「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

The intermediate insulation film of the split gate type memory transistor 51 includes a silicon oxide film 25 (thermal oxide film), a silicon oxide film 37 (HTO film), a side part insulation film 29a and a silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加

スプリットゲート型メモリトランジスタ５１の中間絶縁膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）、側部絶縁膜２９ａおよびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁

A logic LSI is integrated into one chip together with a logic FET wherein a high-permittivity insulation film as a gate insulation film and a gate electrode are provided, so as to constitute the charge-trap type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜としての高誘電率絶縁膜及びゲート電極を有するロジックＦＥＴと共に、１チップ内に混載することによりロジックLSIを半導体基板上に構成する。 - 特許庁

To achieve a technique capable of discriminating a card type if a memory card different from the original is mounted on a card slot by the use of a card adaptor, and capable of properly controlling a system to fit to the card.例文帳に追加

カードアダプタを利用してカードスロットに本来とは異なるメモリカードが装着されている場合でもカードの種類を判別でき、当該カードに合った適切な制御を行うことができる技術の実現。 - 特許庁

At the time of standby, both ends of a variable resistance type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by each pre-charge circuit 402 of a bit line and a source line.例文帳に追加

スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子４０３の両端、即ち、ビット線ＢＬとソース線ＳＬとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路４０２によりプリチャージ電位Ｖｐに設定される。 - 特許庁

Thumb nails by thumb nail picture image data of the type selected from the plural types of thumb nail picture image data in the memory 7 are list-displayed on a display part 10 and the preserved pictures can be confirmed at a glance.例文帳に追加

保存用メモリ７の複数種類のサムネイル画像データのうちから選択された種類のサムネイル画像データによるサムネイルが表示部１０に一覧表示されて保存画像を一目で確認できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor recording device capable of achieving both error resistance and transfer performance in write and read by an optimum iterated code constitution in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける最適な積符号構成により、誤り耐性と、ライトおよびリードにおける転送性能を両立できる半導体記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Inversion layers of the opposite conductive type to that of the semiconductor substrate are formed in regions of the semiconductor substrate around and between the trench gates during write operations and read operations of the memory cells.例文帳に追加

メモリセルの書き込み動作及び読み出し動作のとき、トレンチゲートの周囲及び間の前記半導体基板の領域に、前記半導体基板とは逆導電型の反転層が形成される。 - 特許庁

If an error is caused during writing on one page in data writing to the nonvolatile memory 110, an error type and a physical address of the error causing page are specified by an error page specification part 128.例文帳に追加

不揮発性メモリ１１０にデータを書き込む際に、あるページへの書き込み中にエラーが発生したときに、エラーページ特定部１２８によってエラーの種類とエラーが生じたページの物理アドレスを特定する。 - 特許庁

The methods are as follows: (1) A formatting method for a phase change type optical disk in which recording is performed in a program memory area region with recording power stronger than recording power in formatting a program region is provided.例文帳に追加

（１）相変化型光ディスクのフォーマットにおいて、プログラム領域をフォーマットする時の記録パワーよりも高い記録パワーでプログラムメモリーエリア領域の記録を行なう相変化型光ディスクのフォーマット方法。 - 特許庁

Then high-concentration n-type impurity regions 151 which become parts of bit lines BL are formed on a substrate 10 by performing ion implantation by using regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

次に、ＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入し、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる高濃度Ｎ型不純物領域１５１を形成する。 - 特許庁

Capacitor elements (S) having the same structure as a memory cell capacitor (MS) are arranged along a row or column direction, these capacitor elements are coupled in parallel, and a capacitor type anti-fuse is realized.例文帳に追加

メモリセルキャパシタ（ＭＳ）と同一構造を有する容量素子（Ｓ）を、行または列方向に沿って整列して配置し、これらの容量素子を並列に結合して、キャパシタ型アンチヒューズを実現する。 - 特許庁

A CPU 1 executes the first operating system from the mask ROM 4 when it is started, the first operating system reads the second operating system from the AND type flash memory 5 and executes it in place of itself.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、起動時に、マスクＲＯＭ４から第１オペレーティングシステムを実行し、第１オペレーティングシステムは、ＡＮＤ型フラッシュメモリ５から第２オペレーティングシステムを読み出して自らの代わりに実行させる。 - 特許庁

To provide an operation control system and circuit constitution realizing operation speed increase, power consumption reduction, and chip area reduction in a twin storage type semiconductor memory.例文帳に追加

本発明は、ツインストレージ型の半導体記憶装置において、速度向上、消費電力削減、及びチップ面積削減を実現する動作制御方式・回路構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, the inspection reference data of the fillet type corresponding to the calculated height of the cream solder is read from the inspection reference database and associated with the set data of the land window to be registered in the memory of an inspection device.例文帳に追加

さらに、算出されたはんだ高さに対応するフィレットタイプの検査基準データを検査基準データベースから読み出し、ランドウィンドウの設定情報に対応づけて、検査装置のメモリに登録する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type non-volatile semiconductor memory provided with a measure for dispersion at the time of manufacturing and temperature dependency of inversion voltage of ferroelectric materials, and being superior to disturbance resistance.例文帳に追加

製造時のばらつき、強誘電体材料の反転電圧の温度依存性に対する対策を備え、しかも、ディスターブ耐性に優れた強誘電体型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To update firmware in a flash type memory directly from an external terminal without preliminarily incorporating a firmware-updating function into the function of firmware concerning a firmware-operated processing device.例文帳に追加

ファームウェアで動作する処理装置に関し，ファームウェアの更新機能を予めファームウェアの機能に盛り込まなくても，外部端末から直接フラッシュメモリ内のファームウェアの更新を行うことを可能とする。 - 特許庁

To provide a learning type remote control unit capable of measuring, storing, imitating, and reproducing a burst pulse signal period of a remote control of a desired apparatus by a comparatively low performance microcomputer and a low capacity memory.例文帳に追加

比較的低性能のマイコンと低容量のメモリーで所望の機器のリモコンのバーストパルス信号周期を測定、記憶し、模倣、再現する学習リモートコントロール装置を提供するものである。 - 特許庁

Thus, more effective learning in a shorter period of time than the learning by the mobile communication terminal 28 with larger restrictions in processing speed, memory, etc., compared with a stationary type computer or the like can be realized.例文帳に追加

これにより、固定型のコンピュータ等に比べて処理速度やメモリ等の制限の大きい移動通信端末２７において学習を行う場合に比して、短時間で効率のよい学習が可能とされる。 - 特許庁

An N well 8 is formed in a P-type semiconductor substrate 1, a P well 9 is further formed in the N well 8, and a nonvolatile semiconductor memory device main part 12 is formed on a surface of the P well 9.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＮウエル８を形成し、さらにＮウエル８内にＰウエル９を形成し、Ｐウエル９表面に不揮発性半導体記憶装置主部１２を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of the phase change memory using chalcogenide type material, after depositing chalcogenide and after processing a desired shape, the substrate is first washed by a first clearing solvent containing hydrogen fluoride, nitric acid or hydrogen fluoride and nitric acid, and an acetic acid.例文帳に追加

カルコゲナイドを成膜後及び所望の形状に加工した後に、まずフッ化水素と硝酸またはフッ化水素と硝酸と酢酸を含有した第１の洗浄液により基板を洗浄する。 - 特許庁

To quickly and efficiently draw a multiwindow GUI which supports the drawing of a transparent area in a device of which the execution speed is slow, the memory capacity is small and the free area type can not be used.例文帳に追加

実行速度が遅くメモリ容量も少なく自由領域型を使用できないデバイス上において、透過領域の描画をサポートしたマルチウィンドウＧＵＩを高速かつ効率的に描画する。 - 特許庁

In a SRAM, a power source of a word line driver 21 is supplied from a series node of a first transistor and a second transistor being same type and same size as a transfer transistor and a driver transistor of a memory cell 22 respectively.例文帳に追加

ＳＲＡＭは、メモリセルのトランスファトランジスタ及びドライバトランジスタと夫々同型式、同サイズの第１トランジスタ及び第２トランジスタの直列ノードからワード線ドライバの電源を供給する。 - 特許庁

To provide a NAND type memory array in which a speed in the case of reading can be prevented from lowering by separating a well and a bit line, a reading method, a programming method and an erasing method using the same.例文帳に追加

ウェルとビットラインを分離させて読出時の速度遅延を防止することが可能なＮＡＮＤ型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

At standby time, both ends of a resistance variation type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by respective pre-charge circuits 402 of the bit line and the source line.例文帳に追加

スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子４０３の両端、即ち、ビット線ＢＬとソース線ＳＬとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路４０２によりプリチャージ電位Ｖｐに設定される。 - 特許庁

The IC card 1 transmits request response, assigning the manufacturer code stored on the memory 15, the type of card, the lot number, and the manufacturing number as a PUPI (Pseudo-Unique Proximity IC card Identifier), with respect to a request signal from the reader writer 20.例文帳に追加

ＩＣカード１は、リーダライタ２０からのリクエスト信号に対して、メモリ１５に記憶された製造者コード、カード種、ロット番号及び製造番号をＰＵＰＩとしたリクエスト応答を送信する。 - 特許庁

When an area of a memory 11, in which the value of the variables var3 are written, is regarded as single precision floating point type data and accessed, the value can be used as a result of the shift operation of the floating point number x.例文帳に追加

ｖａｒ３の値を書き込んだメモリ１１の領域を単精度浮動小数点型データとみなしてアクセスすれば、浮動小数点数ｘのシフト演算の結果として値を利用できる。 - 特許庁

Identification information is extracted from a current broadcast of a piece of music or other type of information of interest to a user, and stored in a memory or other storage device, in response to a user command.例文帳に追加

ユーザのコマンドに応答して、識別情報がユーザの関心のある曲又は他のタイプの情報を現在流している放送から抽出されて、メモリ又は他の記憶装置に格納される。 - 特許庁

Further, the display device, when instructed to display the related image, makes the memory type display body display the related image corresponding to the image data stored in the second VRAM in the normal mode.例文帳に追加

また、表示装置は、関係画像を表示するよう指示されると、通常モードにおいて、第２のＶＲＡＭに記憶された画像データに応じた関係画像を記憶性表示体に表示させる。 - 特許庁

To provide a highly reliable cluster type vacuum treatment apparatus capable of coping with the increase of processes, alteration and the increase of the number of simultaneously processed works even when basic control is executed in a PLC with a small memory capacity.例文帳に追加

メモリ容量が少ないＰＬＣで基本制御しても、処理工程の増加や改造及び同時処理ワーク数の増加に対応できる信頼性の高いクラスタ型真空処理装置を供給する。 - 特許庁

The broadcast receiving device restores the received broadcast signal to a video signal and performs movement adaption type sequential scanning conversion processing by using the video signal having been delayed by a video memory part 26.例文帳に追加

受信した放送信号から映像信号を復元し、映像メモリ部２６で遅延した映像信号を用いて動き適応型の順次走査変換処理を施す放送受信装置である。 - 特許庁

To make a lens interchangeable type camera applicable to a camera body having an image pickup element of a different configuration without increasing the size of a memory and, in addition, to enable the system to reduce the deterioration of picture qualities caused by shading.例文帳に追加

レンズ交換式のカメラシステムに於いて、メモリが大型化することなく、異なる構成の撮像素子を有したカメラボディにも適用可能で、且つシェーディングによる画質の低下を低減すること。 - 特許庁

To read out data stably without reducing access speed and increasing circuit area by performing simultaneously bit line reset operation in a read-out cycle of a flash memory of a NOR type and read-out operation.例文帳に追加

ノアタイプのフラッシュメモリの読み出しサイクルにおけるビット線リセット動作を読み出し動作と並行して行い、アクセス速度の低下や回路面積の増大を招くことなく安定にデータを読み出す。 - 特許庁

A data communication section 26 for communicating data with the non-contact type memory IC 14 is provided to a case set section 20 of the recorder to which the ink containing bag 11 is set.例文帳に追加

インク収容袋１１をセットする記録装置のケースセット部２０には、非接触型メモリＩＣ１４との間で、非接触状態にてデータの受け渡しを行うデータ受け渡し部２６を設ける。 - 特許庁

To provide a network corresponding type lighting control system with high performance capable of conducting operation same as a lighting control controller with a remote monitor and making the use of many memory resources unnecessary.例文帳に追加

遠隔モニタが、照明制御コントローラと同等の操作を行うことができるとともに多くのメモリ資源を使う必要がなくなる優れたネットワーク対応型照明制御システムを提供する。 - 特許庁

To prevent influence of an element reducing reliability possessed by end cells in NAND-connected cells, that is, a cell of the most upper part or the lowest part of a series string, in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＮＡＮＤ接続されるセルの中の端セル、即ち、連続ストリングの最上部または最下部のセルが持っている信頼性を低下させる要素の影響を防止する。 - 特許庁

To make an arbitratin means for contention, in a semiconductor storage device having a pseudo-SRAM and a flash-type memory in a multichip package (MCP) when a transmission request is made from an external CPU while internal data are transmitted.例文帳に追加

フラッシュメモリと擬似ＳＲＡＭをＭＣＰにした半導体記憶装置において、内部データ転送動作中に外部ＣＰＵから転送要求があったときの競合調停を可能とする。 - 特許庁

The non-polar type nonvolatile memory element is formed by utilizing the characteristics in which a resistance value changes depending on a change in voltage applied to an oxide film by a single electrode, wherein the oxide film is an oxide film made of aluminum.例文帳に追加

単一電極による酸化膜への電圧の変化によって抵抗値が変わる特性を利用したノンポーラ型の不揮発性メモリー素子であって、その酸化膜がアルミの酸化膜である。 - 特許庁

A memory element obtained by anodizing a bulk aluminum plate or an aluminum thin film formed by sputtering or evaporation coating, in a solution of oxalic acid or sulfuric acid, especially exhibits excellent characteristics as a non-polar type.例文帳に追加

バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。 - 特許庁

This delay time inserting device comprises an event memory for storing the timing data and event type data of each event and a means for inserting the delay time into the timing data of the specified event.例文帳に追加

この遅延時間挿入装置は、各イベントのタイミングデータとイベントタイプデータを格納するためのイベントメモリと、指定されたイベントのタイミングデータに遅延時間を挿入する手段とにより構成されている。 - 特許庁

To provide a laminate type electrophotographic photoreceptor, provided with superior sensitivity characteristics that can effectively suppress the occurrence of a photo memory generated by external light, and to provide an image forming device provided with the photoreceptor.例文帳に追加

外光により発生するフォトメモリの発生を効果的に抑制することができ、かつ、優れた感度特性を備えた積層型電子写真感光体及びそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit adds a value obtained by adding a particular potential stored in a particular potential storage to a threshold stored in an adjacent memory cell threshold storage to a gate potential of the source line side depletion-type FET, in the read operation.例文帳に追加

制御回路は、読み出し時に、隣接メモリセル閾値記憶部に記憶された閾値に特定電位記憶部に記憶された特定電位を足した値を、ソース線側デプレッションタイプＦＥＴのゲート電位に加える。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a resistance variable layer 7 having a value of resistance varied with an application of a voltage, constituting a resistance variable type memory element and formed on the second electrode 6 while being in contact with the second electrode.例文帳に追加

また、さらに、電圧の印加により抵抗値が変化し、抵抗変化型の記憶素子を構成し、第２電極６上に接して形成された抵抗変化層７を含む半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a data drive type information processing device capable of performing a functional packet copy for speedily reading large data of indefinite length from a memory without affecting the other packet flows.例文帳に追加

メモリから不定長の大容量データを高速に読出すための機能的なパケットコピーを行ない、かつパケットコピーが他のパケットフローへの影響を及ぼさないようなデータ駆動型情報処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an encryption type memory card for reproducing data by quickly performing authentication or the transfer of a cryptographic key even when a processing capability is low, and for preventing the illegal reading of the cryptographic key.例文帳に追加

処理能力が低くても迅速に認証や暗号鍵の受け渡しを行ってデータを再生でき、しかも、暗号鍵の不正な読出しを防止できる暗号化方式のメモリーカードを提供する。 - 特許庁

The DRAM cell is a memory cell (two-device type DRAM) including first and second transfer devices in a completely deplete state each including one body(semiconductor rail), and first and second diffusion electrodes.例文帳に追加

一つの本体（半導体レール）領域と第１および第２の拡散電極を各々含む完全に空乏状態の第１および第２の転送デバイスを有するメモリ・セル（２素子型ＤＲＡＭ）である。 - 特許庁