「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

In the production method of a base isolation plug 9 for base isolation device, when a powdery material 2 filled in a mold 3 is clamped to pressure mold two pressure receiving surfaces, the two pressure receiving surfaces of the powdery material 2 are pressure-molded into a shape such that the center is protruded, compared with the periphery, and both the surfaces are then pressure-molded into a planar shape.例文帳に追加

金型３内に充填された粉体材料２を挟み込んで、２面の受圧面を加圧成形し、免震装置用の免震プラグ９を成形するに当たり、粉体材料２の２面の受圧面を、周辺部に比し中央部が突出した形状に夫々加圧成形し、次いで、両面を平面状に加圧成形することを特徴とする免震プラグ９の製造方法である。 - 特許庁

To provide a ground base isolation construction method (a construction method for preventing the movement of the ground from being easily transmitted to the foundation of a building) which is easily implemented by arranging thin bearings at fixed intervals between batholith base concrete on an improved batholith base and a building mat foundation and permits implementation at a low cost through processes in a short period, for a sideslip ground base isolation structure using bearings and its construction method.例文帳に追加

支承体を用いた横滑り地盤免震構造およびその工法は、改良底盤基礎上の底盤基礎コンクリートと建物ベタ基礎間に、肉薄の支承体を定間隔で配置する簡単な施工とし、短期間での工程で低価格に施工できる地盤免震工法（地盤の動きを建物の基礎に伝えにくくする工法）を提供する。 - 特許庁

The memory cell array comprises the first floating gate region 42 having memory cells surrounded by the isolation regions 45, the second floating gate region 48 formed selectively only on the first floating gate region 42, the dielectric layer 51 formed on the second floating gate region 48 and the isolation region 45, and a control gate 52 formed on the dielectric layer 51 provided on the first floating gate region 42.例文帳に追加

メモリセルアレイは、各メモリセルが、アイソレーション領域45により囲まれた第1浮遊ゲート領域42と、第1浮遊ゲート領域42のみに選択的に形成された第2浮遊ゲート領域48と、第2浮遊ゲート領域48及びアイソレーション領域45上に形成された誘電層51と、第1浮遊ゲート領域42上に設けられた誘電体51上に形成された制御ゲート52とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device having a CMOS-FET circuit includes at least one of a pretension film (119) provided at a part of an isolation film (102) on the periphery of an NMOS forming region and having pretension, and a compressive stress film (120) provided at a part of the isolation film (102) on the periphery of a PMOS forming region and having compressive stress.例文帳に追加

ＣＭＯＳ−ＦＥＴ回路を備える半導体装置において、ＮＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ引張応力を有する引張応力膜（１１９）と、ＰＭＯＳ形成領域周辺の素子分離膜（１０２）の一部に設けられ圧縮応力を有する圧縮応力膜（１２０）と、の少なくとも一方を備えている。 - 特許庁

With respect to the semiconductor device in which element regions 107 and 108 are isolated and formed by element isolation regions 106 which are formed in a given patter on a silicon substrate and gates 115 and 116 of MOSFET are placed in the element regions 107 and 108, dummy element regions 109 are formed in the element isolation regions 106 and dummy gates 117 are formed in the dummy element regions 109.例文帳に追加

シリコン基板に所要のパターンに形成された素子分離領域１０６により素子領域１０７，１０８が区画形成され、その素子領域１０７，１０８にＭＯＳＦＥＴのゲート１１５，１１６が配設されている半導体装置において、素子分離領域１０６にはダミー素子領域１０９が形成され、かつダミー素子領域１０９にダミーゲート１１７が形成される。 - 特許庁

To provide a base isolation structure by which the constitution of a pull-out preventive device is simplified and the preventive device has no influence on the behavior of the base isolation device by using a spring member adding a prestress between a foundation and an objective body and having a constant load range in which load variation against the extension and contraction quantity of the spring member is slight.例文帳に追加

基礎部と免振対象物との間にプレストレスを付加するばね部材に、これの伸縮量に対して荷重変動が小さい荷重一定領域を備えたものを用いて引抜き抵抗力を一定とし、もって、引抜き防止装置の構成を簡略化するとともに、この引抜き防止装置が免振装置の挙動に影響するのを防止するようにした免振構造を提供する。 - 特許庁

The recessed curve face 421 in the building side member 42 and the foundation side member 41 are slidably constituted so that the base isolation structure 4 insulating the building foundation from the building main body 3 can be constituted and the setting of the curvature of the recessed curve face 421 allows to ensure the desired base isolation performance without influence of the weight of the building main body 3.例文帳に追加

建物側部材４２の凹部曲面４２１と基礎側部材４１とが摺動可能に構成されているので、建物基礎２および建物本体３を絶縁する免震構造４を構成することが可能となるうえ、凹部曲面４２１の曲率等を設定することで、建物本体３の重量に影響されることなく所望の免震性能を確保することができる。 - 特許庁

In the electrophoretic and transfer device 100 equipped with an isolation part 103 on which electrophoretic electrodes 105 and 106 and a first medium 120 are placed, a stripe electrode 108, which has a plurality of electrode regions where the electrodes 105 and 106 insulated from each other are arranged in a voltage applying direction as transfer electrodes, is provided on the isolation part 103.例文帳に追加

電気泳動用の電極１０５および１０６、ならびに、第１媒体１２０を載置するための分離部１０３を備えた電気泳動兼転写装置１００において、分離部１０３上に、転写用電極として、互いに絶縁され、かつ、電極１０５および１０６が電圧を印加する方向に沿って並べられた複数の電極領域を有したストライプ電極１０８を設ける。 - 特許庁

This even-harmonic orthogonal modulator can secure a sufficient isolation characteristic between ports for a frequency of the RF signal and a frequency of the LO signal by making both the LO signal distributor and the RF signal synthesizer to be of a secondary or higher hybrid type which can make the isolation characteristic to be a wide band so that an even-harmonic orthogonal modulator excellent in modulation accuracy can be obtained.例文帳に追加

ＬＯ信号の分配器、およびＲＦ信号の合成器を、ともにそのアイソレーション特性を広帯域化することが可能である二次以上のハイブリッド型とすることで、ＲＦ信号の周波数とＬＯ信号の周波数に対して十分なポート間アイソレーション特性を確保することが可能となり、変調精度に優れた偶高調波直交変調器を得ることができる。 - 特許庁

A second element isolation insulating layer in a peripheral region includes the first oxide film that is embedded in the entirety of a second element isolation groove in the peripheral region and whose top surface protrudes above the top surface of the semiconductor substrate and a second oxide film that is stacked on the first oxide film and whose top surface protrudes above the top surface of a first conductive film.例文帳に追加

周辺領域の第２素子分離絶縁層は、周辺領域の第２素子分離溝内の全体に埋込まれると共にその上面が半導体基板の上面の上方に突出した第１の酸化膜と、当該第１の酸化膜上に積層され、その上面が第１導電膜の上面より上方に突出している第２の酸化膜とで構成されている。 - 特許庁

To provide a base isolation floor structure of which the floor pallet can be made transferable following the base isolation building body by interposing a horizontally movable device having a specified friction between the floor pallet which is installed on the ground and on which a low floor can be formed and the ground face when the floor structure installed in the inside and the outside of the base insulation building is constituted.例文帳に追加

免震建物の内外に設置される床構造を構成する際、地盤上に設置され低床を形成することが出来る床パレットと該地盤面との間に所定の摩擦度を有する水平移動可能装置を介在させることにより、前記床パレットを免震建物本体に追随して移動させることが出来るようにした免震床構造を提供する。 - 特許庁

To provide a fluid filled type vibration isolation device with a new structure capable of improving vibration isolation effects based on resonant actions of fluid flowing through an orifice passage so that relative pressure fluctuations between a pressure receiving chamber and an equilibration chamber are more effectively generated when vibrations are entered and the flowing amount of fluid is favorably secured through the orifice passage.例文帳に追加

振動入力時における受圧室と平衡室の相対的な圧力変動が一層効率的に生ぜしめられて、オリフィス通路を通じての流体流動量が有利に確保されることにより、オリフィス通路を流動せしめられる流体の共振作用に基づく防振効果の向上が図られ得る、新規な構造の流体封入式防振装置を提供すること。 - 特許庁

Each interface circuit can be connected with an upstream side communication circuit (any one of the line side or the system side), can receive a data signal to be transmitted from the upstream side communication circuit to the other interface circuit across the isolation barrier, and can pass a data signal received from the other interface circuit across the isolation barrier to the upstream side communication circuit.例文帳に追加

各インタフェース回路は、上流側通信回路（ライン側またはシステム側のいずれか）に接続することができ、上流側通信回路から、それは、他方のインタフェース回路へ絶縁バリアを横切って送信されるべきデータ信号を受信することができ、上流側通信回路へ、それは、他方のインタフェース回路から絶縁バリアを横切って受信されるデータ信号を渡すことができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A command to close an isolation valve 5b- of the exhaust gas boiler is issued and a turbine bypass valve 22b- is simultaneously closed when pressure difference between before and after the isolation valve 5b- of the exhaust gas boiler gets to proximity of zero.例文帳に追加

多軸型コンバインドサイクルプラントの一軸のガスタービン・発電機の負荷が急に低下した場合に、負荷が低下した側の排ガスボイラ２ｂの残熱により発生する過熱蒸気を蒸気タービン側に逃がし、排ガスボイラのアイソレーション弁５ｂ…の前後差圧や流量が０近傍になった時点で、排ガスボイラのアイソレーション弁５ｂ…の閉鎖指令を発生し、同時にタービンバイパス弁２２ｂ…の開動作をする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming an isolation groove (105) on a semiconductor substrate (101), embedding an embedded insulation film (106) constituted of a single or multiple insulation films in the isolation groove, and annealing the embedded insulation film in a vacuum or inert gas atmosphere equal to or higher than 300°C and lower than 700°C.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０１）にアイソレーション溝（１０５）を形成する工程と、前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜（１０６）を埋め込む工程と、３００℃以上７００℃未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、を含む。 - 特許庁

An isolation structure 117 is formed on a semiconductor substrate for limiting an active region, a gate structure insulated from the surface of the active region is formed, amorphous Si film is formed on the gate structure, the surface of the substrate and the isolation structure and the first and second parts of the amorphous Si film are respectively converted into an epitaxial film 145 and a polysilicon film 143.例文帳に追加

半導体基板に分離構造１１７を形成して活性領域を限定し、活性領域の表面から絶縁されたゲート構造を形成し、非晶質Ｓｉ膜をゲート構造や基板表面及び分離構造に形成し、非晶質Ｓｉ膜の第１部分をエピタキシャル膜１４５に、非晶質Ｓｉ膜の第２部分をポリＳｉ膜１４３に変換する。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

MOS transistors M11 and M12 are isolated electrically by a trench isolation oxide film 21 wherein the MOS transistor M11 is provided, at a boundary to the active region AR1 of a trench isolation oxide film 22, with a groove GP having a dimension of 20-80 nm at the inlet of opening and a depth of 50-150 nm and surrounding the active region AR1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１１およびＭ１２は、トレンチ分離酸化膜２１によって電気的に分離され、ＭＯＳトランジスタＭ１１においては、トレンチ分離酸化膜２２の活性領域ＡＲ１との境界部分において、活性領域ＡＲ１を囲むように配設され、その開口部入り口の寸法が２０〜８０ｎｍで、深さが５０〜１５０ｎｍの溝部ＧＰを有している。 - 特許庁

To allow a plane antenna to satisfy the regulations for a main polarized wave and a cross polarized wave with E plane and H plane directivity without reducing a front gain and also to satisfy the regulations of isolation between upper and lower layers.例文帳に追加

正面利得を低下させることなくＥ面指向性、Ｈ面指向性の主偏波及び交差偏波の規定を満足させ、かつ上層、下層間のアイソレーションの規定を満足させる。 - 特許庁

To provide a new structure vibration isolation actuator favorably improving generation efficiency of exciting force to consumed electric power by efficiently suppressing heat of a coil member by a simple structure.例文帳に追加

コイル部材の熱が簡単な構造で効率的に抑えられることによって、消費電力に対する加振力の発生効率が有利に向上され得る、新規な構造の防振用アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To shorten a construction period, and to reduce a cost as much as possible when constituting a flat roof expected to enlarge a roof, particularly, a living room in the future or to arrange a solar unit and a base isolation device.例文帳に追加

屋根、特に将来、居室を増築し或いはソーラーユニットや免震装置等を設置することを見込んだ陸屋根を構成する際の工期を短縮し、且つ費用を可及的に軽減する。 - 特許庁

To enable detection by a single detecting circuit in an LSI adopting the ground-line isolation technology and two or more power supply system circuits, even when a bidirectional ESD stress is impressed on two power supply system circuits.例文帳に追加

接地線分離技術および複数の電源系回路を採用したLSI において、２つの電源系回路に双方向のESD ストレスが印加された場合でも１つの検出回路で検出可能とする。 - 特許庁

After a trench 14 is cut in a silicon substrate 11 through an etching process where a pad oxide film 12 and a nitride film 13 are used as mask, an oxide film is filled into the trench 14 to form a trench isolation oxide film 16.例文帳に追加

パッド酸化膜１２，窒化膜１３をマスクとするエッチングにより、シリコン基板１１にトレンチ１４を形成した後、トレンチ内に酸化膜を埋め込んで、トレンチ分離酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

The sub-power supply is branched and connected at the stage preceding the switches 2, and comprises switches 9, a noise filter 10, a rectifying circuit 11, an oscillation circuit 12, an isolation transformer 13, and a smoothing circuit 14.例文帳に追加

サブ電源８は、上記スイッチ２の前段から分岐されて接続され、スイッチ９、ノイズフィルタ１０、整流回路１１、発振回路１２、絶縁トランス１３、平滑回路１４により構成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a transistor which is formed in an SOI layer of an SOI substrate and has excellent transistor characteristics even when the SOI layer is isolated by an element isolation region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層を素子分離領域によって分離しても、ＳＯＩ層に形成され、良好なトランジスタ特性を有するトランジスタを含む半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To prevent infection with a virus by providing an e-mail virus preventive system, and preventing intrusion of the virus into a computer of a user of e-mail including the virus by an isolation and detecting preventive measure.例文帳に追加

電子メールウイルス予防システムを提供し、隔離検出の予防処置によってウイルスを含有する電子メールのユーザーのコンピュータに侵入することを防止し、ウイルス感染を防止可能な目的を図る。 - 特許庁

The printing head and the guide portion are moved from the reference position in an isolation direction from the platen roller, thereby setting a gap (gap width d) to the printing head or the guide portion.例文帳に追加

そして、この基準位置から前記印字ヘッド及び前記ガイド部を前記プラテンローラから離間方向に移動させ、前記印字ヘッド又は前記ガイド部にギャップ（ギャップ幅ｄ）を設定する構成である。 - 特許庁

To provide an orthogonally polarized wave branching filter which secures the isolation of vertically and horizontally linearly polarized wave and whose waveguide 1 constituting an orthogonally polarized wave branching filter has short length.例文帳に追加

垂直方向直線偏波と水平方向直線偏波のアイソレーションを確保し、直交偏波分波器を構成する導波管１の長さが短い直交偏波分波器を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation device inhibiting local shear strain and improving durability when bidirectional independent exciting forces mutually crossing act in a plane crossing an axial direction at right angle.例文帳に追加

軸方向と直交する面内で互いに交差する２方向の独立した加振力が作用した場合、それによる局部剪断歪みを抑え耐久性を向上することのできる免震装置を提供する。 - 特許庁

In this head 1 for polishing a wafer, a sub-carrier 6 of almost disc shape with a lower surface serving as a wafer support surface 6a is provided, a vibration isolation sheet 11 is fixed over a total surface to the wafer support surface 6a.例文帳に追加

ウェーハ研磨用ヘッド１において、下面がウェーハ支持面６ａとされる大略円盤形状のサブキャリア６を設け、ウェーハ支持面６ａには、全面にわたって防振シート１１を貼り付ける。 - 特許庁

Then the exposed surface of the substrate is oxidized, whereby the edge parts of the upper part of the substrate 10 are formed into a circular shape and moreover, an insulating layer is buried in the trench 16, so that a trench element isolation region is formed.例文帳に追加

次に露出基板の表面を酸化することにより、Ｓｉ基板１０の上部のエッジ部を円形状にし、さらにトレンチ１６に絶縁層を充填し、トレンチ素子分離領域を形成する。 - 特許庁

In addition, the stabilization materials 55 and 56 provides isolation at peripheries of the layers 50-54 to prevent electrical coupling to a conductor to be used for providing a read and write access to the magnetic memory cell 40.例文帳に追加

また、安定化材料５５および５６は、層５０〜５４の縁の絶縁を提供し、磁気メモリ・セル４０に対する読み書きアクセスを提供するために使用される導体への電気的結合を防ぐ。 - 特許庁

This base isolation device is provided with an outer cylinder and an inner cylinder concentrically arranged inside the outer cylinder and the inner cylinder and the intermediate part between the inner cylinder and the outer cylinder are filled with liquid respectively.例文帳に追加

円筒体状の外筒と、この外筒の内部に円筒体状の内筒を同心状に配設し、内筒及び内筒と外筒の中間部にそれぞれ液体を充満したものである。 - 特許庁

To provide an antenna device the isolation characteristic of which can be enhanced by reducing the coupling among antenna elements and to provide a mobile wireless apparatus employing the same.例文帳に追加

複数の周波数帯やアプリケーションに対応した複数のアンテナ素子を配置する場合、素子間の結合による特性の劣化や、結合による素子単体の調整が困難になるといった問題が生じる。 - 特許庁

To reduce a reactance component of an isolation resistor over a wide range from a near part of a center frequency to a band edge in a power distribution/composition device which consists of two or more stages impedance transformers.例文帳に追加

２段以上の多段インピーダンス変成器からなる電力分配合成器において、中心周波数近傍から帯域端までの広帯域に亘り、アイソレーション抵抗のリアクタンス成分を低減する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional base-isolation device capable of attenuating horizontal and vertical impacts of vibration applied to a building, and applicable to the building possessing a relatively long natural cycle of about 1-2 seconds.例文帳に追加

建屋に作用する振動の水平・垂直両方向の衝撃を緩和でき、かつ、１〜２秒程度の比較的長い固有周期をもつ建屋へも適用可能な３次元免震装置を提供する。 - 特許庁

To provide a seismic response control damper, capable of damping horizontal behavior of a base isolation structure having no underwater structure body or a structure body of a seismic response controlled structure by moving a water permeable structural body relatively inside a liquid.例文帳に追加

構造物本体が水中に配設されない免震構造物または制震構造物の構造物本体の水平挙動を透水構造体が液体中を相対移動して減衰させる。 - 特許庁

When the movable glass moves, the portions varying in the optical axis angles from each other of the respective polarizing pieces 12A and 12B of the first glass 10 and the second glass 11 intersect with each other, thereby producing the light attenuation and heat isolation effects.例文帳に追加

可動のガラスが動くとき、第１ガラス１０、第２ガラス１１の各偏光片１２Ａ、１２Ｂは互いに異なる光軸角度の部分が交差して、減光および隔熱効果を生じる。 - 特許庁

To provide a technique for simply executing assembly of each vertical member, each lateral member, and each corner member for connecting the vertical member and the lateral member to each other with less manhours in a vibration isolation mount including the members.例文帳に追加

縦方向及び横方向部材とこれら両部材を連結するコーナー部材を備えた防振架台において、簡単に且つ少ない工数でこれらの部材の組み付けを行う技術を提供する。 - 特許庁

A preferred embodiment is the application to the buffering against the vibration of the transmission line in which the other end of the buffering body mounting part connected to an insulator for isolation and the tension loaded part is the transmission line.例文帳に追加

前記緩衝体取付部における他端部が絶縁用碍子に接続され、前記引張力負荷部が送電線であり、送電線の振動に対する緩衝に用いられる態様が好ましい。 - 特許庁

To provide a terminal connection structure of a memory device 10 hardly causing abrasion of a terminal 12 and with many durable life number by the action of insertion and removal for electrical connection or electrical isolation.例文帳に追加

挿入抜き取りで端子１２を電気的接続または電気的分離し、しかも端子１２の摩耗が生じにくく耐久寿命回数が多い記憶装置１０の端子接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a damping device capable of generating small damping with respect to normal seismic ground motion and of damping and avoiding resonance of a base isolation target M easily generated by in particular, long-period seismic ground motion.例文帳に追加

通常の地震動に対しては小さな減衰を発生し、特に長周期地震動によって生じ易い免震対象物Ｍの共振を、減衰して回避得る減衰装置を提供する。 - 特許庁

To provide the wall structure of a vibration-isolated building in which the seismic isolators in an earthquake are not deformed in the vibration-isolation building in which a wall is installed adjacent to columns, on which the seismic isolators mounted.例文帳に追加

免震装置が設けられた柱に隣接して壁が設けられている免震建物において、地震時における免震装置の変形が阻害されることのない、免震建物の壁構造を提供する。 - 特許庁

To appropriately use a piping connecting direction displacement/telescopic joint and a piping connecting direction displaceable joint, such as a ball joint and a universal joint, conventionally used in base isolation piping technology.例文帳に追加

免震配管技術において従来より使用されているボールジョイント、ユニバーサルジョイントなどの配管接続方向変位・伸縮可能継手、配管接続方向変位可能継手の使用方法を適切にする。 - 特許庁