「Ge at」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.例文帳に追加

蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

A crystal piece containing at least Ge is set on the bottom of a crucible 11 for cast growth.例文帳に追加

キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＧｅを含む結晶片を配置する。 - 特許庁

(3) The medium is the optical recording medium described in (1) or (2) which recording layer includes at least Ge, Sb, Te.例文帳に追加

３）記録層が、少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む１）又は２）記載の光記録媒体。 - 特許庁

For example, when performing FSE method at a first time TR, a GE method is performed at the next time TR.例文帳に追加

例えば、最初の時間ＴＲでＦＳＥ法を実行した場合は、次の時間ＴＲでは、ＧＥ法を実行する。 - 特許庁

A film 31 comprised of a fluorescent material and a film 33 containing, as the constitutional element, at least one element selected from Si and Ge are laminated on a substrate 34.例文帳に追加

蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。 - 特許庁

For example, the intermediate layer 20 includes at least one kind selected from among Si-Sb, Si-Te, and Si-Ge, when the phase change material includes Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

例えば相変化材料がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含む場合、中間層２０は、Ｓｉ−Ｓｂ、Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｉ−Ｇｅの少なくとも一種を含む。 - 特許庁

M is preferably at least one element selected from the group comprising, for example, Sn, Ge, Si and Pb and more preferably at least one element selected from the group comprising Sn and Ge.例文帳に追加

Ｍは、例えばＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ及びＰｂからなる群から選択される少なくとも何れか１種が好ましく、Ｓｎ及びＧｅからなる群から選択される少なくとも何れか１種がより好ましい。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

The fluorescent material has as the constitutional elements at least one element selected from Mg, Ca, Sr and Ba, at least one element selected from Si and Ge, at least one element selected from rare earth elements, and oxygen, and besides has as the crystal structure a pseudowollastonite structure.例文帳に追加

Mg,Ca,Sr,Baから選ばれる少なくとも一つの元素、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素、希土類から選ばれる少なくとも一つの元素、及び酸素を構成元素とし、結晶構造が擬珪灰石構造である蛍光材料。 - 特許庁

At the end of the book, Motoyoshi added farewell waka (a traditional Japanese poem of thirty-one syllables) and ge (Buddhist poem) that wrap up the book to his father and mother. 例文帳に追加

元能は最後に、父母への別れの和歌と偈を載せ、この著作を締めくくっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

The Pb-free soldering alloy may further contain at least one kind among Mg and Ge, which is 0.3-4.0 mass% in case of Mg or 0.3-3.0 mass% in case of Ge.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金には、更にＭｇ及びＧｅの少なくとも１種が、Ｍｇの場合は０.３〜４.０質量％、Ｇｅの場合は０.３〜３.０質量％含まれていてもよい。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

Alternatively, the content of the Mo is 2 to 12 at.%, and the content of the Ge as an α phase stabilizing element is ≤8 at.%.例文帳に追加

さらに、前記Ｍｏの含有量が２〜１２ａｔ％であり、前記α相安定化元素のＧｅを８ａｔ％以下含有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein upon manufacturing Ge dots in multistage a Ge dot is formed at a position of an inverse pyramid recess on an Si substrate which is artificially position-controlled without causing the Ge dot to be split.例文帳に追加

本発明では、多段にＧｅドットを製造する場合に、Ｇｅドットが分裂せずに人為的に位置制御されたＳｉ基板上の逆ピラミッド凹部の位置に多段にＧｅドットが形成される半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

When there are two haiden halls, the one toward you is called ge-haiden, or outer haiden, and the one at the back nai-haiden, or inner haiden. 例文帳に追加

二つある場合は、手前を外拝殿（げはいでん）と呼び、奥のものを内拝殿（ないはいでん）と呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

At this time, the content (b) of Ge can be 10 at.%≤b≤15 at.%, the content (c) of Sb can be 20 at.%≤c≤25 at.%, and the content (d) of Te can be 40 at.%≤d≤55 at.%.例文帳に追加

このとき、Ｇｅの含有量（ｂ）は１０ａｔ．％≦ｂ≦１５ａｔ．％であり、Ｓｂの含有量（ｃ）は２０ａｔ．％≦ｃ≦２５ａｔ．％であり、Ｔｅの含有量（ｄ）は４０ａｔ．％≦ｄ≦５５ａｔ．％でありうる。 - 特許庁

The first and second insertion layers include: at least one of Ge containing P, Ge containing B, Pd, Co, and Rh; or one of Li, Na, and Ca; or one of their compounds.例文帳に追加

第１及び第２挿入層は、Ｐを含むＧｅ、Ｂを含むＧｅ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈの少なくともいずれかを含む、または、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａのいずれか、または、それらのいずれかの化合物を含む。 - 特許庁

Alternatively, the Ge layer is formed in an island shape which does not cause separation because of a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the Ge layer and the Si substrate when annealed at the annealing temperature.例文帳に追加

あるいはＧｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるＳｉとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 - 特許庁

A raw material containing at least Ge is set over the crystal piece in the crucible 11.例文帳に追加

次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片の上方に少なくともＧｅを含む原料を配置する。 - 特許庁

Preferably, the oxide sintered compact contains germanium at an atomic ratio Ge/In of 0.01-0.17.例文帳に追加

酸化物焼結体中のゲルマニウムの含有量は、Ｇｅ／Ｉｎ原子比で０．０１以上０．１７以下であることが好ましい。 - 特許庁

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

In 731, he became Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto), assuming the post of Tonomo no kami (the Director of the Imperial Palace Keeper's Bureau), and in 738, he became Saigu Chokan (Director of the residence of an unmarried princess serving at Ise-jingu Shrine). 例文帳に追加

天平3年に外従五位下になり、主殿頭に就き、天平10年には斎宮長官になった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A poylcrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge which contacts a gate insulating film 2 as well as a polycrystal Si layer 4 provided on the polycrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge constitute a gate electrode, especially a T-type gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２と接する少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３と、この少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３上に設けた多結晶Ｓｉ層４によって、ゲート電極、特に、Ｔ型ゲート電極を形成する。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

On April 24, 774, Nemaro who had been Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) at that time was appointed to an assistant governor of Dewa Province by the Empress Shotoku. 例文帳に追加

774年（宝亀5年）3月5日(旧暦)、当時外従五位下であった根麻呂は称徳天皇より出羽国介に任ぜられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

The fluorescent substance to be excited by the vacuum ultraviolet rays contains Eu as an activator, at least one kind of an alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca, at least one kind of an element selected from the group consisting of Ti, Zr and Hf, and at least one kind of an element selected from Si and Ge.例文帳に追加

Euを付活剤として含有し、Ba、Sr及びCaの群から選択される少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素と、Ti、Zr、及びHfの群から選択される少なくとも１種類の元素と、Si及びGeから選択される少なくとも１種類の元素をそれぞれ含有する真空紫外線励起用蛍光体である。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

At a substrate temperature lower than a room temperature, the ozone gas is supplied to the substrate to form an ozone molecule film on the Ge substrate 2.例文帳に追加

室温よりも低温の基板温度のもとで前記基板に前記オゾンガスを供給してＧｅ基板２上にオゾン分子層を形成させる。 - 特許庁

The elements are preferably composed of at least one kind selected from the group consisting of Cu, In, Sn, Pb, Ge, Sb, Cd and Ag.例文帳に追加

前記元素は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｃｄ、及びＡｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。 - 特許庁

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

A safe live recombinant virus as well as a vaccine are produced by the deletion of a portion of the native glycoprotein E (gE) encoding region of the BHV-1 followed by the insertion of a plasmid including a foreign functional β-gal at the gE locus.例文帳に追加

ＢＨＶ−１の固有糖タンパクＥ（ｇＥ）をコードする領域の一部を欠失し、続いて該ｇＥ座に外来の機能性β−ｇａｌを含むプラスミドを挿入することにより、安全な生菌組換えウイルスとともにワクチンが製造される。 - 特許庁

The temperature gradients along the axial direction at the center and the outer periphery of a silicon single crystal 11 in the temperature range of 1,370-1,310°C are taken as Gc_1 and Ge, and the outer periphery of the growing single crystal is cooled to make the ratio Gc_1/Ge become 1.2-1.3.例文帳に追加

シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配をＧc_1及びＧeとし、この比Ｇc_1／Ｇeが１．２〜１．３となるように上記育成中の単結晶の外周部を冷却する。 - 特許庁

Further, the material contains additive elements of at least one kind among Ni, Co, Sb, Fe, Ge, Bi, and In at a ratio of ≤2.0 mass% in total (excluding zero of a lower limit value).例文帳に追加

さらに、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｂ、Ｆｅ、Ｇｅ、ＢｉおよびＩｎのうち、少なくとも１種類の添加元素を合計で２．０質量％以下（但し、下限値の零を含まず）の割合で含む。 - 特許庁

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁

Cathode material consisting of particles including at least 1 type from a group consisting of Si, Ge, Sn or Pb is contained in the cathode 24.例文帳に追加

負極２４は、Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎあるいはＰｂからなる群のうちの少なくとも１種を含む粒子よりなる負極材料を含有している。 - 特許庁

To obtain an optical fiber with a structure having a small optical transmission loss and excellent in strength reliability even if elemental Ge is doped at a high concentration.例文帳に追加

高濃度のＧｅ元素が添加されていても光伝送損失が小さくかつ強度信頼性に優れた構造を備えた光ファイバを提供する。 - 特許庁

The alloy comprises Sb of 11-15 in mass %, at least one of either Ni or Ge of 0.01-1 in mass % and substantially the remainder of Sn.例文帳に追加

Ｓｂを１１〜１５質量％、並びにＮｉおよびＧｅのうちの少なくとも１種を０．０１〜１質量％含み、残部が実質的にＳｎからなる。 - 特許庁