「Memory type」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a NAND type flash memory apparatus having a page buffer which can verify prior erasing.例文帳に追加

事前消去を検証することが可能なページバッファを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁

A p-type sense amplifier SAP is located at the position between this decoupling circuit Td and a memory array 1.例文帳に追加

このデカップリング回路Ｔｄとメモリセルアレイ１との間の位置に、ｐ型センスアンプＳＡＰが位置する。 - 特許庁

To speed up accessing in a synchronous type semiconductor memory having a function of shifting an input command.例文帳に追加

入力コマンドのシフト機能を有する同期型半導体記憶装置において、アクセスの高速化を図る。 - 特許庁

To provide a microminiature memory device which can be incorporated in the pixel of an active matrix type display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の表示装置の画素に組み込むことが可能な超小型のメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use.例文帳に追加

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。 - 特許庁

COMMUNICATION EQUIPMENT TO NON-CONTACT TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY, TAPE DRIVE DEVICE, LIBRARY DEVICE, AUTO-LOADER AND READER例文帳に追加

非接触式半導体メモリに対する通信装置、テープドライブ装置、ライブラリ装置、オートローダー装置、リーダー装置 - 特許庁

The memory includes a partial depletion type nMOS (6) having an SOI structure formed on an UTB (3).例文帳に追加

メモリは、ＵＴＢ（３）上に形成されたＳＯＩ構造を有する部分空乏型のｎＭＯＳ（６）を含む。 - 特許庁

LASER PROCESSING METHOD AND PRODUCING METHOD FOR MEMORY DEVICE AND INSULATED GATE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

レーザー処理方法、およびメモリ装置の作製方法、並びに絶縁ゲート型半導体装置の作製方法 - 特許庁

The controller 4 executes the access to the NAND type flash memory 3 by use of the second address.例文帳に追加

コントローラ４は、前記第２のアドレスを用いてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３に対するアクセスを実行する。 - 特許庁

In a stack type nonvolatile semiconductor memory, the prescribed voltage is applied to a control gate electrode 5.例文帳に追加

スタック型不揮発性半導体記憶装置において、制御ゲート電極５に所定電圧を印加する。 - 特許庁

The processor supplies program counter information, and the program counter information is stored in the memory map type register of the debug circuit.例文帳に追加

プロセッサがプログラムカウンタ情報を供給し、それはデバッグ回路のメモリマップ型レジスタ内に格納される。 - 特許庁

You can then take another snapshot and compare the two.By comparing memory snapshots you can see what objects have been created or released from the heap in the interval between when you took the two snapshots.The snapshots must be comparable, which means that the profiling type (e.g., Allocations vs. Liveness)and the number of tracked objects must match.例文帳に追加

その後 2 つめのスナップショットを取得して比較してみます。 - NetBeans

The method is for preventing fraudulence of the game device using a seal-type tag with a data memory and an antenna.例文帳に追加

データ記憶メモリとアンテナを備えたシール状のタグを使用した遊技具の不正防止方法である。 - 特許庁

To provide a radio-type transmitting device capable of transmitting information other than information in an internal memory.例文帳に追加

内部メモリ内の情報以外の情報を通信可能とする無線型伝送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus of a serial input/output type requiring a small access time which can have a large capacity.例文帳に追加

アクセスタイムの小さいシリアル入出力型の大容量可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory of a single layer gate type capable of suppressing deterioration of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の劣化を抑制することができる単層ゲート型の不揮発性メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide an NAND-type flash memory device having shared string/ground selection line structure.例文帳に追加

共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a contact structure of a side wall-shaped control gate in a MONOS type nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

MONOS型の不揮発性半導体記憶装置においてサイドウォール状コントロールゲートのコンタクト構造を提供する。 - 特許庁

To obtain a storage case to store and carry a card-type recording medium such as a memory stick.例文帳に追加

メモリスティック等のカード型記録媒体を収納して携帯できるようにした収納ケースを得ること。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory in which yield is better and a standby current is a standard value or less.例文帳に追加

歩留りよく、スタンバイ電流が規格値以下となるスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

Concerning the memory device having plural memory cells formed above a substrate and a driving circuit for driving the memory cells, each of memory cells has a membrane-like insulated gate type transistor, and the channel forming area of the membrane-like insulated gate type transistor has a monocrystal silicon.例文帳に追加

基板上方に形成された複数のメモリー素子と、前記メモリー素子を駆動する駆動回路とを有するメモリー装置において、前記メモリー素子は、薄膜状絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記薄膜状絶縁ゲート型トランジスタのチャネル形成領域は、単結晶シリコンを有することを特徴とするメモリー装置である。 - 特許庁

This communication terminal device is provided with an original reading part 9, an image recording part 10, an image memory 4, and an image memory management table 50, and forms a link that is traced down in each image type in the image memory management table 50 with respect to each of the images stored in the image memory 4.例文帳に追加

原稿読取部９と、画像記録部１０と、画像メモリ４と、画像メモリ管理テーブル５０とを備え、画像メモリ管理テーブル５０に、画像メモリ４に蓄積した各々の画像について、画像の種別ごとにたどるリンクを形成した。 - 特許庁

Relating to a distributed memory type information processor, presentation memory modules 14-1 and 14-3 supplies elements sorted inside their own memory modules, together with order numbers via a bus 24 divided by a switch 30 or the like to judgment memory modules 14-2 and 14-4.例文帳に追加

分散メモリ型の情報処理装置において、提示メモリモジュール14−1、14−3が自己のメモリモジュール内でソートされた要素を順位番号とともに、スイッチ３０などにより分割されたバス２４を介して、判定メモリモジュール14−2、14−4に与える。 - 特許庁

A hydrogen block film 33 is provided on a capacitor, which comprises an opening part 38 in a region with no memory cell which is present at each memory cell block, by utilizing a memory cell block structure specific to the TC parallel unit series-connected type ferroelectric memory.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリ特有のメモリセルブロック構造を利用し、メモリセルブロックごとに存在しているメモリセルのない領域に開口部３８が設けられた水素ブロック膜３３をキャパシタ上に設ける。 - 特許庁

In the present flash memory, a plurality of memory blocks MB0-MB3 is provided on one on the end of four P type wells PW arranged in a Y direction, and three memory blocks MB10-MB12 are provided on each of the remaining three P type wells PW.例文帳に追加

このフラッシュメモリでは、Ｙ方向に配列された４つのＰ型ウェルＰＷのうちの端の１つのＰ型ウェルＰＷに複数のメモリブロックＭＢ０〜ＭＢ３を設け、残りの３つのＰ型ウェルＰＷにそれぞれ３つのメモリブロックＭＢ１０〜ＭＢ１２を設ける。 - 特許庁

The electronic apparatus which is an object of the control, is provided with a non-contact type communication memory part 30, and the remote controller is provided with a non-contact type communication read out part 201.例文帳に追加

制御対象となる電子機器は、非接触式通信記憶部３０を備え、リモートコントローラは、非接触式通信読出部２０１を備えている。 - 特許庁

Lens type data for judging a lens type of an interchangeable lens 2 and an infinity side/closest side driving limit position has been stored into a lens data memory 20 of the interchangeable lens 2.例文帳に追加

交換レンズ２のレンズデータメモリ２０に交換レンズ２のレンズタイプを判定するためのレンズタイプデータ、無限側・至近側駆動リミット位置を記憶させておく。 - 特許庁

The atomic weight of the n-type impurity of the memory extension region LD1 is smaller than the atomic weight of the n-type impurity of the logic extension region LD2.例文帳に追加

メモリ用エクステンション領域ＬＤ１のｎ型不純物の原子量は、ロジック用エクステンション領域ＬＤ２のｎ型不純物の原子量よりも小さい。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁

A control software adaptable to each vehicle type is stored in the non-volatile memory externally connected to the microcomputer for each vehicle type possible for a vehicle.例文帳に追加

マイコンに外部接続された不揮発性メモリには、車両が採りえる車両タイプ毎に、この車両タイプに適合する制御ソフトウェアが記憶されている。 - 特許庁

Using a second mask 9, a first conductivity-type wells 10, 10 are formed respectively at the memory cell part 1 and a second conductivity-type MOS transistor part 8.例文帳に追加

第２のマスク９を用いて、メモリセル部分１および第２導電型ＭＯＳトランジスタ部分８のそれぞれに、第１導電型のウェル１０，１０を形成する。 - 特許庁

When screen reader software is installed in a PC1, an installation program stores a UI type indicating a UI for a visually impaired person in a UI type memory 14c3.例文帳に追加

スクリーンリーダソフトがＰＣ１にインストールされている場合に、インストールプログラムは、ＵＩタイプメモリ１４ｃ３に視覚障害者用ＵＩを示すＵＩタイプを記憶する。 - 特許庁

To provide a particle transfer type display element which has a memory property and in which increase of driving voltage is alleviated and to provide a particle transfer type display device.例文帳に追加

メモリー性を備えると共に、駆動電圧の増大を軽減することのできる粒子移動型表示素子及び粒子移動型表示装置を提供する。 - 特許庁

A control part 30a writes the type of a table selected before setting of the pay-out ratio in the previous selection table memory 45 and writes the type of a newly set table in the following selection table memory 46.例文帳に追加

制御部３０ａは、先行選択テーブルメモリ４５に、ペイアウト率の設定が行われる前に選択されていたテーブルの種類を書き込み、後続選択テーブルメモリ４６に、新たに設定されたテーブルの種類を書き込む。 - 特許庁

N^+-type impurity regions FN30 and FN10 forming one memory node are divided into different wells and N^+-type impurity regions FN31 and FN11, forming the other memory node, are also divided into different wells.例文帳に追加

一方の記憶ノードを成すＮ^＋型不純物領域ＦＮ３０，ＦＮ１０は異なるウェルに分かれており、他方の記憶ノードを成すＮ^＋型不純物領域ＦＮ３１，ＦＮ１１も異なるウェルに分かれている。 - 特許庁

A coefficient operation section 37 acquires a type coefficient from a type coefficient memory 36, operates a predicted coefficient based on a conversion scheme selection signal input from a designation section 38, and stores the predicted coefficient into the coefficient memory 33.例文帳に追加

係数演算部３７は、種係数メモリ３６から種係数を取得し、指定部３８から入力された変換方式選択信号に基づいて予測係数を演算して、係数メモリ３３に記憶する。 - 特許庁

To secure reliability equal to that of a write-through type one in a write-back type memory data transfer device having a redundant configuration of an active system and a standby system and ensuring equality of memory data between the both systems.例文帳に追加

現用系および予備系の冗長構成にて、両系のメモリデータの同一性を確保するメモリデータ転送装置において、ライトバック方式でありながらライトスルー方式と同等の信頼性を確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁

Using a first mask 2, a second conductivity-type buried well 3 is formed, and a second conductivity-type impurity ion for determining the threshold of the transistor of a memory cell is implanted in a memory cell part 1.例文帳に追加

第１のマスク２を用いて、第２導電型の埋め込みウェル３を形成し、引続き、メモリセルのトランジスタのしきい値を決定するための第２導電型の不純物イオンをメモリセル部分１に注入する。 - 特許庁

The mechanical pencil is self-heat-generated and contracted by energizing in the electrically driven type shape memory alloy 14, and a chuck 1 is forwarded by utilizing the contract of this electrically driven type shape memory alloy 14 to deliver the core 6.例文帳に追加

通電駆動型形状記憶合金１４を通電させることにより自己発熱して収縮し、この通電駆動型形状記憶合金１４の収縮を利用してチャック１を前進させ芯６を繰り出す。 - 特許庁

In the circumferential area of the NOR-type flash memory formation area 2 and the DINOR-type flash memory formation area 3, a peripheral circuit formation area 7 including transistors, etc., for a peripheral circuit is formed.例文帳に追加

さらに、ＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３の周辺領域に周辺回路用のトランジスタ等を含む周辺回路形成領域７が作り込まれている。 - 特許庁

To prevent charges accumulated in a charge accumulating area of a trap film of a MONOS-type (metal oxide nitride oxide silicon-type) to migrate, by only simply changing the structure of the MONOS-type flash memory, and to resolve a problem that the read margin of the memory reduces.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリに関し、ＭＯＮＯＳ型フラッシュメモリの構造に簡単な改変を加えるのみで、トラップ膜の電荷蓄積領域に蓄積される電荷がマイグレーションすることを抑止し、メモリの読み出しマージン縮小の問題を解消しようとする。 - 特許庁

The memory is provided with an n-type impurity area 14 formed in a memory cell array area on the upper surface of a p-type silicon substrate 13 and functioning as the cathode of a diode 10 included in a memory cell 9, and a plurality of p-type impurity areas 15 formed on the surface of the n-type impurity area 14 at prescribed intervals and functioning as the anode of the diode 10.例文帳に追加

このメモリは、ｐ型シリコン基板１３の上面のメモリセルアレイ領域に形成され、メモリセル９に含まれるダイオード１０のカソードとして機能するｎ型不純物領域１４と、ｎ型不純物領域１４の表面に所定の間隔を隔てて複数形成され、ダイオード１０のアノードとして機能するｐ型不純物領域１５とを備えている。 - 特許庁

In addition, an address of a performance memory is extracted from a memory management DB 305 using the type of exclusive control to the processing unit 301 determined by the exclusive control part 306 by a memory control part 304.例文帳に追加

また、メモリ制御部３０４によって、排他制御部３０６によって決定される処理単位３０１に対する排他制御の種類を用いて、メモリ管理ＤＢ３０５から実行メモリのアドレスを抽出する。 - 特許庁