「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory device of which the height of upper face of an element isolation insulating film between memory cell transistors is controlled so that the upper face is positioned within the thickness range of a charge storage film in an MONOS type semiconductor memory device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型の半導体記憶装置で、メモリセルトランジスタ間の素子分離絶縁膜の上面の高さが、電荷蓄積膜の厚さの範囲に位置するように制御された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller and memory control method for controlling transfers each including the sequence of a clear phase with a memory device having the actual sequence of the clear phase depending on the type of transfer.例文帳に追加

各々の転送が明確なフェーズのシーケンスを含み、明確なフェーズの実際のシーケンスが転送のタイプに依存する型のメモリデバイスとの間で転送を制御するためのメモリコントローラおよびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

A memory array is provided with nonvolatile memory cells (M11-M22) being one set of a first transistor part of a MOS type having an electric charges holding layer and a memory gate and used for storing information and a second transistor part of a MOS type having a control gate and connecting selectively the first transistor part to a bit line.例文帳に追加

メモリアレイは、電荷保持層とメモリゲートを有し情報記憶に用いるＭＯＳ型の第１トランジスタ部と、コントロールゲートを有し第１トランジスタ部を選択的にビット線に接続するＭＯＳ型の第２トランジスタ部とを一組とする不揮発性のメモリセル（Ｍ１１〜Ｍ２２）を備える。 - 特許庁

To provide an NAND type flash memory device for quickly and completely erasing the storage data of an NAND type flash memory where data is managed by a file system in an information apparatus or the like, and for preventing the leakage of the data and to provide the data erase method of the NAND flash memory.例文帳に追加

情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶データを高速に、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス、並びにＮＡＮＤフラッシュメモリのデータ消去方法の提供。 - 特許庁

To surely form the memory cell of a split gate type nonvolatile semiconductor memory device and to prevent the operation characteristics of an MOS transistor from being affected by the memory cell when forming the memory cell on the same semiconductor wafer as the MOS transistor.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを確実に形成できると共に、該メモリセルをＭＯＳトランジスタと同一の半導体基板上に形成する際に、本発明のメモリセルがＭＯＳトランジスタの動作特性に影響を与えないようにする。 - 特許庁

In starting the NAND flash memory controller 12, an NAND ID 20 is read from the NAND type flash memory 13, and individual specifications necessary for memory access are set, and configuration data 21 are read, and a speed (access time) when memory access is set.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラ１２の起動においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３からＮＡＮＤ ＩＤ２０を読み込んで、メモリアクセスに必要な個別仕様を設定すると共に、コンフィグデータ２１を読み込んで、メモリアクセス時におけるスピード（アクセスタイム）を設定する。 - 特許庁

And, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has the P-type transistor connected to the bit line, and a P-type transistor connected in series between the P-type transistor and a power supply source and connected to a read column selection signal.例文帳に追加

そして、ビットラインに接続されたＰ型トランジスタと、電源ソースとの間に直列に接続されるとともに、リードカラムセレクション信号に接続されたＰ型トランジスタをリード回路内に有する。 - 特許庁

A loading part 20 for the memory unit M is formed in a L type along an inside corner part of a main body case 1.例文帳に追加

本体ケース１の内面隅部に沿って、メモリーユニットＭ用の装填部２０をＬ字状に形成する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 - 特許庁

Further, by making the translation program memory 10 reloadable, the user program of another machine type can be run as well.例文帳に追加

また、翻訳プログラムメモリ１０を書き換え可能にすることにより、他機種のユーザプログラムをも実行可能とする。 - 特許庁

To increase a writing current without increasing the size of a memory cell of a spin injection type magnetic storage device.例文帳に追加

スピン注入型磁気記憶装置のメモリセルのサイズを増加させることなく、書込電流を増大させる。 - 特許庁

A PC card type memory 37 is packaged through an interface 36 for the PC card into an option board 30.例文帳に追加

オプションボード３０には、ＰＣカード用インターフェース３６を介してＰＣカード型メモリ３７が搭載されている。 - 特許庁

Moreover, the microprocessor provides a memory in which required amplification data are stored according to a type of the auxiliary device.例文帳に追加

また、マイクロプロセッサは補助デバイスの種類に応じて必要な増幅データが記憶されているメモリをそなえる。 - 特許庁

To improve error correction accuracy of a NAND type flash memory by a simple circuit constitution or simple procedure.例文帳に追加

簡易な回路構成または手順によりＮＡＮＤ型フラッシュメモリの誤り訂正の精度を向上させる。 - 特許庁

To promote low power consumption and high speed of a nonvolatile semiconductor memory device using a resistance change type element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性半導体記憶装置の低消費電力化と高速化を促進する。 - 特許庁

To report information relevant to data processing to users while storing data in a portable type memory means.例文帳に追加

可搬型記憶手段へのデータの格納中に、そのデータの処理に関連した情報を使用者に報知する。 - 特許庁

To provide a DRAM type multi-port memory having a same interface as that of a SRAM.例文帳に追加

本発明は、ＳＲＡＭと同様のインターフェースを有したＤＲＡＭ型のマルチポートメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

The memory card connector is provided with a nearly 'E' character-type frame 4, containing a central part guide frame 5 and two header sections 2s.例文帳に追加

中央部のガイドフレーム５を有する略「ヨ」の字型のフレーム４と、２つのヘッダ部２を備えるメモリカードコネクタ。 - 特許庁

To provide a 1T/1C type ferroelectric memory having high reliability of read data and long element life.例文帳に追加

読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命が長い１Ｔ／１Ｃ型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To stably maintain a boosting source grounding voltage at a prescribed voltage level in a boosting sense grounding type memory.例文帳に追加

昇圧センス接地方式のメモリにおいて安定にこの昇圧ソース接地電圧を所定電圧レベルに維持する。 - 特許庁

Gaps 103 and 104 are formed between a word line W1 of a memory cell transistor and n+ type diffusion regions N21 and N12.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのワード線Ｗ_1 とｎ^+ 型拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12との間に、隙間１０３，１０４を形成する。 - 特許庁

A chord setting section 53 reads chord constituting data 61 from a memory 60 in accordance with the type of the specified chord.例文帳に追加

和音設定部５３は、指定される和音の種類に応じてメモリ６０から和音構成データ６１を読み出す。 - 特許庁

To improve operability of a semiconductor memory device by enhancing convenience of a static type RAM or the like in the word line pulse drive system.例文帳に追加

ワード線パルス駆動方式をとるスタティック型ＲＡＭ等の利便性を高め、その使い勝手を高める。 - 特許庁

The IC card contains a memory storing an interpreter and an application of a high class programming language type.例文帳に追加

当該ＩＣカードは、インタプリタと高級プログラミング言語形式を持つアプリケーションが記憶されたメモリを含んでいる。 - 特許庁

To improve write-in characteristic operations of a static type memory cell and to improve the lower limiting voltage characteristic and stability.例文帳に追加

スタティック型メモリセルの書込特性動作を改善、および下限電圧特性および安定性を向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an AND-type flash memory cell by which the high-degree integration of a diffusion-layer wiring density can be obtained.例文帳に追加

拡散層配線密度の高集積化を実現したアンドタイプフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

On an adaptor board 3 to be mounted on the DIP socket 2, the surface mounted type IC memory 4 is mounted.例文帳に追加

ＤＩＰソケット２に装着するためのアダプタ基板３上に、表面実装型のＩＣメモリ４を実装する。 - 特許庁

A gate oxide film 19 for a memory is formed on a P substrate 1 between N-type diffusion layers 7 and 9.例文帳に追加

Ｎ型拡散層７と９の間のＰ基板１上にメモリ用ゲート酸化膜１９が形成されている。 - 特許庁

The recording and reproducing device 2 writes the voice information, text information, and type information on the semiconductor memory card 1.例文帳に追加

記録再生装置２は、半導体メモリカード１に音声情報、テキスト情報及びタイプ情報を書き込む。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR REDUCING CACHE STATE COLLISION, AND DIRECTORY BASE CACHE SAME TYPE MEMORY SYSTEM例文帳に追加

キャッシュ状態衝突を減少させるための装置及びその方法並びにディレクトリ基盤キャッシュ同一性メモリシステム - 特許庁

To increase a hot electron(HE) implanting efficiency when a MONOS- type memory cell is written and improve scaling property.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリセルの書き込み時のホットエレクトロン（ＨＥ）注入効率を上げ、またスケーリング性を向上させる。 - 特許庁

To provide a memory property bistable type liquid crystal display device capable of performing uniform display to the entire display area.例文帳に追加

全表示領域に対し均一表示を達成したメモリー性双安定型液晶表示装置を提供する - 特許庁

A control signal MBPRG is inputted to individual block decoder constituting a block decoder section 37 of an ACT type flash memory.例文帳に追加

ＡＣＴ型フラッシュメモリのブロックデコーダ部３７を構成する個々のブロックデコーダに制御信号MBPRGを入力する。 - 特許庁

A memory cell 1 is a DRAM type storage cell comprising two NMOS transistors 10 and 11 and one capacitor element 12.例文帳に追加

メモリセル１は、２つのＮＭＯＳトランジスタ１０，１１と１つのキャパシタ素子１２によるＤＲＡＭ型記憶セルである。 - 特許庁

The stent 1 is made of a TiNi type shape memory alloy showing superelasticity at least at organismic temperature.例文帳に追加

また、ステント１は、少なくとも生体温度で超弾性を示すＴｉＮｉ系形状記憶合金からなる。 - 特許庁

Then, the CPU 5 develops the main program of the NAND type flash memory 2 to a main RAM 4, and carries out the developed program.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ５は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２のメインプログラムをメインＲＡＭ４に展開して実行する。 - 特許庁

This image processor 10 is provided with an original type discrimination part 13, a gradation correcting part 15, an operation panel and a memory or the like.例文帳に追加

画像処理装置１０は、原稿種類判別部１３、階調補正部１５、操作パネル、メモリ等を備える。 - 特許庁

To provide a simple and inexpensive portable type memory backup device without the risk of having storage contents improperly used by others.例文帳に追加

他人に記憶内容を悪用される惧れのない簡易かつ安価な携帯型のメモリバックアップ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic type RAM which can evaluate an information holding characteristic of a memory cell with simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成でメモリセルの情報保持特性の評価を可能としたダイナミック型ＲＡＭを提供する。 - 特許庁

FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) TYPE MEMORY CONTROL CIRCUIT DEVICE, IMAGE PROCESSING CIRCUIT DEVICE, AND IMAGE PROCESSING DEVICE PROVIDED WITH THEM例文帳に追加

先入れ先出し型メモリ制御回路装置、画像処理回路装置およびそれらを備えた画像処理装置 - 特許庁

Also, the memory cell is provided with a body plate line 106 controlling a potential of a body 105 of the electric field effect type transistor.例文帳に追加

かつ、その電界効果型トランジスタのボディ１０５の電位を制御するボディプレート線１０６を備えている。 - 特許庁

DEVICE, PROGRAM AND METHOD FOR MAINTAINING NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ保守装置及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ保守プログラム及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリ保守方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY STRUCTURE AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド - 特許庁

DISPLAY CONTROLLER, MEMORY TYPE DISPLAY DEVICE, INFORMATION PROCESSOR, AND CONTROL METHOD AND CONTROL PROGRAM FOR DISPLAY CONTROLLER例文帳に追加

表示制御装置、メモリ型表示装置、情報処理装置、表示制御装置の制御方法および制御プログラム - 特許庁

Therefore, data on transmitting/receiving through the option board 30 are stored on the PC card type memory 37 without fail.例文帳に追加

従って、オプションボード３０を介する送受信に関するデータは、必ずＰＣカード型メモリ３７に記憶される。 - 特許庁