「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a NAND type flash memory device having a multi-plane structure, capable of simultaneously copyback-programming a cell connected to an even bit line and a memory cell connected to an odd bit line within one page.例文帳に追加

一つのページ内のイブンビットラインに接続されたセルとオッドビットラインに連結されたメモリセルとを同時にコピーバックプログラムすることが可能な、マルチプレーン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape.例文帳に追加

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。 - 特許庁

To provide a resistance change type memory cell array with a three-dimensional cross-point structure, achieving a structure depending on characteristics (low power consumption, and switching yield improvement, and the like) required for the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイとして要求される特性（低消費電力化，スイッチング歩留まり向上）に応じた構造を実現することができる三次元クロスポイント構造の抵抗変化型メモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device such as a NAND type flash-memory device or the like capable of preventing occurrence of a short circuit failure between gate electrodes SG even though a dummy contact is formed by an auxiliary pattern.例文帳に追加

補助パターンでダミーコンタクトが形成されてもゲート電極ＳＧとの間で短絡不良が発生するのを防止できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置等の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To shorten the required time for access at read operation of a flash memory or the like provided with the ECC(error correcting code) circuit of a serial processing type and a memory card or the like loaded with it while performing miniaturization and reduction of the cost.例文帳に追加

その小型化・低コスト化を図りつつ、直列処理型のＥＣＣ回路を含むフラッシュメモリ等ならびにこれを搭載するメモリカード等の読み出し動作時におけるアクセス所要時間を短縮する。 - 特許庁

In step S2, a peak temperature on the surface of the electrolytic capacitor is specified, and a cordless memory type small-sized temperature measure (temperature memory button) is directly attached to the peak temperature part to start measuring a surface temperature.例文帳に追加

ステップＳ２で電解コンデンサの表面の最高温度部を特定し、この最高温度部にコードレスメモリー式小型温度測定器（温度メモリーボタン）を直付けして表面温度の実測を開始する。 - 特許庁

To more flexibly operate a multiprocessor system in various memory configurations even with a cell, which does not have an address resolution mechanism, with that cell as a component in a distributed shared memory type multiprocessor system.例文帳に追加

分散共有メモリ型のマルチプロセッサシステムにおいて、アドレス解決機構を有しないセルであってもそのセルを構成要素として種々のメモリ構成により柔軟にマルチプロセッサシステムを運用する。 - 特許庁

To make an electrode disposing pitch narrower, that is to increase the capacity of a memory, by preventing crosstalk at the time of reading data from the simple matrix type memory element of a passive addressing system.例文帳に追加

パッシブアドレッシング方式の単純マトリクス型メモリ素子からデータを読出しするときに、クロストークを防止することで、電極配設ピッチをより狭くすること、すなわち、メモリの大容量化を可能にする。 - 特許庁

Further, the flash memory not referred with the CFI command is referred to by a status register clear command (S14), and the command type of the flash memory is determined based on the result referred to by the status register command (S15, S16).例文帳に追加

また、CFIコマンドで照会不能なフラッシュメモリをステータスレジスタクリアコマンドで照会し（Ｓ１４）、ステータスレジスタコマンドで照会した可否の結果に基づいてフラッシュメモリのコマンドタイプを判定する（Ｓ１５、Ｓ１６）。 - 特許庁

To solve the problem that a non-tracking type reproducing device is required to mount a memory of a large capacity so as to absorb track bending and tape-traveling speed deviation, and data break down if the capacity of the memory is not sufficient.例文帳に追加

ノントラッキング方式の再生装置では、トラック曲がりとテープ走行速度差を吸収するためには膨大なメモリを搭載する必要があり、メモリ量が不十分であるとデータの破綻をきたす。 - 特許庁

To store an interval of the same color where drawing images are continued in order of appearance based on color palette information without using a frame-type image memory, and enable high-speed printing with a small memory capacity.例文帳に追加

フレーム方式の画像メモリを使用することなく、描画画像が連続する同色区間を色パレット情報に基づいて出現順に記憶し、少ないメモリ容量で高速印刷を可能とする。 - 特許庁

To prevent an initial threshold voltage of a memory cell arranged nearby a bit line contact part from rising by suppressing an influence of ultraviolet rays generated during contact hole formation with respect to an MONOS type memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型メモリにおいて、コンタクトホール形成時に発生する紫外線の影響を抑制し、ビット線コンタクト部近傍に配置されるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を防止する。 - 特許庁

To provide a NAND type nonvolatile semiconductor memory device that uses a position of charge held in a memory in a direction perpendicular to a channel as an information amount, and a method of driving the same.例文帳に追加

メモリセル内に保持する電荷の、チャネルに対して垂直方向の位置を情報量として利用するＮＡＮＤ型の不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

A silicide layer 7s where an edge at the side of a memory gate electrode MG is prescribed with the sidewall 12A is formed on the upper surface of an n^+-type semiconductor region 5Sp for the source of the memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのソース用のｎ^＋型の半導体領域５Ｓｐの上面には、メモリゲート電極ＭＧ側の端部が上記サイドウォール１２Ａで規定されるシリサイド層７ｓが形成されている。 - 特許庁

To automatically delete data in a plurality of serially arranged memory block areas in block by simple address specification without specifying all target addresses in an NOR type flash memory.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリにおいて、シリアルに並んだ複数のメモリブロック領域のデータ消去を、対象アドレスの全てを指定することなく簡単なアドレス指定によって自動的に一括消去する。 - 特許庁

To provide an intelligent type multifunctional compound memory converting a memory supporting functional operations of respective parts of an electronic product from a state of passively storing data into a state of positively providing information.例文帳に追加

電子製品の各部の機能動作を支援するメモリを、受動的にデータを保存する状態から、主動的にインフォメーションを提供する状態に変える知能型多機能複合式メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing a shortage between a selective gate electrode and a memory gate electrode in a semiconductor device having a MONOS type non-volatile memory cell of a split gate structure.例文帳に追加

スプリットゲート構造のＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極とメモリゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes wells in a first conduction type formed in a substrate, and a plurality of first memory cell transistors connected in series to bit lines formed in the wells.例文帳に追加

一実施形態において、不揮発性メモリ装置は基板に形成された第１導電型ウエルと前記ウエルに形成されるビットラインに直列に接続する複数個の第１メモリセルトランジスタを含む。 - 特許庁

To improve a host system comprising a sequential ROM interface to be accessible to a NAND type flash memory and to provide a NAND flash memory device accessible from the improved host system.例文帳に追加

シーケンシャルＲＯＭインターフェースを具備するホストシステムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーにアクセス可能に改良すること、及び、該改良されたホストシステムからアクセス可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイスの提供。 - 特許庁

To provide a technique ensuring complete erasing of data written in a memory cell and being capable of inhibiting deterioration in rewriting of data, in a semiconductor device with an MONOS type non-volatile memory cell.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、メモリセルに書き込まれたデータの消去残りを防いで、データの書き換え劣化を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes trench regions provided in a semiconductor substrate, and NAND type memory cell units provided respectively three dimensionally on opposite sides of the side wall of the one trench region.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は，半導体基板にトレンチ領域を設け，１つのトレンチ領域の側壁の両側に，それぞれ，ＮＡＮＤ型メモリセルユニットを三次元的に有している。 - 特許庁

To provide a read-out circuit of a semiconductor memory apparatus in which read-out operation speed can be increased and the number of reference cells for read-out operation can be decreased, in a multi-level type semiconductor memory apparatus.例文帳に追加

多値型の半導体記憶装置において、読み出し動作の高速化を図ること及び読み出し用のリファレンスセルの数を削減することが可能な半導体記憶装置の読み出し回路を提供する。 - 特許庁

In an NAND type memory, a discharging transistor TD1 is connected to a bit line Ca, and a discharging transistor TD2 and a charging transistor TC1 are connected to the sources of memory transistors TM1, TM2,....例文帳に追加

ＮＡＮＤ型メモリにおいて、ビット線Ｃａに放電用トランジスタＴＤ１を接続し、メモリトランジスタＴＭ１，ＴＭ２…のソース側に放電用トランジスタＴＤ２及び充電用トランジスタＴＣ１を接続する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory which uses a FAST type memory cell and can perform erasing operation without requiring an external power source for erasing operation only.例文帳に追加

ＦＡＳＴ型メモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置であって、消去動作に専用の外部電源を必要としないで消去動作も行なえる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an access monitoring method and an access monitoring device for a shared memory, the method and the device enabling access information from an arbitrary processor to a shared memory to be monitored irrespective of type of a multiprocessor system.例文帳に追加

マルチプロセッサシステムの型式に関わらず、任意のプロセッサからの共有メモリに対するアクセス情報を監視することが可能な共有メモリのアクセス監視方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plate type memory card connector capable of preventing intrusion of foreign matter for usage by complete insertion and installation in the connector, and allowing insertion and fixing of a plurality of memory cards with different standards and sizes.例文帳に追加

コネクタ内に完全に挿入．設置して使用するため、異物の侵入を防ぐことができ、複数の異なる規格、サイズのメモリカードを挿置、定位可能なプレート式メモリカードコネクタを提供する。 - 特許庁

To provide a mapping information management apparatus and method for a nonvolatile memory supporting different cell types capable of effectively managing mapping information by determining a memory area for storing mapping information about a logical address and a physical address while taking into account the physical properties of each memory area included in the memory area of each cell type in the nonvolatile memory supporting different cell types.例文帳に追加

異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて各セルタイプのメモリ領域に含まれる各メモリ領域の物理的な特性を考慮して、論理アドレスと物理アドレスとのマッピング情報を格納するメモリ領域を決定し、効果的にマッピング情報を管理できる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を提供する。 - 特許庁

An identification code is stored in a nonvolatile memory 1, and when a special operation decision means 4 decides an operation for displaying the identification code of the nonvolatile memory 1, a display means 3 displays the identification code of the nonvolatile memory 1 read in by a nonvolatile memory read in means 2, thereby confirming matching of the nonvolatile memory with a relevant machine type.例文帳に追加

不揮発性メモリー１に識別コードを記憶させ、特殊操作判定手段４より不揮発性メモリー１の識別コードを表示させる操作の判定をおこなうと、表示手段３は不揮発性メモリー読み込み手段２により読み込んだ不揮発性メモリー１の識別コードを表示することで該当機種と、不揮発性メモリーが一致していることを確認できる。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第１の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

To provide a technique for increasing a rewriting current without increasing a power supply voltage and also reducing location dependency inside a memory array of a resistive state after the rewriting, in a resistance change type memory in which the resistance values of memory cells are changed between "1" and "0" of logical values.例文帳に追加

メモリセルの抵抗値が論理値“１”と“０”の間で変化する抵抗変化型メモリにおいて、電源電圧を高くすることなく書き換え電流を増大し、同時に書き換え後の抵抗状態のメモリアレイ内場所依存性を低減する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a tone generation apparatus in which waveform data are stored in a NAND-type flash memory, and read out from the flash memory to a waveform memory through a buffer and simultaneously reproduced, lightening load to a CPU, and achieving well-balanced design.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに波形データを格納しておき、そこから波形データをバッファ経由で波形メモリに読出しつつ再生を行う楽音生成装置において、ＣＰＵにかかる負荷を軽減し、バランスの良い設計が実現できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To prevent system trouble from being generated caused by damage of a data such as a command code transferred to a memory pool, and to easily monitor a rearing-out frequency of the data such as the command code from a NAND type flash memory, as to a data transfer method and device to the memory pool.例文帳に追加

メモリプールへのデータ転送方法及び装置に関し、メモリプールへ転送する命令コード等のデータの破壊によるシステムの不具合の発生を防ぎ、また、命令コード等のデータのＮＡＮＤ型フラッシュメモリからの読み出し回数を容易に監視可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory which can reduce a risk of pattern collapse after etching in a nonvolatile memory in which a resistance change type memory cell in which a diode member and a resistance change material are laminated is arranged in a matrix shape.例文帳に追加

ダイオード材と抵抗変化材料とが積層した抵抗変化型メモリセルがマトリックス状に配置された不揮発性記憶装置において、エッチング後のパターン倒壊の虞を低減させることの可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。 - 特許庁

To provide a device of structure that drawing wiring from a hole and a memory cell forming a resistance variation layer and wiring of circuits around the memory cell, etc. are almost simultaneously formed using the memory cell of 1T1R type; and to provide a simplified method of manufacturing the same.例文帳に追加

１Ｔ１Ｒ型のメモリセルを用いて、抵抗変化層を形成するホールとメモリセルからの引き出し配線およびメモリセル領域の周辺の回路などの配線をほぼ同時に形成できる構成の装置およびその簡素化された製造方法を提供する。 - 特許庁

This memory comprises a plurality of memory cells 12 including a diode 11, a plurality of bit lines 9; and an n-type impurity region 21 which is allocated to cross the bit line 9, and functions as a cathode line and a word line 10 of the diode 11 included in the memory cell 12.例文帳に追加

このメモリは、ダイオード１１を含む複数のメモリセル１２と、複数のビット線９と、ビット線９と交差するように配置され、メモリセル１２に含まれるダイオード１１のカソードおよびワード線１０として機能するｎ型不純物領域２１とを備えている。 - 特許庁

A self-informing memory 313 stores the data of the machine type name of present equipment and function data for the connected equipment to operate the present equipment.例文帳に追加

自己情報メモリ３１３には、自機の機種名のデータと、接続機器が自機を操作するための機能データが格納されている。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory which can read out an initial data signal which are previously written, just after a power source is applied.例文帳に追加

予め書込まれた初期データ信号を電源投入直後に読出すことが可能なダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A decoder 110 system is provided with a state metric update unit 120, including a state metric memory 126 and a cascade-type addition/ comparison/selection(ACS) unit 122.例文帳に追加

デコーダ・システムは、状態メトリック・メモリ１２６とカスケード形ＡＣＳユニット１２２とを含む状態メトリック更新ユニット１２０を備える。 - 特許庁

The magnetoresistance effect type head, the thin film magnetic memory and the thin film magnetic sensor are each constituted by providing the giant magnetoresistance effect element 1.例文帳に追加

また、上記巨大磁気抵抗効果素子１を備えて、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを構成する。 - 特許庁

The memory transistor MTr has a NMOS(n-type metal oxide semiconductor) structure and memorizes data from a state where many carriers are accumulated in a channel body 39.例文帳に追加

記憶トランジスタＭＴｒは、ＮＭＯＳ構造を有しており、チャネルボディ３９の多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶する。 - 特許庁

When the memory module 11 is mounted on a connector part 22 of a card type holder 21, the conductive seal 16 is brought into contact with connector pins 25.例文帳に追加

また、メモリモジュール１１の、カード状ホルダ２１のコネクタ部２２への装着の際に、導通性シール１６をコネクタピン２５と接触させる。 - 特許庁

To achieve the high speed of continuous column access in a dynamic type semiconductor memory device while suppressing an increase in chip size to a minimum.例文帳に追加

チップサイズの増加を最小限に抑制しつつ、ダイナミック型半導体記憶装置における連続カラムアクセスの高速化を実現する。 - 特許庁

To provide a plasma display driving method capable of reducing erroneous discharges in a dot matrix type AC plasma display having a memory function.例文帳に追加

メモリー機能を有するドットマトリックス型ACプラズマディスプレイにおける誤放電を減少させるプラズマディスプレイ駆動方法を提供する。 - 特許庁

A misalignment predictor may be enabled or biased by a memory access instruction flag or misaligned instruction type.例文帳に追加

ミスアラインメントプレディクタは、メモリアクセス命令フラッグまたはミスアラインド命令タイプによって使用可能にされてもよいし、あるいはバイアスされてもよい。 - 特許庁