「Mo is」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The composite alloy is formed of a Cu pooling phase 3 and a Mo-Cu alloy phase 2.例文帳に追加

前記複合合金は、Ｃｕプール相３とＭｏ−Ｃｕ合金相２で形成されてなる。 - 特許庁

As a material of the electrodes 5a, 5b, a metal having sputtering resistance such as Mo, Nb and Ta is used.例文帳に追加

電極５ａ，５ｂの材質として、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａといった耐スパッタリング用の金属を使用する。 - 特許庁

The gate electrode 13 is constituted by Mo, etc., having high reflectance of light.例文帳に追加

ゲート電極１３は高い光の反射率を有するＭｏなどにより構成されている。 - 特許庁

A molybdenum(Mo) bottom layer 12 is provided for a lowermost layer of outer connection pads 11b.例文帳に追加

外部接続パッド１１ｂの最下層にモリブデン（Ｍｏ）からなるボトム層１２を設ける。 - 特許庁

To provide an Mo alloy sputtering target material which is free of component segregation and has good plastic workability.例文帳に追加

成分偏析がなく、しかも塑性加工性のよいＭｏ合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

As a metallic base material 2 for the strain sensor 1, two-phase system stainless steel comprising Mo is used.例文帳に追加

歪みセンサ１の金属基材２として、Ｍｏを含む二相系ステンレス鋼を使用する。 - 特許庁

The base metal is alloy of Ni, Fe, Ti, Co, Al, Nb, or Mo base.例文帳に追加

ベース金属は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｎｂ、またはＭｏベースの合金である。 - 特許庁

A thickness of the Cu-Mo composite body 30 is greater than that obtained by adding the thickness of the Cu plates 32, 34 thereto.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｍｏ複合体３０の厚さは、Ｃｕ板３２，３４の厚さを足した厚さよりも大である。 - 特許庁

Preferably, 0.1 to 3 mol% of one or two kinds of Mo and W is substituted for Sn.例文帳に追加

ＭｏおよびＷの１種または２種の０．１〜３モル％を、Ｓｎで置換してもよい。 - 特許庁

As a refractory metal, Ti, Pt, W, Re, Mo, Cr, Ni, Pd or the like is preferable.例文帳に追加

高融点金属としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ等が好ましい。 - 特許庁

To obtain a brazing filler metal which consists mainly of Mo and does not contain Ru which is a rare metal.例文帳に追加

希少金属であるＲｕを使用しないＭｏを主成分とするろう材を得ること。 - 特許庁

The metal powder is formed of at least one of W, Mo, and Ti.例文帳に追加

金属パウダーは、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等のうちの少なくとも１つを用いて形成される。 - 特許庁

The metal is preferably Ti, Ta, Cr, Zr, Hf, V, Nb, Mo, W or Si.例文帳に追加

金属は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＷまたはＳｉであることが好ましい。 - 特許庁

It is more desirable to regulate the above Mo content to 10-50 ppm.例文帳に追加

上記モリブデン（Ｍｏ）含有量は１０〜５０ｐｐｍであることがより好ましい。 - 特許庁

It is desirable for an adhesive amount of Ca to be 0.1 g/m2 or less or an adhesive amount of Mo to be 0.01 g/m2 or less.例文帳に追加

さらに、Ｃａ付着量を0.1g/m^2以下またはＭｏ付着量を0.01g/m^2以下とすることが好ましい。 - 特許庁

The photocatalytic material (TiO_2) layer 5 is formed on the Mo/Si multi-layer film.例文帳に追加

このＭｏ／Ｓｉ多層膜の上には、光触媒材料（ＴｉＯ_２）層５が成膜されている。 - 特許庁

An amount of Al, N, Mo, B, Nb, V having an effect fine dispersing the carbide is specified.例文帳に追加

また、炭化物を微細に分散させる効果があるＡｌ、Ｎ、Ｍｏ、Ｂ、Ｎｂ、Ｖの量を規定する。 - 特許庁

The base layer is a film consisting essentially of any of Mo, Ti and Ta.例文帳に追加

また、前記下地層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａのうち何れかを主成分とする膜である。 - 特許庁

For producing the Mo sputtering target material, an Mo stock is subjected to rolling at ≥70% rolling radio to obtain an Mo sheet having 99.5% relative density, which is subjected to heat treatment at 1,100 to 1,200°C and is recrystallized to obtain a sputtering target material composed of a Mo sheet having a structure of uniform grains of ≤100 μm.例文帳に追加

このＭｏスパッターリングターゲット材を製造するには、Ｍｏ素材から圧延加工率７０％以上の圧延加工を施して相対密度が９９．５％のＭｏ板を得、１１００℃〜１２００℃で熱処理し、再結晶させて１００μｍ以下の均粒な組織を有するＭｏ板からなるスパッターリングターゲット材を得ることによる。 - 特許庁

The method of controlling pulse output in a pulse laser apparatus of an MO-PA system in which an MO unit is coupled to a PA unit includes a start sequence for starting the MO unit before starting the PA unit.例文帳に追加

ＭＯ部とＰＡ部とを連結したＭＯ−ＰＡ方式のファイバ・パルスレーザ装置におけるパルス出力を制御する方法であって、ＰＡ部の起動よりもＭＯ部の起動を先に行う起動シーケンスを含むことを特徴とするファイバ・パルスレーザ装置のパルス出力制御方法。 - 特許庁

In a multilayer film reflection mirror comprising alternate multilayer films of Mo thin films 12 and Si thin films 13, the Mo thin films 12 are formed in am amorphous state by adding heavy elements to them and the tensile stress of the Mo thin films 12 is strengthened by irradiating the amorphous thin films with an ion beam.例文帳に追加

Ｍｏ薄膜１２とＳｉ薄膜１３の交互多層膜からなる多層膜反射鏡において、Ｍｏ薄膜１２に重元素を添加することによって非晶質状態で成膜し、その非晶質薄膜にイオンビームを照射することで、Ｍｏ薄膜１２の引張応力を強化する。 - 特許庁

In the method of producing the tool steel, the modulated structure in the structure of tool steel comprising Mo and/or W or tool steel comprising one or two kinds of metals selected from Mo and W by 0.1 to 16.0 mass% in terms of (Mo+0.5W) is controlled to improve the mechanical properties thereof.例文帳に追加

Ｍｏおよび／またはＷを含有する工具鋼、または、ＭｏおよびＷの１種または２種を（Ｍｏ＋０．５Ｗ）で０．１〜１６．０質量％含有する工具鋼の組織の変調構造を調整することにより機械的性質を改善する工具鋼の製造方法である。 - 特許庁

The multilayer film reflection mirror is formed by alternately providing Mo-Si pair layers of Mo layers composed principally of Mo and Si layers composed principally of Si on a base, thicknesses of Mo layers and Si layers of first to (n)th pair layers right above the base are made equal to one another and (n) value is set to ≤20.例文帳に追加

本発明の多層膜反射鏡は、基材上にＭｏを主成分とするＭｏ層とＳｉを主成分とするＳｉ層とからなるＭｏ-Ｓｉペア層を交互に設けた多層膜反射鏡であって、基材直上の第１番目のＭｏ-Ｓｉペア層から第ｎ番目のＭｏ-Ｓｉペア層におけるＭｏ層の厚さとＳｉ層の厚さとが等しくされると共に、ｎの値がｎ≦２０となるように設定されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a powder alloy containing Mo and S for a low friction sintered body, which can hold Mo based or Mo-Fe based S-rich phase having lubricity even when is sintered together with powder materials containing Cr and C, by preventing generation of Cr sulfide or Mo carbide, and thereby can reduce a friction coefficient of the sintered body.例文帳に追加

ＭｏおよびＳを含有する低摩擦焼結体用粉末合金において、ＣｒやＣを含有する粉末材料と共に燒結した場合でも、Ｃｒ硫化物やＭｏ炭化物の生成を防止して、潤滑性を備えたＭｏ系あるいはＭｏ−Ｆｅ系Ｓリッチ相を確保することができ、焼結体の摩擦係数を低下させることができる低摩擦焼結体用粉末合金を提供する。 - 特許庁

This silicon steel sheet has an insulating film on the surface, containing an inorganic colloid and resin in the insulating film, and one or more kinds of metal compounds, the metal selected from the group of Mo and W, 0.001 to 5 mass % of the insulating film as Mo+W, and further a content of Cl in the insulating film is ≤0.1 mass %.例文帳に追加

表面に絶縁被膜を有する電磁鋼板において、この絶縁被膜中に無機コロイドと樹脂とを有し、かつ、この絶縁被膜中にMo及びＷから選ばれる１種以上の化合物を、Mo＋Ｗ換算で絶縁被膜の0.001 mass％〜5 mass％の比率で含み、更に、絶縁被膜中のCl比率が0.1 mass％以下とする鋼板。 - 特許庁

The total weight of Ni and Co is 15 to 25 mass%, a Ti content is 30 to 50 mass%, a W content is 15 to 30 mass%, and the total content of Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr is 5 to 15 mass%.例文帳に追加

そして、NiとCoの合計量が15〜25質量％で、Tiの含有量が30〜50質量％で、Wの含有量が15〜30質量％で、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrの合計含有量が5〜15質量％である。 - 特許庁

In order to solve the above problem, optimality treatment is performed on qualification wherein all layers of the Mo/Si mutual layer 20 is made into design thickness of at least 1.5 nm, and the Mo/Si mutual layer 20 of uneven thickness structure is realized wherein impact by a boundary layer is little.例文帳に追加

そこで、Ｍｏ／Ｓｉ交互層２０のすべての層を１．５ｎｍ以上の設計膜厚とする条件で最適化処理し、境界層による影響の少ない不均一膜厚構造のＭｏ／Ｓｉ交互層２０を実現する。 - 特許庁

The laminate for forming the wiring substrate is provided with a substrate layer which is formed on a substrate and is made of Mo as a major ingredient and does not include oxygen and/or nitrogen and a conductor layer which is made of Mo as the major ingredient and does not include oxygen and nitrogen.例文帳に追加

基板上に、Ｍｏを主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分としかつ酸素も窒素も含まない導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体。 - 特許庁

The electrode is formed to the surface of a piezoelectric substrate by using a two-element alloy (Ag-Mo), wherein the principal component is silver (Ag) and molybdenum (Mo) is added to the silver as an electrode material.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明では、圧電基板の表面に、銀（Ａｇ）を主成分としてモリブデン（Ｍｏ）を添加した２元素系合金（Ａｇ−Ｍｏ）を電極材料として電極を形成する。 - 特許庁

The area of the region where the Mo/Si multilayer film 3 is formed is smaller than the region where the copper thin film 1 is formed, exposing a part of the copper thin film 1 from the Mo/Si multilayer film 2.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｓｉ多層膜３の成膜されている領域の面積は、銅薄膜１の成膜領域よりも狭くなっており、銅薄膜１の一部がＭｏ／Ｓｉ多層膜３から露出している。 - 特許庁

If necessary, the mixture is molded to a briquette, etc., by using a molding machine 14, then the molded product is melted by a hearth-tapping type electric furnace 15 and Ni-Mo ferroalloy is taken out by preferentially reducing Ni and Mo.例文帳に追加

必要あらば、成形機１４．を用いてブリケット等に成形物とした後、炉底出鋼型電気炉１５．にて溶融し、Ｎｉ、Ｍｏを優先還元してＮｉ−Ｍｏ合金鉄として取り出す。 - 特許庁

For example, a material of the discharge chamber sidewall is stainless steel or aluminum, a material of grids is Mo, W or C and a material of the platform is Ti or Mo.例文帳に追加

たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 - 特許庁

When the reversal of the motor rotation direction is determined after the set time Td and the motor speed is reduced to the determination value or less, a noise signal N such as a sin signal is applied to the motor speed command V_MO.例文帳に追加

設定時間Ｔｄ後においてモータ回転方向が反転することを判断し、且つ、モータ速度が判定値以下に減少したら、sin信号などのノイズ信号Ｎをモータ速度指令Ｖ_MOに加える。 - 特許庁

The zinc oxide-based transparent conductive film-forming material is an oxide sintered compact composed substantially of zinc, molybdenum and oxygen, wherein molybdenum is contained so as to be Mo/(Zn+Mo)=≥0.02 but ≤0.1 in atomic ratio.例文帳に追加

本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 - 特許庁

A base film 2 of copper of thickness 20 nm is formed on a substrate 1 made from quartz, and furthermore a multilayer reflection film 3 is formed thereon with a periodic length 7 nm, and periodicity paired 50-layer Mo (Molybdenum)/Si (Silicon).例文帳に追加

石英を素材とする基板１の上に膜厚２０nmの銅の下地膜２が形成され、さらにその上に周期長７nm、周期数５０層対のMo（モリブデン）／Si（シリコン）多層反射膜３が形成される。 - 特許庁

To provide a carbonitrided member which can secure excellent wear resistance and high pitting strength even if the content of expensive Mo is reduced, or Mo is not added.例文帳に追加

高価なＭｏの含有量を低減するか、あるいはＭｏが非添加であっても、優れた耐摩耗性と大きなピッチング強度を確保することができる浸炭窒化部材の提供。 - 特許庁

The heat sink 29 is formed of an alloy whose thermal expansion coefficient is nearly that of the ceramic substrate 22 (alumina, etc.), for example, one of Cu-Mo, Cu-W and Mo.例文帳に追加

このヒートシンク２９は、熱膨張率がセラミック基板２２（アルミナ等）に近い合金、例えばＣｕ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、Ｍｏのいずれかにより形成されている。 - 特許庁

The multilayer reflector is composed by forming an Mo/Si multi-layer film 2 on a base 1 made of low-heat expansion glass whose surface is shaped aspherically and forming an MoSi_2 thin film 3 on the outermost surface of the film 2.例文帳に追加

表面が非球面形状をした低熱膨張ガラスからなる基材１の上に、Mo/Si多層膜２を成膜し、その最表面にMoSi_２薄膜３を成膜して多層膜反射鏡とする。 - 特許庁

After a surface Mo electrode is formed on the surface of the semiconductor wafer, the back Ni-based electrode is formed on the back of the semiconductor wafer, and the formed surface Mo electrode and back Ni-based electrode are simultaneously subjected to sintering processing.例文帳に追加

半導体ウェハの表面に表面Ｍｏ電極を形成した後で、半導体ウェハの裏面に裏面Ｎｉ系電極を形成し、形成した表面Ｍｏ電極および裏面Ｎｉ系電極を同時にシンター処理する。 - 特許庁

In the optical element having a reflection multilayer film comprising alternate layers of a Mo layer 12 and an Si layer 14 on a substrate 11, a B_4C layer 13 which is a diffusion prevention layer is provided between the Mo layer 12 and the Si layer 14.例文帳に追加

基板１１にＭｏ層１２とＳｉ層１４の交互層からなる反射多層膜を有する光学素子において、Ｍｏ層１２とＳｉ層１４の層間に拡散防止層であるＢ_４Ｃ層１３を設ける。 - 特許庁

To provide a steel product having a carbo-nitrided layer securing superior abrasion resistance and large pitting resistance even when the content of expensive Mo is reduced or Mo is not added.例文帳に追加

高価なＭｏの含有量を低減するか、あるいはＭｏが非添加であっても、優れた耐摩耗性と大きなピッチング強度を確保可能な浸炭窒化層を有する鋼製品の提供。 - 特許庁

When high carbon special steel containing C not less than 0.12 wt.% and one or two or more of Cr, Ni, and Mo is cast by use of vertically bent type continuous casting machine, temperature of secondary cooling water is kept in at least 38°C.例文帳に追加

垂直曲げ型連続鋳造機を用いて、Ｃ濃度0.12重量％以上でかつCr, Ni, Moの一種もしくは二種以上を含む高炭素特殊鋼を鋳造するにあたり、二次冷却水の温度を38℃以上に保つ。 - 特許庁

To provide a nitrided gear that contains little Mo which is an expensive element, and that has superior abrasion resistance and pitching resistance, and to provide a semifinished product for the nitrided gear, which is preferably used as a base material for the gear.例文帳に追加

高価な元素であるMoの含有量が少なく、耐摩耗性と耐ピッチング性に優れた窒化歯車およびその素材として用いるのに好適な窒化歯車用粗形品の提供。 - 特許庁

In the method for producing an Mo target material, Mo raw material powder is subjected to press sintering, so as to be a sintered compact having an oxygen content of ≤500 ppm and a relative density of ≥99.0%, and thereafter, the sintered compact is subjected to plastic working at 200 to 800°C.例文帳に追加

Ｍｏ原料粉末を加圧焼結して酸素含有量５００ｐｐｍ以下、相対密度９９．０％以上の焼結体とした後、該焼結体を２００〜８００℃で塑性加工をするＭｏターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁