「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor memory test apparatus 1, when a test of a device 20 of a synchronous type to be tested is performed, output data of the device 20 to be tested corresponding to a test pattern is held by an output holding part 11, it is compared with expected value data by an expected value data comparing part 12, and log data are generated.例文帳に追加

本発明の半導体メモリ試験装置１は、同期型の被試験デバイス２０の試験を行う際、テストパターンに対応する被試験デバイス２０の出力データを出力保持部１１で保持し、期待値比較部１２にて期待値データと比較してログデータが生成される。 - 特許庁

The name plate 10 has such a memory function that information such as electronic information can be recorded in the name plate, wherein camera user's original information such as his or her address, birth date, blood type, telephone number, contact address, mail address, face photograph image, camera function, operation settings in which the function is customized is recorded.例文帳に追加

本発明の銘板１０は、銘板１０に電子情報等の情報を記録可能なメモリ機能を持たせ、カメラユーザーの住所、生年月日、血液型、電話番号、連絡先、メールアドレス、顔写真画像、カメラ機能及びその機能をカスタマイズした操作設定等のユーザーオリジナル情報を記録させた。 - 特許庁

A floating trap type nonvolatile memory cell comprises a semiconductor substrate 10, a gate electrode 27 formed on the substrate, and a tunneling insulating film 20, a charge storage layer 22, a blocking insulating film, and an impurity-doping layer formed on the substrate at both sides of a gate electrode sequentially formed between the substrate and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１０、基板上に形成されたゲート電極２７、基板とゲート電極との間に順次に形成されたトンネリング絶縁膜２０、電荷貯蔵層２２、ブロッキング絶縁膜、ゲート電極の両側の基板に形成された不純物ドーピング層を含む。 - 特許庁

To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.例文帳に追加

高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

A memory part 34 for heated part criteria stores the correlation of the integrated value of the input electric power by the electric power detecting part 27 and the detected temperature by the thermistor 4 as criteria value information to obtain information (such as cooking type, warping of the bottom of a pot, and the like) of the heated material.例文帳に追加

被加熱部判定基準記憶部３４は、電力量検出部２７による入力電力積算値及びサーミスタ４による検知温度の相関関係を、被加熱物についての情報（調理種類、鍋底の反りなどの情報）を得るための判定基準値情報として記憶している。 - 特許庁

The position of an antenna incorporated in a capsule type endoscope 3 moving the internal is estimated using a plurality of antennas and, when a distance dij between two positions Pti and P(t-1)j estimated at approximate times is within a prescribed value, this apparatus stores the positional information associated with each other as connection information in a memory.例文帳に追加

体内を移動するカプセル型内視鏡３に内蔵されたアンテナの位置を複数のアンテナを用いて推定し、隣接する時刻で推定された２つの位置Ｐti、Ｐ(t-1)jの距離ｄijが所定値以内の場合にはそれらの位置情報を関連付けてメモリに接続情報として記憶する。 - 特許庁

This memory control circuit 1 having an LSI configuration receives a RAM access request signal 100, which is a signal independent of the type of a RAM element, from a superordinate control part such as a CPU and transmits a RAM control signal data group 200 to a subordinate LAM element 10 to control it.例文帳に追加

ＬＳＩ構成のメモリ制御回路１は、ＣＰＵなどの上位の制御部(図示なし)から、ＲＡＭ素子の種別によらない信号であるＲＡＭアクセス要求信号１００を受けて配下のＲＡＭ素子１０に対してＲＡＭ制御信号・データ群２００を送信してこれを制御する。 - 特許庁

For a stack type nonvolatile memory 20 for storing electric charges in a floating gate and storing a logic state by a characteristic observation tool 31, voltage current characteristics when a stored electric charge amount is a prescribed value are observed and the characteristics are displayed at a graph display part 35 as a first graph [1].例文帳に追加

フローティングゲートに電荷を蓄積して論理状態の記憶を行うスタック型不揮発性メモリ２０について、特性実測ツール３１により、蓄積電荷量が所定値のときの電圧電流特性を実測し、この特性を第１グラフ[1]としてグラフ表示部３５に表示する。 - 特許庁

After the completion of the carrying in and installation of a game machine 10 to a game parlor, an encoded data stored in a memory of a system managing unit 70 being related to the machine type number of the game machine 10 installed at the game parlor is transmitted at a specified timing to a data totaling managing device 60.例文帳に追加

遊技店への遊技機１０の搬入および設置が完了した後、所定のタイミングで、その遊技店に設置された遊技機１０の機種番号と関連づけてシステム管理装置７０のメモリに記憶されている暗号化データがデータ集計管理装置６０に送信される。 - 特許庁

The correction position read part 108 reads a first position to be corrected Po1 (row information) and a second position to be corrected Po2 (row information) registered in an information table 102 stored in a data memory 100 after finishing reading of an image from the storage type phosphor panel P.例文帳に追加

補正位置読取部１０８は、蓄積性蛍光体パネルＰへの画像読み取りが終了した後に、データメモリ１００に記憶されている情報テーブル１０２に登録された第１補正対象位置Ｐｏ１（行情報）及び第２補正対象位置Ｐｏ２（行情報）を読み取る。 - 特許庁

This computer control circuit is provided with a selector 41 to select one of an output of a latch 50 holding an output instruction code, an instruction code outputted from the synchronous type memory, a Nop instruction code, and an instruction code generated at a breakpoint, and a register 55 to control selecting action of the selector 41.例文帳に追加

出力命令コードを保持するラッチ５０の出力、同期式メモリから出力される命令コード、Ｎｏｐ命令コード、およびブレークポイントで発生した命令コードの内の１つを選択するセレクタ４１と、該セレクタ４１の選択動作を制御するレジスタ５５を具備する。 - 特許庁

A printer includes a receiving unit 5 for receiving a printing job, a memory unit 6 for memorizing the received printing job, a display unit 3 for displaying the list of the printing job including a special print, an input unit 4 for forming a touch panel type operation panel 11 together with the display unit 3, and a control unit 2.例文帳に追加

プリンタは、印刷ジョブを受信する受信部５、受信した印刷ジョブを記憶する記憶部６、特殊印刷を含む印刷ジョブのリストを表示する表示部３、表示部３とともにタッチパネル式の操作パネル１１を形成した入力部４、および制御部２を有する。 - 特許庁

To improve the utilization efficiency of network resources relating to a frame transfer device of the so-called "common buffer type" for tentatively storing a transmitted frame into a FIFO memory, corresponding to the frame of a common buffer constituted of the plurality of FIFO memories, reading the frame from the common buffer and transmitting it.例文帳に追加

本発明は、送信されてきたフレームを、複数のＦＩＦＯメモリからなる共通バッファの、そのフレームに応じたＦＩＦＯメモリに一旦格納し、その共通バッファからフレームを読み出して伝送する、いわゆる共通バッファ型のフレーム転送装置に関し、ネットワーク資源の利用効率を高める。 - 特許庁

To improve convenience in use by applying and transmitting transmitter information or the like by a simple operation while effectively utilizing a limited memory when transmitting read image information by electronic mail utilizing the Internet in a push type scanner device connected to a network.例文帳に追加

ネットワークに接続されたプッシュ型スキャナ装置において、読取った画像情報をインターネットを利用した電子メールにより送信するのに際して、限られたメモリを有効に活用し簡単な操作で送信者情報等の付与して送信することを可能にし使用上の利便性を向上させる。 - 特許庁

To provide a measuring device with memory for automatically recognizing such information as the type and manufacturing number of an electrode without any need for setting a calibration or correction value each time when the electrode is replaced using a device body and for freely using the electrode for each application.例文帳に追加

電極を取り替える度に校正或は補正値の設定をする必要がなく、電極の型式や製造番号などの情報が装置本体で自動的に認識することができ、用途別の電極を自由に使い分けることのできるメモリー付き計測装置を提供することである。 - 特許庁

The image forming apparatus 1 has a receiving circuit 110 that includes a D-type flip-flop circuit 113 that operates with a memory input shifting clock generated by an engine control section 80 to output a signal of the same data row as image data from a controller control section 70.例文帳に追加

本発明の一実施形態にかかる画像形成装置１では、エンジン制御部８０で生成したメモリ入力シフトクロックで動作してコントローラ制御部７０からの画像データと同じデータ列の信号を出力するＤ型フリップフロップ回路１１３を含む受信回路１１０を設けた。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 includes a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 34 and 24, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、第１導電型の第１および第２不純物領域３４，２４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

When a search character string is input, the English/Japanese system integral entry word table 12e1/12e2 corresponding to the character type is searched for an entry word list matching the input character string, and the entry word list is displayed while the entry words of the additional dictionaries in currently unloaded memory cards 16 is deleted.例文帳に追加

検索文字列を入力するとその文字種に対応した英語／国語系の一元見出語テーブル(12e1/12e2)を用い入力文字列と一致する見出語一覧が検索され、現在未装着のメモリカード16についての追加辞書が有する見出語については削除されて見出語一覧表示される。 - 特許庁

Because an acetylene-type pyrethroid of general formula [1] induces BDNF expression by directly acting on nerve cells, it is used as a therapeutic agent for a large number of neurodegenerative diseases and mental diseases in which decreased BDNF expression is found and as a memory-enhancing agent for healthy persons.例文帳に追加

一般式［１］のアセチレン型ピレスノイドは、神経細胞へ直接的に作用してＢＤＮＦ発現を誘導することから、ＢＤＮＦ発現減少が認められている多くの神経変性疾患や精神疾患の治療剤、さらに健常人の記憶力増強剤として使用できる。 - 特許庁

If the present invention is applied to, for example, a watch 50 having a function of a non-contact type IC card, a memory 506 is provided at the watch 50 and an information indicating a train ticket reserved and purchased and that a lodging reservation of a hotel is carried out is stored therein as a ticket information.例文帳に追加

例えば非接触型の非接触型ＩＣカードの機能を有する腕時計５０に本発明を適用させた場合、腕時計５０にメモリ５０６をもたせ、予約購入した電車の乗車券やホテル宿泊予約を行った旨を示す情報をチケット情報として格納する。 - 特許庁

This casing is attached with a screw plug for coupling the casing comprising an upper lid and an under lid for storing the memory type intrusion alarm device operated by signals from an at-home determination switch and a door switch, so as to prolong the time for opening the casing, and the casing cannot be opened thereby within specified time.例文帳に追加

在宅判定スイッチと扉スイッチの信号で作動する記憶型侵入警報装置を収容する上蓋と下蓋から成る筐体を結合するネジにネジ栓を取り付け、筐体を開く時間が長くなるようにし、規定時間内では筐体を開けれなくした。 - 特許庁

Registration data registered on a yet-to-be exchanged navigation device 10A are converted by a conversion part 24 of an information center 20 into registration data of a format type fitting to a new navigation device 10B to register the post-conversion registration data on a memory 11B of the navigation device 10B.例文帳に追加

交換前のナビゲーション装置１０Ａに登録した登録データを、情報センタ２０の変換部２４で新しいナビゲーション装置１０Ｂに適合するフォーマット形式の登録データに変換し、変換後の登録データをナビゲーション装置１０Ｂのメモリ１１Ｂに登録する。 - 特許庁

To provide a mounting method for a failure analysis memory in a semiconductor tester that enables a change of slave boards according to a change in type and an increase in capacity or the like of a semiconductor device under test, and can minimize a spacing between master boards even when the number of master boards is increased.例文帳に追加

被試験対象の半導体デバイスの種類の変更、容量等の増大に伴い、子基板の変更ができ、親基板の枚数が増えても親基板の間隔を最小限の間隔におさえることのできる、半導体試験装置における不良解析メモリの搭載方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 34 and 24, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、第１導電型の第１および第２不純物領域３４，２４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

A plurality of frame memories recording a plurality of types/ inverse quantized pictures which are inversely quantized by individual types and a difference generator for generating a difference between a present moving picture and the inverse quantized picture of a frame memory corresponding to the type of the present picture among a plurality of frame memories are installed.例文帳に追加

逆量子化された復号化画像を種類別に記録するための複数・フレームメモリ１−１，Ｎと、現動画像と複数・フレームメモリの内の現動画像の種類に対応するフレームメモリの逆量子化画像との差分を生成するための差分器とからなる。 - 特許庁

When the display of a user interface screen is instructed, an HTML generator 23 reads out an attribute value necessary for the screen display from an attribute buffer 21 and changes an input element in an HTML type template file stored in a template memory 22 in accordance with the attribute value.例文帳に追加

ユーザーインターフェース画面の表示が指示されると、ＨＴＭＬジェネレータ２３は、画面表示に必要な属性値を属性バッファ２１から読み出し、テンプレートメモリ２２に格納されたＨＴＭＬ形式のテンプレートファイルのうち、入力用の要素を属性値に応じて変更する。 - 特許庁

A non-complementary comparator includes an evaluation element such as a memory cell, a differential amplifier or another type of circuit capable adapted to perform an evaluation function, and at least first and second input legs each coupled to a corresponding one of a first and second node of the evaluation element.例文帳に追加

非相補比較器は、メモリセル、差動アンプまたは評価機能を行なうのに適した他のタイプの回路等の評価エレメントと、評価エレメントの第１および第２のノードのうちの対応するノードに各々接続された少なくとも第１および第２の入力枝とを含む。 - 特許庁

There is provided an application (LUN layout tool) capable of freely setting the number of drives and types of media corresponding to the drivers that a PC assigns to a card reader comprising a plurality of slots to which four kinds of card type media (CF, SM, MS, SD) can be inserted, and a built-in memory 15.例文帳に追加

４種類のカード型メディア（ＣＦ，ＳＭ，ＭＳ，ＳＤ）を挿入可能な複数のスロット及び内蔵メモリ１５を備えたカードリーダに対してＰＣが割り当てるドライブの数及び各ドライブに対応するメディアの種類を自由に設定可能なアプリケーション（ＬＵＮレイアウトツール）を提供する。 - 特許庁

In each pixel 4 of a display element, a memory circuit 11 is constituted by connecting complimentary type inverters 11a, 11b in a loop state and stores whether to light an organic light emitting diode 12 or not in accordance with a data potential Vd which is to be applied via a selection circuit 13 during a selection period.例文帳に追加

表示素子の各画素４において、メモリ回路１１は、相補型のインバータ１１ａおよび１１ｂをループ状に接続して構成されており、選択期間中に選択回路１３を介して与えられるデータ電位Ｖｄに応じて、Organic Light Emission Diode１２を点灯するか否かを記憶する。 - 特許庁

When a control part 2 executes a character input processing on HTML, the attribute of a character input tag is obtained from HTML stored in a memory 2, and an input mode adjusted to the type of an input character is set in accordance with the attribute designated for the character input tag.例文帳に追加

制御部１はＨＴＭＬの文字入力処理を行う場合、メモリ２に格納されているＨＴＭＬから文字入力タグの属性を取得し、文字入力タグに指定されている属性にしたがって入力文字種類に合わせた入力モードを設定する。 - 特許庁

To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

The non-complementary comparator includes an evaluation element such as a memory cell, a differential amplifier, or another type of circuit capable adapted to perform an evaluation function, and at least first and second input legs each coupled to a corresponding one of a first and second node of the evaluation element.例文帳に追加

非相補比較器は、メモリセル、差動アンプまたは評価機能を行なうのに適した他のタイプの回路等の評価エレメントと、評価エレメントの第１および第２のノードのうちの対応するノードに各々接続された少なくとも第１および第２の入力枝とを含む。 - 特許庁

On a film sheet 11 on the top surface of the noncontact type memory card 1, an IC chip 25 which stores and processes information and capacitor electrodes 23-a and 24-a are mounted and at the peripheral part, antennas 21 and 22 for transmission and reception are coiled and formed at two places.例文帳に追加

非接触型メモリカード１の表面のフィルムシート１１上には、情報の記憶および処理を行うＩＣチップ２５、コンデンサ電極２３−ａおよび２４−ａが実装されており、その周辺部に送受信用のアンテナ２１および２２がコイル状に２カ所形成されている。 - 特許庁

Althrough NOMS 1 and DMOS (depression-type NMOS) 2 being connected to a data cell row 30A in series as a memory cell allow a cell current Icell to flow, the NMOS 1 and DMOS 2 are alternately connected to current paths 30-1 and 30-2 for generating a reference current Iref.例文帳に追加

データセル列３０Ａに直列にメモリセルとして接続されたＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ（デプレッション型のＮＭ０Ｓ）２は、セル電流Ｉcellを流すが、参照電流Ｉref を生成する電流パス３０−１及び３０−２には、ＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ２が交互に接続されている。 - 特許庁

To put together a plurality of insertion ports for inserting/removing a plurality of recording media such as CD, DVD, MD and a semiconductor memory card to a front surface panel having a part exposed to a front side followiong the movement of a display panel in an on-vehicle display device provided with an inclination motion type display panel.例文帳に追加

傾動式の表示パネルを備える車載用表示装置において、表示パネルの移動に伴ってその一部が前方に向けて露出する前面パネルに、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＤ、半導体メモリカード等の複数の記録媒体を挿抜する複数の挿入口を集約化する。 - 特許庁

The authentication label 11 is incorporated in a sheet member 12 with an IC tag 15 comprising a semiconductor memory part 13 for storing unique identification data identified by an impression and an antenna part 14 for transmitting/receiving the identification data, and can be attached to every type of form 21 used in financial institutions and the like.例文帳に追加

印影によって特定される固有の識別データを記憶する半導体メモリ部１３及び前記識別データを受発信するアンテナ部１４からなるＩＣタグ１５をシート部材１２に内蔵し、金融機関等に備える各種用紙２１に貼付可能な認証ラベル１１を形成した。 - 特許庁

To easily construct an inexpensive electric power saving type information processor of high interruption performance, without being equipped with an expensive exclusive memory and without requiring complicated software processing.例文帳に追加

高価な専用のメモリを装備することなく且つ複雑なソフトウェアの処理を必要とすることなく、安価で高い割り込みパフォーマンスを持つ省電力型の情報処理装置を容易に構築可能とした省電力移行制御装置、情報処理装置、省電力移行制御方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

In a device equipped with the photoreceptor drum 21, the brush type electrifying roller 22 and the memory removing brush 25 as one unit, a brush fiber part 27 provided on the supporting body 26 of the brush 25 is constituted so that its upstream-side fiber part 27a may be long and its downstream- side fiber part 27b may be short.例文帳に追加

感光体ドラム２１とブラシ状帯電ローラ２２およびメモリ除去ブラシ２５を１つのユニットとして設けた装置に対して、前記メモリ除去ブラシ２５の支持体２６に設けるブラシ繊維部２７を、上流側繊維部２７ａでは長く、下流側繊維部２７ｂで短く構成する。 - 特許庁

The nonvolatile memory transistor has a p-type silicon substrate 11, a floating gate 13 formed on the substrate 11 via a first gate insulating film 12, a control gate 16 formed on the gate 13 via a second gate insulating film 14, and source drain diffused layers 16, 17.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタは、ｐ型シリコン基板１１と、この上に第１のゲート絶縁膜１２を介して形成された浮遊ゲート１３、更にこの上に第２のゲート絶縁膜１４を介して形成された制御ゲート１５を有し、ソース、ドレイン拡散層１６，１７を有する。 - 特許庁

A detection CPU 20 of the signal processing part 30 detects the image data of paper sheets through image detection parts 21 to 23, and reads correction coefficients preliminarily stored for every type of paper sheets in a memory 200, and discriminates the pertinent paper sheets based on the image data detected by using the correction coefficients.例文帳に追加

信号処理部３０の検知ＣＰＵ２０は、画像検知部２１〜２３を介して紙葉類の画像データを検出し、メモリ２００に紙葉類の種類毎に予め記憶してある補正係数を読み出し、この補正係数を用いて検出した画像データに基づいて当該紙葉類を判別する。 - 特許庁

A belt type continuously variable transmission CVT constitutes a gear shift control device by providing a car speed sensor 33, brake sensor 31, release car speed memory 36 storing a brake release car speed updated in the case of operating a brake, and a gradient sensor 32 detecting a running road surface gradient.例文帳に追加

ベルト式無段変速機ＣＶＴにおいて、車速センサ３３と、ブレーキセンサ３１と、ブレーキが作動された場合にブレーキ解除車速を更新記憶する解除車速メモリ３６と、走行路面勾配を検出する勾配センサ３２とを備えて変速制御装置が構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is constituted in such a way that the capacitor characteristic of a stack type semiconductor storage device using a ferroelectric or high dielectric film for the capacitor of its memory section is not degraded nor the micromachining of the device for a higher degree of integration is not obstructed and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

メモリ部のキャパシタに強誘電体膜又は高誘電体膜を使用したスタック型半導体記憶装置におけるキャパシタ特性に劣化を生ずることがなく、高集積化のための微細化が妨げられることもない構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the step of simultaneously forming a gate insulating film of a MOS transistor by utilizing a step of forming a floating gate 14 and an oxide film 12 formed on the gate 14 of a split type nonvolatile memory cell and a step of forming a tunnel insulating film 16 formed on the oxide film.例文帳に追加

スプリット型の不揮発性メモリセルの浮遊ゲート１４上に形成される酸化膜１２の形成工程、及び浮遊ゲート１４と酸化膜上に形成されるトンネル絶縁膜１６の形成工程を利用して、ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を同時に形成した。 - 特許庁

A single circulating buffer (60), preferably of the shared memory type is shared by all of the rake fingers (RAKE FINGERS 1, 2, 3, 4, 5 and 6) of a rake receiver to significantly reduce the hardware and software required to time-align multipath signals (DATA IN) received by a UE from a base station.例文帳に追加

好ましくは共有メモリ型の単一の循環バッファ（６０）を、レイク受信機のすべてのレイクフィンガ（レイクフィンガ１、２、３、４、５、６）で共用して、ＵＥによって受信される基地局からのマルチパス信号（データイン）を時間整合させるのに必要とされるハードウェアおよびソフトウェアを大幅に削減する。 - 特許庁