「Mo is」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In this digital mixer, a signal transmission path from an input ch 40 to a bus of MIX_MINUS type is provided with an MO switch 55a and an MOL fader 56a, and a signal of the input ch 40 is supplied to a MIX bus as it is when the MO switch 55a is off, and after adjusting a level by the MOL fader 56a when an MO switch 55b is on.例文帳に追加

デジタルミキサにおいて、入力ｃｈ４０からＭＩＸ＿ＭＩＮＵＳタイプのバスに対する信号送出経路に、ＭＯスイッチ５５ａとＭＯＬフェーダ５６ａとを設け、入力ｃｈ４０の信号を、ＭＯスイッチ５５ａがオフの場合にはそのまま、ＭＯスイッチ５５ｂがオンの場合にはＭＯＬフェーダ５６ａによりレベル調整した上でＭＩＸバスに供給する。 - 特許庁

Regarding the method for melting an Mo-containing steel utilizing a spent catalyst, a spent Mo-containing catalyst used upon the desulfurization treatment of petroleum is dissolved into a molten iron, next, the molten iron is subjected to desulfurization treatment, thereafter, the molten iron is charged to a converter, and is subjected to oxygen blowing, and a molten steel containing Mo as an alloy component is melted from the molten iron.例文帳に追加

本発明による使用済触媒を利用したＭｏ含有鋼の溶製方法は、石油の脱硫処理時に使用された使用済のＭｏ含有触媒を溶銑中に溶解し、次いで、該溶銑に脱硫処理を施し、その後、この溶銑を転炉に装入して酸素吹錬を施し、該溶銑からＭｏを合金成分として含有する溶鋼を溶製することを特徴とする。 - 特許庁

Formula (1) is H_4-mZ_mSiY_12O_40 (wherein Y is W or Mo; Z is (NH_4) or an alkali metal atom; and m is an arbitrary value in the range: 0<m<4).例文帳に追加

Ｈ_4-mＺ_mＳｉＹ_12Ｏ_40 （１） （ＹはＷ又はＭｏを表し、Ｚは（ＮＨ_4）又はアルカリ金属原子を表し、ｍは０＜ｍ＜４の任意の値を表す。） - 特許庁

When Mo is dispersed in an insulating matrix of granular film, the relation is as shown in (A), while when W is dispersed, it is as shown in (B).例文帳に追加

グラニュラ膜の絶縁性マトリクス中にＭｏを分散させた場合は（Ａ）に示すようになり、Ｗを分散させた場合は（Ｂ）に示すようになる。 - 特許庁

An alloy having a composition in which the content of Cr is >30 to 50 mass%, the content of Mo is ≤20 mass%, and the content of Ni is ≥45 mass%, or the relation among the Ni content, Cr content and Mo content satisfies the inequality of (the mass% of Ni)≥(the mass% of Cr)+(the mass% of Mo) is used.例文帳に追加

Ｃｒの含有量が３０質量％より多く５０質量％以下で、Ｍｏの含有量が２０質量％以下であり、Ｎｉの含有量が４５質量％以上であるか、又は、Ｎｉの含有量とＣｒの含有量とＭｏの含有量との関係が不等式 （Ｎｉの質量％）≧（Ｃｒの質量％）＋（Ｍｏの質量％） を充足する合金を用いている。 - 特許庁

When the compound oxide catalyst containing at least Mo and Si is manufactured by a process including the integration and heating of the supply source compounds of the respective component elements in an aqueous system, an aqueous dispersion, which is obtained by integrating a molybdenum (Mo)-containing compound and a silicon (Si)-containing compound in the aqueous system, is used as at least a part of the Mo supply source compound.例文帳に追加

少なくともＭｏ及びＳｉを含有する複合酸化物触媒を、各成分元素の供給源化合物の水性系での一体化及び加熱を含む工程によって製造する際に、モリブデン（Ｍｏ）供給源化合物の少なくとも一部として、Ｍｏ含有化合物とケイ素（Ｓｉ）含有化合物とを水性系での一体化を行って得られる水分散液を用いることを特徴とする。 - 特許庁

Similarly, the card that said, 'Imo no nieta mo gozonji nai,' which literally means, 'He cannot judge whether the potatoes have got boiled,' - the English equivalent is nonexistent but this can be said a disparaging expression about a person who is not aware of what is taking place under its very nose - and the card that said, 'Ko wa sangai no kubikase' (Children suck the mother when they are young, and the father when they are old), were both replaced, too. 例文帳に追加

「芋の煮えたもご存じない」「子は三界の首かせ」も同様に差し替え対象となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Regarding its reading, it is written 'use on (Chinese reading) for 木' in the original note, so it is read 'mo,' but it is rare to use Japanese pronunciation of a kanji (based on adopted Chinese pronunciations) in shinmei. 例文帳に追加

読みについても、原文の註記に「木は音を用いる」とあるので「も」と読むことになるが、神名に字音を用いるのは異例である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

For example, FSM-16 is used for the carrier and C60 is used as fullerenes and Mo[IV]O (tpp) is used as the porphyrin complex.例文帳に追加

例えば、担体にＦＳＭ−１６を用いて、フラーレン類としてＣ_60、ポルフィリン錯体としてＭｏ[IV]Ｏ（ｔｐｐ）を用いる。 - 特許庁

In this example, the inner cylinder 1 is made of Ni-B-Si-Mo series cermet and the ratio of the hardened phase is about 47% and this thickness is 0.5 mm.例文帳に追加

この例では、内筒１は、Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｏ系のサーメットで構成され、硬質相の割合が約４７％、厚さが０．５ｍｍである。 - 特許庁

When the three-layer metal film 5 is deposited, the bottom Mo layer whose etch rate is large is formed as a thin layer in about 10 nm or lower.例文帳に追加

三層金属膜５を堆積する際、エッチング速度の大きいボトムのＭｏ層を約１０ｎｍまたはそれ以下の薄層としておく。 - 特許庁

A mo (the skirt) is designed with a striped pattern of different colors, and the apron is designed with scattered diamond shaped ka-mon (flower patterns) on a green background. 例文帳に追加

裳（スカート）は色変わりの縞模様、前掛けは緑地に菱形の花文を散らしたデザインとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Oeyama ikunonomichi no tookereba mada "fumi" mo mizu ama no "hashidate" (Mt. Oe and the road that goes to Ikuno are far away, so I have neither seen a "letter" from, nor "travelled by foot" there to Amano "hashidate" [In this poem, "fumi" means both a "letter" and to "travel by foot," and although Amano-Hashidate is a place, the "hashidate" is also a reference to the "ladder" to heaven]) 例文帳に追加

大江山いく野の道の遠ければまだ「ふみ」もみず天の「橋立」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, among the dress clothes of zoshi (low class maid) of the late Heian period is a 懸帯 (kakeobi), however, it seems this is different from 掛帯 (kakeobi, literally the same meaning, and same pronunciation as the 懸帯) of mo. 例文帳に追加

なお、平安後期の雑仕（下仕よりも下の下女）の盛装に懸帯というものがあるが、裳の掛帯とは別のようである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Subsequently, after the titanium nitride film 3c is subjected to nitriding by ammonia plasma, an insulating film covering the lower electrode wiring MO is formed.例文帳に追加

その後、アンモニアプラズマで窒化チタン膜３ｃの窒化処理を行ってから、下部電極配線Ｍ０を覆う絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A shield electrode 16 comprising Ti-Mo is provided on a semiconductor substrate 12, so that a Hall element 14 is exposed.例文帳に追加

ホール素子１４が露呈するように、Ｔｉ−Ｍｏからなるシールド電極１６を半導体基板１２上に設ける。 - 特許庁

A copper thin film (base layer) 1 is formed on the surface of the silicon substrate 2, and a Mo/Si multilayer film 3 is formed on the copper thin film 1.例文帳に追加

シリコン基板２の表面には、銅薄膜（下地層）１が成膜されており、銅薄膜１の上にＭｏ／Ｓｉ多層膜３が成膜されている。 - 特許庁

The inner cylinder 11 is made of a cermet containing Ni as the base and further including Mo, B and Si, and its thickness is ≤1.5 mm.例文帳に追加

内筒１１は、Ｎｉをベースとし、Ｍｏ、Ｂ及びＳｉを含有するサーメットからなり、その厚さは１．５ｍｍ以下である。 - 特許庁

The transition metal is Ni, Fe, Co, V, Mo, a Ni-Zr alloy, etc., and the carbide is TiC, WC, ZrC, Cr3C2, etc., as ingredients of sintering additives.例文帳に追加

助剤成分である遷移金属は、Ｎｉ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｖ,Ｍｏ,Ｎｉ−Ｚｒ合金等、炭化物は、ＴｉＣ,ＷＣ,ＺｒＣ,Ｃｒ_３Ｃ_２等である。 - 特許庁

A first layer 51a of the Mo layer 51 is formed by the first condition, and afterwards, a second layer 51b is formed by the second condition.例文帳に追加

まず、第１条件でＭｏ層５１の第１層５１ａを形成し、その後第２条件で第２層５１ｂを形成する。 - 特許庁

A switch MO is connected between the output node Nout and a power supply GND, and is turned on and off in response to control signals Sc1, Sc2.例文帳に追加

スイッチＭＯは、出力用ノードＮｏｕｔと電源ＧＮＤとの間に接続され、制御信号Ｓｃ１、Ｓｃ２に応じてそれぞれオン、オフする。 - 特許庁

Successively, pearlite transformation restraining element, such as Mo, is added and also, Ni for improving the strength is added (1-3).例文帳に追加

次に、Ｍｏ等のパーライト変態抑制元素を添加するとともに強度を向上させるＮｉを添加する（１−３）。 - 特許庁

It is preferable that the metal element B2 is at least one kind of a metal element selected from a group comprising V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.例文帳に追加

金属元素Ｂ２としては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，及びＷからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素が好ましい。 - 特許庁

A dielectric constant of the core member 1 (Mo) is higher than that of the core body 2 (permalloy), and the impressed excitation current is concentrated in the core member 1.例文帳に追加

芯体１（Ｍｏ）の導電率はコア体２（パーマロイ）の導電率よりも大きく、印加された励磁電流は芯体１に集中する。 - 特許庁

When an Mo electrode layer 12 is arranged, the incident angle θ of the X-ray is made to be within a range being over 0° to 1°.例文帳に追加

なお、Ｍｏ電極層１２が設けられている場合、Ｘ線の入射角度θを０°超〜１°の範囲内とする。 - 特許庁

A multiplier 113 integrates voltage MULT which is obtained by dividing input voltage and voltage MO which is obtained by dividing output voltage.例文帳に追加

マルチプライヤ１１３は入力電圧を分圧した電圧ＭＵＬＴと出力電圧を分圧した電圧ＭＯとの積算を行う。 - 特許庁

To provide a Mo-Co based alloy which is excellent in wear resistance and has an oxide film on its surface that is hardly peeled off.例文帳に追加

耐摩耗性に優れ、且つ、表面の酸化被膜が剥離し難いＭｏ−Ｃｏ基合金を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the steel is added with one or ≥ two kinds among Ti, Nb, Zr and V by ≤1% and is furthermore added with one or two kind of Mo and Cu by ≤1%.例文帳に追加

さらにＭｏ，Ｃｕの１種または２種を１％以下添加したことを特徴とする低温靱性に優れた電磁ステンレス鋼。 - 特許庁

Further, in the Mo target material, resistance is ≥1,200 N/mm^2, and absorbed energy is ≥1,000 N×mm.例文帳に追加

また、抗折力が１２００Ｎ／ｍｍ^２以上で、かつ吸収エネルギーが１０００Ｎ・ｍｍ以上のＭｏターゲット材である。 - 特許庁

When the shadowing effect is strengthened, especially Pt or Mo is preferably used as the material of the shaping layer.例文帳に追加

シャドーイング効果を強めたい場合には、整形層の材料として特にＰｔ又はＭｏを用いることが望ましい。 - 特許庁

Alternatively, the content of the Mo is 2 to 12 at.%, and the content of the Al as an α phase stabilizing element is 3 to 14 at.%.例文帳に追加

また、前記Ｍｏの含有量が２〜１２ａｔ％であり、前記α相安定化元素のＡｌを３〜１４ａｔ％含有する。 - 特許庁

Then only the gate level of the FET switches of the units whose decoder output is active is selectively outputted to the terminal MO.例文帳に追加

そして、ＦＥＴスイッチのゲート電位はデコーダ４の出力がアクティブのユニットだけがＭＯ端子に選択する出力されるように構成する。 - 特許庁

Ceq=C+Si/24+Mn/6+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, wherein C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo and V represent the contents (mass%) of respective elements; and the content of an element which is not contained is made zero.例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｓｉ／２４＋Ｍｎ／６＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４、ここで，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｖ：各元素の含有量（ｍａｓｓ％）で含有しない元素は０とする。 - 特許庁

Alternatively, the content of the Mo is 2 to 12 at.%, and the content of the Ge as an α phase stabilizing element is ≤8 at.%.例文帳に追加

さらに、前記Ｍｏの含有量が２〜１２ａｔ％であり、前記α相安定化元素のＧｅを８ａｔ％以下含有する。 - 特許庁

Further, the living body ornament in which the Ti-Mo based alloy is used for at least a part, and which can be brought into contact with the human body is provided.例文帳に追加

また前記Ｔｉ‐Ｍｏ系合金が少なくとも一部に使用された、人体に接触し得る生体装飾品とする。 - 特許庁

Moreover, since it is not needed to lower the recording density in the prepit area to the half that in the MO area, an efficient prepit format is realized.例文帳に追加

また、プリピット領域の記録密度をＭＯ領域の半分まで落とす必要がなく、効率よいプリフォーマットとなる。 - 特許庁

For example, the content of the Mo is 2 to 12 at.%, and the content of the Ga as an α phase stabilizing element is ≤14 at.%.例文帳に追加

たとえば、前記Ｍｏの含有量が２〜１２ａｔ％であり、前記α相安定化元素のＧａを１４ａｔ％以下含有する。 - 特許庁

Next, Mo is vapor-deposited from the vertical direction on the substrate 1 to form an emitter 4, and the peeling off layer 6 is peeled off.例文帳に追加

次に基板１に垂直な方向からＭｏを蒸着してエミッタ−４を形成し、剥離層６を剥離する。 - 特許庁

A positive photo-resist, for example, is coated on an Mo film 12, and back light exposure from a glass substrate 1 side is carried out under masking with a bottom gate electrode 6.例文帳に追加

Ｍｏ膜１２上に例えばポジ型のフォトレジストを塗布し、ガラス基板１側から、ボトムゲート電極６をマスクとして背面露光する。 - 特許庁

Out of these, the positive electrode active material 153 is LiFe_(1-x)M_xPO_4(M is at least one of Mn, Cr, Co, Cu, Ni, V, Mo, Ti, Zn, Al, Ga, Mg, B, and Nb, 0≤x≤0.5).例文帳に追加

このうち、正極活物質１５３は、ＬｉＦｅ_(1-X)Ｍ_XＰＯ_4（Ｍは、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｍｇ，Ｂ，Ｎｂのうち少なくともいずれかであり、０≦Ｘ≦０．５）である。 - 特許庁

The sputter target is further comprised of X_2, wherein X_2 is selected from the group consisting of W, Y, Mn, and Mo.例文帳に追加

このスパッタターゲットは、更にＸ_2を含み、前記Ｘ_2が、Ｗ，Ｙ，Ｍｎ及びＭｏからなるグループから選択された１つの元素である。 - 特許庁

To provide a method for producing an Mo target material by which pack density of raw material powder to a pressure vessel is increased, and the deformation of a sintered compact is reduced.例文帳に追加

加圧容器への原料粉末の充填密度を向上させ焼結体の変形を低減させたＭｏターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer 12 is provided on the surface of the body 11 mounted with the cemented carbide 2, and is also composed of Mo or W.例文帳に追加

中間層１２は、超硬部材２が載置される本体１１の面上に設けられ、かつ、Ｍｏ又はＷにより構成されている。 - 特許庁

A method for producing an Mo target material is also provided in which the raw material powder is subjected to compacting by a cold isostatic press.例文帳に追加

また、前記原料粉末は冷間静水圧プレスで圧縮成形するＭｏターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

The multilayer film reflection mirror is provided with: an Mo/Si multilayer film 6 having a structure in which a layer principally comprising Mo and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the surface of a substrate 4; and an Ru/Si multilayer film 8 having a structure in which a layer principally comprising Ru and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the Mo/Si multilayer film.例文帳に追加

基板（４）表面にＭｏを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜（６）と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上にＲｕを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＲｕ／Ｓｉ多層膜（８）とを備える。 - 特許庁