「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an insulating film forming method for element isolation which can prevent the occurrence of defect on a semiconductor substrate and is hard to generate dispersion of height of STI step difference.例文帳に追加

本発明の目的は、半導体基板上に欠陥が発生することを抑制でき、かつＳＴＩ段差の高さのばらつきが発生しにくい素子分離用絶縁膜形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a new coating rubber composition excellent in ozone resistance especially in the greatly deformed state, and also excellent in rubber strength, extension, damping performance or the like, and to provide a base isolation/damping device using the coating rubber composition.例文帳に追加

特に大変形状態での耐オゾン性に優れる上、ゴム強度や伸び、あるいは減衰性能等にも優れた新規な被覆ゴム組成物と、それを用いた免震・制震装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation device covering the upper surface of a trench made for controlling the movement of the ground by an earthquake and capable of effectively preventing the opening of the trench even in the case the earthquake occurs.例文帳に追加

地震による地面の移動を抑制するために設けられている溝の上面を覆い、地震発生時にも溝が開口するのを効果的に防止することのできる免震装置を提供する。 - 特許庁

Also, a secondary parallel resonance circuit is provided so that transmission loss between the primary side and the secondary side caused by the low degree of the coupling of the power isolation transformer is compensated by this resonance operation.例文帳に追加

また、絶縁コンバータトランスを低結合度としたことに依る一次側と二次側との間の伝送ロスは、二次側並列共振回路を設け、この共振動作によって補われるようにする。 - 特許庁

To provide a method and a system for the isolation, ex vivo proliferation and recovery of hematopoietic stem cells by a batch treatment method or a continuous treatment method, which can efficiently and simply be operated in a short time.例文帳に追加

バッチ処理または連続処理法により造血幹細胞を単離、生体外増殖、および回収する効率的で、短時間で簡単に操作可能な方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented.例文帳に追加

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。 - 特許庁

At least an upper part of an element isolation groove is filled with an HF resistance film composed of SiOCN or SiCN formed with a reduced pressure CVD process using bis tertiary-butylaminosilane as a raw material.例文帳に追加

素子分離溝の少なくとも上部を、ビスターシャリブチルアミノシランを原料とした減圧ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯＣＮあるいはＳｉＣＮよりなるＨＦ耐性膜で充填する。 - 特許庁

The vibration isolation tie metal fitting is so constituted that rapid external force can be relaxed by expansion of rubber even if the abrupt external force (earthquake and gust) occurs in a building by using a rubber attached washer 1 when each metal fitting tie is mounted.例文帳に追加

各金具継ぎ手の取り付け時に、ゴム付き座金１を使用する事により、建物に急激な外力（地震、突風）が発生した時でも、ゴムの伸縮により急激な外力を緩和する。 - 特許庁

Since the base isolation duct 1 installed with the bellows part 2a temporarily fastened, the stiffness of the duct body 2 is made high because of the contracted bellows part 2a, and hanging down of the duct body 2 is prevented.例文帳に追加

蛇腹部２ａが仮止めされた状態で本免震ダクト１を配設することで、蛇腹部２ａが縮まっているためダクト本体２の剛性が高く、ダクト本体２が垂れ下がることがない。 - 特許庁

To provide a mounting structure of a directional coupler wherein isolation between a main output signal terminal and a sub output signal terminal to be output with a prescribed distribution ratio is improved, and to provide the directional coupler.例文帳に追加

所定の分配比で出力される主出力信号端子と副出力信号端子との間のアイソレーションを改善した方向性結合器の実装構造及び方向性結合器を提供する。 - 特許庁

Silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b are formed at a thickness of ≥23 [nm] by thermal oxidation processing and an LP-CVD method along the internal surface of the element isolation grooves 9, 19.例文帳に追加

素子分離溝９、１９の内面に沿って、それぞれ熱酸化処理、ＬＰ−ＣＶＤ法によって２３［ｎｍ］以上の膜厚でシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a foundation base isolation structure using a two layer separation type footing generally adaptable for a general foundation structure provided with a footing foundation structure and a repair method for the structure.例文帳に追加

フーチング基礎構造を備えている基礎構造一般に適用することができる２層分離型フーチングを用いた基礎免震構造およびその構造の場合の補修工法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the transmission loss between the primary side and the secondary side caused by putting the power isolation transformer at low coupling degree is compensated for by the resonation of a secondary parallel resonance circuit.例文帳に追加

絶縁コンバータトランスについては所定以下の結合係数による低結合度とすることで、二次側直流出力電圧に重畳する商用交流電源周期のリップルの低減を図る。 - 特許庁

To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit.例文帳に追加

垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element-isolation film of a semiconductor device, which is capable of eliminating a shortcoming of conventional methods by implanting inert ions to upper/lower corner portions of a trench to make the portions amorphous.例文帳に追加

トレンチの上・下部コーナー部分に不活性イオンを注入して非晶質化することにより、従来の短所を解消することのできる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The waste liquid disposal device or the hydrogen generator is so constituted that the neutralizing agent is stored in a manner isolated from a container containing the waste liquid, and the neutralization agent and the waste liquid are mixed when the isolation is released.例文帳に追加

この中和剤を、廃液を収納する収納部と隔離して収納し、その隔離を解除することで両者が混合されるように廃液処理装置あるいは水素発生器を構成する。 - 特許庁

After a trench type element isolation region 2 surrounding an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a polycrystalline silicon film 4 are formed sequentially on the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１に活性領域を取り囲む溝型素子分離領域２を形成した後、半導体基板１上にゲート絶縁膜３及び多結晶シリコン膜４を順次形成する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The antenna element 1 is further provided with a slit S2 between the feeding points P1, P2 as an electromagnetic coupling adjusting means for generating a prescribed amount of isolation between the first and the second antenna portions.例文帳に追加

アンテナ素子１は、第１及び第２のアンテナ部の間の所定のアイソレーションを生成するための電磁結合調整手段としてのスリットＳ２を給電点Ｐ１，Ｐ２の間にさらに備える。 - 特許庁

An element isolation insulating film 13aa is formed within multiple channels 11 provided to a semiconductor substrate 1, and location at the upper surface thereof is set lower than the principal front surface location of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた複数の溝部１１内に素子分離絶縁膜１３ａａが形成され、その上面の位置は半導体基板の主表面の位置よりも低くされている。 - 特許庁

The π conjugate molecules have an energy level of a molecular orbital which exists in isolation discretizing towards energy vertical directions and have a steep state density locally towards energy vertical directions.例文帳に追加

π共役系分子は、分子軌道のエネルギー準位がエネルギー高低方向に離散化して孤立に存在しておりかつエネルギーの高低方向に局所的に急峻な状態密度を有する。 - 特許庁

The semiconductor deice also has the electrode isolation insulating films 21 formed among the plurality of capacity elements 24 and electrically isolating each mutual upper electrode 23 for the plurality of capacity elements 24.例文帳に追加

また、半導体装置は、複数の容量素子２４同士の間に形成され、複数の容量素子２４の各上部電極２０同士を電気的に分離する電極分離絶縁膜２１とを備えている。 - 特許庁

To provide an encryption processing method, a key isolation type encryption system and a terminal device which can more flexibly perform key update encryption processing without degrading security for encrypted information.例文帳に追加

暗号化された情報の安全性を低下させることなく、より柔軟に鍵更新暗号化処理を行うことができる暗号化処理方法、鍵隔離型暗号システム及び端末装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device capable of selectively producing a stress and storing in a channel region of a desired MIS transistor without affecting the element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域に影響を及ぼすことなく、所望のＭＩＳトランジスタのチャネル領域に対して選択的に応力を生じさせ且つ記憶させることができる半導体装置を製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element that stabilizes the element isolation of the nitride semiconductor element to realize an excellent ohmic contact between a substrate and an electrode and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体素子の素子分離を安定化させて、基板と電極との良好なオーミック接触を実現する窒化物半導体素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

There is herein further provided a second conductive fifth semiconductor region having lower impurity concentration than that of the fourth semiconductor region between the fourth semiconductor region and the element isolation region.例文帳に追加

ここで、第４の半導体領域と素子分離領域との間に、第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The image processor comprising an imaging apparatus utilizing laser light is provided, in the machine body 1, with an isolation chamber 8 for containing the imaging apparatus 4 while isolating from other apparatus disposed in the machine body 1.例文帳に追加

レーザー光を利用した画像形成装置を備えた画像処理機において、機体１内に、画像形成装置４を機体１内に配設される他の機材から隔離して収納する隔離室８を設けた。 - 特許庁

To provide an antenna switch circuit for enhancing a harmonic attenuation characteristic in a transmission mode without sacrificing the isolation characteristic between frequency bands and between transmission/reception paths as an antenna switch element.例文帳に追加

アンテナスイッチ素子として周波数帯域間および送受信経路間のアイソレーション特性を犠牲にすることなく、送信モードにおける高調波減衰特性を改善したアンテナスイッチ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which capacitance between a gate electrode film and a drain layer can be reduced while lowering ON resistance and the isolation voltage of a gate insulating film can be secured.例文帳に追加

オン抵抗を低くしつつゲート電極膜とドレイン層との間の静電容量を小さくでき、かつゲート絶縁膜の絶縁耐圧を確保することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Dummy wirings 50 are formed in electrical isolation from a clock wiring at the positions that correspond to the respective boundaries of the light-receiving pixels to intercept the light rays that transmit the color filter 24.例文帳に追加

そして、上記受光画素の各々の境界に対応する位置には、前記カラーフィルタ２４を透過した光を遮光するダミー配線５０がクロック配線と電気的に分離されたかたちで形成されている。 - 特許庁

The analyzer includes a station for automatically preparing a sample, incubating the sample, previously forming a specimen isolation procedure, confirming the existence of a target specimen, and analyzing an amount of the target specimen.例文帳に追加

当該分析器は、サンプルを自動的に調製し、サンプルをインキュベートし、検体単離手順をあらかじめ形成し、対象検体の存在を確認し、対象検体の量を分析するためのステーションを含む。 - 特許庁

In the key isolation type encryption system, the terminal device 10A encrypts information using a public key pk_j-1 corresponding to a decryption key dk_j-1 and a public key pk_j corresponding to a decryption key dk_j.例文帳に追加

本発明に係る鍵隔離型暗号システムでは、端末装置１０Ａが、復号鍵dk_j-1に対応する公開鍵pk_j-1、及び復号鍵dk_jに対応する公開鍵pk_jを用いて情報を暗号化する。 - 特許庁

The sub line 4 is formed nearly to be a spiral shape to increase the inductance of the sub line 4 so as to enhance the isolation characteristic between the main line 3 and the sub line 4.例文帳に追加

副線路４を略スパイラル形状とすることにより、副線路４のインダクタンス値を大きくすることができて、主線路３と副線路４のアイソレーション特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-unsubstituted imidic acid ester alkylsulfate and an N-unsubstituted amidinium alkylsulfate by which an additional neutralization step or isolation of a slightly soluble intermediate of an imidic acid ester salt is avoided.例文帳に追加

付加的な中和工程又は微溶性のイミド酸エステル塩の中間体の単離を回避する、Ｎ−非置換イミド酸エステルアルキルスルフェート、Ｎ−非置換アミジニウムアルキルスルフェートの製造方法。 - 特許庁

After a mold resin 6 is formed on the semiconductor substrate major surface, the backside of the semiconductor substrate 1 is polished or etched to make the semiconductor substrate 1 thin until the device isolation region 13 is exposed.例文帳に追加

半導体基板主面にモールド樹脂６を形成してから半導体基板１の裏面を研磨もしくはエッチングを行って半導体基板１を素子分離領域１３が露出するまで薄くする。 - 特許庁

To improve stability of a low frequency, isolation of a local oscillator as well as a transfer of a high frequency to a mixing cell at a driving level, and to reduce a level of nonlinearity and intermodulation distortion.例文帳に追加

低周波の安定性及び局部発振器のより良い分離だけでなく混合セルに対する高周波の駆動レベルの転送を改良し、非直線性及び相互変調歪みのレベルを低減させる。 - 特許庁

This rubber composition for the seismic isolation structure includes ≥2 and <50 mass% of polybutadiene, in a rubber component, in which a content of a 1,4-trans bond is ≥90%.例文帳に追加

ゴム成分中、１，４−トランス結合含有量が９０％以上のポリブタジエンを２質量％以上且つ５０質量％未満含むことを特徴とする免震構造体用ゴム組成物である。 - 特許庁

To provide a method for producing a maleimidocarboxylic acid polyol ester derivative in high yield by using maleic anhydride and an aminocarboxylic acid as starting materials via no intermediate isolation step.例文帳に追加

無水マレイン酸とアミノカルボン酸を出発原料として、中間体の単離工程を経由することなく、マレイミドカルボン酸ポリオールエステル誘導体を高収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Blood coagulation factor VII activating protease produced by isolation from plasma or transgenic or recombination method is used for prevention and therapy of vaso-proliferative disorders or oncosis.例文帳に追加

血漿から単離されたまたはトランスジェニックまたは組換えで生産された血液凝固VII因子活性化プロテアーゼを血管増殖性疾患または腫瘍症を予防および治療するために使用する。 - 特許庁

A pressure relief valve responds to the hydraulic actuator whose pressure exceeds a given level while releasing pressure, and the isolation valve is opened with no application of electricity to release pressure in the hydraulic actuator.例文帳に追加

圧力リリーフバルブは油圧アクチュエータの圧力があるレベルを超えると圧力を逃がすことにより応答し、遮断バルブが電気の無印加で開口させ、油圧アクチュエータ内の圧力を解放させる。 - 特許庁

A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１０３及びＳＴＩ構造の素子分離領域１０８上には、第１ポリシリコン層１０３と共に浮遊ゲート電極となる第２ポリシリコン層１０９が形成されている。 - 特許庁

The isolation layer is formed as a composite insulating layer of a Ti layer 54, having thermal conductivity larger than those of SiO_2 films 56A and 56B, and SiO_2 films 56A and 56B for sandwiching the Ti layer.例文帳に追加

電極分離アイソレーション層は、ＳｉＯ_2 膜５６Ａ、Ｂより熱伝導率が大きいＴｉ層５４と、Ｔｉ層をサンドイッチするＳｉＯ_2 膜５６Ａ、Ｂとの複合絶縁膜として形成されている。 - 特許庁

The two respective plate-like parts are defined by an etching process for selectively etching an insulating material for the element isolation trench to a semiconductor substrate material.例文帳に追加

上記一実施形態では、上記２つの各プレート状部は、上記半導体基板の材料に対して、上記素子分離用トレンチの絶縁材料を選択的にエッチングするエッチングプロセスによって規定される。 - 特許庁

Thus, even when the two back electrodes 27 are arranged near the corner 21C side, an interval between the back electrodes 27 can be increased, and isolation characteristics can be improved.例文帳に追加

これにより、これら２つの裏面電極２７を角隅２１Ｃ側に近付けた状態であっても、裏面電極２７間の間隔を拡げることができ、アイソレーション特性を向上することができる。 - 特許庁