「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a deviation preventing device of a sliding type pile head base isolation device, preventing a structure from overturning exceeding a stroke limit of displacement even in case of a big earthquake.例文帳に追加

大地震の際にも構造物が変位のストローク限界を超えて転覆することを防止することができる滑り方式杭頭免震装置の逸脱防止装置を提供する。 - 特許庁

Since the slit part 11b is formed on the first support face 11, the vibration isolation bush 8 can be removed by shifting downward along with the slit part 11b with the bolt 15 together.例文帳に追加

第１の支持面１１にはスリット部１１ｂが形成されているため、防振ブッシュ８はボルト１５と共にスリット部１１ｂに沿って下方へ移動させることで取り外すことができる。 - 特許庁

The plate-like structure of the lowest layer is floatingly arranged on the ground surface by securing base isolation clearance by arranging an opening part for penetrating the towery structures in the plate-like structures of the respective layers.例文帳に追加

各層の板状構造体には塔状構造体が貫通する開口部を設けて免震クリアランスを確保し、最下層の板状構造体を地表面上に浮かせて配置する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric isolation bonding wafer where a wafer for an active layer is hard to be damaged at working when a polysilicon sticking to the rear surface of the wafer is removed.例文帳に追加

活性層用ウェーハの裏面に付着したポリシリコンの除去時に活性層用ウェーハに加工ダメージを与えにくい張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an elevator structure of an intermediate story base isolation building capable of ensuring sufficient safety of a displacement dispersion frame for vibration at level 1 and preventing the reduction of an effective floor area.例文帳に追加

レベル１の震動に対する変位分散枠の充分な安全性の確保と、有効床面積の縮小の防止とが図れる中間階免震建物のエレベータ構造を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.例文帳に追加

化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加

裏面に傾斜溝を有し、ｐ型コレクタ層と導電接続されるｐ型分離溝を形成する工程を有する逆阻止ＩＧＢＴのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁

A plurality of back gate conductive layers 24 are formed so that the insulated isolation of the conductive layers may be mutually carried out by a trench insulating film 23 to a conductive layer 22 in which the connection portion JP_mn is embedded.例文帳に追加

バックゲート導電層２４は、連結部ＪＰ_ｍｎが埋め込まれた導電層２２に、トレンチ絶縁膜２３により互いに絶縁分離されるように複数形成される。 - 特許庁

One of two substrates whose alignment layer step is already completed is selected and a plurality of closed isolation barrier structures provided with mutual exclusion properties with a liquid crystal are formed on the substrate.例文帳に追加

２枚の既に配光膜工程を完成した基板中の１枚の基板を選択し、その上に液晶との相互排斥特性を具えた複数のクローズ隔離壁構造を形成する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

To provide a base isolation rubber laminated body capable of improving degree of freedom in design by bringing deformation characteristic for tensile force close to deformation characteristic after yielding of solid rubber.例文帳に追加

引張力に対する変形特性を中実ゴムの降伏後の変形特性に近似させることにより、設計の自由度を向上させるようにした免震ゴム積層体を提供する。 - 特許庁

To provide an elevator device for base isolation building which can normally guide an elevating/lowering body by a guide rail even when the elevating/lowering body is present between a base building body and a base- isolated building during an earthquake.例文帳に追加

地震時に基部建築体と免震建築体の間に昇降体がいる場合にも、案内レールにより昇降体を正常に案内できる免震建築用エレベーター装置を得る。 - 特許庁

This forming method of an element isolation film 50b is provided with a second spacer P which form acute angle to the upper part of the side surface of a trench 46, at the upper part of the side surface of the trench 46 in contact with a substrate 40.例文帳に追加

基板と接触されるトレンチの側面の上部に、前記トレンチの側面の上部と鋭角を成す第２スペーサを有する素子分離膜の形成方法である。 - 特許庁

The oscillating and supporting device forming of a single spherical seat 3 or an assembly of a plurality of base isolation devices inclined toward the imaginary center, is provided in one stage or in a multiple stage in the vertical direction.例文帳に追加

揺動支持装置を単一の球座３、あるいは仮想中心を向いて傾斜する複数の免震装置の集合体としてそれを１段あるいは上下に多段に設ける。 - 特許庁

As a result, the height of the spool 50 can be reduced while fully securing an isolation voltage between the high voltage side of the secondary side wire winding and the primary side wire winding and preventing the generation of corona discharge.例文帳に追加

これにより、２次側巻線の高圧側と１次側巻線との間の絶縁耐圧を十分に確保してコロナ放電の発生を防止しつつ、巻枠５０の低背化を図る。 - 特許庁

To provide a base isolation device having a simple configuration being suitable for a wooden house and capable of facilitating its construction and preventing a pedestal from being tilted and turned over effectively.例文帳に追加

木造住宅建築物に適した簡易な構成を備えると共に、施工が容易で、且つ架台に傾きや転倒が生じるのを効果的に回避できる免震装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, when an interlayer insulating film Z is embedded in the gate electrode isolation region GV on the second gate insulating film 7, it may be embedded up to the top face of the second gate insulating film 7.例文帳に追加

このため、第２のゲート絶縁膜７上のゲート電極分離領域ＧＶに対して層間絶縁膜Ｚを埋込むときには第２のゲート絶縁膜７の上面まで埋込めばよい。 - 特許庁

To provide a silicon on insulator (SOI) substrate which suppresses the deterioration of element characteristics even though formation regions of contact holes are overlapped with an element isolation region, and to provide a semiconductor device using the SOI substrate.例文帳に追加

コンタクトホールの形成領域が素子分離領域と重複しても、素子特性の劣化を抑制できるＳＯＩ基板とこのＳＯＩ基板を用いた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

To provide an input/output dielectric isolation type DC-DC converter device capable of utilizing a detection signal with reference to various operational safeties, while suppressing an increase in a circuit burden.例文帳に追加

回路負担の増大を抑止しつつ種々の動作安全性に関する検出信号を利用可能な入出力絶縁分離型ＤＣ−ＤＣコンバータ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a quake isolation device for a light structure capable of being constituted at low cost and certainly absorbing energy by restricting relative movement with the supporting member light structure within a certain range.例文帳に追加

低コストで構成でき、しかも、支持部材軽量構造物との相対移動を一定範囲に制限して、確実にエネルギー吸収できる軽量構造物用免震装置を得る。 - 特許庁

To provide a combined operation control system to form an overall system for an examination and/or processing machine having an active vibration isolation system, which can quickly reduce the vibrations of the machine after movement processes.例文帳に追加

能動振動絶縁システムを備えた検査および／または処理機械のための総体的システムを形成するために、より速く動作処理後に機械の振動を低減させる。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

To improve the isolation characteristics between high-frequency terminals by preventing the leakage of a signal between the high-frequency terminals when packaging a lead-terminal high-frequency relay to a printed- circuit board.例文帳に追加

リード端子型の高周波リレーをプリント基板へ実装する際に、高周波端子間の信号の漏れ込みを防止するようにして、高周波端子間のアイソレーション特性を向上する。 - 特許庁

This base isolation structure is provided with an energizing means 24 interposed in the vertical direction between both structures 12 and 14, tilting according to horizontal directional relative displacement of these structures, and increasing the relative displacement.例文帳に追加

両構造体１２，１４の間に鉛直方向に介装されて、それらの水平方向の相対変位に伴って傾倒し、その相対変位を増大させる付勢手段２４を設ける。 - 特許庁

To provide a base isolation bearing member for base-isolating a structure such as a building, exerting a vibration damping action, and reducing a construction cost by reducing the number of installed vibration damping devices.例文帳に追加

建物等の構造物を免震支承する免震支承部材でありながらも振動減衰作用を奏し得て、振動減衰装置の設置数の削減を通じて建設費を低減する。 - 特許庁

To avoid conductive remnants produced in the neighborhoods of trench element isolation regions, avoid short circuits caused by the remnants and improve the properties of a semiconductor device.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の近傍において導電性の残渣の発生を防止し、残渣の発生に起因する短絡を防止するとともに、半導体装置の特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an ultrafine fiber excellent in industrial continuous productivity, useful for a filter use, an isolation membrane, a clothing use and the like as a web, and especially useful for the use as blood-separating filter.例文帳に追加

工業的な連続生産性に優れ、ウエブとして、フィルター用途、隔離膜用途、衣料用用途等に有用で、特に血液分離フィルター用途として有用な極細繊維を提供する。 - 特許庁

A first conductivity type region 12 and a second conductivity type region 13 are formed on the surface of the semiconductor substrate 10 and isolated by the first element isolation region 11b.例文帳に追加

第１導電型領域１２及び第２導電型領域１３は、半導体基板１０の表面に形成され、第１の素子分離領域１１ｂにより分離されている。 - 特許庁

To provide a relative movement automatic return device, capable of constituting a base isolation device and surely preventing the vibration of an earthquake from being transferred to a building by quickly making displacement in the horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に速やかに変位して地震の揺れが建物に伝わるのを確実に防ぐことができる免震装置を構成できる相対移動自動復帰装置を提供する。 - 特許庁

To provide a methodology for selective breeding and isolation of lactic acid-producing bacterial strains which possess resistance to anti-microbial agents for application in various type of therapeutic uses.例文帳に追加

抗生物質耐性の乳酸産性細菌株を、種々の型の治療適用における利用のために、選択的に育種および単離するための方法論を提供すること。 - 特許庁

To improve ability of deformation by performing simpler manufacture capable in a vibration damping member for a base isolation structure, and decreasing dispersion of a quality and performance, also spreading a range of plasticizing.例文帳に追加

免震構造用の振動減衰部材を、より簡易に製造可能とし、かつ品質・性能のばらつきを少なくすること、及び塑性化する範囲を広げ、変形能力を向上させる。 - 特許庁

The base isolation device is provided with a floating body 12 in a liquid tank 11 in which a structure or various kinds of implements and machines, etc., are installed and an air chamber 14 installed while the lower part is set to communicate with the liquid tank side.例文帳に追加

構造物又は各種装置及び機器等を設置する液槽１１内の浮体１２と、液槽側部に下部を連通して設けた空気室１４とを備える。 - 特許庁

(iv) Initiatives to ensure trust in the nuclear regulatory administration Ensuring transparency, neutrality, and independence, preventing self-isolation and self-righteousness, securing human resources and enhancing expertise, and international activities.例文帳に追加

④原子力規制行政に対する信頼の確保に向けた取組透明性・中立性の確保、独立性の確保、孤立・独善の防止、人材の確保・専門性の向上、国際的な取組 等 - 経済産業省

The semiconductor device 60 comprises the PNP type bipolar transistor 66 wherein elements are isolated by an element isolation region 62 and an insulating well region 64, in a p-type substrate 68.例文帳に追加

本半導体装置６０は、素子分離領域６２及び絶縁ウエル領域６４により素子分離されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタ６６をｐ型基板６８に備えている。 - 特許庁

To provide a vibration isolating method, a measuring device for vibration isolation, and a vibration isolating structure, for preventing a projecting part of a ship from resonating in relation to vibration generated by a vibration source of the ship.例文帳に追加

船舶の振動源による振動に対して、その船舶の突起部が共振しないようにするための防振方法，防振用測定装置，及び防振構造を、提供する。 - 特許庁

A sudden emptiness seemed to flow now from the windows and the great doors, endowing with complete isolation the figure of the host, who stood on the porch, his hand up in a formal gesture of farewell. 例文帳に追加

それを見たとたん、開けっぱなしのドアや窓から溢れ出してきた空虚さが、ポーチに立って堅苦しく片手をあげ、別れの挨拶を送る主人の姿を完全に孤立させてしまった。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板１１に、ゲート絶縁膜１５ｂを有するＭＯＳトランジスタと、容量絶縁膜１５ａを有する容量素子１７とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板１１に素子分離領域１２を形成した後、素子分離領域１２上に、不純物濃度が約１×１０^19ｃｍ^-3以上のシリコンからなる下部電極１３を形成する。 - 特許庁

In the vibration isolation pad 10 in this embodiment, the vibration isolation pad 10 laid under the heavy product for preventing the fall-down of the heavy product includes an elastic sheet 11 formed of an elastic material, and a metal reinforcing plate 15 which is arranged in the elastic sheet 11, and in which a salient 16 for receiving a load of the heavy product is formed by plastic deformation processing.例文帳に追加

本実施形態に係る防振パッド１０は、重量物の転倒を防止するために前記重量物の下に敷かれる防振パッド１０において、弾性材料からなる弾性シート１１と、弾性シート１１内に設置され、重量物の荷重を受けるための隆起部１６が塑性変形加工により形成されている金属製補強プレート１５とを備える。 - 特許庁

A developer 4 comprises means 26 for atomizing liquid ink 18 into micro mist, an ink tank 21 for storing the liquid ink 18, a member 27 for isolating the ink tank 21 from the ink atomizing means 26, and means 28 for transmitting an ink atomizing oscillation from the ink atomizing means 26 to the isolation member 27 interposed between the ink atomizing means 26 and the isolation member 27.例文帳に追加

現像装置４は、液体インク１８を微細ミスト状に霧化するインク霧化手段２６と、液体インク１８を貯溜するインク槽２１と、インク槽２１とインク霧化手段２６とを隔てる隔離部材２７と、インク霧化手段２６と隔離部材２７の間に設けられ、インク霧化手段２６が発するインク霧化振動を隔離部材２７に伝達可能な伝達手段２８と、を具備する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises: the recessed channel region formed in a semiconductor substrate while containing the vertical type SOI channel structure which is formed in an active region and the element isolation structure defining the active region and is positioned at the side walls of the element isolation structure on both the sides in the longitudinal direction of the gate region; and a gate structure formed at the upper part of the recessed channel region of the gate region.例文帳に追加

半導体基板内に形成され、活性領域を画成する素子分離構造と活性領域内に形成され、ゲート領域の長手方向で両側の素子分離構造の側壁に位置した垂直型ＳＯＩチャンネル構造を含むリセスチャンネル領域と、ゲート領域のリセスチャンネル領域の上部に形成されるゲート構造物を含む半導体素子及びその製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention, which comprises a semiconductor substrate 1 having an active region and an isolation region, a gate electrode 9 formed on the active region via an oxide film 8, and a pair of impurity ranges formed on either side of the gate electrode 9, is characterized in that the surface of the active region has a round shape over the whole and slants downward as an isolation region approaches.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、活性領域と分離領域とを有する半導体基板１と、活性領域上に酸化膜８を介して形成されたゲート電極９と、ゲート電極９の両側に形成された１組の不純物領域とを備え、活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with reflectance control films 7 and 8 that are provided to the end surface of the semiconductor laser device body, excluding element isolation parts 11 that are both end parts of the end surface and comprise at least one or more layers of dielectric films; and surface protecting films 9 and 10 that cover the element isolation parts 11 and the reflectance control films 7 and 8 on the end surface.例文帳に追加

本発明による半導体レーザ装置は、半導体レーザ装置本体の端面上に、端面の両端部分である素子分離部１１を除いて設けられた、少なくとも一層以上の誘電体膜から構成される反射率制御膜７、８と、端面の素子分離部１１と反射率制御膜７、８とを覆う表面保護膜９、１０とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium includes: a substrate; a perpendicular magnetic recording film disposed over the substrate; a soft magnetic film disposed between the substrate and the perpendicular magnetic recording film; a shunting film disposed under the soft magnetic film; and an isolation film disposed between the soft magnetic film and the shunting film and providing magnetic isolation between the shunting film and the other films disposed over the shunting film.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された垂直磁気記録膜と、基板と垂直磁気記録膜との間に介在された軟磁性膜と、軟磁性膜の下部に設けられたシャンティング膜と、軟磁性膜とシャンティング膜との間に介在されて、シャンティング膜とシャンティング膜の上部に位置する他の膜とを磁気的に隔離する隔離膜と、を備える垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a first conductivity type semiconductor substrate provided with a plurality of transistors, an active region overlapping the gate electrode of the transistor, an isolation region contiguous to the active region, and a first conductivity type heavily doped impurity ion region formed between the active region and the isolation region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは複数のトランジスタを具備する第１導電型の半導体基板と、前記トランジスタのゲート電極とオーバーラップするアクティブ領域と、前記アクティブ領域と隣接する素子分離膜と、前記アクティブ領域と素子分離膜との間に形成される高濃度の第１導電型の不純物イオン領域とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁