「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging apparatus has a pixel comprising photodiode PDs and pixel transistors Tr11 to Tr14, and Tr2 to Tr4, and a first element isolation region 46 formed of an impurity semiconductor region formed between the adjacent photodiodes.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤと画素トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１４、Ｔｒ２〜Ｔｒ４からなる画素と、隣り合うフォトダイオードの間に形成された不純物半導体領域による第１素子分離領域４６を有する。 - 特許庁

To provide an epoch-making electronic component capable of preventing the deterioration of electric insulation of electronic component elements owing to the fact that burrs generated in an electrode foil damage an isolation paper, and a method of manufacturing the electronic component.例文帳に追加

電極箔に発生するバリが隔離紙を破損させて電子部品の素子の電気絶縁性能を悪化させるのを防止することができる画期的な電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a coating film having proper uniform thickness as the interlayer isolation of a semiconductor device and to obtain the film excellent in preservable stability and having excellent specific dielectric, mechanical strength and hygroscopic resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。 - 特許庁

To provide a small-sized high frequency module with excellent characteristics that can enhance isolation characteristics between terminals of a semiconductor integrated circuit element without revising the structure of the semiconductor integrated circuit element.例文帳に追加

半導体集積回路素子の構造を変更することなく、半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善でき、良好な特性を有する小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

The peripheral part of a base isolation device of at least one of the upper and lower flanges is coated with a fire resistant board to form a plane a little higher than the top end of a bolt or a nut fixing the flange.例文帳に追加

上側又は下側のフランジの少なくとも一方を、免震装置の周辺部について耐火ボードで被覆し、前記フランジを固定するボルト又はナットの天端よりも若干高いレベルの平面を形成する。 - 特許庁

To provide an elevator cage, not generating an isolation part on a decoration sheet from a wall panel in a cage by fastening force, even if the wall panel with the decoration sheet stuck thereon is fastened by a connection unit such as a bolt and a nut.例文帳に追加

化粧シートが貼着された壁パネルをボルト、ナット等の連結具で締め付けても、その締め付け力により、かご室内の化粧シートに壁パネルからの遊離部が発生しないエレベータかご室を提供する。 - 特許庁

An input state monitoring circuit 92 for monitoring the state of an input side circuit of the input/output dielectric isolation type DC-DC converter device is applied with a power voltage using the potential of battery 1 as a reference.例文帳に追加

入出力絶縁分離型ＤＣ−ＤＣコンバータ装置の入力側回路の状態をモニタする入力状態モニタ回路９２にはバッテリ１の電位を基準とする電源電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell which sufficiently keeps isolation of an anode and a cathode in spite of any deformation such as pressure, fracture, and bending and gets rid of internal short-circuit and deterioration of photoelectric conversion efficiency and easily enlarges in size.例文帳に追加

圧力や、折れ、曲げなどの変形があっても、アノードとカソードの隔離性を十分に保持し、内部ショートや、光電変換効率の低下のない、大型化が容易な色素増感型太陽電池を提供すること。 - 特許庁

Further, the key-side case 41 is provided with a wall 41c in a back-side case direction and is caused to abut on a wall provided in the metallic retainer 44 to constitute a sound isolation wall, thereby making a microphone mount portion into a substantially sealed space.例文帳に追加

また、キー側ケース４１には背面側ケース方向に壁４１ｃが設けられ、保持金具４４に設けられた壁と当接されることにより遮音壁を構成しマイク実装部を密閉に近い空間としている。 - 特許庁

To provide a method and device for intermittently forming an even CVD film with no void, related to a trench isolation for element separation.例文帳に追加

半導体デバイス製造方法において、半導体デバイスＣＶＤ膜形成方法に関し、特には，素子分離のための、トレンチアイソレーションにおいて、均一で、ボイドのないＣＶＤ膜を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation-vibration damping composite device of a crane, superior in initial coping when a big earthquake occurs, superior even in coping with a long period earthquake, and can efficiently reduce large external force acting on the crane when the big earthquake occurs.例文帳に追加

大地震発生初期の対応に優れ且つ長周期の地震の対応にも優れ、大地震発生時にクレーンに作用する大きな外力を効率良く低減し得るクレーンの免震・制振複合装置を提供する。 - 特許庁

Also, in the above-mentioned powders, wherein the above-mentioned cosmetics are characterized by being treated with 0.1 to 10% by mass of the resin ingredient having softening point of 35 to 55°C, being obtained by isolation and extraction from the candelilla wax.例文帳に追加

また、前記処理された粉体における、キャンデリラワックスより分別抽出して得られた軟化点３５〜５５℃の樹脂成分の処理量が０．１〜１０質量％であることを特徴とする前記化粧料。 - 特許庁

To provide a movable landing device for an elevator for a base-isolation building, in which a gateway passage can be properly adjusted to relative displacement of a gateway to a base part and a gateway to a shaft, and in which it can be restored to a regular position after an earthquake.例文帳に追加

基部出入口及び昇降路出入口の相対変位に乗降通路が異常なく対応するとともに、地震後に正規位置に復帰できるようにした免震建物用エレベータの可動乗場装置を得る。 - 特許庁

To gather holes, potential lower than a drain electrode 006 that is the potential of the channel part of a field effect transistor(FET) is applied to an electrode 004 created outside, and the holes that exist in an isolation region 018 of a substrate adjacent to a channel region 005 is gathered near the electrode.例文帳に追加

ｎ型の導電層を持つＦＥＴの近傍にｐ型のオーミック電極もしくは、ｎ型のショットキー電極を作成し、その電極にＦＥＴのドレイン・ソース電位以下の電位を印加する。 - 特許庁

The hologram system controls so that the times of Hi (laser beam transmission state) and Lo (laser beam isolation state) of a spatial modulator comprising a liquid crystal element are made substantially equal to each other on the basis of appearance frequency of data in hologram recording.例文帳に追加

ホログラム記録の際に、データの出現頻度に基づいて、液晶素子からなる空間変調器のＨｉ（レーザ光透過状態）とＬｏ（レーザ光遮断状態）の時間がほぼ等しくなるよう制御する。 - 特許庁

A gate stack is formed on a semiconductor substrate 100 where an element isolation film 102 is formed, and an insulating film used for the formation of a gate spacer 110' is formed over the entire surface of the semiconductor substrate, where the gate stack has been formed.例文帳に追加

素子分離膜１０２の形成された半導体基板１００にゲートスタックを形成し、ゲートスタックの形成された半導体基板の全面にゲートスペーサ１１０’形成のための絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A speed variation in a crankshaft 2 is absorbed by the torsional deformation of isolation rubber 38, to thereby restrain the transmission of the speed variation in the crankshaft 2 to a belt in engine low rotation such as idling rotation.例文帳に追加

アイソレーションゴム３８の捩り変形によりクランクシャフト２の速度変動が吸収され、アイドリング回転時などのエンジン低回転時におけるクランクシャフト２の速度変動がベルトに伝達されるのが抑制される。 - 特許庁

The building structure equipped with the clean room includes base isolation devices for bearing a floor slab constituting the clean room on a foundation, and air shielding means for shielding a space between the floor slab and the foundation from ambient air.例文帳に追加

クリーンルームを備えた建物の構造は、前記クリーンルームを構成する床版を基礎上に支持する免震装置と、前記床版と前記基礎との間の空間を外気から遮断する空気遮断手段とを含む。 - 特許庁

To provide a method of insulating and isolating a transparent electrode layer with a good processability without forming a wall in an isolation groove and damaging a glass, and to improve output characteristics of an integrated thin film photoelectric converting apparatus.例文帳に追加

分離溝に壁を形成せずガラスにダメージを与えることなく、良好な加工性で透明電極層を絶縁分離する方法を提供し、集積型薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。 - 特許庁

Abnormal operation where a current flows through a switching element at a timing before ending off interval of the switching element under middle load is eliminated by setting a sparse coupling factor of a power isolation transformer PIT.例文帳に追加

絶縁コンバータトランスＰＩＴの結合係数を疎結合として、中間負荷時において、スイッチング素子のオフ期間が終了する以前のタイミングでスイッチング素子に電流が流れる異常動作を解消する。 - 特許庁

To avoid forming crystal defects originating from the corners of trenches and ensure a stable operation property of a semiconductor device having an isolating oxide film formed by the trench isolation method.例文帳に追加

本発明はトレンチ分離の手法で形成される分離酸化膜を備える半導体装置に関し、トレンチ溝の角部を起点とする結晶欠陥の発生を防止し、かつ、安定な動作特性を確保することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the base isolation device 1 can be manufactured at lower cost without the need for vulcanizing adhesion between the rubber plate 6 and the steel plate 7 and the use of large-scale manufacturing facilities including a molding device.例文帳に追加

これにより、ゴム板６と鋼板７とを加硫接着する必要がなくなり、金型装置等の大規模な製造設備を用いなくても免震装置１を製造することができ、製造コストを低減することができる。 - 特許庁

The switch (53-58) formed of 2 transistors (T1, T2) is feedback controlled by a feedback control signal V tune at a pre-defined frequency thus guaranteeing the selective isolation at this frequency.例文帳に追加

２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）によって形成されたスイッチ（５３〜５８）は、所定周波数でフィードバック制御信号Ｖｔｕｎｅによってフィードバック制御されて、この周波数での選択的アイソレーションを保証する。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.例文帳に追加

その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁

The plurality of the photoelectric conversion cells 10, and a plurality of the photoelectric conversion cells 10 and the periphery part 100R of the photovoltaic apparatus 100 are separated by the isolation grooves G1-G3 formed by laser patterning.例文帳に追加

分離溝Ｇ１〜Ｇ３は、レーザパターニングにより形成され、複数の光電変換セル１０間および複数の光電変換セル１０と光起電力装置１００の外周部１００Ｒとの間を分離している。 - 特許庁

Isolation diodes D32a and D32b configured by the p-type regions 3a and 3b and the n-type semiconductor substrate 2 are designed so that the breakdown voltage may become higher than the sum of the forward drop voltages of all the LEDs.例文帳に追加

また、Ｐ型領域３ａ，３ｂとＮ型半導体基板２とで構成される分離ダイオードＤ３２ａ，Ｄ３２ｂは、その降伏電圧が、全ＬＥＤの順方向降下電圧の和よりも高くなるように設計する。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

The optical semiconductor device 300 has a face-emission semiconductor laser element 320 and a photodiode 324 integrated and formed around the laser element through an element isolation region 322 on an n-GaAs substrate 301.例文帳に追加

本光半導体装置３００は、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、面発光半導体レーザ素子３２０と、素子分離領域３２２を介してレーザ素子の周りに集積して設けられたフォトダイオード３２４とを備える。 - 特許庁

This damper material for the base isolation device has a sea-island structure having a sea phase formed of hard plastic A, and an island phase formed of plastic B dispersed in the sea phase and having lower hardness than the hard plastic A.例文帳に追加

硬質プラスチックスＡよりなる海相と、この海相内に分散する、該硬質プラスチックスＡよりも低硬度のプラスチックスＢよりなる島相とを有する海島構造を持つ免震装置用ダンパー材料。 - 特許庁

A conductor 132 is formed inside the element area isolation insulating wall 124, and is grounded through a zener diode 131 formed of an n-type area 130 and the p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４の壁厚の内側に導体１３２が形成されており、導体１３２はｎ型領域１３０とｐ型基層１０２で形成されるツェナーダイオード１３１を介して接地される。 - 特許庁

The non-toxic region may be a pharmacologically inert substance and is a region such as a layer, a coating, or a shell that provides an isolation barrier between the toxic or potent interior and exterior contact.例文帳に追加

この非毒性領域は、薬理学的に不活性な物質であり得、そして毒性または有効性を有する内部と外部接触との間に隔離バリアを提供する、層、コーティングまたはシェルのような領域であり得る。 - 特許庁

The comparator CP compares the input voltage from the isolation amplifier InsOP with the reference voltage E3, and if the input voltage is higher than the reference voltage E3, instructions for inverter stoppage are provided to an inverter control circuit for a dummy load.例文帳に追加

コンパレータＣＰは、絶縁アンプＩｎｓＯＰからの入力電圧を基準電圧Ｅ3と比較し、該入力電圧が基準電圧Ｅ3より高い場合は、擬似負荷用のインバータの制御回路にインバータ停止の指示をする。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 1, an element isolation insulating film 2, a gate structure formed selectively on a main plane of the silicon substrate 1, and a sidewall 6 formed on a side plane of the gate structure.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、素子分離絶縁膜２と、シリコン基板１の主面上に選択的に形成されたゲート構造と、ゲート構造の側面上に形成されたサイドウォール６とを備えている。 - 特許庁

The isolation region D includes a separation-gas supply part 41 for supplying a second separation gas, and a ceiling surface that forms a narrow space through which the second separation gas flows in both directions with respect to a rotation direction, on the susceptor 2.例文帳に追加

分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 - 特許庁

A voltage pulse is applied to the drain region 54 in a timing when information electric charges are under a transfer electrode 12-2 adjacent to the first region 60 to lower a potential barrier formed by the isolation region 56.例文帳に追加

第１領域６０に隣接した転送電極１２−２下に情報電荷が位置するタイミングで、ドレイン領域５４に電圧パルスを印加し、分離領域５６が形成するポテンシャル障壁を引き下げる。 - 特許庁

In the Edo period, the studies of Europe (western medicine, chemistry, physics) mean the western learning (蘭学, Rangaku), because in the period of national isolation, Netherlands was the only trading partner for Japan with the exception of Qing (current People's Republic of China). 例文帳に追加

江戸時代はヨーロッパの学問（西洋医学、化学、物理学等）と言えば蘭学であるが、これは鎖国時代に清（中華人民共和国）を除けば海外と交易していた相手はオランダのみであったためである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The isolation method of purified palladium hexafluoroacetylacetonate comprises crystallizing crude palladium hexafluoroacetylacetonate from at least one solvent selected from among cyclohexane and 7-10C hydrocarbon solvents to isolate it.例文帳に追加

粗パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートを、シクロヘキサン、および、炭素数７〜１０の炭化水素系溶媒から選ばれた少なくとも１種類の溶媒から晶析し、単離する精製パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートの単離方法である。 - 特許庁

To provide a carrier in use for ion exchange chromatography widely used for the isolation of proteins, vaccines, nucleic acids, polysaccharides, and the like, and for affinity chromatography which utilizes the absorption specific to phosphates.例文帳に追加

タンパク質、ワクチン、核酸、多糖類などの分離に広く用いられているイオン交換クロマトグラフィー及び、リン酸エステルに特異的な吸着を利用するアフィニティークロマトグラフィーの担体及びその製造方法の提供。 - 特許庁

With these treaties, Japan was made to open five ports, grant consular jurisdiction, recognize one-sided most-favored-nation treatment, and abandon tariff autonomy (later with Britain, Russia, Holland, and France), and forced out of its 200 and several decades old national isolation of the bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun). 例文帳に追加

これにより5港の開港と領事裁判権、片務的最恵国待遇、関税自主権喪失などを認めさせ(後に英、露、蘭、仏とも)幕府の二百数十年続いた鎖国を終わらせた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The fixing clamp 5 is constituted of a pair of slide pieces 9 and 10 which are biased resiliently in the isolation direction and slidably arranged while holding the longitudinal ends of the arm 3, respectively, by means of engagement claws 12.例文帳に追加

固定具５はそれぞれ係合爪１２によってアーム部３の長手方向端縁を掴んでスライド可能に構成されている隔離方向に弾性付勢された一対の摺動片９、１０で構成されている。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁

To provide an output current-control device having a plurality of channels (current amplifiers) that are not affected by a beat signal, and an accurate vibration-isolation device and a projection aligner using the output current-control device.例文帳に追加

ビート信号の影響を受けない複数のチャネル（電流増幅器）を持つ出力電流制御装置、およびこの出力電流制御装置を使用した高精度な除振装置、露光装置を提供すること。 - 特許庁

An entire width H inclusive of the sleeper 11 and the side surface vibration isolation pad 14 is larger than an edge-to-edge distance w at the top of the cover box 12, assuming that the pad 14 is in a correct position and is in a non-compressed state.例文帳に追加

枕木１１と側面用防振パッド１４を含めた全幅Ｈは、側面用防振パッド１４が正位置において非圧縮状態にあるとき、被覆箱１２の上端縁間距離Ｗよりも大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a structure, wherein even though a step is generated in element isolation regions, a short circuit between contact plugs can be prevented from being generated and the full reliability of the device can be ensured without making wiring expose, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

素子分離領域に段差が発生しても、コンタクトプラグの短絡を防止でき、かつ、配線が露出することがなく十分な信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁