「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

An element isolation insulating layer 102 is continuously, formed surrounding an element region 101 where a semiconductor device, such as a MOS transistor 114 or the like is formed on the silicon layer 113.例文帳に追加

シリコン層１１３に形成されるＭＯＳトランジスタ１１４等の半導体素子が形成されている素子領域１０１を切れ目無く取り囲む素子分離絶縁層１０２が形成されている。 - 特許庁

As a result, the cavity 22 of the source wiring 21 is filled with the lower conductive wiring 53 formed in the extending direction of the source wiring 21 over a plurality of element areas and an element isolation insulating films.例文帳に追加

その結果、ソース配線２１が延伸する方向に複数の素子領域及び素子分離絶縁膜上に亘って形成された下部導体配線５３によってソース配線２１の空洞２２が埋まる。 - 特許庁

A photocatalyst layer is formed on the surface of the protective implement for isolation that is installed at a charged portion or its surrounding areas to prevent a failure when carrying out work near or in contact with the charged portion.例文帳に追加

充電部に接近又は接触して作業する際の事故を防止するために該充電部又はその周辺に設置される絶縁用防護具において、表面に光触媒層を形成する。 - 特許庁

The narrow segment 17 has a width direction cross section smaller than a width direction cross section of a non-opposite region of the element isolation layer 12 in the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1.例文帳に追加

狭窄部１７は、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１のうち素子分離層１２との非対向領域の幅方向断面積よりも小さな幅方向断面積を有する。 - 特許庁

To provide a cap for a reagent vessel allowing preparative isolation without detaching the cap from an opening part when fractionating the reagent by a fractionation prove, and a method of preventing evaporation or the like of the reagent using the cap.例文帳に追加

分取用プローブによる試薬の分取に際し、開口部からキャップを取り外すことなく分取操作が可能な試薬容器のキャップと、このキャップを用いた試薬の蒸発等の防止法を提供する。 - 特許庁

When a positive drain voltage is applied to a drain, a PN junction is reversely biased, and a depletion layer extends from the body region 15, the isolation region 13 and the semiconductor substrate 11, thereby controlling a channel of the JFET.例文帳に追加

ドレインに正のドレイン電圧が印加されると、ＰＮ接合が逆バイアスされ、ボディ領域１５と分離領域１３と半導体基板１１とから空乏層が延び、ＪＦＥＴのチャネルを制御する。 - 特許庁

Further, the gate electrode 9a covers the whole one side along the direction of the gate length of the border region of the active region L and element isolation groove 2 and part of two sides along the direction of the gate width.例文帳に追加

また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁

Also, a metal is embedded in a cavity, from which a silicon surrounded by a thick isolation material is removed to form a substrate through electrode, capable of removing diffusion of metal contamination, thereby enabling multilayer substrate.例文帳に追加

また、厚いアイソレイション材料で囲まれたシリコンを除去した空洞にメタルを埋め、金属汚染の拡散を防止した基板貫通電極を形成することにより、基板の積層を可能にする。 - 特許庁

To provide a fire-resistant covering structure of a base isolation device capable of constituting a fire-resistant covering by the minimum required material and time and labor efficiently.例文帳に追加

本発明は、必要最小限度の材料と手間で効率よく免震装置の耐火被覆を構成することができる免震装置の耐火被覆構造を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate, in which isolation effect between wiring conductors is superior and further warpages, etc., caused by the difference in sintering shrinkage factors between ceramic layers is hard to cause in a baking process.例文帳に追加

配線導体間のアイソレーション効果に優れ、かつ焼成工程において各セラミック層間の焼結収縮率の差による反り等が生じにくい、多層セラミック基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The receiver circuit is coupled to the acoustic isolation transformer (200) to receive the isolated output signal (V_TRAN) and generates a data output signal (DATA_OUT) responsive to the isolated output signal (V_TRAN).例文帳に追加

受信機回路は音響絶縁変成器(200)に結合されて、絶縁出力信号(Ｖ_ＴＲＡＮ)を受け取り、絶縁出力信号(Ｖ_ＴＲＡＮ)に応じてデータ出力信号(DATA_ＯＵＴ)を生成する。 - 特許庁

The relative movement of the building 16 to the foundation 15 by the base isolation device 17 is detected by the approaching sensor 11, and the detection result is indicated by an indicator 13 in the building 16.例文帳に追加

免震装置１７が作動し建物１６が基礎１５に対して相対的に動いたことを近接センサー１１により検知し、その検知結果を建物１６内にて表示器１３により表示させる。 - 特許庁

Besides, as for the toner T, the isolation ratio of the free addition materials 19' isolated from the mother particle 18 among the addition materials 19 is set equal to or below a specified value so as to correspond with the addition materials 19.例文帳に追加

また、このトナーＴは、添加材１９のうち母粒子１８から遊離した遊離添加材１９′の遊離率がその添加材１９に対応した特定値以下に設定されている。 - 特許庁

Simultaneously with the cutting, a molten p-type semiconductor material, scattered due to ablation by laser-beam irradiation, is attached to a dicing face 11 appearing by the laser-beam irradiation so as to make it as an isolation layer 5.例文帳に追加

切断と同時に、レーザー照射によって出現するダイシング面１１に、レーザー照射によるアブレーションによって飛散した溶融状態のｐ型半導体材料を付着させ、分離層５とする。 - 特許庁

First and second electrodes are provided on the protective film layer, the first electrode is connected with the n-type layer through an opening formed in the protective film layer, and the second electrode is connected with the p-type isolation belt.例文帳に追加

保護膜層上に第１および第２の電極を設け、保護膜層に形成した開口を介して、第１の電極をｎ型層に接続し、第２の電極をｐ型の分離帯に接続する。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate includes the steps of forming a coupling substrate 30 by coupling a first substrate 10c to a second substrate 20 after the substrate 10c is formed, and thereafter dividing the substrate 30 by a part of an isolation layer 15.例文帳に追加

第１基板１０ｃを作成した後に該第１基板１０ｃを第２基板２０に結合させて結合基板３０を作成し、その後、結合基板３０を分離層１５の部分で分割する。 - 特許庁

Furthermore, the energization circuit 5 includes a plurality of solid-state relays 54-56, and an isolation circuit 3 is disposed between the timer circuit 2 and the energization circuit 5 in order to make an electric insulation from the distribution line side.例文帳に追加

また、通電回路５は複数のソリッドステートリレー５４〜５６を有し、タイマー回路２と通電回路５の間には、アイソレーション回路３が設けられ、配電線側との電気的絶縁が図られている。 - 特許庁

The board 1 is left to stand for a prescribed time in the atmosphere of hexamethylene-disilazane inside the dry box 8 and the surface of the hole injected electrode 2, the insulating layer 3 and the barrier isolation layer is exposed to the hexamethylene-disilazane.例文帳に追加

この基板１をドライボックス８内のヘキサメチレンジシラザン雰囲気下に所定時間放置し、ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面をヘキサメチレンジシラザン雰囲気に晒す。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a fine porous film, capable of manufacturing the film while saving space and manufacturing the film having an excellent film surface and a bore size suitable for isolation and purification of nucleic acid.例文帳に追加

省スペースで製造することができ、かつ、良好な膜面を有し核酸の分離精製に適した孔径を製造することができる微細多孔質膜の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

Therefore a passage, in which heat is dissipated through the element isolation region 6 and the embedded conductor 9 by the semiconductor device formed in the element formation region 5a from the backside, is formed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域５ａに形成した半導体素子が発生する熱を素子分離領域６を介して埋め込み導体９により裏面側に放熱させる経路を形成する。 - 特許庁

In one specific application, cell isolation, lysis, and nucleic acid purification may be performed utilizing a highly parallelized microfluidic architecture to construct gDNA libraries and cDNA libraries.例文帳に追加

１つの特定の適用において、細胞の単離、溶解および核酸精製が、高度に並行化した微小流体アーキテクチャーを利用して実施され、ｇＤＮＡライブラリーおよびｃＤＮＡライブラリーを構築し得る。 - 特許庁

To provide a separation method of blood components and an isolation device for the blood components capable of performing a basic biochemical examination without using a conventional complicated serum separating method or plasma separating method.例文帳に追加

従来の煩雑な血清分離法や血漿分離法を用いなくとも、基本的な生化学的検査を行うことができる血液成分の分離方法及び血液成分の分離装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a transmission/reception control circuit that is compatible with dual band where a loss is small in transmission/reception and the isolation between a transmission terminal and a reception terminal can be increased in the transmission.例文帳に追加

デュアルバンド対応であり、送受信時において損失が小さく、送信時において送信端子と受信端子間のアイソレーションを大きくすることができる送受信制御回路を提供する。 - 特許庁

Then a vibration-isolation lens group GL composed of the whole or part of the 1st lens group FL and the whole or part of the 2nd lens group RL is configured to freely move in the direction perpendicular to the optical axis.例文帳に追加

そして、第１レンズ群ＦＬの全部若しくは一部、又は第２レンズ群ＲＬの全部若しくは一部からなる防振レンズ群ＧＬを、光軸と垂直な方向に移動自在に構成する。 - 特許庁

The isolation and combination of the impingement openings 32 actualize an increase in convection and the cooling of a film and impart flexibility in adjusting an air flow on a blade 12 to optimize the heat performance of the blade 12.例文帳に追加

衝突開口部３２の隔離と組合せは、対流の増加とフィルム冷却を実現し、および翼１２の熱性能を最適化するために翼１２上の空気流を調整する自由度を付与する。 - 特許庁

A vibration isolation supporting leg 24a capable of adjusting height pierces through an underframe 25 arranged on the bottom of a washing machine case 2 so that the leg 24a is directly connected to a reinforcing member 43 for reinforcing the washing machine case 2.例文帳に追加

洗濯機筐体２の底面に配設された台枠２５を貫通させて高さ調節できる防振支持脚２４ａを洗濯機筐体２を補強する補強部材４３に直接連結する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method of manufacturing the same wherein floating gates each is isolated in a semiconductor substrate by an element isolation film to shut off the interference among the floating gates in the flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートが半導体基板内で素子分離膜により分離されてフローティングゲート間の干渉を完璧に遮断するフラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables to compensate for impurities dispersed away from a channel region even if a MOS-type element is shrunk and its element isolation region is reduced in size.例文帳に追加

ＭＯＳ型素子の微細化およびその素子分離領域の縮小化を図っても、チャネル領域から散逸する不純物を補填することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An isolation shroud 32 is interposed between the seal and the rotatable pump chamber capable of operation, and the fluid pump 30 between the seal and the rotatable pump member is divided by the shroud.例文帳に追加

シールと回転可能なポンプ部材との間には隔離シュラウド（３２）が作用可能に配置され、このシュラウドによってシールと回転可能なポンプ部材との間の流体ポンプチャンバ（３０）が分割されている。 - 特許庁

An active region 1 for construction of the MIS transistor and an element isolation region 2 surrounding the active region 1 are formed on a surface region of a silicon semiconductor substrate taking crystal plane (100) as a principal surface.例文帳に追加

（100）結晶面を主面とするシリコン半導体基板の表面領域に、ＭＩＳトランジスタを構成するための活性領域１と、活性領域１を囲む素子分離領域２とが形成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on a boundary between a first element isolation layer 12 and an SOI element forming region 13.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、まず、第１素子分離層１２とＳＯＩ素子形成領域１３との境界上に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成する。 - 特許庁

Then, a GaAs well 106 and a Ge well 110 are formed on the semi-insulation GaAs layer 102b for electrical isolation by thermal oxide and/or flowing oxide (HSQ) 112.例文帳に追加

次いで、半絶縁性ＧａＡｓ層１０２ｂの上にＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０を形成し、熱酸化物及び／又は流動可能酸化物（ＨＳＱ）１１２によって電気的に分離させる。 - 特許庁

A power control circuit includes an isolation circuit which receives a separate image signal and outputs a start signal and a driving circuit which outputs DC power to start a power module.例文帳に追加

電力制御回路は、セパレート画像信号を受信して始動信号を出力するためのアイソレーション回路、及び直流（ＤＣ）電力を出力して電力モジュールを始動するための駆動回路を備える。 - 特許庁

To provide a multilayered substrate with a built-in nonreciprocal circuit, in which isolation can be improved without enlarging the multilayered substrate in size when incorporating the nonreciprocal circuit in the multilayered substrate.例文帳に追加

多層基板に非可逆回路を内蔵する場合に、多層基板を大型化することなくアイソレーションを向上させることが可能な非可逆回路内蔵多層基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a DTMOS, which will not cause increase in defects of off-leak, even if the distance from the gate electrode end to the isolation region is reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極端から素子分離領域までの距離が小さくなっても、オフリークの増加不良を起こさないＤＴＭＯＳを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a remote control device capable of carrying out burnout prevention and an alarm display of a driving motor in the case of remote OFF operating in a state that contact fusion is formed at a circuit breaker with an isolation function.例文帳に追加

アイソレーション機能付き回路遮断器に接点溶着が生じた状態でリモートＯＦＦ操作する場合に、駆動モーターの焼損防止、およびアラーム表示が行えるリモート操作装置を提供する。 - 特許庁

By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17.例文帳に追加

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。 - 特許庁

The effective gate electrode portions (3-1) are formed on regions isolated by the element isolation regions (9) and have second side surfaces along planes crossing planes including the first side surfaces (16), (17).例文帳に追加

実効ゲート電極部分（３−１）は、素子分離（９）で分離される領域の上に形成され、第１側面（１６）（１７）を含む面に交差する面に沿った第２側面を有する部分とする。 - 特許庁

Each of HBTs 25, 26 is formed by laminating a collector layer 24, a base layer 23 and an emitter layer 22 on a substrate 21 one by one and physically and electrically isolated by an isolation groove 30 and formed into a pyramid.例文帳に追加

各ＨＢＴ２５,２６は、基板２１上にコレクタ層２４,ベース層２３およびエミッタ層２２をこの順に積層し、素子間分離溝３０で空間的・電気的に分離してピラミッド状に形成する。 - 特許庁

The pre-sensing and the isolation circuit isolates one of connections between the first bit-line pair and the second bit-line pair while the sense amplifier is driven.例文帳に追加

本発明の実施形態によるプリセンシング及び分離回路は、前記感知増幅器が駆動される間に前記第１ビットライン対及び前記第２ビットライン対の間の接続のうち１つを遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench isolation structure provided with a satisfactory ESD protecting function without increasing an occupation area.例文帳に追加

占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the evacuation port 11A is closed by the valve 20, an auxiliary pump isolation chamber 27 in which an auxiliary pump 25 isolated from the evacuation port 11A is arranged is formed by the valve element 22 and the valve seat 23.例文帳に追加

そして、バルブ２０による排気口１１Ａの閉栓時に、排気口１１Ａから隔離された副ポンプ２５が配された副ポンプ隔離室２７が、弁体２２および弁座２３によって形成されている。 - 特許庁

Similarly, between two P-channel MOS transistors T4, T7 arranged adjacently to each other in the x-direction, an element isolation transistor ST2 for electrically isolating them from each other is formed.例文帳に追加

同様に、ｘ方向に互いに隣接して配置された２つのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４，Ｔ７の間にも、それらを電気的に分離する素子分離トランジスタＳＴ２が形成されている。 - 特許庁

A pair of first STI (shallow trench isolation) regions includes regions which lie directly under parts of the source/drain regions, respectively, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第一STI領域は、ソース/ドレイン領域の一部分の真下に位置する部分を含み、一対の第一STI領域は、半導体ストリップにより分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁