「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming a split gate type flash memory which enables to form a tip of a floating gate into an acute angle.例文帳に追加

フローティングゲートのチップ部分を鋭角に形成することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a synchronous type memory device and its continuous read-out method which can perform continuous read-out operation with a single word mode.例文帳に追加

シングルワードモードで連続的読出動作が可能な同期型メモリ装置及びその連続読出方法を提供する。 - 特許庁

An error correction code ECC2 that is applied to data of the NVRAM 22 is stored in the NAND type flash memory 21.例文帳に追加

ＮＶＲＡＭ２２のデータに適用されるエラー訂正コードＥＣＣ２が、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１内に保持されている。 - 特許庁

The type of a displaying medium 102 and the information on the number of writings recorded in a memory 104 are read (step 302).例文帳に追加

メモリ１０４に記録されている表示媒体１０２の種類と書込回数情報を読み込む（ステップ３０２）。 - 特許庁

To provide an MONOS type flash memory securing a required amount of electric charge stored sites in an electric charge stored film.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリにおいて、電荷蓄積膜中の電荷蓄積サイトの量を必要量確保すること。 - 特許庁

An STC memory 22 stores a plurality of STC data per probe 10 type for use of a probe 10.例文帳に追加

ＳＴＣメモリ２２にはプローブ１０の種類ごとにプローブ１０の用途に応じた複数のＳＴＣデータが記憶されている。 - 特許庁

Each of the packages stores package information including a type of the package concerned, a serial number and a revision in the internal memory.例文帳に追加

各パッケージは、当該パッケージの種類、製造番号、リビジョン等を含むパッケージ情報を、内部メモリに記憶している。 - 特許庁

To make a memory module for a game machine of a cartridge type more inexpensive and smaller than a conventional cased structure.例文帳に追加

カートリッジタイプの遊技機用メモリモジュールを、従来のケース入りの構造に比較して、安価に且つ小型にすることにある。 - 特許庁

To perform both data transfer and deletion between dynamic load distribution and processor core in a distributed memory type multi-core processor system.例文帳に追加

分散メモリ型のマルチコアプロセッサシステムにおいて動的負荷分散とプロセッサコア間のデータ転送の削減とを両立させる。 - 特許庁

A pattern table memory 18-3 stores basic patterns for interlace, each type of which corresponds to each gradation pattern.例文帳に追加

パターンテーブルメモリ１８−３は各階調レベルに対応付けてそれぞれ１種類ずつの間引き用基本パターンを記憶する。 - 特許庁

To provide a page buffer of a NAND type flash memory device in which two pages can be programmed through one programming operation.例文帳に追加

１回のプログラム動作で２ページをプログラムすることが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置のページバッファを提供する。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT OF CARD TYPE MEMORY, AND ASIC MOUNTING ITS CIRCUIT, AND IMAGE FORMING DEVICE MOUNTING ITS ASIC例文帳に追加

カード型メモリのインターフェース回路、その回路を搭載したＡＳＩＣ、及びそのＡＳＩＣを搭載した画像形成装置 - 特許庁

Two NAND type memory cell units ND1 and ND2 are formed along with both the side walls parts of this trench area 13.例文帳に追加

このトレンチ領域１３の両側壁部分に沿って２個のＮＡＮＤ型メモリセルユニットＮＤ１、ＮＤ２を形成する。 - 特許庁

To provide a crosspoint type memory cell array of a new structure which can be multilayered, and does not increase the mask step by multilayering.例文帳に追加

多層化が可能で、かつ、多層化によるマスク工程の増加がない新構造のクロスポイント型メモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

A receiving apparatus 1 receives one-segment type digital radio broadcasting and always records broadcasting signals in a temporary memory 17.例文帳に追加

受信装置１は、１セグ方式のデジタルラジオ放送を受信し、放送信号をテンポラリメモリ１７に常時記録する。 - 特許庁

The amplitude modulation type spatial optical modulator 4 is arranged nearby an incidence end surface of the laminated waveguide hologram memory 7.例文帳に追加

振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面に近接して配置される。 - 特許庁

The trench 63 portion of the p-type silicon semiconductor substrate 65 serves as the channel region of a nonvolatile semiconductor memory 60.例文帳に追加

ここで、ｐ型シリコン半導体基板６５の溝６３の部分は、不揮発性半導体メモリ６０のチャネル領域となる。 - 特許庁

WIRED-OR TYPE PAGE BUFFER HAVING CACHE FUNCTION, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

キャッシュ機能を有するワイアードオアタイプのページバッファとこれを含む不揮発性半導体メモリ装置、およびその駆動方法 - 特許庁

To provide a distributed shared memory type multiprocessor system for performing load distribution without making it necessary to reboot the system.例文帳に追加

システムのリブートを必要せずに負荷分散が行える分散共有メモリ型マルチプロセッサシステムを提供することにある。 - 特許庁

A semiconductor circuit memory device includes a read circuit having a dynamic configuration in which a bit line is connected to one P-type transistor.例文帳に追加

半導体回路記憶装置は、一つのＰ型トランジスタにビットラインを接続するダイナミックな構成のリード回路を有する。 - 特許庁

By snooping a kill-type operation for the virtual cache inside the system memory, the cache coherency of the software state in maintained.例文帳に追加

システムメモリ内のバーチャルキャッシュに対してキルタイプ動作をスヌープすることによって、ソフト状態のキャッシュコヒーレンシを維持する。 - 特許庁

These fields tell the runtime how much memory to allocate when new objects of this type are created.例文帳に追加

これらのメンバは、この型のオブジェクトが作成されるときにどれだけのメモリを割り当てればよいのかをランタイムに指示します。 - Python

To provide an NAND type nonvolatile semiconductor memory of high integration, high-speed, and low power consumption and moreover having little disturbance.例文帳に追加

高集積、高速、低消費電力でしかもディスターブの少ないＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリを実現する。 - 特許庁

To improve the directional characteristic of radio communication equipment mounted with a PCMCIA (personal computer memory card international association) card type radio unit with a simple method.例文帳に追加

ＰＣＭＣＩＡカード型の無縁ユニットを装着した無線通信機の指向特性を簡易な方法で改善する。 - 特許庁

To provide a technique of further speeding up rewriting of a picture in a display device having a memory type liquid crystal.例文帳に追加

記憶性液晶を有する表示装置において画面の書き換えをさらに高速化する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a recess gate type MOS transistor structure suitable for a high integration semiconductor memory, and to provide its forming process.例文帳に追加

高集積半導体メモリに適合したリセスゲートタイプのMOSトランジスタ構造及びその形成方法を提供するにある。 - 特許庁

To shorten the time required for start-up even when setting data stored in a portable-type memory medium has to be loaded.例文帳に追加

可搬式記憶媒体に記憶された設定データのロードが必要な場合でも立ち上げに要する時間を短縮する。 - 特許庁

After that, an equipment type identifying part determines the equipment type of the facility equipment Ma by accessing the memory at a timing of first period and a port type setting part assigns a facility port Pa to the communication port P1.例文帳に追加

その後、機器種別識別部が第１周期のタイミングでメモリにアクセスすることで設備機器Ｍａの機器種別を判別し、ポート種別設定部によって通信ポートＰ１に設備ポートＰａが割り当てられる。 - 特許庁

To improve the reliability of a memory cell in erroneous write by reducing effective channel capacity and increasing a channel potential boost ratio during operation of a self-boost system in a NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、実効的なチャネル容量を下げ、セルフ・ブースト方式の動作時においてチャネル電位ブースト比を大きくし、メモリセルの誤書き込みに対する信頼性を改善する。 - 特許庁

The pin configuration changing resister, when a memory interconnected with a base chip is changed, stores a pin-interconnection assignment value for deciding order of interconnection of a plurality of pins according as a memory type.例文帳に追加

ピン構成変更レジスタは、ベースチップに連結されるメモリが変更される場合、メモリタイプにしたがって複数のピンの連結順序を決定するピン連結割当て値を保存する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-level storing type nonvolatile semiconductor memory device in which variation of a threshold value of a memory cell caused by disturbance of a word line is minimized and a peak current and average power consumption in writing can be reduced.例文帳に追加

フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。 - 特許庁

A USB flash memory is connected to a USB connector of a protocol analyzer, and an EDID corresponding to each type of television receivers is acquired from the memory and registered in a recording medium.例文帳に追加

ＵＳＢフラッシュメモリはプロトコルアナライザのＵＳＢコネクタに接続され、そのメモリから各種のテレビジョン受像機に対応するＥＤＩＤが取得され記憶媒体に登録される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory 1 is provided with a plurality of memory cells 2 of an electric field effect transistor type, a source bias control circuit 10, and a drain bias control circuit 20.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置１は、電界効果トランジスタ型の複数のメモリセル２と、ソースバイアス制御回路１０と、ドレインバイアス制御回路２０とを備える。 - 特許庁

To provide a technology capable of shortening a required write time by reducing overhead for transfer of write data in a card type storage including a nonvolatile memory and a buffer memory.例文帳に追加

不揮発性メモリとバッファメモリを内蔵したカード型記憶装置における書込みデータの転送のオーバーヘッドを少なくして書込み所要時間を短縮可能にする技術を提供する。 - 特許庁

To reduce a junction leak current in a bit line contact of a nonvolatile semiconductor memory, especially a NAND type flash memory, when "1" is set, to reduce power consumption of the chip.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、特にＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、“１”書き込みの際のビット線コンタクト部における接合リークを低減して、チップの低消費電力化を実現する。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory cell of a flash memory is formed in a p-type well 10 of a semiconductor substrate 1; and has a gate insulating film 4, a floating gate 5, a high dielectric film 6, and a control gate 8 (word line WL).例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルは、半導体基板１のｐ型ウエル１０に形成され、ゲート絶縁膜４、浮遊ゲート５、高誘電体膜６、制御ゲート８（ワード線ＷＬ）を有している。 - 特許庁

The semiconductor memory including a static type memory cell is provided with an inter-layer insulation layer 16 having a hole 30b on a surface and a capacitor 31.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置であって、表面に孔３０ｂを有する層間絶縁層１６と、キャパシタ３１とを備えている。 - 特許庁

According to this constitution, whether an error is generated in the clock 31 or not is detected based on information held by the memory 65 and the memory 32, and a type of the generated error can be specified.例文帳に追加

不揮発性メモリ中の初期設定情報とカウンタ開始ビットの双方を参照することで、時計コントローラのエラー発生を検出するだけでなく、エラーの種類を特定できる。 - 特許庁

To provide data cartridges in which non-contact type memory cartridges are provided to surely conduct transmission and reception of reading and writing signals between the memory readers of a library machine side and a drive device side.例文帳に追加

ライブラリーマシーン側、およびドライブ装置側のメモリーリーダとの間で、読み書き信号の送信と受信とが確実に行える非接触型のメモリーカートリッジを備えたデータカートリッジを提供する。 - 特許庁

Thereby, data in a cache memory can be accessed randomly and freely, while access for the cross point type memory is performed only in miss-hit, the number of times of rewriting of data can be reduced.例文帳に追加

これによりキャッシュメモリ内のデータは自由にランダムアクセスが可能になるとともに、クロスポイント型メモリへのアクセスはミスヒット時のみとなり、データ書き換え回数も大幅に低減できる。 - 特許庁

When data in a memory block MB to be erased is erased, the voltage VPW of the P-type well PW is applied to all the word lines WL in the memory block MB to be erased.例文帳に追加

また、消去対象のメモリブロックＭＢのデータを消去する場合、Ｐ型ウェルＰＷの電圧ＶＰＷを、消去非対象のメモリブロックＭＢの全ワード線ＷＬに印加する。 - 特許庁

The phase change material layer is formed of antimony and a zinc alloy by which the device stably operates at high speed as compared with a conventional GST memory device, and the phase change memory device of the low power consumption type can be manufactured.例文帳に追加

これにより、従来のＧＳＴメモリ素子に比べて高速で安定的に動作し、且つ低消費電力型である相変化形メモリ素子を製作することができる。 - 特許庁

To provide a technology capable of improving data holding characteristics in a nonvolatile semiconductor memory having a MONOS (Metal-oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type memory cell, in which an electric charge accumulating layer is formed of a nitride film.例文帳に追加

窒化膜を電荷蓄積層としたＭＯＮＯＳ型メモリセルを有する不揮発性半導体メモリにおいて、データ保持特性を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁