「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

For expanding RGB gradation data to a band memory 105, when an intermediate code indicates that a type of a picture is other than an image and a pattern is a solid or a binary pattern, and the RGB gradation value is "00000000 (binary)" or "11111111 (binary)", the RGB gradation data are processed as Gray data and simply expanded in the band memory.例文帳に追加

バンドメモリ１０５へＲＧＢの階調データの展開を行うときに、中間コードから画像の種別がイメージ以外であって、パターンがソリッドまたは２値パターンであって、さらに、ＲＧＢの階調値が“００００００００（２進）”または“１１１１１１１１（２進）”のとき、ＲＧＢの階調データをＧｒａｙデータとしてバンドメモリに簡易展開を行う。 - 特許庁

A ReRAM according to the present embodiment includes: a memory part formed of a three-dimensional structure in which a plurality of memory structures are laminated; and a wiring region, for example, formed in a structure in which the coating type SiO_2 film, which fills in a wide space around an element, is segmented into small ones by a SiN film.例文帳に追加

上記課題を解決するために、例えば、本実施形態のＲｅＲＡＭは、メモリ部において、メモリ構造を複数積層してなる三次元構造が形成され、例えば、配線領域において、素子の周辺部の広い空間を充填している塗布型ＳｉＯ_２膜がＳｉＮ膜によって細かく分断されてなる構造に形成されている。 - 特許庁

N-channel type memory cell selecting MISFETs, having gate electrodes 9A (word lines WL) using a p^+ poly-SiGe film 9p are formed in a memory array, and n-channel MISFETs, having gate electrodes 9B using an n^+ poly-SiGe film 9n and p-channel MISFETs, having gate electrodes 9C using the p^+ poly-SiGe film 9p, are formed.例文帳に追加

ｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ａ（ワード線ＷＬ）に用いたｎチャネル型のメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴをメモリアレイに形成し、ｎ^^+ポリＳｉＧｅ膜９ｎをゲート電極９Ｂに用いたｎチャネルＭＩＳＦＥＴおよびｐ^+ポリＳｉＧｅ膜９ｐをゲート電極９Ｃに用いたｐチャネルＭＩＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

In this machine, releasing data of various type molding data and releasing data to be inputted from a setting unit provided in a control unit of the machine is transferred to a control unit of the mold releasing unit by a transfer means, store din a working memory, and the chucking unit is controlled to be moved based on the releasing data read from the memory to execute a releasing operation.例文帳に追加

樹脂成形機の制御ユニットに設けられた設定装置から入力される各種の成形データ及び取出データの内、取出データを転送手段により成型品取出機の制御ユニットへ転送して作業メモリに記憶し、該作業メモリから読み出された取出データに基づいてチャック装置を移動制御して取出動作を実行する。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell comprises a gate electrode formed on a semiconductor layer through a gate insulation film, a channel region arranged under the gate electrode, a diffusion region arranged at both sides of the channel region and having a channel region and a reverse conduction type, and a memory function object having a function holding electric charges formed at the both sides of the gate electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリセルは、半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側に配置され、チャネル領域と逆導電型を有する拡散領域と、ゲート電極の両側に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体とからなる。 - 特許庁

When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加

ダミーセル領域２２の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域２２に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁

By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.例文帳に追加

メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁

Data read through a main bit line MBL from a memory block 2 having a memory cell array constituted of a dynamic type storage element are amplified by a sense amplifier circuit and latched by a latch circuit 12, and only one of outputs from a plurality of tristate buffers 13 to receive the output of the latch circuit is set so as to become a state to be outputted.例文帳に追加

ダイナミック型記憶素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック２からメインビット線ＭＢＬを通して読み出されるデータを、センスアンプ回路１１で増幅してラッチ回路１２でラッチし、ラッチ回路の出力を入力とする複数のトライステートバッファ１３からの出力のうち、一つのみを出力可能状態に設定する。 - 特許庁

The encoded JPEG color code data and JPEG monochrome code data are stored in a memory unit 16 with type information of color/monochrome, successively read out of the memory unit 16 by an operation of an operation unit 4 under the control of a main control unit 24, and send out onto a telephone line 34.例文帳に追加

符号化されたＪＰＥＧカラー符号化データーおよびＪＰＥＧモノクロ符号化データーは、カラー／モノクロの種別情報とともにメモリー部１６に保持され、これらは操作部４における操作にもとづき主制御部２４の制御のもとで、メモリー部１６から順次読み出し、送信手段１０を通じて電話回線３４に送出される。 - 特許庁

When the total number of the common electrodes is represented by m and that of the segment electrodes is represented by n, the picture memory 30 has a data store part of a m×n bitmap type corresponding to respective intersections of the electrodes, wherein a portion of the data store part corresponding to imaginary pixels with no real intersections of the electrodes is made to be an invalid memory region 31 to which access is forbidden.例文帳に追加

画像メモリ３０は、コモン電極の総本数をｍ，セグメント電極の総本数をｎとして、その各電極交点に対応するｍ×ｎのビットマップ形式のデータストア部を有し、そのうちの実際に電極交点が存在しない架空画素に対応するデータストア部をアクセス禁止の無効メモリ領域３１とする。 - 特許庁

On boarding, a card ID of the ticket C is read by a card R/W21 of the boarding card type ticket processor 2 (step S106) and the card ID is determined to be stored in a boarding memory 26 (step S107).例文帳に追加

乗車時、乗車券ＣのカードＩＤが乗車用カード式乗車券処理装置２のカードＲ／Ｗ２１で読取られる（ステップＳ１０６）と、そのカードＩＤが乗車メモリ２６に記憶されているか判定される（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

A DMAC 204 transfers only a set 'data length' out of set 'address on RAM210' to a data memory 203, and an instruction execution unit 201 generates an image (raster type image) formed by joining images in one raw of tiles.例文帳に追加

ＤＭＡＣ２０４は設定された「ＲＡＭ２１０上のアドレス」から、設定された「データ長」分だけをデータメモリ２０３に転送し、命令実行ユニット２０１は一列分のタイルの画像をつなげた画像（ラスター形式の画像）を生成する。 - 特許庁

To obtain an HD signal (second information signal) having less transmission distortion without storing myriad numbers of coefficient data Wi in a memory, irrespective of the type of transmission distortion contained in an SD signal (first information signal).例文帳に追加

ＳＤ信号（第１の情報信号）に含まれる伝送歪みがどのようなものであっても、莫大な数の係数データＷｉをメモリに格納しておくことなく、伝送歪みの少ないＨＤ信号（第２の情報信号）を得る。 - 特許庁

To improve performance such as scalability and data transfer performance between different type I/Fs, maintainability, and reliability for boards/PK (packages thereof) constituting a DKC (memory controller) and a DKC configuration based on mutual connection between the boards/PK in a disk array device.例文帳に追加

ディスクアレイ装置で、ＤＫＣを構成するボード／ＰＫ、それらの相互接続によるＤＫＣ構成に関し、スケーラビリティ、異種Ｉ/Ｆ間のデータ転送などの性能向上、及び保守性や信頼性の向上などを実現する。 - 特許庁

To rewrite data in a time which does not differ from a time by a single beam rewriting method when θ data or gradation data in a memory provided by each laser light is rewritten by each color in terms of a multi-beam rewriting type color image forming apparatus.例文帳に追加

マルチビーム書込方式のカラー画像形成装置において、各レーザ光源ごとに設けたメモリのγデータや階調データを色ごとに書き換える際、単一ビーム書込方式の場合とさほど時間差無くデータの書き換えを行う。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing device in which disk information can be recorded in a small capacity memory, in multi-border reproduction or multi-session reproduction in a recording type DVD disk such as a DVD-R and a DVD+R.例文帳に追加

ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ＋Ｒなどの記録型ＤＶＤディスクにおけるマルチボーダー再生またはマルチセッション再生において、ディスク情報記録を小容量メモリで可能にした光ディスク再生装置を提供することにある。 - 特許庁

On the label 3 to be stuck to the electronic equipment 2 after manufacture, the serial number of a product stored in non-volatile memory arranged on the electronic equipment 2, and a maker's type number corresponding to a model name are printed by a label issuing means 4.例文帳に追加

電子機器２を製造して貼付けるラベル３には、電子機器２に備えられる不揮発性メモリに記憶される製品シリアル番号と、機種名に対応するメーカ型番とが記載されるように、ラベル発行手段４で印刷される。 - 特許庁

The circuit board is retained to a retaining base attached to a slide table 18 with the slide table 18 of the memory-mounted device 15 moved to a set work position and the LGA type ROM is temporarily set in the socket of the circuit board.例文帳に追加

メモリ装着装置１５のスライドテーブル１８をセット作業位置に移動させた状態で、このスライドテーブル１８に取り付けた保持台に回路基板を保持させ、この回路基板のソケットにＬＧＡ型のＲＯＭを仮セットする。 - 特許庁

A changer type reproduction device receives CD text information from compact disks(CDs) 1a-1n and records the information to a CD text recording area 42t of a nonvolatile memory 42.例文帳に追加

音楽用ＣＤにサブコードとして記録されているＣＤテキスト情報を不揮発性メモリ４２に格納すると共に、ＣＤテキスト規格に非対応のディスクについては、使用者の入力による所要のテキスト情報を不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

To rationally generate n images in an object space for displaying them on an stereoscopic video display device of a type having n pieces of eye by shortening the treatment of equivalent calculation, access to the same memory or the like.例文帳に追加

本発明の課題は、ｎ眼式の立体視映像表示装置に表示するための、オブジェクト空間のｎ個の画像を、同等な計算、同じメモリへのアクセス等の処理を短絡化することによって、合理的に生成することである。 - 特許庁

A base station includes a memory for storing: the characteristics of the wireless terminal: the type of sound traffic supported by the terminal; and a program for carrying out an algorithm for replacing a control message with the terminal through a wireless network.例文帳に追加

基地局は、無線端末の特性、端末によってサポートされる音声トラフィックのタイプ、および、無線ネットワークを介してコントロール・メッセージを端末と交換するためのアルゴリズムを実行するためのプログラムを格納するためのメモリを含む。 - 特許庁

The converged light beam position fine adjustment device is a converged light beam position fine adjustment device which guides laser light to respective waveguide layers 5 of the laminated waveguide hologram memory, and equipped with an amplitude modulation type spatial optical modulator 4 as a dimming member.例文帳に追加

集光線位置微調整装置は、積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、調光部材としての振幅変調型空間光変調器４を備える。 - 特許庁

To improve the yield of and reduce the test cost of a multi-chip type semiconductor device in which chips are connected in a package by providing a fuse in a first semiconductor chip, providing no fuse in a second semiconductor chip being a rewritable memory.例文帳に追加

第一の半導体チップにヒューズを設け、書き換え可能なメモリである第二の半導体チップにヒューズを設けず、それらチップをパッケージ内で接続したマルチチップ型半導体装置の歩留まりを向上し、検査コストを低減する。 - 特許庁

To provide a row decoder circuit of a NAND type flash memory capable of supplying a normal operating voltage to a word line or a selection line also in the case of low voltage operation, and to provide an operating voltage supplying method using the same.例文帳に追加

低電圧動作の際にもワードラインまたはセレクトラインへ正常的な動作電圧を供給することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダ回路およびこれを用いた動作電圧供給方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number (n) of transistors being connected in series and each deciding a resistance value in a current path and the number (m) of bank selecting lines per bit contact by changing constitution of a memory cell array in a NOR type cell for mask ROM.例文帳に追加

マスクROM用NOR型セルにおいて、メモリセルアレイの構成を変更することによって、それぞれ前記電流経路中の抵抗値を決める直列接続のトランジスターの数(n)とビットコンタクト当たりのバンク選択線の本数(m)を削減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split-gate type nonvolatile semiconductor memory device having a floating gate capable of forming a sidewall insulating film having a satisfactory height to prevent a silicide shortage at the sidewall of a control gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置において、コントロールゲートの側壁に、シリサイド・ショートを防止できるのに十分な高さの側壁絶縁膜を形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The hinge component 24 is constituted of a thin sheet type super elastic shape memory alloy, while a plurality of slits 26 are formed on an elbow 27 bent by the opening and closing of the lid body 17 and a shape is stored under a state that the lid body is opened.例文帳に追加

ヒンジ部品２４は、薄板状の超弾性形状記憶合金からなり、蓋体１７の開閉により屈曲される屈曲部２７に複数のスリット２６が形成され、蓋体を開ける状態に形状記憶されている。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory device in which operation speed and data throughput can be increased by performing simultaneously program and read-out operation of a plurality of planes by a chip enable signal including a plurality of bits.例文帳に追加

複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させることが可能なマルチプレーン型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁

To provide a method of monitoring an erase threshold voltage distribution in a NAND type flash memory device, which can surely detect and measure the distribution of erase threshold voltage (Vt), in such a relation that a peripheral cell and a main cell mutually interfere.例文帳に追加

周辺セルとメインセルとが相互に干渉する関係において、消去しきい値電圧(Vt)の分布を確実に検出して測定できるNAND型フラッシュメモリ素子の消去しきい値電圧分布モニタリング方法を提供する。 - 特許庁

Then, using the USB memory serial number, an inquiry is made for deletion authority, and a deletion authority level of the inquiry result is compared with that corresponding to the type of the deletion command to determine whether the deletion authority is given or not.例文帳に追加

次に、ＵＳＢメモリシリアル番号を用いて消去権限を照会し、照会結果の消去権限のレベルと、消去コマンドの種別に応じた消去権限のレベルとを比較して、消去権限があるかどうかを判定する。 - 特許庁

To establish a method which matches both processes and can form both elements together by damascene process with good controllability, when the manufacturer mounts a single gate peripheral transistor and a stacked gate type of nonvolatile memory cell mixedly on one chip.例文帳に追加

単ゲート型周辺トランジスタと、積層ゲート型不揮発性メモリセルを1チップ上に混載させる際、両プロセスを整合させ制御性良くこれらの素子両方を一緒にダマシンゲートプロセスで形成できる方法の確立が課題である。 - 特許庁

To provide a particle movement type display device capable of significantly increasing the memory property of pixel display more, than when viscosity is utilized without unnecessarily increasing the viscosity of dispersed liquid nor forming a charging layer and an affinity layer which are fixed.例文帳に追加

分散液体の粘性を不必要に増すことなく、また、固定の帯電層や親和層を形成することなく、粘性に頼るよりも格段に画素表示のメモリ性を高め得る粒子移動型表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the device is not mounted with a memory card 52, or the video signal is not outputted from the computer 30 and the video camera 40, a lamp in the projection type display device 1 is automatically turned off.例文帳に追加

メモリカード５２や透過原稿５８が装着されておらず、またコンピュータ３０およびビデオカメラ４０のいずれかからも映像信号が出力されていない場合、投射型表示装置１内部のランプは自動的に消灯される。 - 特許庁

Additionally, a changer 23 is installed, wherein the changer changes the interface of the onboard equipment which is mounted on the vehicle that the user boards to an interface of a high use type for the user, on the basis of the information stored in the history memory device 34.例文帳に追加

また、履歴記憶手段３４に記憶された情報に基づき、ユーザが搭乗した車両に搭載された車載機のインターフェースをユーザの利用頻度が高い種類のインターフェースに変更する変更手段２３を設ける。 - 特許庁

In this scanning type charged particle beam microscope using an electron beam etc., when a scanning image is taken-in in a memory device synchronizing with a scanning signal, a delay of the electronic circuit is corrected and taken-in by a shift registor having variable number of steps.例文帳に追加

電子線等を使用した走査型荷電粒子ビーム顕微鏡において、走査信号に同期して走査画像を記憶装置に取り込む際に、電子回路の遅延を可変段数のシフトレジスタにより補正して取り込む。 - 特許庁

A stopper (7) is equipped to use an entering force and a returning force of a shape memory alloy placed at (4, 5) and a bellows type spring placed on the center part of the sole and returning force.例文帳に追加

靴底のつま先部（２）、踵部（３）をカットして、（４，５）に配した形状記憶合金と、靴底中央部に配したジャバラ式スプリング（６）の入り込む力を利用し、又その戻りの力を利用するために（７）のストッパーを取り付ける。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory cell and an FeRAM element using the same which can improve further its integration density by the structure of its bit-line separated from its active region and has its bit-line structure comprising a depletion type transistor.例文帳に追加

ビットラインと活性領域とが分離された構造より集積度をさらに向上させることのできる、空乏形トランジスタからなるビットライン構造を有する強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子を提供する。 - 特許庁

In step 1003, the host CPU calculates free space in an NAND-type flash memory and, if the free space is determined to be equal to or less than a preset threshold value in step S1004, then a restoration program is executed in step S1005.例文帳に追加

ステップＳ１００３で、ホストCPUは、NAND型フラッシュメモリの空き容量を算出し、ステップＳ１００４で空き容量が予め設定された閾値以下であると判定された場合、ステップＳ１００５で、修復プログラムが実行される。 - 特許庁

In addition, transfer from the self-computer to the partner's computer is allowed, and offline transfer is allowed by accumulating information in a flash memory built in the pen type interface device at a state wherein connection is cut off.例文帳に追加

また本発明では、自コンピュータから相手コンピュータへの転送を可能にしており、また、接続が切れた状態でペン型インターフェース装置に内蔵されたフラッシュメモリに情報を蓄えることによるオフライン転送を可能にしている。 - 特許庁

To enable a ferroelectric memory device to reduce a cell area more than that of a 2T2C type cell and unnecessitate a reference potential, a cell plate drive line and its drive circuit.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリ装置において、２Ｔ２Ｃ型セルよりもセル面積を小さくできるとともに、リファレンス電位やセルプレート駆動線とその駆動回路を不要にできるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device provided with both of a high access speed which is a merit of an MRAM constituted of one selection element and one TMR element and the reduction of a cell area which is a merit of a cross point type MRAM.例文帳に追加

１選択素子と１ＴＭＲ素子で構成されるＭＲＡＭの利点であるアクセス速度の速さとクロスポイント型のＭＲＡＭの利点であるセル面積の縮小化とを兼ね備えた磁気メモリ装置の提供を図る。 - 特許庁

For example, in a case of a many-valued logic NAND type flash memory provided with the ECC circuit in which an allowable bit number n per page is made to 4 bits, at the time of data write operation, write loop is repeated while stepping up a word-line voltage.例文帳に追加

たとえば、１ページあたりの許容ビット数ｎが４ビットとされたＥＣＣ回路を備える多値論理のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの場合、データ書き込み動作時に、ワード線の電圧をステップアップしながら書き込みループを繰り返す。 - 特許庁

To provide a NOR type EEPROM flash memory in which sure data erasing operation can be performed without using negative voltage for a non- selection word line at the time of verifying over-erasing, therefore, without preparing a complex row decoder.例文帳に追加

過消去ベリファイ時に非選択ワード線に対して負電圧を用いることなく、従って複雑なロウデコーダを用意することなく、確実なデータ消去動作を可能としたＮＯＲ型のＥＥＰＲＯＭフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Therefore, when the contents of setting items are backed up in the PC card type memory 24 or PC 2 after these setting items are completely registered in the RAM 13, the contents of setting items can be easily recovered.例文帳に追加

従って、ＲＡＭ１３への設定項目の登録が完了した後、その設定項目の内容をＰＣカード型メモリ２４又はパソコン２にバックアップしていれば、設定項目の内容の復旧を容易に行うことができる。 - 特許庁