「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The device is provided with a memory and a processor, which is configured to select a type of channel information feedback based on a reporting format of a wireless communication device, and the processor is configured to select the type based on instructions corresponding to the reporting format.例文帳に追加

メモリと前記メモリに結合され、無線通信装置の報告フォーマットに基づいてチャネル情報フィードバックのタイプを選択するよう構成されたプロセッサとを具備し、前記プロセッサは前記報告フォーマットに対応する指示に基づいて前記タイプを選択するよう構成されている。 - 特許庁

The ferroelectric memory includes a ferroelectric capacitor on which a lower electrode 10, capacitance insulation film 12 composed of the ferroelectric film with a perovskite-type crystal structure, and an upper electrode 13 are formed to be laminated in this order on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、ｐ型半導体基板１上に、下部電極１０、ペロブスカイト型結晶構造を持つ強誘電体膜からなる容量絶縁膜１１及び上部電極１２がこの順に積層して形成された強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

To enable performing simply and surely test mode entry without increasing circuit scale of a semiconductor memory and reducing integration regardless of synchronous type or asynchronous type of a semiconductor device, in a semiconductor device and its test method.例文帳に追加

本発明は半導体装置及びその試験方法に関し、半導体装置が同期型であるか非同期型であるかに関わらず、半導体装置内の回路を大規模化及び集積度の低下を招くことなく、簡単、且つ、確実にテストモードエントリを行うことを可能とすることを目的とする。 - 特許庁

A memory cell 11 includes an irreversible storage element 12, of which the write-in voltage is applied to the one end to write data by an insulating film destruction, and write-in gate N type and read-out gate N type transistors 13, 14, of which one end of each is connected to another end of the irreversible storage element.例文帳に追加

メモリセル１１は、一端に書き込み電圧を印加され絶縁膜破壊でデータを書き込む不可逆性記憶素子１２と、一端が前記不可逆性記憶素子の他端に接続される書き込みゲートＮ型及び読み出しゲートＮ型トランジスタ１３、１４とを備える。 - 特許庁

Then, the probability for the data held in the memory cell at powering up being set to "0" is made high by making the impedance of the first P channel-type MOS transistor 21 of the first inverter INV1 larger than the impedance of the second P channel-type MOS transistor 23 of the second inverter INV2.例文帳に追加

そして、第１のインバータＩＮＶ１の第１のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１のインピーダンスを、第２のインバータＩＮＶ２の第２のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ２３のインピーダンスより大きくすることにより、電源投入時にメモリセルに保持されるデータが「０」になる確率を高くした。 - 特許庁

On the other hand, a binary/multivalued selector 7 and a binary type flash sequencer 6a and a multivalued type flash sequencer 6b included in a flash interface 6 are functioned on the basis of the integrated physical address and the management data and the user data are transmitted/received by distributing these data to the memory 2 and the memories 31 to 33.例文帳に追加

その一方、統合物理アドレスに基づいて、２値／多値セレクタ７、フラッシュインターフェース６の有する２値型フラッシュシーケンサ６ａ及び多値型フラッシュシーケンサ６ｂが機能し、２値型フラッシュメモリ２と多値型フラッシュメモリ３１〜３３に振り分けて管理データとユーザデータの授受が行われる。 - 特許庁

To provide an integrated circuit apparatus and electronic equipment in which control of P type and N type MOS transistors constituting a transfer gate connected to a memory cell at the time of reading and erasing modes and programming can be changed to secure breakdown voltage and a sub-word line decoder which can be reduced in area is mounted.例文帳に追加

耐圧確保のために、リード及び消去モードとプログラム時とで、メモリセルに接続されたトランスファーゲートを構成するＰ型及びＮ型ＭＯＳトランジスタの制御を変更でき、かつ、小面積化を達成できるサブワード線デコーダを搭載した集積回路装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

When a certain type of fixed carrier frequency is already unavailable or another type of carrier frequency is available of the network 1, the unit 23 receives an instruction signal from a line network supplier 4, for example, and changes the contents of the memory 22 according to the instruction signal.例文帳に追加

配電線路網１上の或る決まった搬送周波数がもはや利用可能でないか又は他の搬送波周波数が利用可能になっていると、制御ユニット２３は、例えば、線路網供給者４から命令信号を受信しかつそれに従ってメモリ２２の内容を変更する。 - 特許庁

A memory management module 1002 specifies the type of a job whose execution frequency is high by referring to a job log 1006, and specifies a process whose execution frequency is high based on the type of the specified job and a job process table 1007, and manages the specified process as a process inhibiting swap-out.例文帳に追加

メモリ管理１００２は、ジョブログ１００６を参照して実行頻度の高いジョブの種類を特定し、特定されたジョブの種類とジョブプロセステーブル１００７とに基づいて実行頻度の高いプロセスを特定し、当該プロセスをスワップアウトを禁止するプロセスとして管理する。 - 特許庁

When receiving an order with personal information of a user including an address, a name, and a birth date or the like, and order information including a machine type, quantity, and a telephone number, a cellphone device and a SIM (Subscriber Identification Memory) card are specified in accordance with the machine type and the quantity in the order information.例文帳に追加

住所、氏名及び生年月日等の利用者の個人情報、並びに機種及び数量、並びに電話番号を含む注文情報を指定した注文を受けると、当該注文情報における機種及び数量に対応して携帯電話装置及びＳＩＭカードを特定する。 - 特許庁

The method also includes allocating a portion of space in the first type of storage to serve as a cache memory during a write operation and/or a read operation, and reducing a latency associated with the response to a write request and/or a read request through performing the corresponding write operation and/or the read operation through the first type of storage.例文帳に追加

第１のタイプのストレージの一部を、書き込み動作および／または読み取り動作の間にキャッシュメモリとして割り当て、第１のタイプのストレージを通じた書き込み動作および／または読み取り動作を実行することによって、各要求の応答待ち時間を削減する。 - 特許庁

At this time, the descending-drive determination part 82 reads out a descending-drive time according to a type of a selected sheet from a memory 84 based on a sheet type signal from a sheet setting part 39, and continues descending-drive of the lift plate 31 until elapse of a descending start time.例文帳に追加

このとき、下降駆動判定部８２は、シート設定部３９からのシート種別信号に基づいて、選択されたシートの種類に応じた下降駆動時間をメモリ８４から読み出し、当該下降起動期間が経過するまで、リフト板３１の下降駆動を継続する。 - 特許庁

For instance, the multiphase type power supply unit comprises: a micro controller unit (MCU); a memory unit (MEMU); a power supply control unit (PCTLIC1) where an analog controller unit (ACU) is formed on a chip; a plurality of PWM-mounted type drive units (PSIP); and a plurality of inductors (L).例文帳に追加

例えば、マイクロコントローラユニットＭＣＵ、メモリユニットＭＥＭＵ、及びアナログコントローラユニットＡＣＵが１チップ上に形成された電源制御ユニットＰＣＴＬＩＣ１と、複数のＰＷＭ搭載型駆動ユニット（ＰＳＩＰ）と、複数のインダクタ（Ｌ）によってマルチフェーズ電源を構成する。 - 特許庁

When implementation of a new AP board 3 is detected, a main control board 1 detects a type number 23 of the new AP board 3, and detects an existing AP board 2 having the same type number 22 and operable under the same program as in the case of the new AP board 3 by referring to an implementation information memory 6.例文帳に追加

主制御ボード１は、新規ＡＰボード３の実装を検出すると、種別番号２３を検出し、実装情報メモリ６の参照により新規ＡＰボード３と同一の種別番号２２を有し、同一のプログラムで動作する既設ＡＰボード２を検出する。 - 特許庁

An improved split gate type non-volatile memory cell having in a substrate a second conductivity first region, a second conductivity second region, and a channel region between the first region and the second region is formed in a substantially single crystal substrate of the first conductivity type.例文帳に追加

基板内の第２の電導型の第１の領域と、第２の電導型の第２の領域と、第１の領域と第２の領域との間のチャネル領域とを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性メモリ・セルが、第１の導電型の実質的に単結晶の基板内に作製される。 - 特許庁

The mobile terminal is provided with: a non-contact type IC card function unit 13 which performs data communication with a non-contact type IC card terminal 12; a memory unit 15 which memorizes a correspondence table showing a plurality of pieces of life pattern information, a plurality of pieces of alarm schedule information, and a correspondence relation thereof; and a control unit 14.例文帳に追加

非接触型ＩＣカード端末１２とデータ通信を行う非接触型ＩＣカード機能部１３と、複数の生活パターン情報、複数のアラーム予定情報及びそれらの対応関係が示された対応テーブルを記憶する記憶部１５と、制御部１４を備える。 - 特許庁

Recovery box identifying information stored in a memory means 86 to discriminate the recovery box is also transmitted, the information control center discriminates a type of the recovery box to be recovered by the identification information, and dispatches the carrying vehicle having the unaccumulated recovery box of the type for the recovery.例文帳に追加

記憶手段８６に記憶された、回収箱を識別する回収箱識別情報も送信され、情報管理センタは、識別情報によって回収すべき回収箱の形式を識別し、その形式の未蓄積の回収箱を保有する運搬車両を回収に向かわせることができる。 - 特許庁

This storage device is provided with a nonvolatile memory 1, the security lock mechanism 2 determining permission/prohibition of access to the nonvolatile memory 1 according to a previously decided type of authentication procedure, a means writing deletion data for deleting data inside the nonvolatile memory 1, and an I/F 3 accessible to the nonvolatile memory 1 when access is allowed by the security lock mechanism 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ１と、あらかじめ決められた種類の認証手順により不揮発性メモリ１へのアクセスの可否を判断するセキュリティーロック機構２と、セキュリティロック機構２の解除に一定数回連続して失敗した場合は不揮発性メモリ内のデータを消去するための消去用データを不揮発性メモリ１に書き込む手段と、セキュリティロック機構２によりアクセス可になった場合に不揮発性メモリ１にアクセス可能なＩ／Ｆ３とを具備することを特徴とする記憶装置。 - 特許庁

In this case, the opening changes according to the difference in the channel-shape and inner volume of the torch, thus identifying the type of the torch, by comparing information stored in a memory 27 with a detected control voltage value.例文帳に追加

トーチの流路形状や内容積の違いにより開度が変わるため、メモリ２７に格納しておいた情報と検知した制御電圧値とを比較することでトーチの種類を識別することができる。 - 特許庁

A current gain for making current injected into the p- type well 102 from the low-impedance voltage source 118 to be minimum is obtained and the fluctuation of the memory cell from the low-impedance voltage source 118 is set minimum.例文帳に追加

メモリデバイスのドレイン電圧はその後、バイポーラトランジスタにより、基準電圧からダイオードの電圧降下を引いた値まで、バイアスをかけられ、これは、メモリデバイスのドレイン−ウェルの破壊電圧と一致する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of junction leakage in a drain contact hole and hence to prevent element malfunction, and to reduce the size of a unit cell in an SONOS-type non-volatile memory element and hence to improve an integration degree.例文帳に追加

ドレインコンタクトホールでのジャンクションリーケージの発生を予防して、素子誤動作を防止することができ、ＳＯＮＯＳ型不揮発性メモリ素子の単位セルのサイズを減らして集積度を向上させる。 - 特許庁

Each memory cell comprises diffused layers 2 and 3, which is formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, to be a source/drain region, and a channel region 4 formed between the diffused layers 2 and 3.例文帳に追加

本発明の各メモリセルは、ｐ型シリコン基板１表面に形成されたソース／ドレイン領域となる拡散層２，３と、これら拡散層２，３の間に形成されたチャネル領域４とを有する。 - 特許庁

To provide a synchronous type semiconductor memory having a data transmission circuit allowing the burst length to be changed and the write and read operation to be changed according to the change of the operation system for writing input data and reading output data.例文帳に追加

バースト長の変更ができ、入力データの書込み及び出力データの読出動作方式の変化により書込み読出動作が変更可能なデータ伝送回路を有する半導体メモリ装置。 - 特許庁

In a bit line contact of a NAND type flash memory, a first contact opening CH1, a second contact opening CH2a, and a third contact opening CH2b are provided, constituting a stacked contact.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのビット線コンタクトには、スタックドコンタクトを構成する第１のコンタクト開口部ＣＨ１、第２のコンタクト開口部ＣＨ２ａ、及び第３のコンタクト開口部ＣＨ２ｂが設けられる。 - 特許庁

Memory type liquid crystal consumes electric power only when opened or closed, so the power consumption is reducible in whichever state between a normally shielded state and a normally exposed state the shutter is.例文帳に追加

メモリー性液晶ならば、開閉時のみに電力を消費するので、シャッターを常に遮蔽状態、又は常に露呈状態のいずれの状態にした場合でも消費電力を削減することができる。 - 特許庁

The circuit element which is formed in the cross-point functions as a data storage device in the memory array, and it also functions as a connection part for a substitution-type addressing mechanism used to address the element inside the array.例文帳に追加

交点に形成された回路エレメントは、メモリアレイのデータ記憶デバイスとして機能し、かつアレイのエレメントをアドレス指定するための置換型アドレス指定機構用の接続部として機能する。 - 特許庁

The image forming apparatus is characterized in that a contact part of the contact type memory tag does not contact a main body side contact connector when the process cartridge before starting use from which a toner seal is not removed is attached.例文帳に追加

トナーシールを除去していない使用開始前プロセスカートリッジが装着された場合には、接触式メモリータグの接点部と本体側接点コネクタが接触しないことを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of suppressing characteristic variance, by which a high operation rate can be obtained, among resistance variation type nonvolatile memory elements, a structure, and a manufacturing method.例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性記憶素子における、高い動作率を得ることができ素子間の特性ばらつきを抑制することができる半導体記憶装置、構造、及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transflective liquid crystal display device which has proper directions of: a reflective polarizing plate; a polarizing plate; and alignment of liquid crystal molecules of a memory type liquid crystal.例文帳に追加

適切な反射型偏光板の方向、偏光板の方向及びメモリ性液晶の液晶分子の配列方向を有する半透過反射型の液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a storage device, a storage method, and an accessing method for a storage device in which simultaneous access for a region of a plane type can be realized without requiring access of a plurality of times and a temporary memory.例文帳に追加

複数回のアクセスや一時的なメモリを必要とすることなく、面状の領域への同時アクセスを実現することが可能な記憶装置、記憶方法、および記憶装置のアクセス方法を提供する。 - 特許庁

The first agent for forming two bath type shape-memory permanent wave comprises an organic solvent-soluble silicone, a nonionic surfactant and a keratin having ≤20,000 average molecular weight and optionally further comprises a reducing agent.例文帳に追加

可溶性有機溶媒ケイ素と非イオン界面活性剤と平均分子量２０，０００以下のケラチンを含有する或いは更に還元剤を含有する二浴式形状記憶ウェーブ形成用１剤。 - 特許庁

There are provided a charge trap type memory device comprising a substrate and a gate structure having a charge trap layer formed of the complex of a nano particle on the substrate, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明によれば、基板と、この基板上にナノ粒子の複合体で形成された電荷トラップ層を有するゲート構造体と、を備える電荷トラップ型メモリ素子と、その製造方法が提供される。 - 特許庁

To enable suppressing occurrence of a program disturb failure and also degradation in an error correction capability of an ECC circuit in a NAND type flash memory with the ECC circuit.例文帳に追加

本発明は、ＥＣＣ回路を備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、Ｐｒｏｇｒａｍ Ｄｉｓｔｕｒｂ不良の発生のみならず、ＥＣＣ回路のエラー訂正能力の低下を抑制できるようにする。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

In response to the command of the user, identification information is extracted from broadcasting being on the air of a piece of music concerned by the user or the other type information at present, and stored in a memory or other storage device.例文帳に追加

ユーザのコマンドに応答して、識別情報が、ユーザの関心のある曲または他のタイプの情報を現在流している放送から抽出されて、メモリまたは他の記憶装置に格納される。 - 特許庁

In the case of reproduction, the record is read from these semiconductor memory, etc., and the desired moving image or still image is reproduced in the optional reproduction order based on the type index, the staring information and the ending information.例文帳に追加

再生時にはこれら半導体メモリ等からレコードを読出し、種別指標と開始情報と終了情報に基づき所望の動画または静止画を任意の再生順序で再生する。 - 特許庁

To display a television image on a display device of a computer system without the need for a particular display of a type compatible with the frequency of a synchronizing signal of a television signal and for a frame memory for the television image.例文帳に追加

テレビジョンの同期信号の周波数に対応可能なタイプの特別なディスプレイや、テレビジョン画像のためのフレームメモリを必要とせずに、テレビジョン画像をコンピュータシステムの表示デバイスに表示する。 - 特許庁

The monitoring unit 3 has a unit control part 32 which conducts data processing on the basis of the switching-on information from the electronic type breaker, an indication circuit 33 and a memory device 35 which stores the result of the data processing.例文帳に追加

監視ユニット３は、電子式ブレーカからの通電情報に基づいてデータ処理を行なうユニット制御部３２と、表示回路３３と、データ処理の結果を記憶するメモリ装置３５と、を有している。 - 特許庁

This can enhance the degrees of freedom of a chip layout and a lead layout of a substrate 3 to improve the package density on the substrate in a chip lamination type-semiconductor device (memory card).例文帳に追加

これにより、チップレイアウトの自由度と基板３のリードレイアウトの自由度を向上させることができ、チップ積層タイプの半導体装置（メモリカード）における基板上での実装密度を向上できる。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory for improving operation speed and data throughput by simultaneously performing programming and read operations for plural planes in response to a chip enable signal containing plural bits.例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリにおいて、複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.例文帳に追加

非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a display apparatus that can execute an application program even when a card type recording medium with the application program recorded is unloaded, by efficiently using a memory for recording it.例文帳に追加

アプリケーションプログラムが記録されているカード型記録媒体が未装着であっても、これを記録するメモリを効率的に利用することにより、該アプリケーションプログラムを実行できる表示装置を提供する。 - 特許庁

A reading frequency management part 23 counts a reading frequency in each block each time any page included in the block of the NAND type flash memory device 130 is read, and writes it into a prescribed block.例文帳に追加

読込回数管理部２３はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置１３０のブロックに含まれるいずれかのページが読み出されるたびに読出回数を各ブロック毎にカウントし、所定のブロックに書き込む。 - 特許庁

To provide a transflective liquid crystal display device which has proper directions of: a reflective polarizing plate; a polarizing plate; and alignment of liquid crystal molecules of a memory type liquid crystal.例文帳に追加

適切な反射型偏光板の方向、偏光板の方向及びメモリ性液晶の液晶分子の配列方向を有する透過反射型の液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the operation of reproduction stop is performed in the middle of reproducing image data, a resume information storage control section 212 stores a resume point indicating a stop position in a memory for each reproduction type of image data.例文帳に追加

レジューム情報記憶制御部２１２は、画像データを再生している途中で、再生停止の操作がされた場合、停止位置を示すレジュームポイントを画像データの再生種別ごとにメモリに記憶させる。 - 特許庁