「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To use a control board in a long life cycle without deteriorating functions or spec by enabling an NAND type flash memory controller to correspond to various NAND type flash memories.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラを種々のＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対応可能とし、機能やスペックを落とさずに制御基板を長いライフサイクルで使えるようにする。 - 特許庁

When the threshold voltage is made to be low, such a state that the threshold voltage of 1-element/1-cell type memory cell made into a depletion type is transferred to an undesirable low level can be prevented.例文帳に追加

低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる１素子／１セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which is capable of applying DC/AC type stress to all word lines in a short time and also capable of applying AC type stress between prescribed word lines.例文帳に追加

短時間に、全ワード線にＤＣ／ＡＣ的なストレスを印加でき、さらに、所定のワード線間にＡＣ的なストレスを与えることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile memory comprises a gate, a second conductivity type drain region, a charge storage layer, and a second conductivity type first lightly doped region.例文帳に追加

１つの不揮発性メモリは、１つのゲート、第２の１つの導電型ドレイン領域、１つの電荷蓄積層、及び第２の導電型の第１の１つの希薄ドープ領域を含む。 - 特許庁

N-type impurity diffused layers 20 and 21 are formed as a source and a drain in areas on both sides of the selection gate 18 of the p-type well 2 and the memory gate 17.例文帳に追加

ｐ型ウエル２の選択ゲート１８およびメモリゲート１７の両側の領域には、ソース、ドレインとしてのｎ型の不純物拡散層２０，２１が形成されている。 - 特許庁

The conversion module 1 relays a surface-mount type semiconductor package 4 mounting a flash memory over board to convert to a DIP type package.例文帳に追加

本発明の変換モジュール１は、フラッシュメモリーを搭載した表面実装タイプの半導体パッケージ４を基板中継し、ＤＩＰタイプのパッケージに変換するものとした。 - 特許庁

The memory cell region Cell and the core region Core are provided with a substrate 1, a p-type well region 2 and an n-type well region 3, both of which are formed on the substrate 1.例文帳に追加

メモリセル領域Ｃｅｌｌ及びコア領域Ｃｏｒｅは、基板１と、基板１上に形成されたｐ型ウェル領域２及びｎ型ウェル領域３を備える。 - 特許庁

The second-type semiconductor chip includes a control circuit that controls writing and reading to and from the memory cells included in many first-type layer portions.例文帳に追加

第２の種類の半導体チップは、複数の第１の種類の階層部分に含まれる複数のメモリセルに対する書き込みと読み出しを制御する回路を含んでいる。 - 特許庁

To enable p-type doping of superior control, and to prevent a memory effect produced, when using magnesium(Mg) for a p-type dopant of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のｐ型のドーパントにマグネシウム（Ｍｇ）を用いる際のメモリ効果を防止して、制御性に優れたｐ型ドーピングを行なえるようにする。 - 特許庁

To provide a high-performance MONOS-type NAND-type nonvolatile semiconductor memory device using an aluminum oxide film as a block insulating film; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アルミニウム酸化物膜をブロック絶縁膜とする高性能なＭＯＮＯＳ型のＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device that can posteriorly randomly select SDRAMs even if different in type and mixedly use the SDRAMs different in type.例文帳に追加

タイプの異なるＳＤＲＡＭであっても事後的に任意に選択可能であり、かつこれらタイプの異なるＳＤＲＡＭの混在使用をも可能とするメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

A processing amount decider 23 receives the picture type PT and a decoding time DT, finds an average processing time NT for each picture type, and stores it in a storage memory 18.例文帳に追加

処理量判定部２３はピクチャ種別ＰＴとデコード時間ＤＴを受けて、ピクチャ種別毎の平均処理時間ＮＴを求め、蓄積メモリ１８に蓄積する。 - 特許庁

Then, when a key 15 is pressed to reproduce the music from its head, the starting position of continuous data to be written in a second memory 10 is decided according to the recording type information, and written in the second memory 10 via the memory control means 11.例文帳に追加

そして、キー１５が押されて楽曲の先頭から再生する際に、第２のメモリ１０へ書き込む続きのデータの開始位置を記録形態情報に応じて決定し、メモリ制御手段１１を介して第２のメモリ１０へ書き込む。 - 特許庁

Thus, a plurality of crosspoint type two-dimensional memory cell arrays are formed on a face vertical to the substrate, and the second electrodes of the plurality of two-dimensional memory cell arrays are electrically connected to each other, thereby forming a three-dimensional memory cell arrays.例文帳に追加

これにより基板に垂直な面上においてクロスポイント型の２次元メモリセルアレイが複数形成され、複数の２次元メモリセルアレイの第２電極同士が電気的に接続することで３次元的なメモリセルアレイが形成されている。 - 特許庁

A portion of the memory gate 8 is formed on the one side surface of the selection gate 6, and other portion of the memory gate 8 is electrically isolated from the selection gate 6 and a p-type well 2, with an oxide-nitride-oxide (ONO) film 7 formed in a lower portion of the memory gate therebetween.例文帳に追加

メモリゲート８は、一部が選択ゲート６の一方の側面に形成され、他部がメモリゲート８の下部に形成されたＯＮＯ膜７を介して選択ゲート６およびｐ型ウエル２と電気的に分離されている。 - 特許庁

To provide an electrographic type image forming apparatus for forming superior images, by improving optical memories, such as exposure memory, untransferred memory and destaticization memory and preventing ghosts or charging nonuniformity from appearing on the formed image.例文帳に追加

露光メモリー、未転写メモリー、除電メモリーなどの光メモリーを改善し、ゴーストや帯電ムラが形成画像へ出現することを排して、良好な画像を形成する電子写真方式の画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce variation of threshold voltage of a memory cell after write-in/erasure by suppressing influence due to variation of initial threshold voltage of an insulation film electric charges accumulating type memory cell, and to reduce variation of an electric property of a memory cell.例文帳に追加

絶縁膜電荷蓄積型メモリセルの初期しきい値電圧のばらつきによる影響を抑制して、書込／消去後のメモリセルのしきい値電圧のばらつきを低減し、応じて、メモリセルの電気的特性のばらつきを低減する。 - 特許庁

To advance an efficient data processing by sufficiently displaying the function of a cache memory irrelevantly to the properties of memory access by an application program running on a decentralized common memory type parallel computer system.例文帳に追加

分散共有メモリ型の並列計算機システムにおいて動作させているアプリケーションプログラムのメモリアクセスの性質に左右されることなく、キャッシュメモリの機能を充分に発揮させ、効率的なデータ処理を進めることができるようにする。 - 特許庁

When POR of a memory module 1 is performed, first parts P1a to Pna on pages P1 to Pn are read from the NAND-type flash memory 3, and written into a buffer memory 6 after prescribed error correction processing by an error correction part 7.例文帳に追加

メモリモジュール１のＰＯＲ時に、ページＰ１〜Ｐｎの第１部分Ｐ１ａ〜ＰｎａがＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３から読み出され、エラー訂正部７によって所定のエラー訂正処理が行われた後、バッファメモリ６に書き込まれる。 - 特許庁

To provide a huge electric resistance memory device as a manganese oxide memory device having a huge electric resistance memory function which can be configured of manganese oxide having a crystal structure which is not a conventional 113 type crystal structure.例文帳に追加

巨大電気抵抗メモリ機能を有するマンガン酸化物メモリ素子であって、従来の１１３型結晶構造ではない結晶構造をもつマンガン酸化物で構成することができる巨大電気抵抗メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The two writing wirings intersect perpendicular in the whole memory region and form cross point type arrangement, so that cell selection is facilitated.例文帳に追加

メモリ全体領域では二本の書き込み配線は直交し、クロスポイント型の配置となるのでセル選択は容易である。 - 特許庁

To process a matrix at a high speed by an SMP node distributed memory type parallel computer.例文帳に追加

ＳＭＰノード分散メモリ型並列計算機で高速に行列を処理することの出来る装置あるいは方法を提供する。 - 特許庁

A main CPU is started by turning on a system power source, and an NAND type flash memory controller 12 is started.例文帳に追加

システム電源をＯＮして、メインＣＰＵを起動させると共に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラ１２を起動させる。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT FOR CARD TYPE MEMORY, ASIC MOUNTED WITH THE SAME AND IMAGE FORMING APPARATUS MOUNTED WITH ASIC例文帳に追加

カード型メモリのインターフェイス回路、その回路を搭載したＡＳＩＣ、及びそのＡＳＩＣを搭載した画像形成装置 - 特許庁

Access to the flash memory through the input/output terminals is carried out through the clock synchronization type DRAM.例文帳に追加

前記入出力端子を介した前記フラッシュメモリに対するアクセスは、前記クロック同期型ＤＲＡＭを経由して行う。 - 特許庁

To communicate data in accordance with a non-contact type semiconductor memory of various communication methods and to improve convenience.例文帳に追加

多様な通信方式の非接触式半導体メモリに対応してデータ通信可能とし、利便性を向上させる。 - 特許庁

To provide an advance operation mode type semiconductor memory in which the number of main data lines can be minimized.例文帳に追加

メインデータラインの数を最小化することができる先取り動作モード型同期半導体メモリ装置を提供するにある。 - 特許庁

To provide a liquid jet device and a liquid jet type printer which can make a memory and a controller small.例文帳に追加

メモリ自体や制御装置の小型化が可能な液体噴射装置及び液体噴射型印刷装置を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a new structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT OF CARD TYPE MEMORY, ASIC (APPLICATION SPECIFIED IC) MOUNTED WITH ITS CIRCUIT AND IMAGE FORMING APPARATUS MOUNTED WITH ITS ASIC例文帳に追加

カード型メモリのインターフェイス回路、その回路を搭載したＡＳＩＣ、およびそのＡＳＩＣを搭載した画像形成装置 - 特許庁

A synchronous type SRAMS1 storing data in a memory array 1 is operated in synchronizm with rise of a clock signal CK.例文帳に追加

メモリアレイ１にデータを記憶する同期型ＳＲＡＭＳ１は、クロック信号ＣＫの立ち上がりに同期して動作する。 - 特許庁

The storage control circuit 4 changes over a method for reading the pixel data from the memory 3, based on output type information for the CIS 2.例文帳に追加

記憶制御回路４は、ＣＩＳ２の出力タイプ情報を基に、メモリ３から画素データを読み出す方法を変える。 - 特許庁

To improve retention characteristics in a split gate type MONOS memory which carries out a rewrite by hot carrier injection.例文帳に追加

ホットキャリア注入によって書き換えを行うスプリットゲート型ＭＯＮＯＳメモリにおいて、リテンション特性を向上させる。 - 特許庁

To avoid conduction between a source region and a drain region accompanying microfabrication of a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、微細化にともなうソース領域およびドレイン領域の導通を回避できるようにする。 - 特許庁

To realize high speed erasing in an MONOS memory cell having a gate electrode containing p-type impurities.例文帳に追加

本発明は、ゲート電極がｐ型不純物を含むMONOSメモリセルにおいて消去動作の高速化を図ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a forming method of an aluminum oxide layer, and a manufacturing method of a charge trap type memory element which utilizes the same.例文帳に追加

アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a particle moving type display device having improved display characteristics, display stability and memory properties.例文帳に追加

表示特性、表示安定性およびメモリ性が向上した粒子移動型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The line average concentration read from the FIFO type memory S3 receiving the read command is inputted to an adder-subtracter S9.例文帳に追加

読出し指令を受けたＦＩＦＯ型メモリＳ３から読出されたライン平均濃度は、加減算器Ｓ９に入力される。 - 特許庁

To provide a decoding system for performing a plurality of pieces of operation for the semiconductor memory device of a stack bank type.例文帳に追加

スタック・バンク・タイプの半導体メモリ・デバイスのために複数動作を同時に実行するデコード方式を提供すること。 - 特許庁

To apply an electrostatic coupling type drive circuit to a display device, which has memory capability and has no need of frequent rewriting.例文帳に追加

メモリ性を有して頻繁に書き換える必要がない表示装置に、静電結合方式の駆動回路を適用する。 - 特許庁

Then, user data 22 of the NAND type flash memory 13 are copied to a DRAM, and a main program is executed by the main CPU.例文帳に追加

そして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３のユーザデータ２２をＤＲＡＭへコピーして、メインＣＰＵがメインプログラムを実行する。 - 特許庁

When the virtual memory module operated as server type is used, a cache of access is accumulated in an existing IC module.例文帳に追加

サーバ型として運用される仮想メモリ・モジュールを利用する際に、既存のＩＣモジュールにアクセスのキャッシュを蓄積しておく。 - 特許庁

Ni-Co-Ga OR Co-Ni-Ga HEUSLER-TYPE MAGNETIC SHAPE MEMORY ALLOY AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｇａ系ホイスラー型磁性形状記憶合金およびその製造方法 - 特許庁

A resistance change type memory is composed of the resistance changing element including a resistance changing layer sandwiched between a pair of electrodes.例文帳に追加

抵抗変化型メモリは、一対の電極間に挟まれた抵抗変化層を有する抵抗変化素子で構成される。 - 特許庁

INTERFACE CIRCUIT FOR CARD TYPE MEMORY, ASIC MOUNTED WITH ITS CIRCUIT, AND IMAGE FORMING APPARATUS MOUNTED WITH ITS ASIC例文帳に追加

カード型メモリのインターフェイス回路、その回路を搭載したＡＳＩＣ、およびそのＡＳＩＣを搭載した画像処理装置 - 特許庁