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Memory typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2649件
Thereafter, when a writing command is input, data that is applied from the outside is written into an array of the synchronous-type flash memory.例文帳に追加
その後、もし書込み命令が入力されると、外部から印加されるデータが同期型フラッシュメモリのアレイ内に書込まれる。 - 特許庁
To reduce the current consumption by making the operation of an internal circuit to the absolute minimum in a semiconductor memory of a clock synchronous type.例文帳に追加
クロック同期式の半導体メモリにおいて、内部回路の動作を必要最小限にすることで消費電流を削減する。 - 特許庁
By this, the substrate can move freely on the base, and in such manner, a plate type memory card connector structure is formed.例文帳に追加
これにより、該基体は該ベース上において自在に移動可能な状態となり、こうして、プレート式メモリカードコネクタ構造を形成する。 - 特許庁
A boot program is stored in a boot ROM 1, and a main program other than the boot program is stored in a NAND type flash memory 2.例文帳に追加
ブートプログラムはブートROM1に記憶され、ブートプログラム以外のメインプログラムはNAND型フラッシュメモリ2に記憶されている。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a plurality of sense arrays 1, a column decoder 2, a row decoder 3 and a double-end type sense amplifier 4.例文帳に追加
半導体記憶装置は、複数のセルアレイ1と、カラムデコーダ2と、ロウデコーダ3と、ダブルエンド型のセンスアンプ4とを備えている。 - 特許庁
To provide a static type semiconductor memory in which reduction of layout area is realized guaranteeing stability of holding data.例文帳に追加
データ保持の安定性を保証しつつレイアウト面積の縮小を実現するスタティック形の半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁
In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加
各メモリセルにおいて、半導体基板2の表層部には、N型の第1不純物拡散領域3が形成されている。 - 特許庁
A p-type semiconductor region 45 is formed as a pocket region below a channel forming region 25 in a memory cell forming region.例文帳に追加
メモリセル形成領域のチャネル形成領域25の下部にポケット領域としてp型半導体領域45を形成する。 - 特許庁
A memory card 11 has a multi-layer type hologram 12 formed by laminating plural recording layers from which information is reproducible.例文帳に追加
メモリカード11は、光学的に情報再生が可能な記録層を複数積層してなる多層型ホログラム12を備えている。 - 特許庁
Thereby, charging current to the floating capacity of the dummy cell from the virtual ground type memory cell array region and geneation of leak current can be prevented.例文帳に追加
仮想接地型メモリセルアレイ領域からダミーセルの浮遊容量への充電電流やリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁
To provide a microcomputer for outputting the storage data of the memory of a small pin type microcomputer to the outside.例文帳に追加
本発明は、少ピン型マイクロコンピュータのメモリの記憶データを外部に出力できるマイクロコンピュータを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide voltage reduction, high-speed operation and microfabrication by improving the charge holding characteristics of an MONOS- type memory transistor.例文帳に追加
MONOS型メモリトランジスタの電荷保持特性を改善し、これにより低電圧化,高速動作および微細化を実現する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory having a SRAM type interface which conducts outputting of read data at a high speed.例文帳に追加
リードデータの出力を高速に行えるSRAM型インタフェースの半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To avoid failure of CPU start by a defect block even when using a NAND type flash memory for the purpose of driving a CPU.例文帳に追加
CPU駆動用としてNAND型フラッシュメモリを用いた場合でも不良ブロックによるCPU起動の不具合を回避する。 - 特許庁
To realize a power saving when any high speed writing processing is not performed in a memory card device with a large capacity using a flash type EEPROM.例文帳に追加
フラッシュ型EEPROMを用いた大容量メモリカード装置において、高速書込以外では省電力化を図ること。 - 特許庁
An anti-fuse memory cell 4 includes: two N type MOS transistors M1, M2, and one anti-fuse element AF.例文帳に追加
本発明では、アンチヒューズメモリセル4は、2つのN型MOSトランジスタM1、M2と、1つのアンチヒューズ素子AFにより構成されている。 - 特許庁
The second type of printing means transmits read image data to a printer 2095 via a memory 2 (2123) as it is, and then prints the image.例文帳に追加
第2の方式は、読み込んだ画像データをラスタデータのまま画像メモリ2(2123)を介して、プリンタ(2095)に転送し、画像プリントを行う。 - 特許庁
To provide a distributed shared memory type information processing system for suppressing the issue of any unnecessary special snoop instruction.例文帳に追加
不要な特殊スヌープ命令の発行を抑制することができる分散共有メモリ型情報処理システム等を提供すること - 特許庁
To provide a technique to reduce total required time for writing a plurality of pages in a NAND type flash memory array.例文帳に追加
本発明は、NAND型フラッシュメモリアレイに複数のページを書き込むための総所要時間を短縮する技術を提供する。 - 特許庁
To provide a NAND-type flash memory device having multi-page program operation, multi-page read operation, and multi-block erase operation.例文帳に追加
マルチページプログラム動作、マルチページ読み取り動作、及び、マルチブロック消去動作を有するNANDフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a synchronous type semiconductor memory, in which a test can be performed in which minute defective leakage of a bit line can be previously detected.例文帳に追加
ビット線の微小リーク不良を予め検出可能なテストが実施できる同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
As a pattern to be printed, a starting point, an end point, and line type information are preliminarily stored in a memory part 21, for each line segment.例文帳に追加
印字すべきパターンとして、あらかじめ線分毎に始点,終点と線種情報とをメモリ部21に記憶させておく。 - 特許庁
To obtain focal distance information without depending on a lens side memory or user input when an imaging apparatus body is an exchangeable type lens unit.例文帳に追加
レンズ側メモリやユーザ入力によらずに撮像装置本体が交換型レンズユニットの焦点距離情報を取得する。 - 特許庁
Additionally, the cartridge 11 has an RFID tag, and a cartridge side memory 122 stores the type information of the cartridge 11.例文帳に追加
更にカートリッジ11はRFIDタグを有し、カートリッジ側メモリ122にはカートリッジ11の種別情報が記憶されている。 - 特許庁
To enable storage data to be searched at high speed in a NAND type flash memory having a program verify function.例文帳に追加
本発明は、プログラムベリファイ機能を有するNAND型フラッシュメモリにおいて、記憶データを高速に検索できるようにする。 - 特許庁
To allow a spin torque type magnetic memory to increase anisotropic energy and have sufficient thermal fluctuation resistance even if microfabricated.例文帳に追加
スピントルク型磁気メモリにおいて、異方性エネルギーを大きくし、微細化しても十分な熱揺らぎ耐性を有するようにする。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PEROVSKITE TYPE COMPLEX OXIDE AS CHANNEL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子 - 特許庁
FERROELECTRIC ELEMENT, NON-VOLATILE FEPROELECTRIC MEMORY ELEMENT, INK JET TYPE RECORDING HEAD AND ITS PRODUCTION AS WELL AS INK JET PRINTER例文帳に追加
強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ - 特許庁
To reduce storage capacity for storing a digital picture signal in a semiconductor memory in a still video camera of a digital recording type.例文帳に追加
デジタル記録式のスチルビデオカメラにおいて、デジタル画像信号を半導体メモリに記憶する際の記憶容量を低減する。 - 特許庁
To improve reliability of data reproduction in an image display device which incorporates a NAND type flash memory as a data storage.例文帳に追加
データストレージとしてNAND型フラッシュメモリを内蔵する画像表示装置における、データ再生の信頼性を向上させる。 - 特許庁
This portion functions as an electrically rewritable MOS type semiconductor memory cell by having a MONOS type memory insulating film 4 and a second current path 2, and this portion functions as a usual MOS type semiconductor device by having the gate insulating film 3 and the current path 1.例文帳に追加
MONOS型のメモリ絶縁膜4および第2の電流経路2を有することにより、この部分は、電気的に書き換えが可能なMOS型半導体記憶素子として機能し、ゲート絶縁膜3および電流経路1を有することにより、この部分は、通常のMOS型半導体素子として機能する。 - 特許庁
To temporary store data read from the disk type storage part or data to be written to the disk type storage part, a buffer memory having a sufficient capacity is prepared, and the intermittent access to the disk type storage part is concentrically performed by use of the buffer memory, whereby the time of not accessing the disk can be ensured long.例文帳に追加
ディスク型記憶部から読み出したデータやディスク型記憶部へ書き込むデータを一時的に格納するために、十分な容量を持つバッファ・メモリを用意し、バッファ・メモリを用いてディスク型記憶部に対する間欠アクセスを集中的に行なうことで、ディスクへアクセスしない時間を長く確保することができる。 - 特許庁
In the state where the printing data is stored in the memory, and the PUSH type print job is newly input to the printing apparatus, it is determined whether the printing data with an expiration date of the PUSH type print job is storable in the memory, and when determining that the data is not storable, the PUSH type print job is refused.例文帳に追加
そして、メモリに印刷データが格納されており、新たにPUSH型の印刷ジョブが印刷装置に入力された場合、該PUSH型の印刷ジョブの期限付き印刷データがメモリに格納可能か否かを判断し、格納できないと判断された場合、該PUSH型の印刷ジョブの受け付けを拒否する。 - 特許庁
In the other embodiment, a manufacture of the packed crown-shaped memory cell 100 according to this invention includes the steps of forming a memory node contact body (memory cell plug), forming the side wall of a memory cell, etching crown-type polysilicon again to form a separated memory cell and to electrically separate the memory cell, and removing core oxide (PSG).例文帳に追加
また別の実施例では、本発明による充填された王冠型メモリ・セルを製造する方法は下記の段階、すなわち、(1)記憶ノード接触体(メモリ・セル・プラグ)を作成する段階、(2)メモリ・セル側壁を作成する段階、(3)分離されたメモリ・セルを作成するためにおよびメモリ・セルを電気的に分離するために王冠型ポリシリコンを再びエッチングする段階およびコア酸化物(PSG)を除去する段階、を有する。 - 特許庁
The lamp unit is provided with a metal halide lamp 81 and a memory 85 storing the remaining life of the lamp 81, and is used as the light source of the projection type picture display device constituted as a rear projection type television.例文帳に追加
メタルハライドランプとこのランプの残り寿命を記憶するメモリとをランプユニットに備え、背面投射型テレビとして構成した投射型画像表示装置の光源として使用する。 - 特許庁
In the semiconductor memory device adopting a shared type sense amplifier, entry for a test mode is performed, a transfer gate used for the shared type sense amplifier, a pre-charge circuit, and the sense amplifier are controlled individually.例文帳に追加
シェアード型センスアンプを採用した半導体記憶装置において、テストモードにエントリし、シェアード型センスアンプに用いられるトランスファゲート、プリチャージ回路、センスアンプを個別に制御する。 - 特許庁
Therefore it is possible to implement an active type radio tag having a long fuel cell life or a passive type radio tag capable of writing data to the memory and having a wide communication range.例文帳に追加
さらに、このような不揮発性メモリにより電池の寿命が長いアクティブ型、あるいはメモリへの書き込み可能な通信範囲が広いパッシブ型の無線タグを実現することができる。 - 特許庁
A plurality of pieces of configuration data, to which a configuration header part including maker type information and sequence type information showing storage sequence is added, are stored in a FROM (flash memory) 1.例文帳に追加
メーカ種別情報と格納順番を示すシーケンス種別情報とを含むコンフィグレーションヘッダ部が付加された複数のコンフィグレーションデータがFROM(フラッシュメモリ)1に格納されている。 - 特許庁
A color transforming section 7 performs color transformation on the picture data stored in the memory 2 to the optimum output color space one type by one type.例文帳に追加
色変換部7は、画像メモリ2に格納されている画像データを、付加情報メモリ4内の付加情報に従い、画像の種別に最適な出力色空間への色変換処理を行う。 - 特許庁
To provide a positive electrification single layer type electrophotographic photoreceptor which generates a little transfer image memory even when it is used for a reversal developing type image forming device and which has excellent resistance against gas such as ozone and NOX.例文帳に追加
反転現像式画像形成装置において使用しても転写画像メモリーが小さく且つオゾン、NOX等の耐ガス性の優れた正帯電単層電写真感光体 - 特許庁
This hat-type rainproof gear is so designed that a shape memory alloy wire (with restorative force) is set on the rim of a hat-type rainproof brim, a bag belt to put the head in is set inside the brim and strings are set on the underside of the brim.例文帳に追加
帽子型雨避けつばの先端部に記憶合金ワイヤー(復元力を持つ)を設け、その内側に頭入れ袋帯と下部に紐を取り付けて解決手段とした。 - 特許庁
Since the marshalling algorithm presented here is based on the ADT (Abstract Data Type), and not on an actual model, or even implementation, the two processes are free to use different internal memory structures. 例文帳に追加
ここに提示されているマーシャリングアルゴリズムは,実際のモデル,あるいは実装にすら基づかず,ADT(Abstract Data Type)に基づいているので,2つのプロセスは異なった内部メモリ構造を自由に使う. - コンピューター用語辞典
.Businesses should accurately and clearly disclose information concerning the type of OS, type of CPU, memory requirements, necessary hard disk capacity, and other operating environment conditions essential to utilizing their software. 例文帳に追加
ソフトウェアを利用する上で必要なOSの種類、CPUの種類、メモリの容量、ハードディスクの容量等の動作環境について、正確かつ明瞭に表示する必要がある。 - 経済産業省
In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加
第1のスペーサ膜15形成前に、コントロールゲート13をマスクとしてn型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域14aを形成する。 - 特許庁
In addition, an electropneumatic conversion part operation type determining function may be provided in the computing part 1, the operation type of electropneumatic conversion part 2 may be determined by this function, and its determination result may be memorized in the electropneumatic conversion part operation type memory part 6.例文帳に追加
なお、演算部1に電空変換部動作型式判定機能を設け、この機能によって電空変換部2の動作型式を判定し、その判定結果を電空変換部動作型式記憶部6に記憶させるようにしてもよい。 - 特許庁
A sense amplifier control circuit of a semiconductor memory is constituted by using both of N type and P type set driver transistors in which a common source line of a sense amplifier composed of latch type differential amplifier circuits is connected to a restore-power source line.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置のセンスアンプ制御回路は、ラッチ型差動増幅回路からなるセンスアンプの共通ソース線をリストア電源線に接続するセットドライバートランジスタがN型及びP型の両方を用いて構成される。 - 特許庁
To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加
本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁
In the memory card of a type of holding a memory main body 4 provided with a wiring board 4a and a semiconductor chip mounted on the main surface by clamping it by a first case 2a and a second case, the memory main body 4 whose plane outer shape is smaller than the half of the plane outer shape of the memory card is used.例文帳に追加
配線基板4aとその主面上に実装された半導体チップとを有するメモリ本体4を第1ケース2aおよび第2ケースで挟み込むようにして保持するタイプのメモリカードにおいて、平面外形がメモリカードの平面外形の半分よりも小さいメモリ本体4を用いる。 - 特許庁
The storage device includes a nonvolatile memory controller for controlling a nonvolatile memory device storing the data, a memory controller for controlling the nonvolatile memory device, a card type second connector for transmitting and receiving the data, and a USB control module for composing an electric signal of the data transmitted and received by the second connector from the logical USB packet.例文帳に追加
貯蔵装置は、データを貯蔵する不揮発性メモリ装置と不揮発性メモリ装置とを制御するメモリコントローラ、データが送受信されるカード型の第2コネクタ、そして第2コネクタに送受信されるデータの電気的な信号を論理的なUSBパケットから構成するUSBコントロールモジュールを含む。 - 特許庁
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