「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device achieving a large storage capacity of a memory array formed by disposing dynamic type memory cells in a matrix shape and improvement of its refreshment characteristics.例文帳に追加

ダイナミック型メモリセルがマトリックス配置されてなるメモリアレイの大記憶容量化と、そのリフレッシュ特性の改善を図った半導体装置を提供する。 - 特許庁

The time required for writing is shorter than that of a nonvolatile memory comprising a floating gate type MOS transistor used in a conventional flash memory.例文帳に追加

しかも、その書き込みに要する時間は、従来のフラッシュメモリで使用されるフローティングゲート型のＭＯＳトランジスタからなる不揮発性メモリよりも高速である。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a split gate type nonvolatile memory cell of source-side implantation system, which can be formed in a single-layer polysilicon process.例文帳に追加

１層ポリシリコンプロセスで形成可能なソースサイド注入方式のスプリットゲート型不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To unnecessitate a negative potential generating circuit, and to shorten a data read-out time, in a semiconductor memory device including a variable resistance type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

To synchronize data in a temporary saving memory without resetting the temporary saving memory in a lock-step type fault-tolerant computer system.例文帳に追加

ロックステップ方式のフォルトトレラントコンピュータシステムで、一時退避用のメモリをリセットすることなく、一時退避用のメモリのデータを同期させることができるようにする。 - 特許庁

To perform easily mounting of a non-contacting type memory device on a recording medium cartridge, and writing and reading of information in/ from the memory device.例文帳に追加

記録媒体カートリッジへの非接触式メモリ素子の取り付けおよび該メモリ素子への情報の書き込み及び読み込みが容易にできるようにする。 - 特許庁

To decrease disk flutter of a storage device which rotates a memory medium of a disk type and stores information to the memory medium under rotation.例文帳に追加

本発明は、ディスク型の記憶媒体を回転させ回転中の記憶媒体に情報を記憶する記憶装置に関し、ディスクフラッタを低減させる。 - 特許庁

The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加

複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のＣＭＯＳスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

To eliminate the use of a negative potential generating circuit and also to shorten a data readout time in a semiconductor memory device provided with a resistance variation type memory element.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子を備えた半導体記憶装置において、負電位発生回路を不要にすると共に、データ読み出し時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory of a batch erasure type in which usage efficiency of a flash memory cell is improved by redundancy constitution having good efficiency.例文帳に追加

効率の良い冗長構成によりフラッシュメモリセルの使用効率を向上させた一括消去型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of obtaining the number of times of rewriting using a unified access method irrespective of a type of a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置の種類に関わらず、統一的なアクセス方法によって書き換え回数を取得することができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory device capable of effectively canceling shifting of a threshold value distribution of memory cells which is caused by erroneous data writing.例文帳に追加

データの誤書込により生じるメモリセルのしきい値分布のシフトを有効にキャンセルすることができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

An external memory device 4 is composed of a CPU, a reprogrammable nonvolatile memory, an electromagnetic induction type power supply unit, a wireless data communication unit and an antenna unit.例文帳に追加

外部記憶装置４は、ＣＰＵ、書換え可能な不揮発性メモリ、電磁誘導式電源部、無線データ通信部、アンテナ部によって構成されている。 - 特許庁

To enable adoption of a hierarchical type word line constitution even in a DRAM in which memory blocks being adjacent holding a sense amplifier array between them in a memory array is defined as a bank.例文帳に追加

メモリアレイにおけるセンスアンプ列を挟んで隣接するメモリブロックをバンクと定義するＤＲＡＭにおいても、階層型ワード線構成を採用する。 - 特許庁

To provide a molecular memory and a molecular logical circuit enabling not only an information input type having high specificity/diversity but also memory of input information.例文帳に追加

高い特異性・多様性を有する情報インプット様式のみならず、インプット情報の記憶を可能にする分子メモリ及び分子論理回路を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device having a split gate structure, a memory gate is formed on a protruding type substrate, and its side surface is used as a channel.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、メモリゲートが凸型基板上に形成され、その側面をチャネルとして用いるようにする。 - 特許庁

To provide an efficient writing/reading/erasing operation system in a nonvolatile semiconductor memory having a side wall control type memory cell structure.例文帳に追加

側壁コントロール型メモリセル構造を有する不揮発性半導体記憶装置において、効率の良い、書き込み、読み出し、消去動作方式を提供する。 - 特許庁

A magnetic memory device MM1 is a spin injection type magnetic memory device which performs writing by causing magnetization inversion by injecting spin-polarized electrons.例文帳に追加

磁気メモリ素子ＭＭ１は、偏極スピン電子の注入により磁化反転を引き起して書き込みを行う「スピン注入型」の磁気メモリ素子である。 - 特許庁

To improve disturbance characteristics of memory cells of a multi- value type NAND nonvolatile memory, when the threshold voltage is at low write level and to improve the write efficiency.例文帳に追加

多値型のＮＡＮＤ不揮発性メモリで、しきい値電圧が低い書き込みレベルのメモリセルのディスターブ特性を改善し、かつ書き込み効率を上げる。 - 特許庁

To simplify a structure of a boot sequencer controlling a boot process in a computer system capable of self-booting through a nonvolatile memory such as a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリからのセルフブートが可能なコンピュータ装置において、ブートプロセスを制御するブートシーケンサの構成を簡略化する。 - 特許庁

Then, the pattern generation control part 2 outputs a pattern type to a pattern composing part 20, the PROG memory address to a programmable pattern memory 16, and the PRBS pattern information to a PRBS pattern generation part 18.例文帳に追加

そして、パターンタイプをパターン合成部２０に、PROGメモリアドレスをプログラマブルパターンメモリ１６に、PRBSパターン情報をPRBSパターン発生部１８に出力する。 - 特許庁

To provide a storage cell for a memory element, a phase change type memory element in which operating current is decreased and high integration is achieved, and its forming method.例文帳に追加

動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Interlayer connecting members are arranged in the memory cell that is identical or adjacent to the memory cell in which the second conductivity type well tap region is arranged.例文帳に追加

第２導電型のウェルタップ領域が配置されているメモリセルと同一またはそれに隣接するメモリセル内に、層間接続部材が配置されている。 - 特許庁

Moreover, the time required for writing is a higher speed than a non-volatile memory composed of a floating gate type MOS transistor to be used for a conventional flash memory.例文帳に追加

しかも、その書き込みに要する時間は、従来のフラッシュメモリで使用されるフローティングゲート型のＭＯＳトランジスタからなる不揮発性メモリよりも高速である。 - 特許庁

To perform rewriting control with a small number of circuits by storing the number of times of rewriting in a memory element analogically in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、書き換え回数をメモリセルと同様の記憶素子にアナログ的に記憶し、少ない回路数で書き換え制御を行う。 - 特許庁

To provide a small-sized semiconductor memory device equipped with an FET (field effect transistor) type small memory element of cell size and capable of surely effecting read-out operation.例文帳に追加

セルサイズの小さなＦＥＴ型のメモリ素子を備え、かつ、読み出し動作を確実に行うことのできる小型の半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

In a file storage type nonvolatile semiconductor memory device, a memory cell array region 200 is divided in the column direction A, and has a plurality of sector regions 210.例文帳に追加

ファイルストレージ型不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ領域２００が列方向Ａで分割され、複数のセクタ領域２１０を有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a sum of eight transistors N1 to N6 and P1 to P2, containing two NMOS (n type metal oxide semiconductor) scan transistors in one memory cell.例文帳に追加

１つのメモリセルに２つのＮＭＯＳスキャントランジスタＮ５，Ｎ６を含んで総計８つのトランジスタＮ１〜Ｎ６、Ｐ１〜Ｐ２が含まれる半導体メモリ装置である。 - 特許庁

To reduce power consumption of a system incorporating a semiconductor memory without reducing a data input/output rate of a clock synchronizing type semiconductor memory.例文帳に追加

クロック同期式の半導体記憶装置のデータ入出力レートを下げることなく、半導体記憶装置を搭載するシステムの消費電力を削減する。 - 特許庁

A P channel type amplifier P_chAMP1 and memory cells constituting a memory cell array MCA1 are connected to the pair of bit lines BL1 and XBL1.例文帳に追加

ビット線対ＢＬ１及びＸＢＬ１には、Ｐチャネル型アンプＰ_ｃｈＡＭＰ１と、メモリセルアレイＭＣＡ１を構成するメモリセルとが接続されている。 - 特許庁

To facilitate mounting of a non-contact type memory element to a recording medium cartridge and writing and reading of information to and from the memory element.例文帳に追加

記録媒体カートリッジへの非接触式メモリ素子の取り付けおよび該メモリ素子への情報の書き込み及び読み取りが容易にできるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is composed of split gate type memory cells having a double floating gate structure, and also to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型メモリセルで構成される不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve characteristics and reliability of a memory cell by stabilizing operation quality in data writing in the split gate type EEPROM memory cell.例文帳に追加

スプリットゲート型のＥＥＰＲＯＭ型メモリセルにおいて、データ書き込みの際の動作品質を安定させ、メモリセルの特性及び信頼性を向上させる。 - 特許庁

The complete depletion type memory TFTs are used to thereby lower the power source voltage and the power consumption of the nonvolatile memory, and improve a number of rewriting times.例文帳に追加

完全空乏型のメモリＴＦＴを用いることにより不揮発性メモリの低電源電圧化、低消費電力化、書き換え回数向上が可能となる。 - 特許庁

To surely read or write data from or to a memory even when using an electromagnetic coupling type memory and to suppress unnecessary radiation of communication energy.例文帳に追加

電磁結合方式のメモリを使用した場合であっても、確実にメモリへの読み出し、もしくは、書込みを行い、且つ不要な通信エネルギーの放出をおさえる。 - 特許庁

The memory preliminarily stores a correction point determined for each original type and image quality adjustment type and correction quantity at each correction point.例文帳に追加

メモリは、原稿種類毎に及び画質調整種類毎に定められた補正点及び各補正点における補正量を予め記憶している。 - 特許庁

A determining section 211 compares the type information of the apparatus 2 stored in the apparatus body side memory 23 with the transmitted type information.例文帳に追加

判別部２１１は装置本体側メモリ２３に記憶されている装置本体２の種別情報と送信された種別情報とを比較する。 - 特許庁

Successively, the n-type ion implantation region n1 is diffused and activated through a heat treatment to form an n-type memory extension region.例文帳に追加

続いて、熱処理によってｎ型イオン注入領域ｎ１を拡散および活性化させることで、ｎ型メモリエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

INTERLEAVE TYPE MEMORY DEVICE FOR BURST TYPE ACCESS IN SYNCHRONOUS READING MODE IN TWO HALF-ARRAY BEING INDEPENDENTLY READABLE IN RANDOM ACCESS ASYNCHRONOUS MODE例文帳に追加

ランダムアクセス非同期モードで独立的に読取可能な２個の半アレイでの同期読取モードにおけるバースト型アクセス用インターリーブ型メモリ装置 - 特許庁

Type identification information for specifying the type of the flash memory is acquired from the flash memory and whether or not device information corresponding to the type identification information is stored in a first read-only device information storage means is discriminated.例文帳に追加

フラッシュメモリから当該フラッシュメモリの品種を特定するための品種識別情報を取得し、読み出し専用の第１のデバイス情報記憶手段に当該品種識別情報に対応するデバイス情報が格納されているか否かを判別する。 - 特許庁

In a non-volatile memory cell including a MONOS-type transistor Q_1 for memory and a MIS-type transistor Q_2 for cell selection, the length B of a charge accumulation film 16 is made shorter than that A of the gate electrode 20 of the MONOS-type transistor Q_1.例文帳に追加

メモリ用のＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1とセル選択用のＭＩＳ型トランジスタＱ_2とを含む不揮発性メモリセルにおいて、ＭＯＮＯＳ型トランジスタＱ_1のゲート電極２０の長さＡに比べて、電荷蓄積膜１６の長さＢを短くする。 - 特許庁

A memory device comprises a memory cell array 1 in which the resistance change type memory cells M are arranged in a matrix, word lines W_1 to W_m, bit lines B_1 to B_n, plate electrode lines P_1 to P_n, and a transistor T.例文帳に追加

メモリ装置は、抵抗変化型のメモリセルＭがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイ１と、ワード線Ｗ_1〜Ｗ_mと、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nと、プレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nと、トランジスタＴとを有する。 - 特許庁

To obtain a reliable semiconductor memory device that can prevent the penetration of a contact hole and the instability in contact resistance in a so-called cylinder-type memory cell, and provide a method for manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

所謂シリンダ型のメモリセルにおけるコンタクトホールの突き抜け及び接触抵抗の不安定を防止することができ、信頼性が高い半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a mobile environment, a mobile device comprises an attached memory stick having direct memory access type high speed memory and storage implemented by an integrated circuit chip coupled to an ultrawideband (UWB) transceiver.例文帳に追加

移動環境では、移動装置は、超ワイドバンド（ＵＷＢ）トランシーバに結合された集積回路チップで実施される直接メモリアクセス式の高速メモリ及び記憶装置を有するアタッチ型メモリスティックを含む。 - 特許庁

To provide a card type recording medium which uses a semiconductor memory lower in manufacture cost than a nonvolatile memory such as an EEPROM as a semiconductor memory where contents which need not be rewritten are recorded.例文帳に追加

書き換える必要のないコンテンツを記録した半導体メモリであって、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリに比して製造コストの低い半導体メモリを用いたカード状記録媒体を提供する。 - 特許庁