「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a refresh-period being suitable for a refresh-holding characteristic time without being affected by dispersion by manufacturing and without requiring a test time for characteristics measurement of large scale before adjustment of a refresh-time, and a synchronous type semiconductor memory in which current consumption in refresh-operation can be reduced.例文帳に追加

製造ばらつきに影響されることなく、リフレッシュ時間の調整前に多大な特性測定のための試験時間を要することもなく、リフレッシュ保持特性時間に最適なリフレッシュ周期を提供し、リフレッシュ動作における消費電流の低減を図ることができる同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The print system 100 comprises a buffer memory 17 for storing print data temporarily in a host unit 1 and when the print data is transmitted to a printer 2, information indicative of the type of a sheet loaded in the printer 2 is requested.例文帳に追加

印刷システム１００によれば、ホスト装置１に印刷データを一時的に格納するバッファメモリ１７を備え、印刷データをプリンタ２に送信する際に、プリンタ２に装填されている用紙の種類を示す用紙種類情報を要求し、プリンタ２に装填されている用紙が印刷データに適合している場合、プリンタ２に印刷データを送信する。 - 特許庁

In a mode for shifting an input address, the synchronous type semiconductor memory makes a comparison between the input address and a faulty address at a shifted timing for a determination, and in a mode unnecessary for shifting the input address, the device transmits the address signal to a comparison/determination circuit without letting the address signal pass through the shift circuit, and carries out a comparison with the faulty address.例文帳に追加

入力アドレスをシフトさせるモードにおいては、シフト後のタイミングで不良アドレスとの比較判定を実行し、入力アドレスをシフトさせる必要のないモードにおいては、アドレス信号をシフト回路を通過させることなく比較判定回路へ伝達して、不良アドレスとの比較を実行する。 - 特許庁

The device has a resistance element 6 formed on a resistance element forming region 17 of a Si substrate 1, using a wiring layer 20 formed at the same time as forming a gate electrode 12 of a MOS type transistor 22 constituting a memory cell in a transistor forming region 18 of the substrate 1 when forming the resistance element 6.例文帳に追加

開示されている半導体装置１０は、シリコン基板１の抵抗素子形成領１７に抵抗素子６を形成するにあたり、基板１のトランジスタ形成領域１８にメモリセルを構成するＭＯＳ型トランジスタ２２のゲート電極２２の形成時に同時に形成された配線層２０を用いて抵抗素子６を形成する。 - 特許庁

The fin-type memory cell includes a fin-shaped active area AA, a floating gate electrode FG along a side face of the active area AA, and two control gate electrodes CG provided in the longitudinal direction of the active area AA with respect to the floating gate electrode FG to sandwich the floating gate electrode FG.例文帳に追加

本発明の例に関わるＦｉｎ型メモリセルは、フィン形状のアクティブエリアＡＡと、アクティブエリアＡＡの側面に沿うフローティングゲート電極ＦＧと、フローティングゲート電極ＦＧに対してアクティブエリアＡＡの長手方向に配置され、フローティングゲート電極ＦＧを挟み込む２つのコントロールゲート電極ＣＧとを備える。 - 特許庁

The memory 11c stores a setup program 11c_1 for collecting set/accumulated information (setting information, program information and personal information) from the existing devices to perform setup, and discriminating information for discriminating the information to be collected from the information capable of being provided for each type of storable set/accumulated information.例文帳に追加

メモリ１１ｃは、既存機器からその設定／蓄積情報（設定情報，番組情報，個人情報など）を収集してセットアップを行うためのセットアッププログラム１１ｃ_１と、保持可能な設定／蓄積情報の種別毎に、収集すべき情報なのか、提供可能な情報なのか識別するための識別情報とを記憶する。 - 特許庁

When an unbuffered type one with ECC function is adapted as a memory module 20, an internal C/A bus structure 50 is set to signal T- branch topology, the output impedance of a chip set 10 is set substantially constant, and a capacity 70 for cutting the high frequency component of a C/A signal is added to a C/AA bus 30.例文帳に追加

メモリモジュール２０としてＥＣＣ機能付のアンバッファタイプのものを採用した場合には内部Ｃ／Ａバス構造６０をシングルＴ−ブランチトポロジとし、チップセット１０の出力インピーダンスを実質的に一定とし、Ｃ／ＡＡバス３０にＣ／Ａ信号の高周波数成分をカットするための容量７０を付加した。 - 特許庁

An ultrasonic image signal prepd. by converting an echo signal from an ultrasonic probe to a raster scanning is stored in field memories 16a and 16b and an endoscope image signal from an endoscope device is stored in an FIFO 19 and it is synthesized into a picture-in-picture type image in a frame memory and image synthesizing circuit 20 and is monitor-outputted.例文帳に追加

超音波プローブからのエコー信号をラスタ走査に変換した超音波画像信号はフィールドメモリ１６ａ、１６ｂに記憶され、内視鏡装置からの内視鏡画像信号はＦＩＦＯ１９に記憶され、フレームメモリ兼画像合成回路２０でピクチャインピクチャ方式の画像に合成されモニタ出力される。 - 特許庁

In an active-matrix organic EL display device using a reference voltage selection type D/A conversion circuit, the luminance level for each pixel row of a display panel 20 is evaluated into three levels of a standard luminance level, a level brighter than the standard, and a level darker than the standard, and the evaluation result for each pixel row is stored in a memory device 55.例文帳に追加

基準電圧選択型Ｄ／Ａ変換回路を用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、表示パネル２０の画素行ごとの輝度レベルを、例えば標準輝度レベル、標準よりも明るいおよび暗いの３段階に評価して、その評価結果を画素行ごとにメモリ装置５５に記憶しておく。 - 特許庁

The memory cell transistor MTr includes: a charge storage layer 23 provided above a P-type semiconductor substrate 10 and storing the electric charge: a semiconductor layer 25 formed on a top surface of the charge storage layer 23 via a block insulating layer 24; and a silicide layer 26 provided on the upper surface of the semiconductor layer 25.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＴｒは、Ｐ型半導体基板１０の上方に形成され且つ電荷を蓄積する電荷蓄積層２３と、電荷蓄積層２３の上方にブロック絶縁層２４を介して形成された半導体層２５と、半導体層２５の上面に形成されたシリサイド層２６とを備える。 - 特許庁

A laminated film MGD is laminated between a 1st conductivity- type semiconductor (P well W), where a channel of a memory transistor (M11a, etc.), is formed and a gate electrode (word line WL11, etc.), and formed of a plurality of dielectric film including charge storage means (carrier trap) which are made discrete in plane.例文帳に追加

メモリトランジスタ（Ｍ１１ａ等）のチャネルが形成される第１導電型半導体（ＰウェルＷ）とゲート電極（ワード線ＷＬ１１等）との間に積層され、平面的に離散化された電荷蓄積手段（キャリアトラップ）を内部に含む複数の誘電体膜からなる積層膜ＭＧＤが形成されている。 - 特許庁

A system controller 15 comprises, in addition to a communication I/F 41, an image switcher 42, and a graphic board 46, a capturing board 44 for capturing image data to an external recording medium via the switcher 42, and a memory 45 for recording various type information in such a manner that they are controlled by a CPU 43.例文帳に追加

システムコントローラ１５は、上記通信Ｉ／Ｆ４１、映像スイッチャ４２、グラフィックボード４６の他に、映像スイッチャ４２を介して外部記録媒体に画像データを取り込むためのキャプチャーボード４４、各種情報を記録するためのメモリ４５を備え、これら各回路がＣＰＵ４３により制御されている。 - 特許庁

The testing device include: input terminals CN1-CN12 which enable the input of one or more types of test data obtained as a result of a test covering a game machine; and a memory 321 on which inputtable data are stored which represents the types of the test data to be outputted from the game machine involved corresponding to machine type data for identifying the game machine.例文帳に追加

遊技機による試験の結果であり１以上の種類がある試験データを入力可能な入力端子ＣＮ１〜ＣＮ１２を有するとともに、遊技機を識別するための機種データに対応して、当該遊技機から出力される試験データの種類を表す入力可能データが記録されたメモリ３２１を備える。 - 特許庁

In the protection method of an electrical communication terminal including a personal element to be needed for electrical communication network access of a chip card type, the terminal T includes a processing device, at least one operation memory including information to be needed for an operation of the terminal, i.e. an operation program of the terminal, and data to be needed for the program.例文帳に追加

チップカードタイプの電気通信ネットワークアクセスに必要な個人的な構成要素を含む電気通信端末の保護方法に関するものであり、端末Ｔは、処理装置、端末の作動に必要な情報すなわち端末の作動プログラムを含む少なくとも一つの作動メモリ、およびこのプログラムに必要なデータを含む。 - 特許庁

A registration processing part 122 retrieves, when an electronic document is inputted, storage requirements corresponding to the document type of the electronic document from the memory 110, determines a storage form satisfying all the retrieved storage requirements, and stores the electronic document in a document storage device 100 in the determined storage form.例文帳に追加

登録処理部１２２は、電子文書が入力された場合、その電子文書の文書種別に該当する保存要件を保存要件記憶部１１０から検索し、検索されたすべての保存要件を満たす保存形態を求め、その保存形態で電子文書を文書保存装置１００に保存する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which Vpp can be transferred without voltage drop of Vth (threshold voltage) of a transfer transistor, also processes are decreased and a cost is reduced by using normal LVP (low voltage P type transistor), in a transfer circuit for transferring Vpp selectively or a decode circuit.例文帳に追加

Ｖｐｐを取捨選択的に転送するための転送回路あるいはデコード回路において、転送トランジスタのＶｔｈ（スレッシュホルド電圧）の電圧降下なくＶｐｐを転送することができ、かつ、通常のＬＶＰ（ロウボルテージＰ型トランジスタ）を使用することによってプロセスを削減しコストを低減した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The simple matrix type memory element is formed in such a way that, after peripheral circuits 21 and 22 are formed on a substrate 1 by transfer and a flattened film 3 is formed on the substrate 1 including the circuits 21 and 22, X-stripe electrodes 61-6n, a ferroelectric organic thin film 7, and Y-stripe electrodes 81-8m are successively formed on the flattened film 3.例文帳に追加

基板１上に周辺回路２１，２２を転写形成し、周辺回路２１，２２を含む基板１上に平坦化膜３を形成した後、平坦化膜３上にＸストライプ電極６１，６２，…，６ｎ、強誘電性有機薄膜７、及びＹストライプ電極８１，８２，…，８ｍを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。 - 特許庁

In the contact program type mask ROM where the drain contact of a part of cell transistors in a memory cell array is connected to a bit line 1 through a repeating pattern 3 and a via plug 2, adjacent via plugs are connected to a bit-line direction wiring layer 3a in common when a plurality of via plus connected to the same bit line are continuously adjacent in the bit line direction.例文帳に追加

メモリセルアレイにおける一部のセルトランジスタのドレインコンタクトが中継用パターン部３とビアプラグ２を経てビット線１に接続されるコンタクトプログラム方式のマスクROM において、同一ビット線に接続される複数のビアプラグがビット線方向に連続して隣り合う場合に、隣り合うビアプラグがビット線方向の配線層３ａにより共通に接続されている。 - 特許庁

An erase command to designate a partition number as the object of erase is issued from a host to an NAND type flash memory device, and the control part of a device interprets the address of an erase object area specified on the basis of the partition number by referring to a partition map for a control, and erases all the data stored in an erase object partition on the basis of the interpretation.例文帳に追加

ホストからＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、制御部用のパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 - 特許庁

A floating gate electrode 9 constituting a memory cell M comprising one transistor type cell is provided with a simple cross-section shape I of a single electrode material, and in order to increase the capacity with a control gate electrode 11, the control gate electrode 11 is provided with such cross-section shape II as to cover the side surface of the floating gate electrode 9.例文帳に追加

１トランジスタ型のセルで構成されたメモリセルＭを構成する浮遊ゲート電極９を単一電極材料で構成された単純な断面Ｉ形状とし、制御ゲート電極１１との容量の増大を図るべく、制御ゲート電極１１をその浮遊ゲート電極９の側面をも覆うように断面Π形状とした。 - 特許庁

Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層５、６の一方側と下部電極９との第１コンタクト部１５と上部電極１１とソース・ドレイン拡散層５、６の他方側との第２コンタクト部１７をそれぞれ第１耐酸化性導電膜１３、第２耐酸化性導電膜１６で形成する。 - 特許庁

In an image forming apparatus with a memory IC integrated connector carrying out reading and writing of data by being brought into contact with and separated from an apparatus main body side connector installed in the end part of each developing cartridge of a rotary type developing device, both the connectors are brought into contact and separated in a developing position relationship where a developing device and a photoreceptor are facing each other.例文帳に追加

ロータリー式現像器の各現像カートリッジの端部に装置本体側コネクタが離当接してデータの読み取り／書き込みを行うメモリＩＣ内蔵コネクタを配置した画像形成装置において、前記両コネクタは、現像器と感光体とが対向する現像位置関係において離当接するようにしたものである。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

An external speaker 500 reproduces a signal outputted from an HRTF measurement processing section 110, and the HRTF measurement processing section 110 calculates an HRTF filter coefficient to reproduce a head transfer function of a listener on the basis of this signal and a sound picked up by a microphone unit 210 of an ear insertion type earphone 200 mounted on the listener and stores the coefficient to a memory 130.例文帳に追加

ＨＲＴＦ測定処理部１１０が出力した信号を外部スピーカ５００で再生し、この信号と受聴者が装着した挿耳型イヤホン２００のマイクユニット２１０で収音した音とに基づいてＨＲＴＦ測定処理部１１０が受聴者の頭部伝達関数を再現するＨＲＴＦフィルタ係数を算出しメモリ１３０に保存しておく。 - 特許庁

In a video recording apparatus, when an instruction for displaying an EPG is given, an HDR reads program information containing TV program information, reads reservation recording program information in a memory (S11), and changes a TV program display format in the EPG (S12) according to the TV program for the reservation recording and the type of the reservation recording for the TV program.例文帳に追加

ＥＰＧの表示が指示されると、ＨＤＲは、ＴＶ番組の情報を格納した番組情報を読み込むと共に、メモリの予約録画番組情報を読み込み（Ｓ１１）、予約録画を行うＴＶ番組、及び予約録画を行うＴＶ番組の予約録画の種類に基づいて、ＥＰＧ内のＴＶ番組の表示形式を変更する（Ｓ１２）。 - 特許庁

To realize high-quality characteristic information verification by obtaining undistorted images in high speed using a small amount of memory capacity, in an apparatus which obtains information needed for personal authentication from a plurality of partial images that are successively captured by, for example, a sweep-type fingerprint sensor with a fingertip moved on the sensor surface.例文帳に追加

例えばスウィープ型指紋センサにおいて指をそのセンサ面に対して移動させながら連続的に採取される複数の部分画像から、個人認証等に必要な情報を取得するための装置において、歪みの無い画像を少ないメモリ容量で且つ高速に得られるようにして、高品質な特徴情報による照合を可能にする。 - 特許庁

To provide a cylindrical lithium ion secondary battery of which the sealing structure of blocking an upper opening of a battery case is made simple to reduce the production cost, which can be mounted simply on a device to be mounted with single touch, suitable for a mobile device like a pen type data memory input device as a built-in power supply.例文帳に追加

外装缶の上部開口を閉塞する封止構造が簡素であり、従ってリチウムイオン二次電池の製造コストの低減化に貢献でき、しかも対象機器に対する装脱着をワンタッチで簡便に行うことができ、ペン型データ記憶入力装置などのモバイル機器の内蔵電源として好適な、円筒型のリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a data analysis apparatus of model conversion type, a record medium and a program allowing a high-speed prediction with a reasoning algorism based on memory by using a model, even when sample data is not inputted, allowing the prediction, even when inputted, allowing the prediction with reflecting the model and also allowing the prediction with high-speed.例文帳に追加

本発明はモデル変換型データ分析装置、記録媒体及びプログラムに関し、モデルを活用することにより、記憶に基づく推論のアルゴリズムによる予測を高速化させ、事例データが入力されない場合でも予測ができ、事例データが入力された場合でも、モデルを反映した予測ができ、かつ、高精度の予測ができるようにする。 - 特許庁

The memory device 120 stores refueling information database memorized as fuel supply information by correlating the refueling information such as an oil type, an amount of refueling, a money amount of refueling, the date and time, and card data supplied whenever fuel supply to a vehicle T through a nozzle 52 of a fuel supply machine 50 is carried out.例文帳に追加

記憶装置１２０は、燃料供給機５０のノズル５２から車両Ｔへの燃料供給が行なわれる度に供給された油種、給油量、給油金額、日時、カードデータなどの給油情報と燃料供給が行なわれた時刻とを対応付けて燃料供給情報として記憶する給油情報データベースを格納している。 - 特許庁

The analysis method of the content size in the mobile terminal device comprises a step for determining the video CODEC type used for the content, a step for decoding a video CODEC end and analyzing the size information of the content based on the determination result, and a step for allocating the memory necessary for reproducible images.例文帳に追加

コンテンツに使用されたビデオコーデックの種類を判断する過程と、前記判断結果によって、ビデオコーデック端をデコーディングしてコンテンツのサイズ情報を分析する過程と、前記分析結果によって、再生可能な画像に該当するだけのメモリを割り当てる過程と、から構成されることを特徴とする携帯端末機におけるコンテンツのサイズ分析方法。 - 特許庁

A printer device 103 transmits the processing request of one portion of a print request from a computer 101 to a server device 102 with information processable by itself (information showing the type of print data for printing and the size of an image memory) to a server device 102, and transmits the residual print data to the server device 102 in response to a request from the server device 102.例文帳に追加

プリンタ装置１０３は、コンピュータ１０１からの印刷要求の一部の処理要求を自己が処理可能な情報（印刷用の印刷データの種類と画像メモリのサイズを示す情報）と共にサーバ装置１０２へ送信し、サーバ装置１０２からの要求により印刷要求の残りの印刷データをサーバ装置１０２へ送信する。 - 特許庁

The spin drum type game machine adaptive to a CR in which information on available value of an available value information memory medium (card) is read out and is used to play game is provided with a switching means (CR unit applicable/non-applicable switch) 43 as a switch for making the game machine adaptive to the CR or cash payment.例文帳に追加

有価情報記憶媒体（カード）の有価情報を読み取り、その有価情報を使用して遊技を行うＣＲ対応可能な回胴式遊技機において、回胴式遊技機をＣＲ対応型として動作させるか或いは現金対応型として動作させるかを切り換えるための切換手段（ＣＲユニット有無スイッチ）４３を設ける。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

Therefore, since it is not necessary upon image drawing to read the corresponding image data from a character ROM 187 which consists of a NAND type flash memory 187a with the slow read speed, the time required for read-out can be eliminated, the drawing of the image is immediately performed, and the drawn image can be displayed on an auxiliary display part 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁

The device is a memory type bistable liquid crystal display device A having a chiral nematic liquid crystal 10 between a scanning electrode member 4 and a signal electrode member 5, and is provided with a means to increase the period of applying a reset pulse responding to decrease in the environmental temperature or with a means to decrease the period of applying a reset pulse in response to the increase in the environmental temperature.例文帳に追加

走査電極部材４と信号電極部材５との間にカイラルネマチック液晶１０を設けてなるメモリー性双安定型液晶表示装置Ａであって、環境温度の低下に対応して、リセットパルスの印加時間を長く設定する手段や、環境温度の上昇に対応して、リセットパルスの印加時間を短く設定する手段を配設した。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

When a request is sent from a client terminal 20, a dynamic page generation program 101c of a web server 101 synthesizes a web page corresponding to a prescribed protocol type by successively extracting correspondent components from a memory 102a of a cache server 102 by a remote procedure call on the basis of the information of a user profile database 101a.例文帳に追加

クライアント端末２０からリクエストが送られると、ウェブサーバ１０１の動的ページ生成プログラム１０１ｃが、ユーザプロファイルデータベース１０１ａの情報に基づいて、リモートプロシージャコールによりキャッシュサーバ１０２のメモリ１０２ａから対応するページ構成要素を順番に取り出して所定のプロトタイプに即したウェブページを合成していく。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: channel regions of the same conductive type extending in a first direction; a first insulating film provided on the channel regions; a plurality of floating gates provided on the first insulating film; a second insulating film provided on the floating gates; and a control gate provided on the second insulating film.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体記憶装置は、第１の方向に延びる同一導電形のチャネル領域と、チャネル領域上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた複数の浮遊ゲートと、浮遊ゲートの上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に設けられた制御ゲートとを備えている。 - 特許庁

To provide a dynamic virtual channel management circuit that can extract only a virtual channel of an AAL type 5 that is processed in the unit of frames and register it to a VC management memory means so as to allow a network device not obtaining virtual channel contract information to conduct processing in the unit of frames and to provide a system using the dynamic virtual channel management circuit.例文帳に追加

本発明は、フレーム単位処理が可能なＡＡＬタイプ５のバーチャルチャネルだけを抽出してＶＣ管理メモリ手段に登録することができ、バーチャルチャネルの契約情報が得られないネットワーク装置でフレーム単位の処理を行うことができる動的バーチャルチャネル管理回路及びそれを用いた装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 24 and 34 provided on the semiconductor layer 10 to sandwich the gate conductive layer 14, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられ、ゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、ゲート導電層１４を挟むように半導体層１０に設けられた第１導電型の第１および第２不純物領域２４，３４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

The rotary drum type game machine acquires 1 byte flag data and 1 byte offset data as an internal winning symbol combination from a numerical value range to which a random number drawn from the detection of a starting operation belongs, and the acquired flag data is made to be stored in an address calculated from a reference address and the acquired offset data in a memory.例文帳に追加

回胴式遊技機は、開始操作の検出に基づいて抽出する乱数値が属する数値の範囲に基づいて、１バイトのフラグデータ及び１バイトのオフセットデータを内部当籤役として取得し、当該取得したフラグデータを、メモリにおける、基準アドレスと当該取得したオフセットデータとに基づいて算出されるアドレスに格納するようにした。 - 特許庁

In the manufacturing method of a non-contact type IC card, whether each IC formed on a wafer operates normally or not, is inspected and specific data is written in a nonvolatile memory inside the IC whose result of inspection is normal after a semiconductor process of the wafer is completed when an IC chip for mounting on the IC card is manufactured.例文帳に追加

本発明の非接触式ＩＣカードの製造方法は、ＩＣカードに実装するためのＩＣチップを製造するＩＣ製造時に、ウェハの半導体プロセスを完了した後、ウェハに形成された各ＩＣが正常に動作するか否かを検査し、検査結果が正常であるＩＣの内部の不揮発性メモリに特定データを書き込むように構成したものである。 - 特許庁

A horoscopy recommendation part 7 provides a horoscopy or a psychological test to the client system C through the Internet N according to the operation of a user, or allows the user to select the type, stage of affection, or mood of a scene related to a memory, and based on the results thereof, recommends at least either of the ticket and the condition thereof.例文帳に追加

星占い等推奨部７は、クライアントシステムＣに対しインターネットＮ経由で、ユーザの操作に応じ、星占い若しくは心理テストを提供し、又は思い出に関連するシーンの種類、愛情の段階若しくは気分を選択させ、これらの結果に基いていずれかの前記チケット又はその条件の少なくとも一方を推奨する。 - 特許庁

A storage medium allowed to be optionally attached/detached to/from a memory slot of a target apparatus records information (programs and data) for displaying the operation manual for the target apparatus in a part of its storage area of the storage medium at the time of shipping it by a method for mainly displaying bidirectional or visual point movable type three-dimensional images (animation).例文帳に追加

対象機器のメモリスロットに着脱自在に装着される記憶媒体であって、双方向かつ視点可動型の３次元動画像（アニメーション）表示を主体とする方式により、対象機器の取扱説明を表示するための情報（プログラムとデータ）を、出荷時に前記記憶媒体の記憶領域の一部に記録してあることを特徴とする。 - 特許庁

An icon showing the application program recorded on the card type recording medium 16 is displayed on a display part 5, and the application program selected from the displayed icon by a remote control part 15 is recorded on the memory 13, so that various on-screen applications can be executed without a connecting cable to a body.例文帳に追加

また、カード型記録媒体１６に記録されたアプリケーションプログラムを示すアイコンを表示部５に表示させ、遠隔操作部１５により表示されたアイコンから選択したアプリケーションプログラムをメモリ１３に記録させるので、画面上映し出された各種アプリケーションの実行を本体との接続ケーブルを必要とすることなく実行させることが可能となる。 - 特許庁