Isolationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7498件
In an outer layer tube 2, there are inserted one end of a coated optical fiber ribbon 1, a proximal end portion of a group of single fiber isolation coated optical fibers 5, and a branching part between the one end and the proximal end portion.例文帳に追加
外層チューブ2に、テープ心線1の一端部と、単心分離光ファイバ心線5群の基端側部分と、前記一端部と前記基端側部分との間の分岐部位とを、挿通させる。 - 特許庁
To reduce test items and to shorten a test time by reducing the number of terminals without complicating a design of an output terminal selection circuit in an isolation test of a large-scale system LSI.例文帳に追加
大規模システムLSIのアイソレーションテストにおいて、出力端子選択回路の設計を複雑化させることなく端子数の削減を可能にし、テスト項目の削減およびテスト時間の短縮を実現する。 - 特許庁
This trigger mechanism of a base isolation device comprises a magnet 7 vertically movably mounted between an upper support 3 and a lower support 2 mounted in a state of being vertically opposite to each other and relatively displaced in the horizontal direction in earthquake.例文帳に追加
上下に対向配置されて震動時に水平方向に相対変位する上部支持台3と下部支持台2との間に配置され、且つ、上下に移動するマグネット7を備えている。 - 特許庁
The control unit 44 controls to stop power feeding to at least a group among a rotating machine group M, an isolation valve group V and a sensor group S, at the time of operation stoppage of the power generation system 43.例文帳に追加
制御ユニット44は、発電システム43の稼動停止時に、回転機群M,遮断弁群Vおよびセンサ群Sの少なくとも一群への電力供給を停止するよう制御する。 - 特許庁
The first and second sleeve division bodies 31, 32 are provided with isolation means of isolating the first sleeve division bodies 31, 32 so that both the optical fiber strands can be inserted into the V-shaped groove.例文帳に追加
両方の光ファイバ素線をV溝内に挿入可能なように第1スリーブ分割体31と第2スリーブ分割体32とを離隔する離隔手段を第1、第2スリーブ分割体31,32に設けた。 - 特許庁
To grasp a packed condition of a filling material using an ultrasonic wave before the filling material is cured, in execution of a foundation for arranging a base isolation device or the like.例文帳に追加
免震装置等を配置する基礎の施工において、充填材が硬化する前に、超音波を用いて充填材の充填状況を把握することができる充填状況測定方法を提供する - 特許庁
In an embodiment, an action line L1 of a center axis of the bearing member 9 is arranged to pass a vertical surface upper projection point G of a center of gravity of a water heater 2 in a vibration isolation bearing part 1A.例文帳に追加
具体的には、防振支持部1Aにおいて、支持部材9の中心軸の作用線L1は、給湯器2の重心の垂直面上投影点Gを通過するように配置されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of lengthening a service life of a peripheral circuit element and preventing a crystal defect caused by heat treatment of a post step or the like from occurring in an element isolation groove part of a peripheral circuit region.例文帳に追加
周辺回路素子の寿命を長くすると共に、後工程の熱処理等により周辺回路領域の素子分離溝部分に結晶欠陥が発生することを防止する。 - 特許庁
A switch circuit (short-circuiting switch) which short-circuiting a middle point potential of a main switch circuit to an earth potential with a low resistance is provided, and the short-circuiting switch is switched on when the main switch is switched off, whereby the off isolation performance is improved.例文帳に追加
主スイッチ回路の中点電位をアース電位に低抵抗で短絡するスイッチ回路(短絡スイッチ)を設け、短絡スイッチを主スイッチがオフのときにオンにして、オフアイソレーション性能を向上させる。 - 特許庁
To provide an air conditioner outdoor unit capable of being fixedly set up simply with a sound isolation material without enlarging an outdoor unit, by effectively using a space inside the outdoor unit of the air conditioner.例文帳に追加
空気調和機の室外機内のスペースを有効に活用することによって、装置を大型化することなく、且つ、簡単に防音材を配設することができる空気調和機の室外機を提供する。 - 特許庁
A joining plate 8 having a locking hole 6 for locking a lock pin 3 installed on the side surface is detachably inserted into the slit 2, and the end of the joining plate 8 is connected to a base isolation floor 7.例文帳に追加
そして、ロックピン3の係止用の係止孔6が側面に設けられた連結板8がスリット部2に挿脱自在に挿入され、連結板8の端部が免震床7に連結される。 - 特許庁
More on the inner side of the inner surface side sheet 32, the isolation sheet 33b extended elastically so as to be expanded or contracted in the cross direction A and provided with a front opening and a rear opening is provided.例文帳に追加
内面側シート32のさらに内側には、前後方向Aへ弾性的に伸長・収縮可能に延びていて前方開口部と後方開口部とを有する隔離用シート33bが設けられる。 - 特許庁
The position of the first layer room part is set not to exceed an area surrounded by the post 2 even when the maximum displacement regulated by the base isolation device D is given and not to come into contact with the post 2.例文帳に追加
第1層の室部の位置は、免震装置Dによって規定される最大変位を与えた際にでも円柱2で囲まれた領域を越えず、かつ円柱2に接触しないように設定されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has an SOD (Spin On Dielectric) single-layer film of good quality free of an influence of fixed charge etc., and having excellent electric characteristics and also has a device isolation region for a micro-LSI process.例文帳に追加
固定電荷等の影響がなく電気的特性の優れた良質なSOD単層膜を備えた、微細LSIプロセス用の素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated shared unit which is used for communication apparatuses or the like and possessed of excellent isolation characteristics between a transmitting and a receiving terminal and a method of regulating the same.例文帳に追加
本発明は通信機器等に用いられる積層型共用器に関するものであって、送、受信端子間のアイソレーション特性の良い積層型共用器及びその調整方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a vibration isolation module which can be used for small-size equipment such as AV equipment, personal computers and the like, and particularly is free from the shape of the area in which it is mounted so as to be fixed in any place.例文帳に追加
AV機器やパソコンなどのような小型の装置にも使用することができ、しかも、その形状を選ばす、どのような場所にも設置固定することができる免震モジュールを提供する。 - 特許庁
The isolation circuit 3 is provided with a photocoupler, which once converts an amplified input signal into an optical signal to electrically isolate the optical signal from the input signal, and restores the optical signal into an electric signal again, which is outputted through a buffer.例文帳に追加
絶縁回路3にはフォトカプラを備え、増幅された入力信号を一度光信号に変換し、電気的に絶縁後再度電気信号に戻してバッファーを通して出力する。 - 特許庁
The transfer method for functional region includes transferring at least part of a functional region 106 disposed while bonded onto a first isolation layer 105 of a first substrate 103 to a second substrate 100.例文帳に追加
機能性領域の移設方法では、第1の基板103の第1の分離層105上に接合されて配されている機能性領域106の少なくとも一部を第2の基板100に移設する。 - 特許庁
An element isolation insulating film 15 is formed on a surface layer of the non-defect layer 13, a p- or n-type active region 16 is formed, and an element is formed on a surface side of the active region 16.例文帳に追加
無欠陥層13の表面層に、素子分離絶縁膜15を形成すると共にp型やn型の活性領域16を形成し、活性領域16の表面側に素子を形成する。 - 特許庁
In this configuration, the both driving currents in the n-channel transistor Qn and the p-channel transistor Qp can be increased without changing the sizes of the active regions A and the device isolation region IS.例文帳に追加
この構成により、活性領域A、素子分離領域ISの寸法を変更することなく、nチャネルトランジスタQnとpチャネルトランジスタQpの駆動電流をともに増加させることができる。 - 特許庁
As described above, since activation annealing is performed by use of the radiant heat, it is possible to reduce a difference in temperatures between an end of an activation region and an element isolation region, similarly to the case of using a diffusion furnace.例文帳に追加
このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。 - 特許庁
In this way, a side surface portion 12a of a field oxide film 12 constituting an element isolation region 12 is exposed and the recess portion 13a gets surrounded by the side surface portion 12a of the field oxide film.例文帳に追加
これにより、素子分離領域12を構成するフィールド酸化膜12の側面部分12aが露出し、凹部13aの周囲がフィールド酸化膜の側面部分12aで囲まれた状態となる。 - 特許庁
A groove of ≥1 μm width and ≥1 μm depth is formed on a silicon oxide film and the silicon oxide film is embedded in the groove, thereby realizing isolation, having breakdown voltage of ≥500 V, even on a substrate having crystal defects.例文帳に追加
シリコン酸化膜を1um以上の幅で1um以上に深い溝を作り、溝の中にシリコン酸化膜を埋め、結晶欠陥のある基板でも500V以上に耐圧のあるアイソレイションを実現する。 - 特許庁
In order to improve a isolation between the amplifiers and suppress the dependence of an intermodulation(IM) characteristic of each amplifier on the other as much as possible, matching networks 26, 28 are provided and connected to the output of the amplifier.例文帳に追加
増幅器間の分離を改善し、各増幅器の相互変調(IM)特性の他方に対する依存性を極力抑えるために、整合ネットワーク26、28を設け、増幅器の出力に結合する。 - 特許庁
In this base isolation structure 1, a through hole 2a is formed in a vertical direction on a main body 2 which is layered by rigid layers 21 and flexible layers alternately, and a block 3 is fitted in the through hole 2a.例文帳に追加
硬質層21と軟質層22とが交互に積層された本体2に貫通孔2aが鉛直方向に形成され、貫通孔2aにブロック3が嵌入された免震構造体1である。 - 特許庁
The seismic isolation bearing contains a lower plate 12, an upper plate 14, and a cylinder roller 16 which comes into rolling contact with a bearing face 18 in the upper direction of the lower plate and the bearing face 20 in the lower direction of the upper plate.例文帳に追加
免震ベアリングは、下部プレート12、上部プレート14、及び下部プレートの上方に向くベアリング面18と上部プレートの下方に向くベアリング面20と転がり接触する円筒ローラ16を含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has a constitution capable of securing high quality and high reliability even when an aspect ratio in an element isolation region of an STI structure becomes high, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
STI構造素子分離領域のアスペクト比が高くなっても品質及び信頼性の高さを確保することが可能な構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a production method therefor, with which the generation of a void on an insulating film embedded in a trench for element isolation can be suppressed even when the aspect ratio of that trench becomes high.例文帳に追加
素子分離用トレンチのアスペクト比が高くなっても、そのトレンチ内に埋め込まれる絶縁膜にボイドが発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
On the other hand, since production amount of similar substances which have been a problem in conventional production methods is 1/10 to 1/100, the above production method makes purification and isolation of the objective compound extremely ready.例文帳に追加
一方、従来の生産方法において問題となっていた類似物質の生産量は、その10分の1から100分の1以下であり、目的化合物の精製・単離は極めて容易となる。 - 特許庁
The region 4 is one formed directly under a p-type well 3 under at least an element isolation oxide film and the concentration in the region 4 is set higher than that in the layer 2.例文帳に追加
n型領域4は、少なくとも素子分離酸化膜下のp型ウェル3の直下に形成されたものであり、n型領域4の濃度は、前記n型拡散層2の濃度よりも大きく設定されている。 - 特許庁
To realize a compact antenna device usable for radio equipment in mobile communications, etc. which allows two or more feed ports ensured in isolation to be installed on one antenna.例文帳に追加
移動体通信等の無線機に使用されるアンテナ装置に関して、1つのアンテナにアイソレーションの確保された2つ以上の給電ポートを設けることが可能な小型アンテナを実現することを目的とする。 - 特許庁
In a semiconductor device 1 for expressing a shallow trench isolation (STI) structure, an Si substrate 2 is etched to form a trench 3 with a depth A, and the trench 3 is filled with a high-density plasma oxide film (HDP 4a).例文帳に追加
シャロートレンチアイソレーション(STI)構造を表す半導体装置1で、Si基板2をエッチングで深さAのトレンチ3を形成し、高密度プラズマ酸化膜(HDP4a)で当該トレンチ3を充填する。 - 特許庁
The power accumulation unit 102 is provided with a first power accumulation element 103, an isolation diode 104, a second power accumulation element 105, a one-way electrical energy output limiting circuit 106, and a charge control circuit 111.例文帳に追加
蓄電ユニット102は、第一蓄電エレメント103、隔離ダイオード104、第二蓄電エレメント105、片方向電気エネルギー出力制限回路106および充電制御回路111が設けられる。 - 特許庁
To provide a seismic base isolation trigger mechanism and a trigger material capable of preventing the transfer of fine vibration, at the same time, absorbing a horizontal error in case of installation and preventing a fatigue damage.例文帳に追加
微振動の伝達を防止することができるとともに、設置時の水平誤差を吸収することができ、さらには疲労損傷を防止することができる免震トリガー機構及びトリガー材を提供する。 - 特許庁
Vibration isolation is effected by moving a vibration isolating lens group GV, consisting of a lens group having the negative refracting power over the entire part or part of the negative lens group GR, in a direction nearly which is orthogonal with the optical axis.例文帳に追加
負レンズ群GRの全体またはその一部の負の屈折力を有するレンズ群からなる防振レンズ群GVを光軸とほぼ直交する方向に移動させることにより防振を行う。 - 特許庁
In order to obtain single peak characteristics for the coupling resonance circuit, a gap G formed in the core of the power isolation transformer PIT is set at about 1.6 mm and a coupling coefficient k is set at 0.65 or less.例文帳に追加
そして、この結合形共振回路について単峰特性を得るために、絶縁コンバータトランスPITのコアに形成するギャップGを1.6mm程度とし、結合係数kについてk=0.65以下を設定する。 - 特許庁
Forms are erected so as to surround the reinforcing bars, concrete is placed up to the underside of the base plate and the base plate is fixed, and the vibration isolation device is installed onto the top face of the base plate after curing.例文帳に追加
前記鉄筋を取り囲むように型枠を建て込み、前記ベースプレートの下面までコンクリートを打設して該ベースプレートを固定し、養生後に前記ベースプレートの上面に免震装置を設置する。 - 特許庁
To improve isolation between electric signal circuits of a connection destination without increasing a distance where a contact spring is disconnected from a contact of a non-connection destination and comes into the first contact with a contact of a new connection destination.例文帳に追加
接点バネが非接続先の接点から脱離し新接続先の接点に最初に接触するまでの距離を増加させずに、接続先の電気信号回路間のアイソレーションを改善する。 - 特許庁
The width 16 at the narrow portion 19 is determined such that the length 18 of the diagonal line at the intersection becomes equal to the width 14 of the insulating film for device isolation 12 at other part than the narrow portion 19.例文帳に追加
そして例えば、交差部分の対角線の長さ18が、幅狭部分19以外の素子分離用絶縁膜12の幅14と等しくなるように、幅狭部分19の幅16を決定する。 - 特許庁
The projector for projecting and displaying the color image comprises an illumination optical system, a color and light isolation optical system, first to third optoelectronic unit, a color and light combination optical system, and a projection optical system.例文帳に追加
カラー画像を投写表示するプロジェクタは、照明光学系と、色光分離光学系と、第1ないし第3の電気光学装置と、色光合成光学系と、投写光学系とを備えている。 - 特許庁
As the result, even if a recessed part 16 is produced at a boundary between the element forming region Ac and the element isolation region Is because the thermal oxide film 15 is corroded when the oxide film is removed, the recessed part 16 can be filled up with the deposit film 17.例文帳に追加
その結果、酸化膜の除去の際、熱酸化膜が侵食され素子形成領域と素子分離領域との境界に凹部16が生じても、堆積膜17で埋め込むことができる。 - 特許庁
The thickness of an element-isolation insulating film in the STI 304 of the LV type transistor region 103 can be reduced by an amount corresponding to the reduced height of the upper surface, so that a shrinkage stress in a coating film can be reduced.例文帳に追加
上面の高さを下げた分だけ、LV系トランジスタ領域103のSTI304での素子分離用絶縁膜の膜厚を削減して、塗布膜の収縮応力を緩和させる。 - 特許庁
One of the upper and lower ends of a fire resistant panel arranged in the position surrounding the outer periphery of the base isolation device is attached to the structural body and the other end is assembled to be transferable along the plane of the fire-resistant board.例文帳に追加
前記免震装置の外周を取り囲む配置で設けた耐火パネルの上下の端部の一方を構造体へ取付け、他方の端部は前記耐火ボードの平面に沿って移動可能に組立てる。 - 特許庁
The isolation layers 12 and the buffer layers 13 are formed dispersedly in lines, and etchant flow holes 16 are provided in the side of t layers 12 and 13 through the intermediary of an SiO2 growth stop film 15.例文帳に追加
分離層12およびバッファ層13は線状に分散して形成され、それらの側面にはSiO_2 よりなる成長防止膜15を介してエッチング剤の流通孔16が設けられている。 - 特許庁
To provide a base isolation device having a damping device capable of exhibiting a stable structure supporting function by a rigid ball and a stable damping function by an elastic ball during an input of vibration.例文帳に追加
振動入力時に剛体球による構造物の安定した支持機能、弾性体球による安定した制振機能を発揮させることができる制振装置を備えた免震装置を提供する。 - 特許庁
A trench is cut on the surface of a silicon substrate 1 provided with a channel region so as to isolate the channel region, and the trench is filled up with an insulating film to form a trench element isolation insulating film 2.例文帳に追加
チャネル領域を有するシリコン基板1に、チャネル領域を分離するようにトレンチ9を形成し、このトレンチ9を絶縁膜で埋め込んでトレンチ素子分離絶縁膜2を形成する。 - 特許庁
To further miniaturize an inter-element isolation region in not only a peripheral circuit formation region but also a pixel formation region while suppressing the noises of a solid-state image sensing device on an image signal.例文帳に追加
固体撮像素子において、画像信号に対するノイズを抑制しながら、周辺回路形成領域のみならず画素形成領域においてもさらに素子間分離領域を微細化する。 - 特許庁
A region where the isolation layer 44 is present and a region where the layer 44 is not present are formed on the spacer layer 24 in a view vertical to the upper surface of the fixed layer 23.例文帳に追加
固定層23の上面に対して垂直な方向から見たときに、スペーサ層24には、絶縁層44が存在している領域と絶縁層44が存在していない領域とが形成されている。 - 特許庁
The floor receiving beam member 3 is directed to the direction to which the floor beam 1 is extended and arranged eccentrically sideward of the floor beam 1 in a state of opening the upper portion of the floor beam and supported by the floor beam 1 for vibration isolation.例文帳に追加
床受けビーム材3は、床梁1の延びる方向に向けられ、床梁1の上方を開放する態様で床梁1の側方に偏心して配置され、床梁1に防振支持されている。 - 特許庁
The thickness of the joint body 42 is formed to be less than the opening height of the base isolation slit 37, and a gap is provided between the joint body 42 and an upper side wall body 17a and a lower side wall body 17b of the wall 17.例文帳に追加
目地本体42の厚みを免震スリット37の開口高さよりも薄く形成し、目地本体42と壁17の上側壁体17aと下側壁体17bとの間に隙間を設ける。 - 特許庁
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