「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

A side diffusion preventing insulating layer 103 is formed on the silicon layer 113 and connected to the lower diffusion preventive insulating layer 112, continuously surrounding two element regions 101 surrounded by an element isolation insulating layer.例文帳に追加

そして、シリコン層１１３に、素子分離絶縁層に囲まれた二つの素子領域１０１を切れ目無く取り囲み、下部拡散防止絶縁層１１２に接続する側部拡散防止絶縁層１０３が形成されている。 - 特許庁

In the step of forming the element isolation layer 12, a first alignment mark used as an aligning reference of an exposure mask in a subsequent photolithography step is formed on a scribing line on the silicon substrate 11.例文帳に追加

なお、素子分離層１２を形成する工程において、引き続くフォトリソグラフィ工程における露光用マスクの位置合わせ基準となる第１アライメントマークを、シリコン基板１１上におけるスクライブラインに形成する。 - 特許庁

This is obtained in a manner where a conductive film of the same component with a gate electrode is formed on a grooved element isolation region, and a primary diffracted light which does not interfere with reflected light from the conductive film 4 is extracted.例文帳に追加

これは、溝型素子分離領域上に、ゲート電極と同一構成の導電膜を形成することで得られ、導電膜４からの反射光に対して干渉のない１次回折光を取り出すようにする。 - 特許庁

A p+ type impurity region 15a for suppressing the occurrence of a dark current is formed on the top surface of the photodiode portion 15 and the side surface of the photodiode portion 15 which is in contact with the element isolation region 17.例文帳に追加

フォトダイオード部１５の表面上と、フォトダイオード部１５の素子分離領域１７と接する側の側面には、暗電流が発生するのを抑制するためのｐ＋型不純物領域１５ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a base isolation device which is easily manufactured, compact, easily attachable, and applicable to all technical fields such as a building and a wheel, and has large vibration absorption capability for its size.例文帳に追加

製造が容易であり、かつコンパクトで簡単に取付けができ、建築物や車輪などのあらゆる技術分野での適用が可能であり、しかも寸法の割に大きな振動吸収能力を有する免振装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, if the pattern of the isolation film 32, which is opened by the diffusion of n-type or p-type impurities, is small, the diameter of the through-hole 31b can be sufficiently smaller than the diameter of the through-hole 31a.例文帳に追加

ゆえに、ｎ型またはｐ型不純物を拡散の際に開口する絶縁膜３２のパターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a vibration isolation support leg 10 capable of supporting a case 1 of equipment causing vibration at a predetermined height and improving vibration damping effect, vibration insulation effect, and suppressing effect of permanent set in fatigue due to use for a long time.例文帳に追加

振動を発生する機器の筐体１を所定高さに支持するための防振支持脚１０において、振動減衰効果、振動絶縁効果及び長期使用によるヘタリの抑制効果を向上させる。 - 特許庁

Since the articulated links 11a and 11b are deformed in the same manner, the horizontal displacement of the structure body 1 relative to the base 2 is allowed to develop the base isolation action of the structure body 1 by the laminated rubber 4.例文帳に追加

屈折リンク１１ａと１１ｂを同様に変形させることで、構造物本体１の基礎２に対する水平方向の変位を許容させ、積層ゴム４による構造物本体１の免震作用を発揮させる。 - 特許庁

The process for forming a trench isolation region comprises a step for performing annealing in NO atmosphere at 850°C for about 30 min after a rounding oxide film is formed, wherein the interface level of the rounding oxide film is reduced through doping of N.例文帳に追加

この界面準位は、その後に形成するトランジスタのＰＮ接合と接するため、界面準位を介した逆バイアス時の接合リークを発生させ、電荷保持特性などの特性劣化の原因となっていた。 - 特許庁

To provide an anchor bolt having an anchor bolt function of fixing a groundsill of a structure to a footing usually, and elongating it when large horizontal earthquake power of designated strength is applied, to slide the groundsill along the footing to attain base isolation.例文帳に追加

平常時に構造物の土台を基礎に固定するアンカ−ボルト機能を持ち、所定の強さの大水平地震動力が作用するとアンカ−ボルトが延伸し、土台が基礎上を滑移動して免震を得る。 - 特許庁

To provide an external operating handle that can make display of "contact-ON " which can be applied to a circuit breaker conforming to a disconnect (isolation ) function.例文帳に追加

回路遮断器の表面に装着され盤外からハンドル操作により回路遮断器をオン・オフする外部操作ハンドルにおいて、オン・オフ・トリップ表示ができ、そして断路（アイソレーション）機能に適合するコンタクトオン表示もさせる。 - 特許庁

To provide an image display device with superior display characteristics and a long lifetime by achieving low resistance of a scanning signal wiring and improving reliability of power supply and conduction as well as reliability of element isolation.例文帳に追加

走査信号配線の低抵抗化を図ると共に、給電及び導通の信頼性の向上と素子分離の信頼性の確保を図り、表示特性の優れた長寿命の画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The fire-fighting apparatus is provided with the water tank for drinking water and piping for fire-fighting for communicating the water tank and the atmosphere, and the piping is applied with an isolation means for isolating the water tank and the atmosphere.例文帳に追加

本発明の消火装置は、飲料用水槽と、前記水槽と雰囲気とを連絡する消火用配管とを備え、該配管は、前記水槽と雰囲気とを隔離するための隔離手段が付与されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of preventing cut of an element isolation film in a process of forming a dual work function structure such as a dual metal gate structure and a dual High-k structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造およびデュアルＨｉｇｈ−ｋ構造などのデュアル仕事関数構造の形成プロセスにおける素子分離膜の削れを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode of a pass transistor Q1 of NMOS composition (floating gate electrode) and a body region are connected electrically, and a drain of an isolation transistor Q2 of NMOS composition is connected to the gate electrode of the pass transistor Q1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ構成のパストランジスタＱ１のゲート電極（フローティングゲート電極）とボディ領域とを電気的に接続し、パストランジスタＱ１のゲート電極にＮＭＯＳ構成の分離トランジスタＱ２のドレインを接続する。 - 特許庁

There is employed a method for controlling the active base isolation, in which an evaluation function in optimum feedback control is determined by independently weighing the absolute acceleration and the relative displacement of a floor 2A or a building 2B.例文帳に追加

最適フィードバック制御における評価関数を、床２Ａあるいは建物２Ｂの絶対加速度と相対変位とに独立に重みをかけるような形で構成したアクティブ免震の制御方法を用いる。 - 特許庁

Upper surfaces of the complete isolating oxide film 10f and the partial isolation film 10p are higher than the upper surfaces of the SOI layer 3 of the thick film SOI region 101 and the thin film SOI region 102.例文帳に追加

完全分離酸化膜１０ｆ及び部分分離酸化膜１０ｐの上面は厚膜ＳＯＩ領域１０１及び薄膜ＳＯＩ領域１０２におけるＳＯＩ層３の上面よりも高く形成される。 - 特許庁

To provide an improved base isolation supporting device having a simple structure, although the device functions as a trigger securely, and capable of dispensing with its replacement as a mechanism and constituting it comparatively inexpensively.例文帳に追加

トリガーとして確実に機能するものでありながら構造簡単であり、機構としての取換えの必要が無く、しかも比較的廉価に構成できるようにして、改善された免震支承装置を提供する。 - 特許庁

When this takes place, the second electroconductive layer 8 is left so as to cover only a portion equivalent onto an nMOS region 2b following a shape of the resist mask 9 and alienate on an element isolation structure 4 from a first electroconductive layer 5.例文帳に追加

このとき、レジストマスク９の形状に倣ってｎＭＯＳ領域２ｂ上に相当する部分のみを覆い、第１の導電層５から素子分離構造４上で離間するように、第２の導電層８が残存する。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer for which an active layer wafer and a supporting substrate wafer can be directly laminated and the number of manufacturing processes and a manufacturing time can be reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを、直接、貼り合わせ可能で、製造工程数が削減し、製造時間も短縮する貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the upper surfaces of the active regions 1b, 1c and the side surfaces of the regions in the position upper than the upper side of the isolation insulation film 4 in the gate-width direction via a gate insulation film 6.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の上面よりも上方に位置する、活性領域１ｂ，１ｃの上面及びゲート幅方向の両側面にはゲート絶縁膜６を介してゲート電極７が形成されている。 - 特許庁

To provide a wind oscillation preventing device capable of being realized at a low cost and surely fixing a foundation and an upper structure at need without being required for any electricity for switching from a wind oscillation preventing state to a vibration isolation state.例文帳に追加

風揺れ防止状態と免震状態との切り替えに電気を必要とせず、安価に実現でき、必要に応じて基礎と上部構造物とを確実に固定できる風揺れ防止装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation device with a damping mechanism capable of effectively absorbing seismic motion of a base by isolating a structure from the base and simplifying installing work to the base and the structure.例文帳に追加

構造体を基盤から絶縁して該基盤の震動を効果的に吸収することができると共に、基盤や構造体に対する取付け作業の簡易化を図ることが可能な減衰機構付き免震装置を提供する。 - 特許庁

The isolation of a causative gene from a mutant nyc1-1 yellowing the leaves even on ageing by a positional cloning was tried, and it was consequently found that an etiolation-related gene NYC1 existed between P0452F10.5 gene and P0443E07.24 gene.例文帳に追加

老化時にも葉が黄化しない突然変異体nyc1-1から、ポジショナルクローニングにより、その原因遺伝子の単離を試みた結果、黄化関連遺伝子NYC1がP0452F10.5遺伝子とP0443E07.24遺伝子との間に存在することが明らかとなった。 - 特許庁

The method of releasing the pair of the liquid crystal panel glass plates enclosing the liquid crystal is characterized by dipping the liquid crystal panel glass body in a potassium hydroxide solution so as to make isolation of the glass plate easier.例文帳に追加

液晶パネルガラスにおける液晶を封入した一対のガラス板の剥離方法において、液晶パネルガラス本体を水酸化カリウム溶液に浸漬し、ガラス板を遊離しやすくさせることを特徴とする。 - 特許庁

The positioning and holding performances of the door glass run 4 are increased due to propping effect of the holding seal lip 16, and sound isolation property is improved due to multiple sealing effect so that the door glass run 4 does not come off the door sash part 3 easily.例文帳に追加

保持シールリップ１６の突っ張り効果によってドアグラスラン４の位置決め保持性能を高め、多重シール効果による遮音性向上とともにドアサッシュ部３からドアグラスラン４を外れにくくする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can eliminate fault by surface unevenness of an embedded polycrystalline silicon layer when element isolation is performed by embedding polycrystalline silicon in the trench of a substrate.例文帳に追加

基板の溝に多結晶シリコンを埋め込むことにより素子分離を行う際に、埋め込まれた多結晶シリコン層の表面凹凸による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Provided is an efficient sample preparation device to be used in isolation (immunoassay), purification and concentration of protein, peptide, nucleic acid (for example, DNA and RNA) and other biomaterial (for example, cell) samples.例文帳に追加

タンパク質、ペプチド、核酸（例えば、ＤＮＡおよびＲＮＡ）、および他の生体材料（例えば、細胞）の試料を単離（イムノアッセイ）、精製、および濃縮する際に用いるための効率的な試料調製装置である。 - 特許庁

The flat-plate type MIMO array antenna includes: a substrate; a plurality of antenna elements disposed on the substrate; and at least one isolation element interposed between a plurality of antenna elements on the substrate and grounded to a predetermined ground part.例文帳に追加

平板型MIMOアレーアンテナは、基板と、基板上に位置した複数のアンテナ素子と、基板上において複数のアンテナ素子の間に位置し、所定の接地部に接地される少なくとも１つのアイソレーション素子とを含む。 - 特許庁

To obtain a process for fabricating a solid state imaging device in which defects occurring in an isolation region can be reduced sharply and a photodiode can be formed while self-aligned with a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域に発生する欠陥を大幅に低減することが可能となり、かつ、ゲート電極に対してセルフアラインでフォトダイオードを形成することができる、固体撮像装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

Therefore, only a high voltage generating transformer is needed for obtaining two types of secondary side DC output voltages, which are the high DC voltage and low DC voltage and conversion isolation transformer can be eliminated.例文帳に追加

これによって直流高電圧と直流低電圧という２種類の二次側直流出力電圧を得るのにあたり、高圧発生トランスだけを設ければよく、絶縁コンバータトランスについては削除が可能になる。 - 特許庁

Thus, multiple steps of RF coaxial switches are connected to match the required isolation and ON/OFF is controlled to contain the IF pulse so that the required specification can be satisfied in a simple configuration.例文帳に追加

このように、必要なアイソレーションに合致するようにＲＦ同軸スイッチを多段接続し、ＩＦパルスを含むようにオン／オフ制御することで、要求される仕様を簡単な構成で満足させることができる。 - 特許庁

Further, an isolation layer 4 formed of a porous cellulose film and a synthetic resin film is provided on the upper side of the electromotive layer 3, and further an anode electrode layer 5 made of a conductive metal is provided on it.例文帳に追加

さらに起電層３の上部には多孔質セルロース膜、合成樹脂膜で形成される隔絶層４が備えられ、さらにその上部には導電性金属からなる負極電極層５が備えられる。 - 特許庁

The gate electrode 4 is formed on the gate insulation film 3, and gate ground wiring 4a extended from the gate electrode 4 to the opening 2b for the electric discharge via the element isolation film 2 is formed.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜３上にゲート電極４を形成するとともに、該ゲート電極４から素子分離膜２上を経由して放電用開口部２ｂまで延伸するゲート接地配線４ａを形成する。 - 特許庁

To obtain a pyrazolo[3,2-c]-1,2,4-triazole compound which is highly safe in a material, has reduced restriction of facilities in production, simple aftertreatment and isolation after reaction completion and excellent production suitability.例文帳に追加

本発明は、素材の安全性が高く、製造における設備制約が少なく、反応終了後の後処理や単離も簡便で、製造適性に優れたピラゾロ［３，２−ｃ］−１，２，４−トリアゾール化合物を提供する。 - 特許庁

The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.例文帳に追加

前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁

The first semiconductor substrate 100 is bonded to a second semiconductor substrate 200 as a handle wafer across an oxide film, and until the time when a trench isolation is exposed, the first semiconductor substrate 100 is flat-etched.例文帳に追加

酸化膜を間に置いて第１半導体基板１００とハンドルウェーハである第２半導体基板２００がボンディングし、トレンチ隔離が露出される時まで第１半導体基板１００が平坦化エッチングされる。 - 特許庁

Subsidiary polysilicon gates 16 are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 10, so as to cross over control gates 15 and extend on element isolation regions 13.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１０上には、素子分離領域１３上に延びるように且つコントロールゲート１５と交差してこれを跨ぐように形成されたポリシリコンからなる補助ゲート１６が形成されている。 - 特許庁

An element isolation insulating film 2 partitioning an active area is formed on a semiconductor substrate 1, and a gate electrode 5 is formed on the semiconductor substrate 1 in an active area by means of a gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１には、活性領域を区画する素子分離絶縁膜２が形成されており、活性領域における半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Therefore, the current from the emitter area 15 flows to the opposite collector area 14 through the interface between the emitter area 15 and the base area 13, but hardly flows to the isolation area 18 and the current hardly leaks.例文帳に追加

従って、エミッタ領域１５から流れる電流は、エミッタ領域１５とベース領域１３との界面を通って対向するコレクタ領域１４に流れ、アイソレーション領域１８へはあまり流れず、漏れ電流が小さい。 - 特許庁

The element isolation region is formed by selective addition of an impurity element of at least one or more kinds of oxygen, nitrogen, and carbon to electrically isolate elements from each other in one continuous semiconductor layer.例文帳に追加

素子分離領域は、連続した半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素を添加して形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加

詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁

To provide a method of forming a device isolation film in a semiconductor device in which a performance of a device is improved by making a constant ion concentration distribution of a region where ions for controlling a threshold voltage are implanted.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオンが注入された領域のイオン濃度分布を一定にして素子の性能を向上させることを可能にする半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁