient pathogenic bacterial flora.例文帳に追加

第一の態様において、皮膚常在菌叢の微生物の生育を刺激することができるが、一過性病原性菌叢の微生物の生育は刺激しない微生物を記載する。 - 特許庁

The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region.例文帳に追加

前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。 - 特許庁

Next, the selective growth mask 4 is removed, and the height of a step 6 formed at the boundary between an area on the first epitaxial layer 2 other than the removed selective growth mask 4 and the selective area 3 having the selective growth layer 5 laminated thereon is measured.例文帳に追加

この後、選択成長用マスク４を除去し、選択成長用マスク４が除去された領域と、選択成長層５が積層されている選択領域３との境界部分に形成された段差部６の高さを測定する。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

A multi-value code image allocating part 1604 allocates second code information to the growth cores before the affine transformation based upon first code information of at least one growth core after the affine transformation close to a growth core before the affine transformation.例文帳に追加

多値コード画像割り当て部１６０４は、各アフィン変換前の成長コアに対し、アフィン変換前の成長コアに近接する少なくとも１つのアフィン変換後の成長コアの第１のコード情報に基づき、第２のコード情報を割り当てる。 - 特許庁

By subjecting the structure with the mask member M1 to selective embedding epitaxial growth, a pad film 12 is formed as a first selective embedded growth layer, and subsequently a p-type anode side region 13 as a second selective embedded growth layer are formed.例文帳に追加

マスク部材Ｍ１を付けたままで、埋込選択エピタキシャル成長法により、第１の埋込選択成長層であるパッド膜１２を形成し、引き続き、第２の埋込選択成長層であるｐ型のアノード側領域１３形成する。 - 特許庁

A first temperature T1 that is a temperature in which the growth rate (square root thereof) is zero in the relational expression a is then determined.例文帳に追加

次に、関係式ａにおいて増殖速度（の平方根）が零となる温度である第一温度Ｔ１を求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a first wire has low resistivity and the abnormal growth of silicide is prevented.例文帳に追加

第１配線の比抵抗が小さく、シリサイド異常成長が抑制された半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To the bottom surface of the first epitaxial growth layers 6, the semiconductor substrate surface in the channel region is dug deep.例文帳に追加

第１エピタキシャル成長層６の底面に対して、チャネル領域における半導体基板面が掘り下げられている。 - 特許庁

The combined agent includes a mode in which the basic fibroblast growth factor acts to express at first.例文帳に追加

組み合わせ剤においては、塩基性線維芽細胞増殖因子が先に作用発現するように使用する態様を含む。 - 特許庁

Typically, the first crystal layer 11 is a single crystal layer, and the second one 13 is an epitaxial growth layer.例文帳に追加

典型的に、第１の結晶層１１は、単結晶層であり、第２の結晶層１３はエピタキシャル成長層である。 - 特許庁

The group 52 of second compound semiconductor layers is formed on the group 22 of first compound semiconductor layers through epitaxial growth.例文帳に追加

第２化合物半導体層群５２は、第１化合物半導体層群２２上にエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁