「P-36」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A p-type region 40 is provided on a part of the n-type InP layer 36.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層３６の一部にｐ型領域４０が設けられている。 - 特許庁

Formation of the source region 36 leaves a ring-shaped p^+ type region 84.例文帳に追加

ソース領域３６の形成に伴いリング状のｐ^+型領域８４が残る。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

The p+ type electric circuit 36 is connected by a bridge 501 constituted of each p type electrode 32 and each metallic film.例文帳に追加

ｐ^+型の電路３６が各々ｐ型の電極３２と各々金属膜から成るブリッジ５０１により接続される。 - 特許庁

After the sheet P conveyed to a stacking part is clamped by the jogger side fences 34, the fan 36 sucks the sheet P from its underside to reduce the slack of the sheet P toward the fan 36 and move the slack to the opposite side.例文帳に追加

スタック部に運ばれた用紙Ｐがジョガーサイドフェンス３４に挟まれた後、ファン３６により用紙Ｐを下面側から吸引し、用紙Ｐのファン３６側のたるみを減少させ、たるみを反対側に移動させる。 - 特許庁

The battery 36 is located at a part higher than a center P of the counterweight W.例文帳に追加

そして、バッテリ３６は、カウンタウェイトＷの中心Ｐよりも上方に位置している。 - 特許庁

A differential amplifier circuit 30 is provided with a P type transistor 36 and a P type transistor 38 and operated by an input voltage VIN2D.例文帳に追加

差動増幅回路３０は、Ｐ型トランジスタ３６とＰ型トランジスタ３８とを含み、入力電圧Ｖ_IN2により動作する。 - 特許庁

When gas is started to blow in, the blocking cloth 35 and the valve 36 are expanded by the surface pressure p of gas pressure, the valve 36 and the blocking cloth 35 are closely contacted to each other, the valve 36 is closed and the gas is not discharged.例文帳に追加

ガスを吹込み始めると、ガス圧の面圧ｐによって閉塞布３５と弁３６は張り、弁３６と閉塞布３５は密着し、弁３６は閉じ、ガスは抜けない。 - 特許庁

A switch 39 can connect a personal computer P, and switches the connection of the line between a controller 36 and a signal line 22 and of the line between the controller 36 and the personal computer P.例文帳に追加

切換器３９は、パソコンＰを接続可能とされ、コントローラ３６と信号線２２との間の回線を接続するか、コントローラ３６とパソコンＰとの間の回線を接続するかを切り換える。 - 特許庁

The p-channel region 36 is provided in a trench structure 38 insulated with an oxide film 40, and an anode electrode 42 is subjected to Schottky junction on the p-channel region 36.例文帳に追加

ｐ−チャネル領域３６は酸化膜４０で絶縁されたトレンチ構造３８の間に設けられ、ｐ−チャネル領域３６上にはアノード電極４２がショットキー接合される。 - 特許庁

The concentration of p-type impurities of the curved part 36b of the resurf layer 36 is smaller than that of p-type impurities of the linear parts 36a and 36c.例文帳に追加

リサーフ層３６の曲線部３６ｂのｐ^—型不純物濃度は、直線部３６ａ，３６ｃのｐ^—型不純物濃度よりも薄い。 - 特許庁

The light receiving means consists of an S polarized light receiving element 36 and a P polarized light receiving element 38 for receiving the S polarized light and P polarized light respectively.例文帳に追加

受光手段は、Ｓ偏光及びＰ偏光を受光するＳ偏光及びＰ偏光受光素子３６、３８からなる。 - 特許庁

A p-side electrode 36 is provided on the p-InP cap layer and an n side electrode 38 is provided on the back surface of the n-InP substrate.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰキャップ層上にはｐ側電極３６が、ｎ−ＩｎＰ基板の裏面にはｎ側電極３８が設けてある。 - 特許庁

The controller 36 can fetch the program data sent from the personal computer P through the switch 39.例文帳に追加

コントローラ３６は、パソコンＰから送信されるプログラムデータを切換器３９を介して取り込む。 - 特許庁

The impurity concentration of the low-concentration impurity region 36 is lower than that of the P well 2.例文帳に追加

低濃度不純物領域３６の不純物濃度はＰウェル２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P+ type gate electrode 35 are formed on an N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

A table 36 is installed on a base 34 and a pallet P is positioned perpendicularly to the conveyor 4.例文帳に追加

ベース３４上にテーブル３６を設置し、パレットＰをコンベヤ４と直角方向に位置決めする。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a p^+-type gate electrode 35 are formed on an n-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P^+-gate electrode 35 are formed on a N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ^＋型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

The p type frame part 30 is formed by p type silicon, the n type inversion part 35 is inverted to an n type in conductivity by impurity and the p+ type electric circuit 36, is further made a p+ type by impurity.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０はｐ型シリコンで形成されており、ｎ型の反転部３５は不純物によりｎ型に導電性が反転されており、ｐ^+型の電路３６はさらに不純物によりｐ^+型になっている。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁

The buried p^+ type semiconductor region 50, a p^+ type semiconductor region 36 formed in the SIThy 12, and a buried p^+ type semiconductor region 38 are connected electrically.例文帳に追加

埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０と、ＳＩＴｈｙ１２に形成されているｐ^+型半導体領域３６と、埋め込み型のｐ^+型半導体領域３８とを電気的に接続する。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 36 is formed into a cross-sectionally trapezodal shape smaller than the p-type InGaP etching stop layer 35.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりも幅狭な断面台形状に形成されている。 - 特許庁

The decoder 34 decodes the I picture and the P picture, generates a non-compressed baseband image corresponding to the P picture, and supplies the image to the encoder 36.例文帳に追加

デコーダ３４は、ＩピクチャおよびＰピクチャをデコードして、Ｐピクチャに対応する非圧縮ベースバンド画像を生成し、エンコーダ３６に供給する。 - 特許庁

Thereby, the p-type region 37 is present only in the neighborhood of the source region 36 as illustrated previously and therefore the concentration of the p-type region 37 in the vicinity of the source region 36 can be lowered.例文帳に追加

これにより、最初からｐ型領域自体が３７で示すようにソース領域３６の近傍しか存在しないために、このソース近傍ｐ型領域３７の濃度を低くすることができる。 - 特許庁

A P-type SIH4 film 36 is formed on the film 31 as a second interlayer insulating film, and a second layer metal wiring 37 is formed on the film 36.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜３１上に第２の層間絶縁膜として、Ｐ−ＳＩＨ４膜３６が形成され、第２層金属配線３７が形成される。 - 特許庁

An engaged part 37 to be engaged with the engagement part 36 of the transfer rod is arranged on the lower surface of the pallet P.例文帳に追加

パレットＰの下面にトランスファーロッドの係合部３６に係合する被係合部３７が配設される。 - 特許庁

The communicating passage P is formed with a through hole 36 passing through the negative terminal 30 in the axial direction.例文帳に追加

負極端子３０を軸方向に貫通する貫通孔３６により連通路Ｐが形成されている。 - 特許庁

A sheet P is pushed against the conveyer belt 28 and charged with an electro static charge roll 36, and thereby electrostatic attraction of a sheet P to the conveyer belt 28 is carried out.例文帳に追加

搬送ベルト２８に用紙Ｐを押し付けて帯電ロール３６により帯電することで、用紙Ｐが搬送ベルト２８に静電吸着される。 - 特許庁

As a PN junction composed of the P well 18 and the first buried layer 11 resides, only electrons contained in the P well 18 are attracted to the drain 36.例文帳に追加

ｐウェル１８と第１の埋め込み層１１とで構成されるｐｎ接合があるので、ｐウェル１８中の電子のみがドレイン３６に引き寄せられる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

In the case of storing tab sheets P' in the paper feed cassette 7, both side parts of the tab sheet P' are received on side cursor 35 and the end stopper 36, and the trailing end of the tab sheet P' is received by the other side cursor 35.例文帳に追加

給紙カセット７内にタブシートＰ’を収容する場合には、該タブシートＰ’の両側部を一方のサイドカーソル３５とエンドストッパ３６で受け、タブシートＰ’の後端を他方のサイドカーソル３５で受ける。 - 特許庁

A polarized wave combination device 38 combines the P-wave from the device 36 with the S-wave from the separator 34.例文帳に追加

偏波合成器３８は、光遅延器３６からのＰ波と偏波分離器３４からのＳ波を合成する。 - 特許庁

A door trim 36 as the inner trim is provided with a door pocket 31 arranged on a side of the waist part L of the passenger P.例文帳に追加

インナートリムとしてのドアトリム３６は、乗員Ｐの腰部Ｌの側方に配置されるドアポケット３１を備える。 - 特許庁

An energizing force ΔP of a spring 36 energizes a spool in a pressure control valve upward by load pressure P.例文帳に追加

バネ３６の付勢力ΔＰは、負荷圧力Ｐと共に圧力制御弁内部のスプールを上方へ付勢する。 - 特許庁

A p-type overflow barrier region 36 is formed between the floating diffusion 33 and the photodiode 21.例文帳に追加

フローティングディフュージョン３３と、フォトダイオード２１との間には、ｐ型のオーバーフローバリア領域３６が形成されている。 - 特許庁

When the gear 36 is rotated counterclockwise in such a state, the film is wound into a cartridge P.例文帳に追加

この状態で太陽ギヤ３６が反時計回り方向に回転すると、パトローネＰ内にフィルムが巻き込まれる。 - 特許庁

If P>P0, the controller 30 sends a control signal to an alarm device 36 to actuate it.例文帳に追加

Ｐ＞Ｐ0のとき、コントローラ３０は警報装置３６に制御信号を出力し、警報装置３６を作動させる。 - 特許庁

A P-N junction surface, made of the region 36 and the layer 33, is formed substantially in plane with the sidewall of the groove 34 of the region 36 side.例文帳に追加

Ｐ^−型ウェル領域３６と半導体層３３とからなるＰＮ接合面は、Ｐ^−型ウェル領域３６側の溝３４の側壁に略面一に形成されている。 - 特許庁

A first buried layer 11 is formed below a P well 18 and especially under a region where the drain 36 of a driver transistor 30 is located and joined to a P well 18.例文帳に追加

第１の埋め込み層１１はｐウェル１８下のうち、ドライバトランジスタ３０のドレイン３６が位置している領域下に形成され、かつｐウェル１８と接合している。 - 特許庁

This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０の表層の一部にｎ型の反転部３５を設け、ｎ型の反転部３５にｐ^+型の電路３６を設けた構造とする。 - 特許庁

A p-type AlGaAs layer 36, a p+-type GaAs layer 38, and an ohmic electrode 40 are laminated in this order on a part of the upper surface of the window layer 34.例文帳に追加

窓層３４の上面の一部に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層３６と、ｐ^+ 型ＧａＡｓ層３８と、オーミック電極４０とが、この順序で積層されている。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

The base material P and the infrared ray heater unit 36 are relatively moved at a constant speed in a state of keeping a constant distance between the printed face Pa and the infrared ray heater unit 36, while irradiating the printed face Pa of the base material P with near infrared ray.例文帳に追加

そして、基材Ｐの印刷面Ｐａに近赤外線を照射しながら、印刷面Ｐａと赤外線ヒータユニット３６との距離を一定に保って、基材Ｐと赤外線ヒータユニット３６を一定速度で相対移動させる。 - 特許庁

N-type buffer regions 48, which are formed under the lower parts of the regions 36 and 46 in contact with the regions 36 and 46, contain As and phosphous P as N-type impurities, and have a P concentration lower than an As concentration and the As concentration, are formed.例文帳に追加

エクステンション領域３６及びソース／ドレイン領域４６に接してその下方に、ｎ型不純物としてＡｓ及びリン（Ｐ）を含み、かつＰ濃度がＡｓ濃度より低いｎ−バッファ領域４８が形成されている。 - 特許庁