「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 100 has an element forming region in which a gate electrode 108 is formed, and an outer circumferential region formed on the outer circumference of the element forming region and in which an isolation region 118 is formed.例文帳に追加

半導体装置１００は、ゲート電極１０８が形成された素子形成領域と、素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域１１８域が形成された外周領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure utilizing a wall damper of a viscous body which can exert a damping performance in the in-plane direction permanently and stably even when large story deformation and relative velocity are brought about.例文帳に追加

面内方向の減衰性能を、大きな層間変形及び相対速度が発生した場合でも恒久的に安定して発揮することができる粘性体壁ダンパーを利用した免震構造を提供する。 - 特許庁

To simplify a peripheral control circuit by decreasing the number of control terminals to the number of SPST basic circuits while maintaining a low insertion loss and high isolation with n-sets of SPnT type semiconductor switches of the SPST basic circuits.例文帳に追加

本発明は、ＳＰＳＴ型基本回路がｎ個のＳＰｎＴ型半導体スイッチで低挿入損失と高アイソレーシヨンを維持しつつ、制御端子を基本回路の数だけに削減し周辺制御回路を簡単にする。 - 特許庁

A height h2 of a gate electrode 11 on an isolation film 6 is made smaller than a height h1 of the gate electrode 11 on an element formation region by leaving a first silicon layer 3 in an element formation region without removing it.例文帳に追加

第１のシリコン層（３）を除去せずに素子形成領域に残すことで、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）の高さｈ２を素子形成領域上のゲート電極（１１）の高さｈ２に比べて低くする。 - 特許庁

The dopant layer and/or logic element isolation film side walls having smaller slope angles are provided to NMOS devices in the above-mentioned logic regions while they are not provided to PMOS devices in the above-mentioned logic regions.例文帳に追加

前記不純物層及び／又はより小さな傾斜度を有するロジック素子分離膜の側壁を前記ロジック領域のＮＭＯＳ装置に提供する一方、前記ロジック領域のＰＭＯＳ装置には提供されていない。 - 特許庁

A DC-DC conversion circuit CONV-2 having an isolation transformer T1 is connected between the series circuit of the seventh and eighth switches Q7 and Q8 and the series circuit of the third and fourth switches Q3 and Q4.例文帳に追加

第７及び第８のスイッチＱ７ 、Ｑ８ の直列回路と第３及び第４のスイッチＱ3 、Ｑ4 の直列回路との間に絶縁トランスＴ１を有するＤＣ−ＤＣ変換回路ＣＯＮＶ−２を接続する。 - 特許庁

To provide a sliding bearing and a base isolation device having this sliding bearing, capable of restraining damaging of a sliding surface and a sliding member, by reducing foreign matters on the sliding surface, when the sliding member slides on the sliding surface.例文帳に追加

すべり面上をすべり部材が滑るときに、すべり面上の異物を少なくして、すべり面とすべり部材の傷つきを抑制できるすべり支承と、このすべり支承を備えた免震装置を得る。 - 特許庁

To provide a support structure and a support construction method of a structure capable of exerting high seismic isolation performance and preventing subsidence and inclination of the structure by preventing liquefaction of the ground.例文帳に追加

高い免震性能を発揮することができるとともに、地盤の液状化を防止することにより、構造物の沈下や傾斜を防止することができる構造物の支持構造および支持工法を提供する。 - 特許庁

To provide a coil filter that is suitably surface-mounted on an electronic circuit board by automatic mounting, takes a mutual arrangement of components into less consideration, has superior high-frequency characteristics, and actualizes wide-band isolation.例文帳に追加

自動実装による電子回路基板への表面実装搭載に適し、部品相互間の配置を考慮する必要の少ない、高周波特性の優れた広帯域のアイソレーションを実現するコイルフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide an assembling method of sectional boards for allowing quick assembling and application to various buildings, wall plates, floor plates, roofs, containers and the like, and achieving sound, temperature, electricity, moisture, and water isolation effects in the buildings.例文帳に追加

迅速に組み立てられ、各種建築、壁板、床板、屋根、コンテナ等に応用でき、その建築物に音、温度、電気、湿気、水分を隔離する効果を達することができる、組立式ボードの組み立て方法の提供。 - 特許庁

The charge storage film includes a charge film formed on the active region and having predetermined charge trap characteristics, and an altered charge film formed on the element isolation insulating film and having charge trap characteristics inferior to those of the charge film.例文帳に追加

電荷蓄積膜は、活性領域上に形成され所定の電荷トラップ特性を有するチャージ膜と、素子分離絶縁膜上に形成されチャージ膜よりも電荷トラップ特性の劣る変質チャージ膜とを備える。 - 特許庁

To provide an air conditioning system for a computer room capable of preventing breakage of equipment storage racks and a shielding body due to earthquake and the like even when the equipment storage racks are disposed on a seismic isolation base.例文帳に追加

機器収容用ラックが免震台の上に設置された場合であっても、地震等によって機器収容用ラック及び遮蔽体の破損を防止することが可能な電算機室用空調システムを提供する - 特許庁

The first gate electrode 230 comprises a silicide layer 235 on at least part of a region located on an element isolation film 50, and no silicide layer is in a region sandwiched by the first diffusion layer 226.例文帳に追加

そして第１ゲート電極２３０は、素子分離膜５０上に位置する領域の少なくとも一部にシリサイド層２３５を有しており、かつ第１拡散層２２６に挟まれた領域にはシリサイド層を有していない。 - 特許庁

To improve transfer efficiency of charges from a photoelectric conversion portion to a charge-voltage conversion portion and to reduce noise generated by a dark current due to an interface state of an element isolation portion below a transfer electrode.例文帳に追加

光電変換部から電荷電圧変換部への電荷の転送効率を向上するとともに、転送電極の下における素子分離部の界面準位に起因した暗電流によるノイズを低減する。 - 特許庁

To provide a new cell composition, without having disadvantages of conventional sheet type cell compositions to be replaceable for the sheet type cell compositions, which is simply producible, and easily applicable to isolation, transportation, grafting, and storage.例文帳に追加

シート状細胞組成物に代わる、従来のシート状細胞組成物の不利な点を有さず、簡便に製造可能であり、単離、移送、移植、保存も容易に可能である新規な細胞組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes the trench gate 118 formed in a trench formed between a drain region 106 and a source region 108 and penetrating an element isolation region 104 to reach a substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００は、ドレイン領域１０６およびソース領域１０８の間に形成され、素子分離領域１０４を貫通して基板１０２にまで達するトレンチ内に形成されたトレンチゲート１１８を含む。 - 特許庁

To provide a method of constructing a base isolation structure, facilitating construction without adopting a press-in construction method for high fluidity concrete in constructing a lower rising foundation and an upper foundation, and shortening the term of construction.例文帳に追加

下部立上り基礎や上部基礎の構築の際に高流動性コンクリートの圧入工法を用いることなく容易に施工でき、工期短縮を図ることができる免震構造の構築方法を提供する。 - 特許庁

A vibration isolation plate 41 formed by using a vibration- control steel plate in which a rubber member is held between steel plates is installed between the flange section 9C of a turning motor 9 and the abutting surface 13B of an upper side housing 13.例文帳に追加

旋回モータ９のフランジ部９Ｃと上側ハウジング１３の衝合面１３Ｂとの間には、ゴム部材を鋼板で挟んだ制振鋼板を用いて形成された防振板４１を設ける構成としている。 - 特許庁

A sound absorbing panel 1 is constituted into multilayered structure in which a porous plate 10, glass wool 12, a gas filling vessel 14 and a sound isolation plate 16 are closely stuck mutually in order from the front side of the panel and is made to be porous plate sound absorbing structure.例文帳に追加

吸音パネル１は、その前側から順に有孔板１０、グラスウール１２、ガス封入容器１４および遮音板１６が互いに密着した多層構造に構成されており、有孔板吸音構造となっている。 - 特許庁

The coil component 10 comprises a magnetic core 100, a magnet member 200 for applying a magnetic bias, an insulating isolation member 300, two coils 410 and 420, a holding member, and a metal case 600.例文帳に追加

コイル部品１０は、磁気コア１００と、磁気バイアスをかけるための磁石部材２００と、絶縁性の隔離部材３００と、２つのコイル部４１０及び４２０と、保持部材と、金属ケース６００とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of enhancing a reliability of the flash memory element to which a shallow trench isolation (STI) process is applied and capable of being miniaturized.例文帳に追加

本発明は、シャロートレンチアイソレーション(shallow trench isolation：ＳＴＩ)工程が適用されるフラッシュメモリ素子の信頼性を向上させ且つ縮小化を図ることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a seismic isolation method for an existing building having a small amount of support to be removed by reducing the diameter of supports to be arranged between a beam attached to an existing column and a slab for supporting the upper load.例文帳に追加

上部荷重を支持するためにスラブと既設柱に取り付く梁との間に配置する支柱を柱径の小さいものにして除去する支柱の切除量が少ない既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁

This improved ground is constituted by arranging a plurality of rubber block-shaped base isolation materials 4 in a foundation laying area of the flat adjusted ground 3 composed of crushed stones or leveling concrete constructed at the bottom of an excavation part 2.例文帳に追加

改良地盤は、根切り部（２）の底に施工された砕石または捨てコンクリートから成る平坦な調整地盤（３）の基礎敷設領域にゴム製のブロック状の免震材（４）を複数配置して構成される。 - 特許庁

To reduce application dispersion resulting from application unevenness, to prevent a failure to apply, to improve a working environment and to simplify an adhesive treatment process, in manufacturing a base isolation structure, particularly in adhesive treatment of a steel plate.例文帳に追加

免震構造体の製造、特に鋼板の接着剤処理において、塗りムラによる塗布バラツキを低減し、塗り忘れを防止すると共に、作業環境を向上し、かつ接着剤処理工程を簡素化する。 - 特許庁

On a wafer substrate 1, a laminated body S, which is composed of a nitride semiconductor and has at least a contact layer S1 for forming a lower electrode inside, is formed, and isolation trenches 2 surrounding the circumference of each element are formed.例文帳に追加

ウエハー基板１上に、窒化物系半導体からなりかつ下部電極形成用のコンタクト層Ｓ１を少なくとも内部に有する積層体Ｓを形成し、各素子部の外周を取り巻く区画溝２を形成する。 - 特許庁

To provide a base isolation device with a damping mechanism, having a structure isolated from a base for effectively absorbing the seismic motion of the base while simplifying mounting work on the base or the structure.例文帳に追加

構造体を基盤から絶縁して該基盤の震動を効果的に吸収することができると共に、基盤や構造体に対する取付け作業の簡易化を図ることが可能な減衰機構付き免震装置を提供する。 - 特許庁

A through hole penetrating the silicon substrate 3 from an upper side of the silicon substrate to its backside, is formed in periphery of the element isolation region 6 surrounding the element formation region 5a, and a conductor is embedded to obtain an embedded conductor 9.例文帳に追加

素子形成領域５ａを包囲する素子分離領域６の辺部に上面からシリコン基板３の裏面まで貫通する貫通孔を形成し、内部に導体を埋め込み形成し埋め込み導体９を設ける。 - 特許庁

A capacitor 41 composed of a trench 13, an insulating film 14, and a conductor 16 is formed in a substrate 10, and a stepped part is provided at the upper part of an opening 50 bored in the substrate 10, and then the opening 50 is filled with insulator for the formation of an isolation region 50.例文帳に追加

基板１０内にトレンチ１３絶縁膜１４導電体１６からなるキャパシタ４１を作り、その上部を段差に開口５０して絶縁体を充填して分離領域５０を形成する。 - 特許庁

To obtain a heat sink, i.e., a fixing component (a heat sink as an attachment) being coupled thermally with a plurality of components while sustaining vibration control (vibration isolation) between the heat sink and the plurality of components.例文帳に追加

放熱装置を複数のコンポーネントに熱的に接続し、同時に、放熱装置と複数のコンポーネントとの間の防振（振動遮断）を維持する取付部品（アタッチメントとしての放熱装置）である放熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide etching method capable of carrying out the etching which is uniform and can be easily controlled even in various semiconductor devices, such as semiconductor device of a multilayer structure or multi-element semiconductor and to provide an element isolation method.例文帳に追加

多層構造の半導体素子や多元系の半導体素子など多様な半導体素子においても均一かつ制御が容易なエッチングを行うことが可能なエッチング方法および素子分離方法を提供する。 - 特許庁

Virus-containing suspended particles within a particle diameter range capable of stably floating are supplied in an evaluation chamber 1 isolated from an outer space by an isolation wall, and the number of floating viruses in the evaluation chamber 1 are measured and evaluated.例文帳に追加

隔離壁により外部空間と隔離された評価室１内に、安定浮遊可能な粒子径範囲のウイルス含有浮遊粒子を供給し、評価室１内の浮遊ウイルスの数を計測して評価する。 - 特許庁

The gate electrode 9a of an MISFET (Q_1) is formed on the substrate 1 of an active region L, whose circumference is specified by an element isolation groove 2, and extending from one end to the other across the active region L.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑ_１）のゲート電極９ａは、素子分離溝２によって周囲を規定されたアクティブ領域Ｌの基板１上に形成され、アクティブ領域Ｌを横切ってその一端から他端に延在している。 - 特許庁

To solve the problems such as reduction of a welding amount, reduction of the number of parts, simplification of assembling, securing of production precision, reduction of a manufacturing cost and miniaturization of a product being common problems in various base isolation sliding support.例文帳に追加

各種免震滑り支承に共通の課題である、溶接量の削減、部品数の削減、組立ての簡略化、製品精度を確保、製造コストの削減、製品の小型化等の問題点を解決する。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子（コンデンサ、インダクタ）と下層素子（能動素子、受動素子）との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁

Also, since a reproduced signal caused when the light spot crosses the isolation pit region I_p can be distinguished from other reproduced signals, a signal waveform of the reproduced signal caused by a plurality of light spots can be comprehended clearly.例文帳に追加

また、孤立ピット領域Ｉ_ｐを光スポットが通過するときに発生する再生信号は、他の再生信号から区別し得るので、複数の光スポットに由来する再生信号の信号波形が明確に把握できる。 - 特許庁

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region.例文帳に追加

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。 - 特許庁

This photosensitive film is exposed using a reticle and then is developed to form a mask film 51 having a mask opening 51b including part on the opening 2b, and the periphery thereof is formed on the element isolation film 2.例文帳に追加

この感光膜を、レチクルを用いて露光し、その後現像することにより、素子分離膜２上に、開口部２ｂ上及びその周囲を内側に含むマスク開口部５１ｂを有するマスク膜５１を形成する。 - 特許庁

To form a continuous isolation wall structure enclosing a plurality of sub-regions to prevent imbalanced liquid crystal distribution caused by gravity in a cell structure of a liquid crystal display (LCD) device divided into the plurality of sub-regions.例文帳に追加

複数のサブ領域に分けられた液晶ディスプレイデバイスのセル構造体において、各サブ領域を囲む連続した隔壁構造体を形成し、重力に起因する不均衡な液晶分布を防ぐこと。 - 特許庁

The output from the composite terminal is given to a directional coupler 8-6, which extracts part of the output as a feedback signal, and a feedback composite device 1-1 composed the feedback signal with the output signal from the isolation terminal.例文帳に追加

合成端子からの出力は方向性結合器８−６に入力され、その一部をフィードバック信号として取り出し、帰還合成器１−１によりアイソレーション端子からの出力信号と合成する。 - 特許庁

To suppress the reverse narrow channel effect so that the variation of the element isolation width may not directly cause the variation of the p-type region depth.例文帳に追加

素子分離幅のばらつきが、そのままｐ型不純物領域深さのばらつきを生じさせることがないように、逆狭チャネル効果を抑制することが可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a switching power supply device capable of protecting a switching transistor from overcurrent flowing through the switching transistor provided on a primary side of an isolation transformer, while dealing with temperature dependency of the frequency characteristics of a variable oscillator circuit.例文帳に追加

可変発振回路の周波数特性が有する温度依存性にも対応しつつ、絶縁トランスの一次側に設けられたスイッチング用トランジスタに流れる過大電流に対して、スイッチング用トランジスタなどを保護する。 - 特許庁

To provide an engine stop position estimating device capable of discriminating between the normal rotation and reverse rotation of a crank shaft with a simple structure to enable a precise crank angle to be estimated at engine stop and further to provide an active vibration isolation supporting device.例文帳に追加

簡単な構造でクランク軸の正転／逆転を判別し、エンジン停止時の正確なクランク角を推定することができるエンジン停止位置推定装置及び能動型防振支持装置を提供する。 - 特許庁

A first active region 9a and a second active region 9b include central top surfaces 9t of a (100) crystal plane and inclined edge surfaces 9e extending from the central top surfaces 9t to the device isolation layer 14.例文帳に追加

第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂは（１００）面の中心上面９ｔ及び中心上面９ｔから素子分離膜１４に向けて延びる傾斜エッジ面９ｅを有する。 - 特許庁