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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Isolationの意味・解説 > Isolationに関連した英語例文

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Isolationを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 7498



例文

To provide a Faraday rotator preventing deterioration of an isolation function caused by temperature rise even when it is used for a high-output laser having ≤1.1μm wavelength and ≥1W output.例文帳に追加

1.1μm以下の波長で出力1W以上の高出力レーザーに対して使用しても、温度上昇によるアイソレーション機能が劣化しないファラデー回転子を提供する。 - 特許庁

To enable easier isolation of antibodies for several hours by covering the matter having interconnected fine cavities with the antibody for the saving of polymer binders with an inexpensive method.例文帳に追加

簡単で廉価な方法で連続した微細空洞を有する物体を抗生物質で被覆して、ポリマーバインダーを省略して容易に数日の時間にわたり抗生物質の遊離を可能にする。 - 特許庁

At least one resiliently compressible dielectric layer 50 is provided to ensure electrical isolation between the substrate electrode 40 and the electrode element layer 62 of the movable membrane 60.例文帳に追加

少なくとも1つの弾性的に圧縮可能な誘電体層50を設け、基板電極40と可動膜60の電極素子層62との間の電気的絶縁を確実にする。 - 特許庁

A collector layer 3 forming the first island-shaped region is in an electrical floating state, so the collector layer 3 and isolation layer 4 do not operate as a parasitic diode.例文帳に追加

また、第1の島状領域を形成するコレクタ層3は電気的に浮遊な状態になっているため、コレクタ層3およびアイソレーション層4が寄生ダイオードとして動作しない。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device for surge protection in which a plurality of semiconductor elements for surge protection are formed on a single substrate while satisfying small parasitic capacitance between semiconductor elements and high electric isolation.例文帳に追加

複数のサージ保護用半導体素子を単一基板上に形成し、半導体素子間の寄生容量が小さく電気的な分離性が高いサージ保護用半導体装置を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a miniature relay which has a high isolation characteristic and can be easily produced by minimizing a capacity coupling component between contacts without requiring high alignment precision.例文帳に追加

高度のアライメント精度を必要とすることなく、接点間の容量結合成分を可能な限り小さくすることにより、アイソレーション特性が高く、容易に製造可能なマイクロリレーを提供する。 - 特許庁

A trench isolation structure TI is formed, between an active barrier region ABR and other region (output transistor forming region ER and control circuit forming region CCR).例文帳に追加

アクティブバリア領域ABRと他の領域(出力トランジスタ形成領域OERおよび制御回路形成領域CCR)との間にトレンチ分離構造TIが形成されている。 - 特許庁

An upper element isolation film for filling the groove and trench is formed on the lower element separation film, and the hard mask film and buffer insulating film are etched until the semiconductor substrate is exposed for removal.例文帳に追加

下部素子分離膜上にグルーブ及びトレンチを満たす上部素子分離膜を形成し、ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を半導体基板が露出するまでエッチングして除去する。 - 特許庁

In this case, since a peripheral rinsing or peripheral exposure is not applied to the resist film on a peripheral portion 11b of the silicon substrate 11, the element isolation layer 12 of the peripheral portion 11b remains.例文帳に追加

このとき、シリコン基板11の周辺部11bにあるレジスト膜に周辺リンス又は周辺露光を施さないことから、周辺部11bの素子分離層12が残る。 - 特許庁

例文

A pair of voltage resonance converter is provided on the primary of an isolation converter transformer to obtain high DC voltage (CRT anode voltage) through a multiplying-rectifier circuit on the secondary side thereof.例文帳に追加

絶縁コンバータトランスの一次側に1組の電圧共振形コンバータを備え、その二次側において、多倍圧整流回路によって直流高電圧(CRTのアノード電圧)を得る。 - 特許庁

例文

Also, isolation is obtained by the circuit 21, and local leakage mainly with the leakage of oscillation signals of local oscillation circuits 10 and 14 in a tuner inputting stage as main parts is reduced.例文帳に追加

また、回路21によりアイソレーションが得られ、該チューナの入力段における局部発振回路10および14の発振信号の漏れを主体とするローカルリケージが低減される。 - 特許庁

The polysilicon film 50 sucking up impurities is removed completely from the surface of the SOI wafer 10, the silicon layer 13 after the removal is oxidized, and isolation insulating layers 14 are formed.例文帳に追加

その後、不純物を吸い取ったポリシリコン膜50を、SOIウェーハ10の表面から完全に除去し、除去した後のシリコン層13を酸化して分離絶縁層14を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a MOS transistor formed in the inside including the principal surface of a semiconductor substrate, and also has an element isolation-insulating film 3 formed surrounding the MOS transistor.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、半導体基板の主面を含む内部にMOSトランジスタが形成され、このMOSトランジスタを取り囲んで素子分離絶縁膜3が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for preventing short-circuiting failure from being generated in wirings, even in the semiconductor device where polysilicon wirings are formed across a trench isolation region.例文帳に追加

トレンチ分離領域を横切って、ポリシリコン配線が形成される半導体装置であっても、配線のショート不良が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel oxide film 3, a charge accumulation layer 4, a current cutoff layer 5 are laminatedly formed on the first main face (surface) of the semiconductor substrate between the STIs (shallow trench isolation) 2.例文帳に追加

STI(シャロートレンチアイソレーション)2の間の半導体基板の第1主面(表面)上にトンネル酸化膜3、電荷蓄積層4、及び電流遮断層5が積層形成される。 - 特許庁

To provide a dielectric isolation type semiconductor device, which prevents degradation in the device characteristics caused by a leakage current, with high product yield in a power semiconductor device using an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板を用いたパワー半導体装置において、漏れ電流によるデバイス特性の劣化を防止した誘電体分離型の半導体装置を高い製品歩留まりで提供する。 - 特許庁

The floating gate electrode 115 and the control gate electrode 116 are formed by etching so that these multilayer films may go direct with the element isolation region 108.例文帳に追加

浮遊ゲート電極115及び制御ゲート電極116が、これら積層膜を自己整合的にかつ素子分離領域108と直行するようにエッチングして形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with element isolation film which is less in a variation of height dimension from substrate surface and profiled in a desired height dimension from the substrate surface.例文帳に追加

基板表面からの高さ寸法のばらつきが少なく、基板表面からの高さ寸法が所望の高さ寸法である素子分離膜を備えた半導体装置を提供することである。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is formed on the silicon substrate 1 in a region held by the element isolation film 2, and a polysilicon gate electrode 4 is formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加

この素子分離膜2に挟まれた領域のn型シリコン基板1上にゲート絶縁膜3が形成され、さらにゲート絶縁膜3上にポリシリコンのゲート電極4が形成される。 - 特許庁

The isolation region D includes a separation-gas supply part 41 for supplying a second separation gas, and a ceiling surface that forms a narrow space through which the second separation gas flows, on the upper part of the susceptor 2.例文帳に追加

分離領域Dは、第2分離ガスを供給する分離ガス供給部41と、第2分離ガスが流れる狭隘な空間をサセプタ2上方に形成する天井面とを含む。 - 特許庁

An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域12下の半導体基板11内には不純物領域17が形成され、半導体基板11の表面領域には拡散層18が形成されている。 - 特許庁

This sacrificial oxidation allows oxide spacer formation for gate-to-source/drain isolation, which enables raised source/drain fabrication without increasing contact resistance.例文帳に追加

この犠牲酸化によって、ゲートとソース/ドレインとを分離するための酸化物スペーサが形成され、したがってコンタクト抵抗を増大させずに隆起型ソース/ドレインを製作することが可能になる。 - 特許庁

Thereafter, the first metallic thin film 2 is oxidized to form an isolation thin film 6 comprising the insulator of a titanium oxide thin film or zirconium oxide thin film, resulting in obtaining a flexible wiring circuit board.例文帳に追加

その後、第1金属薄膜2を酸化して、酸化チタン薄膜または酸化ジルコニウム薄膜の絶縁体からなる絶縁薄膜6を形成し、フレキシブル配線回路基板を得る。 - 特許庁

The insulating film 4 on the semiconductor substrate 1 is eliminated by CMP, so that a trench isolating structure, wherein the insulating film 4 is embedded in the trench for trench isolation, can be formed (Figure 1(e)).例文帳に追加

そして、半導体基板1上の絶縁膜4をCMPにより取り除くことにより、トレンチ分離用の溝に絶縁膜4が埋め込まれたトレンチ分離構造が形成できる(図1(e))。 - 特許庁

To provide a multiband antenna system whose space is saved while attaining isolation of a plurality of antennas to be used over wide bands inside a wireless communication apparatus, and the wireless communication apparatus employing the same.例文帳に追加

無線通信機器内で、広帯域で使用される複数のアンテナのアイソレーションをはかりつつ、省スペース化したるマルチバンドアンテナ装置並びにそれを用いた無線通信機器を提供する。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置10では、第1の幅W1を有する活性領域12が、半導体基板11の主面に形成された素子分離層13で分離されている。 - 特許庁

The effective emissivity calculation part 33 obtains, on a region basis, effective emissivity based on: the coverage; set emissivity of the element region; and the emissivity of an element isolation region.例文帳に追加

実効放射率計算部33は、領域毎に、被覆率と設定された素子領域の放射率及び素子分離領域の放射率とに基づき、実効放射率を求める。 - 特許庁

To provide a semiconductor switch circuit and a semiconductor device that can keep a sufficient isolation characteristic even when the semiconductor switch circuit and the semiconductor device process a high frequency signal with a high frequency.例文帳に追加

周波数の高い高周波信号を対象とする場合でも、十分なアイソレーション特性を維持することができる半導体スイッチ回路および半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, conductive films 9 as floating gate electrodes are formed on a semiconductor substrate 1 among a plurality of element isolation parts 36 through an insulating film 8.例文帳に追加

半導体装置では、複数の素子分離部分36の間の半導体基板1上に絶縁膜8を介してフローティングゲート電極としての導電膜9が形成されている。 - 特許庁

The trench isolation structure TI includes a trench TR, which passes through an n^- epitaxial layer EP from the main surface of a semiconductor substrate SUB and reaches the p-type impurity region PSR.例文帳に追加

トレンチ分離構造TIは、半導体基板SUBの主表面からn^-エピタキシャル層EPを貫通してp型不純物領域PSRに達するトレンチTRを有する。 - 特許庁

To easily and accurately update the operation programs of both microcomputers in an electronic endoscope device adopting a two microcomputer system, and to reduce the number of photocouplers for isolation.例文帳に追加

2マイコンシステムを採用する電子内視鏡装置において、簡易且つ確実に両マイコンの動作プログラムの更新ができ、またアイソレーションのためのフォトカプラの数を大幅に低減できるようにする。 - 特許庁

MEDICINE FOR PROMOTING CERAMIDE TRANSPORTATION, BASE SEQUENCE FOR PRODUCING THE MEDICINE, METHOD FOR ASSAYING ACTIVITY FOR PROMOTING CERAMIDE ISOLATION AND METHOD FOR ASSAYING ACTIVITY FOR PROMOTING CERAMIDE INTERMEMBRANE MOVEMENT例文帳に追加

セラミド輸送を促進する薬剤、該薬剤を製造する塩基配列、セラミド遊離を促進する活性の測定方法、及びセラミドの膜間移動を促進する活性の測定方法 - 特許庁

The acoustic resonator and the electronic circuit are disposed vertically on a substrate, and an acoustic isolator and an isolation structure are disposed between the acoustic resonator and the electronic circuit.例文帳に追加

音響共振器および電子回路を基板上に垂直方向に配置し、さらに音響アイソレータおよびアイソレーション構造を音響共振器と電子回路との間に設ける。 - 特許庁

By reflexing the light generated from an active zone in the thin-film active layer by the isolation layer and the metalized layer formed on the surface of the mesa, luminous efficiency is improved.例文帳に追加

薄膜活性層内の活性ゾーンにより発生した光をメサの表面に形成したアイソレーション層とメタライズ層により反射させることで発光効率を向上させる。 - 特許庁

The isolation and identification of an allosteric binding cleft within the HCV NS5B RNA polymerase and its use in the discovery, identification and characterization of inhibitor of same are provided.例文帳に追加

本発明は、更に、HCV NS5B RNAポリメラーゼ中のアロステリック結合クレフトの単離および同定、およびその阻害剤の発見、同定および特性決定におけるその使用に関する。 - 特許庁

After a trench type element isolation insulating film 2 enclosing an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a gate electrode 4 are formed on the active region.例文帳に追加

半導体基板1に活性領域を囲むトレンチ型の素子分離絶縁膜2を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜3及びゲート電極4を形成する。 - 特許庁

Thus, the frequency conversion circuit with a small circuit scale is provided, wherein the circuit configuration enables constitutions of a multiplier and the amplifier with an excellent isolation characteristic.例文帳に追加

これにより、同一の回路構成で逓倍器と増幅器を実現することが、回路規模が小さく、かつ増幅器においてアイソレーション特性の良い周波数変換回路を提供できる。 - 特許庁

A gap S1 between the antireflection film 10 and a gate electrode 7, and a gap between the antireflection film 10 and an element isolation region 5, are both desired to be ≥0.2μm.例文帳に追加

反射防止膜10とゲート電極7との隙間S1および、反射防止膜10と素子分離領域5との隙間は、いずれも0.2μm以上になっていることが望ましい。 - 特許庁

According to this configuration, since the trench 5a can be formed shallowly, the generation of the dishing in the surface of the isolation insulating film 7 filled to the trench 5a during a CMP can be inhibited.例文帳に追加

本構成によれば、トレンチ5aを浅く形成することができるため、CMPの際にトレンチ5aに充填された分離絶縁膜7表面にディッシングが生じることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a broadcast wave relay system capable of sufficiently securing isolation of a reception antenna and a transmission antenna and being suitable for SFN relaying ground wave digital broadcast waves.例文帳に追加

受信用アンテナと送信用アンテナとのアイソレーションを十分に確保することができ、地上波デジタル放送波をSFN中継するに好適な放送波中継システムを提供する。 - 特許庁

Since potential variations in the frame-like metallization layer 23 located above the signal conductor 22 can be suppressed, isolation characteristics can be improved between the two signal conductors 22.例文帳に追加

信号用導体22aの上部に位置する枠状のメタライズ層23に生じる電位変動を抑えることができ、信号用導体22a・22a間のアイソレーション特性を改善することができる。 - 特許庁

Thus, respective originally required processes for forming one of the extraction electrode and the isolation layer (resist formation, its opening pattern formation and ion implantation, etc., for instance) can be omitted.例文帳に追加

このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程(例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等)が省略できる。 - 特許庁

A membrane switch 20 is integrated, while interposing a spacer sheet 23 so as to form an electrode isolation space between a flexible upper electrode sheet 21 and a lower electrode sheet 22.例文帳に追加

メンブレンスイッチ(20)は、柔軟な上部電極シート(21)と下部電極シート(22)との間に電極隔離空間を形成するようにスペーサシート(23)を介在させて一体化されている。 - 特許庁

To provide a polynucleotide for the isolation and the character determination of a new porcine circovirus II (PCVII) isolated from a pig developing postweaning multisystemic wasting syndrome (PMWS).例文帳に追加

離乳後の多全身系消耗症候群(PMWS)を表すブタから単離された新規なブタシルコウィルスII型(PCVII)の単離及び特性決定のためのポリヌクレオチドの提供。 - 特許庁

To provide a multiplier which improves the phenomenon that a feedthrough deteriorates with a signal output of autocorrelation due to the internal isolation of the multiplier by an external canceling circuit.例文帳に追加

本発明は、乗算器の内部のアイソレーションによる自己相関の信号出力によってフィードスルーが劣化する現象を外部キャンセル回路によって改善した乗算器を提供する。 - 特許庁

An epitaxial SiGe layer 16 is formed in a trench formed on the silicon substrate 11 between the element isolation region 12 and the gate electrode 14 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11に形成されたトレンチ内には、エピタキシャル成長法によりエピタキシャルSiGe層16が形成されている。 - 特許庁

To enable isolation of a protein transferring glucose to fucose, production of the enzyme by genetic engineering procedure, synthesis of sugar chain by the enzyme and diagnosis of cancer diseases based on the gene.例文帳に追加

フコースにグルコースを転移するタンパク質の単離、遺伝子工学的手法による該酵素の生産や該酵素による糖鎖の合成、該遺伝子に基づく癌疾患の診断を可能にする。 - 特許庁

However, in the historical stage of the Modern Period, compulsory relocation to isolation facilities is totally incompatible with the productivity, awareness of human rights, and the level of advancement in medical science.例文帳に追加

しかしながら近代という歴史段階において、強制的に隔離施設に収容していくことは、その生産力や人権意識、医学の発達レベルに全く対応しない処遇である。 - 厚生労働省

To provide an operating method of a memory device, in which the reliability of the memory device is unaffected by a bird's beak effect caused by a shallow trench isolation structure, and the operation speed is very high.例文帳に追加

メモリ素子の信頼性が浅いトレンチ隔離構造によって生じるバードビーク効果によって影響されず、動作速度が非常に速い、メモリ素子の動作方法を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a piping structure for a base isolation structure that can be disposed without securing space vertically and can smoothly deform following a relative displacement of a lower structure and an upper structure.例文帳に追加

上下方向にスペースを確保することなく配置でき、下部構造と上部構造の相対変位に追従して円滑に変形できる免震構造物用配管構造を提供すること。 - 特許庁




  
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