「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid crystal device which performs temperature compensation while taking into consideration humidity characteristics of a memory type liquid crystal display represented by a ferroelectric liquid crystal element and executes a stable operation in response to the temperature variation and humidity variation.例文帳に追加

強誘電性液晶素子に代表されるメモリ性液晶パネルの湿度特性を考慮した温度補償を行い、温度変化や湿度変化に対して安定した動作を実現する液晶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method that makes it possible to quickly obtain a disk block containing data to be operated, without using many memory resources, when reading or writing files on a FAT type disk.例文帳に追加

ＦＡＴ型ディスク上のファイルを読み出し、または書き込み操作する場合に、操作するデータの含まれるディスクブロックを高速に、かつ多くのメモリリソースを使用せずとも求めることが可能な方法を提供する。 - 特許庁

This secure device is provided with a storage means having the secure memory area for storing data, a data processing means performing computing operation on the data, and a contact type communication means allowing communication with an external terminal.例文帳に追加

データを記憶するためのセキュアなメモリ領域を有する記憶手段と、データを演算処理するデータ処理手段と、接触方式の通信手段とを備え、接触方式により外部端末と通信可能にする。 - 特許庁

To provide a portable type virtual memory apparatus allowing for file sharing with another electronic equipment by having the data (file) that is accessed from an electronic equipment as a storage device without requiring a network communication means for the electronic equipment on a host side.例文帳に追加

ホスト側の電子機器にはネットワーク通信手段を必要としないで、該電子機器からはストレージデバイスとしてデータ（ファイル）をアクセスでき、他の電子機器とファイル共有を行い得る可搬型仮想記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display and a display system aiming at further power saving, using a reflection type liquid crystal having memory property with visible display at all times and having excellent visibility even in the outdoors.例文帳に追加

より一層の省電力化を図るようにした、常時表示を視認可能でかつ屋外でも視認性の良好なメモリ性を有する反射型液晶を用いた液晶表示装置及び表示システムを得る。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device for increasing redundancy repair rate and reliability in redundancy repair with small layout area while preventing a defective standby current caused by short circuit of a bit line and a word line.例文帳に追加

ビット線とワード線のショート欠陥によるスタンバイ電流不良を対策しながら、小さなレイアウト面積で、高い冗長救済率、かつ確実な冗長救済可能にするダイナミック型半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

This system has an amplifier unit of an amplifier isolation type photoelectric sensor and an interface 1 which relays a communication between the amplifier unit and a data processor, and the amplifier unit 2 has a built-in program memory and a CPU which executes the program.例文帳に追加

アンプ分離型光電センサのアンプユニットと、データ処理装置との間の通信を中継するインタフェースユニット１とを有し、アンプユニット２には、プログラムメモリとプログラムを実行するＣＰＵが内蔵されている。 - 特許庁

A model name data of a plurality of cellular phones and various parameters (microphone gain value, cancel-flag setting information, and filter coefficients), which should be set, when each type of a cellular phone is connected, are stored to a memory 17 in linked fashion.例文帳に追加

メモリ１７には、複数の携帯電話の機種名データと、当該機種の携帯電話が接続された場合に設定すべき各種パラメータ（マイクゲイン値、中止フラグ設定情報、フィルタ係数）とが、リンクして記憶される。 - 特許庁

Even when the type of memory is changed, the pin configuration changing circuit can provide the system-in package with a shortest distance and a minimum area without using additional wiring and a PCB by changing the order of interconnection of the internal pins.例文帳に追加

ピン構成変更回路は、メモリの種類が変わっても内部ピンの連結順序を変更して追加的な配線やＰＣＢを用いることなく、最短距離と最小面積とでシステムインパッケージ化することができる。 - 特許庁

Then, when it is detected that power is supplied in a ROM controller 195b, the ROM controller 195b sets a boot program from the NAND type flash memory 195a to a buffer RAM 187c.例文帳に追加

そして、ＲＯＭコントローラ１９５ｂにおいて電源が投入されたことを検出すると、ＲＯＭコントローラ１９５ｂは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａからブートプログラムをバッファＲＡＭ１８７ｃにセットする。 - 特許庁

To perform stable development by suppressing occurrence of an image memory or leakage due to gap variation between a conveying roller and a developing roller in a developing device having a hybrid developing type.例文帳に追加

ハイブリッド現像方式を有する現像装置において、搬送ローラと現像ローラとの間のギャップ変動による画像メモリやリークの発生を抑制することができ、安定して現像を行うことができるようにする。 - 特許庁

To obtain a static type semiconductor memory in which a current path between the power source and ground is eliminated in a corresponding redundant unit after redundant replacement, a standby current is reduced, and the yield after redundant replacement is improved.例文帳に追加

冗長置換後には該当冗長単位内に電源およびグランド間の電流パスがなくなり、スタンバイ電流を削減し、冗長置換後の歩留まりを向上させるスタティック型半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

By performing survey when the survey meter 100 comes close to a range at which the survey meter 100 can read the past survey data from the communication type memory 300, the location of detection work is limited to implement a pinpoint and fixed-point survey.例文帳に追加

サーベイメータ１００が通信型メモリ３００から過去のサーベイデータを読み出せる範囲内に近づいたときにサーベイを行うようにして検出作業位置を限定し、ピンポイントの定点サーベイを実現する。 - 特許庁

The local SONOS type memory device is provided with a gate oxide film formed on a silicon substrate, and a conductive spacer and a dummy spacer which are formed on the gate oxide film with their curved surfaces on the outside and separated from each other.例文帳に追加

ローカルＳＯＮＯＳ型メモリ素子は、シリコン基板上に形成されたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に形成され曲面が外側を向いて互いに離隔されている導電性スペーサ及びダミースペーサとを供える。 - 特許庁

In the writing method for the nonvolatile memory device provided with a OTP unit cell, a pulse type writing voltage having a plurality of cycles is applied during the writing operation.例文帳に追加

ＯＴＰ単位セルを備えた不揮発性メモリ装置の書き込み方法であって、書き込み動作時、複数の周期を有するパルス形態の書き込み電圧を印加する不揮発性メモリ装置の書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device which digitally inputs image data, and easily determines and stores an optimum counter voltage value into a memory.例文帳に追加

画像データをデジタル入力するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、可変抵抗器を用いずに、最適な対向電圧値を容易に決定してメモリへ格納することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a portable telephone 101 is provided with a subroutine management means for, when detecting access to the special address of the processor 113, switching the processing method of the code according to the type of the code existing on the memory 117.例文帳に追加

さらに、携帯電話機１０１は、プロセッサ１１３の特殊アドレスへのアクセスを検出した場合、メモリ１１７上に存在するコードの種類に応じて、該コードの処理方法を切り替えるサブルーチン管理手段を備える。 - 特許庁

The display system having the feature of transmitting image data and also supplying power successively for every prescribed number of display apparatuses from a host machine to a plurality of display devices provided with a reflection type display device having a memory effect.例文帳に追加

ホスト装置からメモリ性を有する反射型表示素子を備えた表示装置に、所定数の表示装置毎に順次画像データを送信するとともに電力を供給することを特徴とする表示システム。 - 特許庁

The position and the type of the function block or a layout shape and a pitch of a memory cell can speedily and easily be judged, and the fault can efficiently be analyzed by viewing them from the upper layer with such a constitution.例文帳に追加

このような構成により、上層からみるだけで機能ブロックの位置および種類、あるいはメモリセルのレイアウト形状およびピッチを迅速に、かつ容易に判断でき、不良解析を効率的に行うことができる。 - 特許庁

Subsequently, the recording device controls the voltage application unit to apply a voltage and controls the light irradiating unit to irradiate the display medium with a second type of light so as to record the image in the display medium in accordance with the position signal stored in a memory unit.例文帳に追加

その後に、記憶部に記憶されている位置信号に応じて表示媒体に画像を記録させるように電圧印加部に電圧を印加させ光照射部に第２の光を照射させるように制御する。 - 特許庁

To improve efficiency of processing an image having pixels per row which are larger in number than the processor elements by an image processor including a distributed memory type processor array configured by combining the plurality of processor elements in a one-dimensional manner.例文帳に追加

複数のプロセッサ要素を１次元に結合してなる分散メモリ型プロセッサアレイを備えた画像処理装置により、１行の画素数がプロセッサ要素数より多い画像を処理する場合の効率向上を図る。 - 特許庁

For example, at the time of erasure operation, erasure voltage from a boosting circuit is applied respectively to all word lines WL0-WL31 of a memory cell array, selecting gate lines SSL, GSL, and a (p) type well 12.例文帳に追加

たとえば、消去動作時には、メモリセルアレイの全ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１、選択ゲート線ＳＳＬ，ＧＳＬおよびｐ型ウェル１２に、それぞれ、昇圧回路からの消去電圧Ｖｅｒａを印加する。 - 特許庁

The output color setting is stored in a non-volatile type memory tag added to each PC unit of the corresponding KCMY and used for control of the PC unit operated by a main control unit at the time of output of FAX image.例文帳に追加

出力色の設定は対応するＫＣＭＹの各ＰＣユニットに付設した不揮発性のメモリタグに保存され、ＦＡＸ画像の出力時に本体制御部が動作させるＰＣユニットの制御に用いる。 - 特許庁

To provide a PC card to be mounted on electronic equipment such as a notebook-personal computer for extending functions, where the PC card having an extended part further mounts a different type of compact memory card.例文帳に追加

本発明は、ノート型パソコン等の電子機器に装着して機能を拡張させるＰＣカードに関し、エクステンデッド部を有しているＰＣカードにおいて、更に、異種の小型メモリーカードも装着できるようにすることが課題である。 - 特許庁

When the adjustment of this heating resistor type flowmeter is required in the state of a finished product, various kinds of adjustment data are sent to a DSP 12 from the outside as external signals and stored in a memory circuit 14 after the data are adjusted to prescribed characteristics.例文帳に追加

完成品の状態で調整が必要な場合には、外部からの各種調整データが外部信号としてＤＳＰ１２に送られ、それぞれ所定の特性に調整されてメモリ回路１４に記憶される。 - 特許庁

Also, on the basis of allotment information stored in a memory, a programmable display allotting circuit 10 allots each bit in the LCD display register 8 and each display segment on a seven-segment type LCD panel 30 as desired.例文帳に追加

また、メモリに格納された割付け情報をもとに、プログラマブル表示割付回路１０によって、ＬＣＤ表示レジスタ８の各ビットと、７セグメント・タイプのＬＣＤパネル３０上の各表示セグメントとを任意に割り付ける。 - 特許庁

This synchronous type semiconductor memory receives a read instruction of data from the outside responding to the prescribed clock signal applied from the outside, and outputs data including the preamble responding to this clock signal.例文帳に追加

本同期式半導体メモリ装置は、外部から印加される所定のクロック信号に応答して外部からデータの読み出し命令を受け入れ、このクロック信号に応答してプリアンブルを含んだデータを出力する。 - 特許庁

To provide a synchronous type semiconductor memory in which an input buffer circuit can be activated only by a required operation cycle without deteriorating high speed responsiveness of an input buffer, and reduction of the current consumption can be realized.例文帳に追加

入力バッファの高速応答性を損なうことなく必要な動作サイクルでのみ入力バッファ回路を活性化させ、低消費電流化をも実現することができる同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device comprises a resistance variable type memory cell having a WO_3 film 3 which is a resistor formed in a W plug 2 and an upper electrode or a lower electrode composed of a W plug.例文帳に追加

Ｗプラグ２内に形成された抵抗体であるＷＯ_3 膜３、及び、Ｗプラグからなる上部電極或いは下部電極を備える抵抗変化型メモリセルを含んでなる不揮発性半導体記憶装置。 - 特許庁

To provide a deep trench type capacitor manufacturing method removing an oxide remaining in a gap, guaranteeing electric connection of first and second conductive layers and improving validity of a single memory cell, that is an yield of products.例文帳に追加

隙間に残留の酸化物を除去し第１と第２の伝導層の電気的接続が保証され単一記憶セルの有効性即ち製品の良品率を向上させる深トレンチ型キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optometer appropriately telling an examiner an examination content to be performed, even if the examiner has no precise memory on the type and the content of an examination corresponding to each optotype.例文帳に追加

検者が各視標に対応する検査の種類及びその内容をそれぞれ正確に記憶していない場合でも、実行する検査内容を検者に的確に伝えることができる検眼装置を提供する。 - 特許庁

To improve data maintenance characteristics of a nonvolatile memory element of variable resistance type, having a laminate structure comprising a lower electrode, metal oxide and an upper electrode by reducing the probability of detrapping of electric charges from interface trap.例文帳に追加

下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。 - 特許庁

At the time of transferring demodulation data from a demodulation circuit to a bus controller controlling access to the buffer memory, the data type of demodulation data which is scheduled to be sent next is sent together.例文帳に追加

このため、バッファメモリへのアクセスを制御するバス制御装置への復調回路からの復調データの転送に際して、次に送られてくる予定の復調データのデータ種別も併せて送られてくるようにする。 - 特許庁

A NOR type flash memory 100 by which data are writable in either one of the multi-valued data or binary data, includes an address conversion circuit 13 for rearranging a part of address bit of the external address at the writing of the binary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ１００は、多値データと二値データのいずれかでのデータ書込みが可能であり、二値データ書込み時に外部アドレスのアドレスビットの一部を並び換えるアドレス変換回路１３を備える。 - 特許庁

Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well.例文帳に追加

また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。 - 特許庁

A structure of an NOR-type nonvolatile memory having a common-source-line configuration which has floating gates is characterized by that the overlap between its drain and its gate is larger than the overlap between its source and its floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートを有する共通ソース線構成のＮＯＲ型不揮発性フラッシュメモリ構造において、メモリセルのドレインとゲートとのオーバーラップが、ソースと前記浮遊ゲートとのオーバーラップよりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

An EEPROM memory cell uses a PMOS type floating gate transistor, formed in an n-well 54 to form a control capacitor, when a floating gate 60 is defined over a p-diffused region 68 formed in the n-well 54.例文帳に追加

EEPROMメモリセルは、フローティングゲート６０がｎウエル５４に形成されるｐ-拡散領域６８上に定められる場合、ｎウエル５４に形成されるPMOS型のフローティングゲートトランジスタを用いて制御キャパシタを形成する。 - 特許庁

When changing the FPGA data of the monitoring circuit, the CPU selects FPGA data satisfying the type of the circuit part among data stored in an FPGA data storing part of the CPU part and transmits the selected FPGA data to a nonvolatile memory.例文帳に追加

監視回路のＦＰＧＡデータの変更はＣＰＵ部のＦＰＧＡデータ格納部に格納しているものの中からＣＰＵが回線部の種別に合うＦＰＧＡデータを選択し、回線部の不揮発性メモリに送信する。 - 特許庁

The control unit 1 is equipped with a control section 11, a bit-map developing section 12 and a compressing section 13 for storing and the printing unit 2 is equipped with a control section 21, an expanding section 23, a toggle-type page memory 24 and a printing section 3.例文帳に追加

コントロールユニット１は、制御部１１と、ビットマップ展開部１２と、格納する圧縮部１３とを備え、印刷ユニット２は、制御部２１と、伸長部２３と、トグル形式のページメモリ２４と、印刷部３とを備える。 - 特許庁

To provide an optical information recorder being a hologram memory system which operates at a high speed and can be miniaturized, and can provide lower price and higher reliability by using a reflection type spatial light modulation element having a simple structure.例文帳に追加

ホログラムメモリシステムである光情報記録装置において、高速で動作し、かつ微細化可能であり、さらに簡単な構造を有する反射型の空間光変調素子を使用して、低コスト化、高信頼化を図る。 - 特許庁

To provide a recording apparatus with a built-in HDD and a recording apparatus that can effectively reduce the used space of a used nonvolatile memory even of a type having a rewrite cycle limit.例文帳に追加

書き換え回数の制限がある不揮発性メモリにおいても、効果的に使用する不揮発性メモリの使用領域を節約することが可能なＨＤＤ内蔵型記録装置、および記録装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a technique by which a short circuit of a selection gate electrode and a control gate electrode can be suppressed, and a short circuit failure between both can be reduced in a semiconductor device having a MONOS-type nonvolatile memory cell of a split gate structure.例文帳に追加

スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極と制御ゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The information pieces such as cable connector installation time, installer's name, identification No. of the cable connector and the identification number of cable connected with the cable connector or the like are written into the non-contact type information memory apparatus 20.例文帳に追加

非接触型情報記憶装置２０には、例えばケーブル接続器の設置時期、施工業者名、ケーブル接続器の識別番号、ケーブル接続器により接続されているケーブルの識別番号等の情報を書き込む。 - 特許庁

To enhance luminous efficiency, to lower a drive voltage, and to lower electricity consumption, for a display panel formed by an assembly of cells, display elements with a memory function, and in particular, a surface discharge type plasma display panel.例文帳に追加

メモリ機能を有する表示素子であるセルの集合体によって構成された表示パネル、特に面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルにおいて、発光効率の向上と低駆動電圧化、低消費電力化を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a part which is not made into a silicide from being formed as residues of an insulating film etc., remain at a step part of conductive film in a floating gate type flash memory, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フローティングゲート型フラッシュメモリにおいて、導電膜の段差部分に絶縁膜等の残渣が残り、シリサイド化されない部分が発生することを防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁