「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region.例文帳に追加

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。 - 特許庁

To provide a sealed highly reliable semiconductor memory which feeds the power by radio and performs data communication by radio at a high speed without interference at a low cost about a sealed type semiconductor recording medium and sealed type semiconductor recording device.例文帳に追加

密封型半導体記録媒体及び密封型半導体記録装置に関し、無線により電力を給電するとともに、相互干渉なしに無線でデータ通信を高速に行うことが可能な密封された高信頼性の半導体メモリを低コストで提供する。 - 特許庁

An NMOS (n-pole metal insulator transistor) and a PMOS (p-pole metal insulator transistor), whose gate electrodes 10n, 10p are constituted of a conductive type silicon film reversed to the conductive type semiconductor region for source drain, are formed in a first circumferential circuit unit which requires low consumption operation and a memory unit.例文帳に追加

低消費動作が要求される第１の周辺回路部およびメモリセル部には、ゲート電極１０ｎ，１０ｐがソース・ドレイン用の半導体領域の導電型とは逆の導電型のシリコン膜で構成されたＮＭＯＳ，ＰＭＯＳを形成する。 - 特許庁

To suppress electric field concentration generated at the edge part of an STI region (groove type element separation region) even when the MOS transistor of multiple power sources is formed in a peripheral circuit and to eliminate the kink characteristics of the MOS transistor in a semiconductor device loaded with an MONOS type nonvolatile memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリ搭載半導体装置で、周辺回路に多電源のＭＯＳトランジスタを形成してもＳＴＩ領域（溝型素子分離領域）のエッジ部に生じる電界集中を抑制し、ＭＯＳトランジスタのキンク特性をなくす。 - 特許庁

The data processor selects an addressing mode in accordance with a handling process which handles data held in different addressing modes such as a tile type addressing mode and an array type addressing mode, based on information to indicate a memory area where the data is stored or a lookahead conversion buffer where a data arrangement is stored.例文帳に追加

タイル型アドレスで保持されるデータとアレイ型で保持されるデータの異なるアドレッシングのデータを、保持されているメモリの領域または先読み変換バッファに保持するデータ配置を示す情報に基づいて、処理プロセスに応じてアドレッシングを選択する。 - 特許庁

To increase speed of amplification operation of a sense amplifier without flowing an unnecessary current in a diode formed by a P type region and N type region even if a normal semiconductor substrate is used or a SOI substrate is used, in a semiconductor integrated circuit incorporating a memory.例文帳に追加

メモリを内蔵した半導体集積回路において、通常の半導体基板を使用してもＳＯＩ基板を使用しても、Ｐ型領域とＮ型領域とによって形成されるダイオードに無駄な電流を流すことなく、センスアンプの増幅動作を高速化する。 - 特許庁

When using a card type radio communication device 902 as a unit, a phase quantity of antennas 903 to provide a desired beam is saved in a memory 905 inside the card type radio communication device 902, and communications are performed while fixing phases by using the phase quantity.例文帳に追加

カード型無線通信装置９０２を単体として用いる場合には、所望のビームとなるような各アンテナ９０３の位相量をカード型無線装置９０２の内部のメモリ９０５に保存しておき、これを用いて固定位相のまま通信を行う。 - 特許庁

As to binary type digital data of field configuration collected in a fixed section, the number of data, the number of delimiter bytes and data required for processing are stored (S11, S12) and the binary type data of each field are stored as they are in a memory as array data (S13).例文帳に追加

一定区間にひとまとめにしたフィールド構成のバイナリ形式のディジタルデータに対して、そのデータ数と区切りバイト数と加工に必要なデータを保持（Ｓ１１，Ｓ１２）、および各フィールドのバイナリ形式データをそのまま配列データとしてメモリ上に保持しておく（Ｓ１３）。 - 特許庁

A selection gate 18 is formed on the p-type well 2 of a semiconductor substrate via a gate insulation film 6; and a memory gate 17 is formed on the p-type well 2 via a lamination film 15 comprising a silicon oxide film 15a, a silicon nitride film 15b, and a silicon oxide film 15c.例文帳に追加

半導体基板のｐ型ウエル２上にゲート絶縁膜６を介して選択ゲート１８が形成され、ｐ型ウエル２上に酸化シリコン膜１５ａ、窒化シリコン膜１５ｂおよび酸化シリコン膜１５ｃからなる積層膜１５を介してメモリゲート１７が形成される。 - 特許庁

An N+-type semiconductor region 6, where the lower electrode 49 of the capacitor element Cn is connected, is formed in an active region which is wider in area than an active region, where the source and drain (N--type semiconductor region 11) of a memory cell selection MISFET Qs are provided.例文帳に追加

容量素子Ｃn の下部電極４９が接続されるｎ^+ 型半導体領域６は、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）が形成された活性領域より広い面積の活性領域に形成される。 - 特許庁

A frame memory with a function of specifying a screen input/ output area and an image data input/out area is provided for each detector and a means for constructing an image with a logic addition type compositor as well as a means for making a local speed change by installing a frame memory in front of and in the rear of the compositor.例文帳に追加

画面入出力領域と画像データ入出力領域を指定する機能を持ったフレームメモリを各検出器毎に設けて、論理和形の合成器により画像を構成する手段と、合成器の前後にフレームメモリを設けて、局所的な速度変換を行う手段を用いる。 - 特許庁

The imaging element module includes a MOS type imaging element 22 for imaging a subject image, a memory 25 for storing picked-up image data of the imaging element 22 with a digital signal, and a compressing means 27 for compressing the picked-up image data read from the memory 25 and outputting the compressed picked-up image data to the outside.例文帳に追加

被写体画像を撮像するＭＯＳ型の撮像素子２２と、撮像素子２２の撮像画像データをデジタル信号で記憶するメモリ２５と、メモリ２５から読み出した撮像画像データを圧縮して外部に出力する圧縮手段２７とを撮像素子モジュールに設ける。 - 特許庁

In this camera equipped with a silver halide photographing device and an electronic image pickup device, a film cartridge or a cartridge type memory 103 can be loaded in the cartridge chamber, and a main CPU 62 detects that the film cartridge or the memory 103 is loaded in the cartridge chamber.例文帳に追加

銀塩撮影装置と電子撮像装置を備えたカメラに於いて、パトローネ室内にフィルムパトローネまたはパトローネ型メモリ１０３を装填可能であって、上記パトローネ室内に上記フィルムパトローネ若しくは上記パトローネ型メモリ１０３が装填されたことがメインＣＰＵ６２によって検出される。 - 特許庁

In the ion implantation dp01, the memory gate electrode MG1 and the first protective film pt1 formed on a side wall thereof serve as an ion implantation mask, and the n-type ion implantation region n1 is formed at a distance of the thickness of the first protective film p1 from the memory gate electrode MG1.例文帳に追加

イオン注入ｄｐ０１では、メモリゲート電極ＭＧ１およびその側壁に形成した第１保護膜ｐｔ１がイオン注入マスクとなり、メモリゲート電極ＭＧ１から、第１保護膜ｐｔ１の厚さ分だけ離れた位置に、ｎ型イオン注入領域ｎ１を形成する。 - 特許庁

A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加

メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁

This configuration also allows a large group of threads to be clustered and executed together through the SIMD processor so that greater memory efficiency can be achieved for a certain type of operation like texture memory access performed in connection with graphics processing.例文帳に追加

この構成はまた、１つの大きなスレッドグループがＳＩＭＤプロセッサを介してクラスタされ、一緒に実行されることも可能にし、その結果、グラフィックス処理に関して実行されるテクスチャメモリアクセスのようなあるタイプの動作に関してより大きなメモリ効率が達成されることが可能である。 - 特許庁

A system controller 28 predetermines that a mounted battery pack 50 is provided with a memory 51, tries to read battery information held in the memory 51, and identifies the type of the battery included in the pack 50 according to the read battery information when the battery information is read successfully.例文帳に追加

システムコントローラ２８は、装着されたバッテリパック５０がメモリ５１を備えることを予定して、このメモリ５１に保有されたバッテリ情報の読み出しを試み、この読み出しが成功したときには、この読み出したバッテリ情報によりバッテリパック５０に内蔵されたバッテリの種類を識別する。 - 特許庁

The bristle tilt preventing member 28 constituted of an elastic body having insulating property is arranged at the end on the downstream side of the supporting body 26 of the memory removing brush 25 in a device provided with the photoreceptor 21, the brush type electrifying roller 22 and the memory removing brush 25 as one unit.例文帳に追加

感光体ドラム２１とブラシ状帯電ローラ２２およびメモリ除去ブラシを１つのユニットとして設けた装置に対して、前記メモリ除去ブラシ２５の支持体２６の下流側端部に、絶縁性を有する弾性体で構成した毛倒れ防止部材２８を配置する。 - 特許庁

In this electronic control device 1, when software in a flash memory 17 of a microcomputer 3 is rewritten, an internal power supply voltage VD from a power supply circuit 7 to the microcomputer 3 is boosted by a charge pump type booster circuit 27 so that a voltage VP for rewrite to the flash memory 17 can be generated.例文帳に追加

電子制御装置１では、マイコン３のフラッシュメモリ１７内のソフトウェアを書き換える場合には、チャージポンプ式の昇圧回路２７により、電源回路７からマイコン３への内部電源電圧ＶＤが昇圧されてフラッシュメモリ１７への書き換え用電圧ＶＰが生成される。 - 特許庁

To reduce the occupied area of a ferroelectric capacitor while ensuring an area necessary for the ferroelectric capacitor, and eliminate irregularity of characteristic between two ferroelectric capacitors to be connected with a memory cell transistor, in a (1T/2C cell) type ferroelectric memory.例文帳に追加

（１Ｔ／２Ｃセル）型の強誘電体メモリにおいて、必要な強誘電体容量の面積を確保したまま、強誘電体容量１個あたりの占有面積を縮小することができ、かつ１個のメモリセルトランジスタに接続する２個の強誘電体容量間の特性ばらつきをなくす。 - 特許庁

To provide a method for driving memory display of a liquid crystal display element capable of displaying memory for a predetermined period by using a time constant circuit composed of equivalent static capacitance and equivalent resistance owned by a light control layer constituting a light scattering type liquid crystal.例文帳に追加

光散乱型液晶を構成する調光層が固有に有する等価静電容量と等価抵抗による時定数回路を利用して、所定の時間メモリー表示をすることができる液晶表示素子のメモリー表示駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a low-cost printing controlling device which can realize real-time processing through enhancement of the efficiency of memory accessing by eliminating a memory for spooling, and also enabling DMA accessing of a video control part to be dispersed in a printing region and a return line period of time in a control of a high-speed tandem type printing engine.例文帳に追加

高速なタンデム型プリントエンジンの制御において、スプール用のメモリを必要とせず、且つ印字領域と帰線期間でビデオ制御部のＤＭＡアクセスを分散可能にして、メモリアクセスの効率を上げリアルタイム処理が実現できるような、ローコストの印字制御装置を提供する。 - 特許庁

Since a flash ATA card l secures a user data area A of 640 MB by using twenty-two 256 MB (32 MB) AND type flash memory elements 4a to 4v, user data capacity of 640 MB/22=29.1 MB is allocated to each of the flash memory elements 4a to 4v.例文帳に追加

フラッシュＡＴＡカード１は、２２個の２５６Ｍｂ（３２ＭＢ）ＡＮＤ型フラッシュメモリ素子４ａ〜４ｖを用いて６４０ＭＢのユーザデータ領域Ａを確保するようにしているため、各フラッシュメモリ素子４ａ〜４ｖには６４０ＭＢ／２２＝２９．１ＭＢのユーザデータ容量を割り振ればよい。 - 特許庁

The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.例文帳に追加

スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁

In this machine, various type molding data and releasing data to be inputted from a setting unit are stored in a working memory provided in a control unit of the molding machine, a molding operation and the chucking unit are controlled based on the molding data and the releasing data read from the memory to execute a releasing operation.例文帳に追加

樹脂成形機の制御ユニットに設けられた作業メモリに、設定装置から入力される各種の成形データ及び取出しデータを記憶し、該作業メモリから読み出された成型データ及び取出しデータに基づいて成形動作及びチャック装置を制御して取出し動作を実行する。 - 特許庁

Video data captured by a video camera 20 is compressed by a compression and decompression circuit 5, the compressed video data is recorded into a built-in semiconductor memory 6 or disk-type memory 13 fixed in the video camera 20, and the recorded video data is transferred to the external recording device 23.例文帳に追加

ビデオカメラ２０で撮影した映像データは、圧縮伸長回路５で圧縮され、ビデオカメラ２０内に固定された内蔵型半導体メモリ６やディスク形メモリ１３に圧縮された映像データが記録され、記録された映像データは外部記録装置２３に転送される。 - 特許庁

In parallel with this, a distortion calculating part 108 calculates distortion in each encoding path unit and stores the distortion in a distortion memory 109, and meanwhile, a complicated tile determining part 111 determines whether a corresponding tile is a complicated tile and stores its determination output in a tile type memory 112.例文帳に追加

これと並行して歪計算部１０８では各符号ブロックの各符号化パス単位に歪を計算し歪メモリ１０９に格納する一方、複雑タイル判定部１１１は当該タイルが複雑タイルであるか否かを判定し、その判定出力をタイル種別メモリ１１２に格納する。 - 特許庁

To convert an image data file in a memory or a memory card with image data accumulated or photographed image data into an optically readable code pattern so as to print and output the same from a printer integrated with the digital camera and store the same in a printer-integrated type digital camera.例文帳に追加

プリンタ一体型であるデジタルカメラおいて、画像データが蓄積されているメモリ或いはメモリカード上の画像データファイルまたは撮影した画像データを、光学的に読み取り可能なコードパターンに変換してデジタルカメラに一体化されたプリンタから印刷出力して保存することを可能とする。 - 特許庁

Video data photographed by a video camera 20 is compressed by a compression and decompression circuit 5, the compressed video data is recorded into a built-in semiconductor memory 6 or a disk-type memory 13 fixed in the video camera 20, and the recorded video data is transferred to the external recording device 23.例文帳に追加

ビデオカメラ２０で撮影した映像データは、圧縮伸長回路５で圧縮され、ビデオカメラ２０内に固定された内蔵型半導体メモリ６やディスク形メモリ１３に圧縮された映像データが記録され、記録された映像データは外部記録装置２３に転送される。 - 特許庁

Data are stored in the flash type EEPROM memory, and at least one of route information for storing data, directory information, data file name, data file size, file allocation table information for storing the storage place of data and data write end time is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリにはデータを記憶し、強誘電体メモリにはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 - 特許庁

A memory cell array of a NAND type flash memory is divided into a first cell array and a second cell array, at reading, first voltage is applied to a non-selection word line of the first cell array, second voltage being lower than the first voltage is applied to a non-selection word line of the second cell array.例文帳に追加

NAND型のフラッシュメモリのメモリセルアレイを，第１のセルアレイと第２のセルアレイとに分割し，リード時において，第１のセルアレイの非選択ワード線には第１の電圧を印加し，第２のセルアレイの非選択ワード線には第１の電圧より低い第２の電圧を印加することを特徴とする。 - 特許庁

When a prescribed command for transferring the data of a file and the information management of the file stored in a used PC card type memory 24 is inputted from an operation part 16 or a personal computer, the data are transferred to an image memory 18 or the storage part of the personal computer and stored.例文帳に追加

操作部１６又はパソコンから使用済みのＰＣカード型メモリ２４に記憶されているファイルのデータ及びファイルの情報管理を転送するための所定コマンドが入力されると、それらのデータが画像メモリ１８又はパソコンの記憶部に転送されて記憶されている。 - 特許庁

To prevent characteristics of a memory cell transistor and a selection gate transistor from being deteriorated due to short channel effect or to prevent a contact plug, which is formed in a self-aligned state for a gate electrode of the selection gate transistor, and a gate electrode of the selection gate transistor from causing a short circuit, in an NAND type non-volatile memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリにおいて、メモリセルトランジスタおよび選択ゲートトランジスタの特性がショートチャネル効果により悪化したり、選択ゲートトランジスタのゲート電極に対して自己整合的に形成されたコンタクトプラグと選択ゲートトランジスタのゲート電極がショートすることを防止する。 - 特許庁

To realize an animation display method in a portable type electronic device that achieves the object of being used on a platform with limited memory capacity, realizing the effect of signaling many animations, and using animation image elements repeatedly by saving the amount of memory.例文帳に追加

メモリ容量の制限されたプラットフォーム上で使用され、多数のアニメーションを報知する効果を実現し、メモリ容量を節約しアニメーション画像要素を繰り返し使用する目的を達成することができる携帯型電子装置におけるアニメーション表示方法を実現する。 - 特許庁

An MPEG video control section 5 decides a frame memory number to store decoded pictures and a frame memory number used for decoding based on a video synchronizing signal 18 from a video synchronizing signal generating section 4 and a picture type signal 20 from a variable length code decoder VLD for each stream.例文帳に追加

ＭＥＰＧビデオ制御部５は、ビデオ同期信号発生部４からのビデオ同期信号１８と、可変長符号復号器ＶＬＤからのピクチャタイプ信号２０とにより、ストリームごとに、復号したピクチャを格納すべきフレームメモリ番号と復号に使用するフレームメモリ番号とを決定する。 - 特許庁

In the headphone type music reproducing device 3100, a memory card 209 is removably provided to a headphone main body 3100A that is mounted on an ear of a user to listen to the music, a music data decoder 211 is used to reproduce the music on the basis of music data stored in the memory card 209.例文帳に追加

ヘッドホン型音楽再生装置３１００は、使用者の耳に装着して音楽を聴取可能なヘッドホン本体３１００Ａに着脱可能にメモリカード２０９を設け、音楽データ復号器２１１において当該メモリカード２０９に記憶されている音楽データに基づいて音楽を再生する。 - 特許庁

In a semiconductor memory device, each memory cell includes two inverters respectively composed of first conductivity type driving transistors Qn1, Qn2 and second conductivity type load transistors Qp1, Qp2 which are electrically connected in series between a first power voltage supply line VDD and a second power voltage supply line VSS and of which gates are connected in common and cross-connecting input and output.例文帳に追加

第１の電源電圧供給線ＶＤＤと第２の電源電圧供給線ＶＳＳとの間に電気的に直列接続されてゲートが共通に接続された第１導電型の駆動トランジスタＱｎ１,Ｑｎ２と第２導電型の負荷トランジスタＱｐ１,Ｑｐ２とからそれぞれが構成され、入力と出力が交叉して接続された２つのインバータをメモリセルごとに有する。 - 特許庁

In an image forming apparatus with a memory IC substrate integrated connector to carry out reading and writing of data by being brought into contact with and separated from a connector on an apparatus main body side installed in each developing cartridge end part of a rotary type developing device, the memory IC substrate integrated connector is installed at a drawn part formed on at least one of metal frames supporting the rotary type developing device unit.例文帳に追加

ロータリー式現像器の各現像カートリッジ端部に、本体装置側コネクタが離当接してデータの読み取り／書き込みを行うためのメモリＩＣ基板内蔵コネクタを配置した画像形成装置において、前記メモリＩＣ基板内蔵のコネクタは、ロータリー式現像器ユニットを支持する金属製フレームの少なくとも１つに形成された絞り部に配置される。 - 特許庁

To diversify the memory of characters of an opponent of a competition type game, to collect the characters of the opponent in the competition type game and to store the further fresh characters in accordance with prescribed conditions in order to give a larger satisfaction feel to player at the time of character memory.例文帳に追加

本発明の課題は、対戦型ゲームにおいて、対戦相手のキャラクタの記憶を多様化し、キャラクタ記憶時にプレーヤーにより大きな満足感を与えるために、対戦型ゲームにおいて対戦相手のキャラクタを収集すると所定の条件にしたがって更に新たなキャラクタを記憶することが可能なゲーム装置、そのキャラクタ記憶制御方法、及び記憶媒体を提供することである。 - 特許庁

A memory cell has a first conductivity-type semiconductor step, two second conductivity-type semiconductor regions SBLi, SBLi+1 (i: natural number) functioning as the sources or drains and two mutually insulated memory gate electrodes (CGa or CGb, WL1) facing the sidewalls of the step, interposed with a gate dielectric film CS having charge-storing power.例文帳に追加

第１導電型半導体の段差と、その上部と下部に形成され、ソースまたはドレインとして機能する２つの第２導電型半導体領域ＳＢＬｉ，ＳＢＬｉ＋１（ｉ：自然数）と、電荷蓄積能力を有したゲート誘電体膜ＣＳを介在させて段差の側壁にそれぞれ対峙し、かつ互いに絶縁された２つのメモリゲート電極（ＣＧａまたはＣＧｂ，ＷＬ１）とを有している。 - 特許庁

Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.例文帳に追加

ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

The charge trap insulator memory comprises a lower word line, a P type float channel for retaining a floating state formed above the lower word line, a charge trap insulator formed above the P type float channel and storing data, an upper word line formed above a charge trap insulator in parallel with the lower word line, and an N type drain region and an N type source region formed on both sides of the float channel.例文帳に追加

下部ワードラインと、下部ワードラインの上部に形成されフローティング状態を維持するＰ型フロートチャンネルと、Ｐ型フロートチャンネルの上部に形成されデータが格納されるチャージトラップインシュレータと、チャージトラップインシュレータゲートの上部に下部ワードラインと平行に形成された上部ワードラインと、フロートチャンネルの両側に形成されたＮ型ドレイン領域及びＮ型ソース領域とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The ferroelectrics memory cell used for an FeRAM element includes a first active region 10 including the gate of a depletion type transistor, a second active region 20 including the gate of an enhancement type transistor and abutting on the first active region 10, a word line 66 connected with the gates of the depletion type and enhancement type transistors, and a ferroelectrics capacitor for storing data therein and connected with the drain of the enhancement type transistor.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ素子に用いられる強誘電体メモリセルにおいて、空乏形トランジスタのゲートを含む第１活性領域１０と、エンハンスメント形トランジスタのゲートを含んで、前記第１活性領域と接する第２活性領域２０と、前記空乏形トランジスタのゲート及び前記エンハンスメント形トランジスタのゲートが接続されているワードライン６６と、データを貯蔵し、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインに接続された強誘電体キャパシタとを含んでなる。 - 特許庁

To adjust the dispersion of an electron emission characteristic when each surface-conductive type electron emission element constituting a multi- electron source provided with the surface-conductive type electron emission element is driven at a constant current by applying a method for equalizing the characteristic by utilizing the memory capability of the electron emission characteristic of the electron emission element, in particular, the surface- conductive type emission element.例文帳に追加

電子放出素子、とりわけ、表面伝導型放出素子の電子放出特性のメモリ性を利用して特性を揃える方法を応用して、表面伝導型電子放出素子を多数個備えたマルチ電子源を構成する各表面伝導型放出素子を定電流駆動時に電子放出特性のバラツキを調整する。 - 特許庁

Information of memory cards inserted to 1st-4th slots of an active system storage device section 11 is used for e.g. exchange control program storage, station database storage, charging database storage and fault information storage so as to locate a type of data stored in each memory card, each of the data is expanded in a main memory provided in a main controller 17 and switching control is conducted.例文帳に追加

運用系記憶装置部１１の第１〜第４のスロットに挿入されるメモリカードの情報を、例えば交換機制御プログラム格納用、局データベース格納用、課金データベース格納用、障害情報格納用としてメモリカードごとに格納されるデータの種別を特定し、これら各データを主制御装置１７に備えられたメインメモリに展開してから、交換制御を行う。 - 特許庁