「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When gas containing at least CO and H_2O is brought into contact with a CO conversion catalyst to produce H_2, the catalyzed reaction system is made in a plasma state.例文帳に追加

少なくともCO及び H_2Oを含むガスをCO転化触媒に接触させることでH_2を生成するにあたり、触媒反応系をプラズマ状態とする。 - 特許庁

The light of different wavelengths is generated by filling discharge emitting media A and B into the respective discharge spaces and forming a different plasma state.例文帳に追加

各放電空間に放電発光媒体ＡとＢを充填して、異なるプラズマ状態を形成して、異なる波長の光を発生する。 - 特許庁

In this manufacturing system, a plasma emission spectrum for directly reflecting a reaction state in a treatment device 17 is measured by a spectrum part 18.例文帳に追加

本装置においては、分光部１８によって、処理装置１７における反応状態を直接反映するプラズマ発光スペクトルを測定する。 - 特許庁

In this state, a chlorine gas is allowed to flow into the etching chamber, and at the same time a plasma is generated by a high-frequency power supply 2 for etching.例文帳に追加

この状態で、エッチング室１の内部に塩素ガスを流入させながら、高周波電源２によりプラズマを発生させてエッチングを行う。 - 特許庁

According to this method, the quantity of heat flowing to the optical bench 2 from the heat source part 11 is kept fixed, and the temperature distribution of the optical bench 2 can be held to a state not changed from the state, before the plasma flame 3 is ignited.例文帳に追加

これによって熱源部１１から光学ベンチ２に流れる熱量を一定保ち、光学ベンチ２の温度分布がプラズマ炎３を点火する前と変わらない状態に保つことができる。 - 特許庁

When the wafer 10 is subjected to plasma process in this state, the wafer 10 and tray 11 are both cooled during the plasma processing, so that the wafer 10 is unlikely to have a temperature difference between a center part and an outer peripheral part thereof, thereby improving uniformity of etching.例文帳に追加

この状態でウエハ１０をプラズマ処理すれば、プラズマ処理中にウエハ１０とトレイ１１の両方が冷却されるため、ウエハ１０の中心部と外周部で温度差が生じにくくエッチングの均一性が向上する。 - 特許庁

To provide plasma processing equipment in which plasma can be formed under a state of uniform density on the center side of a processing space distant from the ceiling by introducing a microwave from the sidewall side of a processing container toward the processing space.例文帳に追加

処理容器の側壁側より処理空間に向けてマイクロ波を導入することにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The water-repellent glass is obtained by introducing a diluted gas of a fluorocarbon into the surface of the glass substrate, retaining the surface of the glass substrate in a plasma state and forming the plasma polymerization film of the fluorocarbon on the surface.例文帳に追加

このような撥水性ガラスは、ガラス基材の表面にフルオロカーボンの希薄ガスを導入すると共に、ガラス基材の表面をプラズマ状態に保持し、同表面にフルオロカーボンのプラズマ重合膜を形成することにより得られる。 - 特許庁

When the shield 41 is connected to the capacitor 48, it is in a floating state because of being alternatingly connected to a ground potential through the capacitor 48, does not attract plasma toward itself, and consequently does not decrease plasma density in an edge of the target 35.例文帳に追加

シールド４１がコンデンサ４８に接続されると、コンデンサ４８を介して交流的に接地電位に置かれた浮遊状態となり、プラズマがシールド４１へ引きつけられないので、ターゲット３５の端部でプラズマ密度が低くならない。 - 特許庁

To provide a method controlling solid surface treatment, in which the treatment conditions can be maintained so that the best surface physical properties of the solid surface can be obtained from the diagnostic result of the state of plasma in performing solid surface treatment using low temperature plasma.例文帳に追加

低温プラズマにより固体表面処理を行う場合に、そのプラズマ状態を診断した結果に基づき、最良の表面物性が得られるように処理条件を調整しうる固体表面処理制御方法の提供。 - 特許庁

If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.例文帳に追加

ＣＨＦ_３／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いる第１ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でＡｒガス供給源４６よりＡｒガスをパージングガスとして処理容器１０内に送り込む。 - 特許庁

Then, a tubular member 40 is provided so as to be connected to the pore 33 of the plasma cell 31, and the atomic gas discharged from the plasma cell 31 is fed to the reaction system in a state converged through the tubular member 40.例文帳に追加

次いで、プラズマセル３１の細孔３３と連続するように管状部材４０を設け、プラズマセル３１から放出された前記原子状ガスを、管状部材４０を介して集束させた状態で反応系に供給する。 - 特許庁

The plasma welding is executed by irradiating a top part of a projecting part 7b of the connection part 7a of the external terminal 7 with discharge plasma in a state where the projecting part 7b is fitted to a fitting hole 4a at a tip part of the lead terminal 4.例文帳に追加

また、このプラズマ溶接は、リード端子４の先端部の嵌合孔４ａに外部端子７の接続部７ａの凸部７ｂを嵌合させた状態で、この凸部７ｂの頂部に放電プラズマを照射することにより行う。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device of a structure that a thin film, which is uniform in film thickness and film quality, can be formed on the surface of a substrate to be treated by relaxing the strength of the state of a plasma under the formation of the thin film and by suppressing a concentration of discharge.例文帳に追加

成膜中でのプラズマ状態の強弱を緩和したり、放電の集中を抑制して被処理基板表面に膜厚および膜質が均一な薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

In this method, an object 2 to be treated is destaticized by exposing the object 2 to a steam atmosphere after the object is etched 2 by using a radical of plasma state.例文帳に追加

プラズマ状態のラジカルを用いて被処理物２をエッチング処理した後、前記被処理物２を水蒸気雰囲気中に晒して、電荷の除電を行う。 - 特許庁

A state of a standing wave inside the dielectric plates indicates a distribution of an electric field energy inside the dielectric, and changes in response to a reflected wave rp from a plasma.例文帳に追加

誘電体板内部の定在波の状態は、誘電体内部の電界エネルギーの分布を示し、プラズマからの反射波ｒｐに応じて変化する。 - 特許庁

The microwave entering the waveguide dielectric 3 becomes a cut-off state in the vicinity of a place where the sectional size of the waveguide dielectric becomes the cut-off sectional size and is absorbed to generate plasma.例文帳に追加

導波誘電体３に入ったマイクロ波は、カットオフ断面サイズとなった付近で、カットオフ状態となり吸収され、プラズマが生成される。 - 特許庁

To provide a plasma CVD system where the phenomenon that temperature conditions are changed due to the state of a substrate as the object for film deposition, so as to generate variation in film deposition is suppressed.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置において、成膜対象の基板の状態等により温度条件が変化して成膜にばらつきができることを抑制する。 - 特許庁

To maintain a surface of a protection film, which protects a dielectric in a substrate for an AC type plasma display panel, in a clean state by a simple method.例文帳に追加

ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板における誘電体を保護する保護膜の表面を、簡便な方法で清浄状態に保てるようにする。 - 特許庁

To stabilize the quality of a plasma display panel by controlling the fluctuation of solid state properties of a protective layer regardless of a long-term continuous operation.例文帳に追加

長期連続稼動状況にあっても保護層物性の変動を抑制することで、プラズマディスプレイパネルの品質を安定させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a driving device and method of a plasma display panel in which a reset waveform can be applied in a state where a switch on a main path is eliminated.例文帳に追加

メインパス上のスイッチを除去した状態でリセット波形を印加することができるプラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flat display device such as a plasma display device or the like, capable of easily executing a maintenance work or the like, while maintaining a state in which the device is supported by a stand.例文帳に追加

スタンドで支持した状態のままメンテナンス作業などを容易に行うことのできるプラズマディスプレイ装置等の平面型ディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode plate capable of executing plasma treatment having in-plane uniformity by improving a heat transfer characteristic between electrodes in a superimposed state.例文帳に追加

重ね合わせ状態の電極板間の熱伝達特性を向上し、面内均一なプラズマ処理を行わせることができる電極板を提供する。 - 特許庁

The shutter is opened in a state that the temperature of the substrate reaches the predetermined value, and the vapor from the evaporation source is made to pass through the plasma and deposited on the substrate.例文帳に追加

基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a light source 5 for starting discharge by irradiating a light in the reaction container 2 in the state wherein a voltage is impressed between the electrodes 3, 4.例文帳に追加

電極３、４間に電圧を印加した状態で、反応容器２内に光を照射して放電を開始させるための光源部５を備える。 - 特許庁

Therefore, the maintenance can be performed while reflecting the lighting state of plasma, and a stable plume P can be obtained with a suppressed cost for the maintenance.例文帳に追加

したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームＰを得ることができる。 - 特許庁

The plasma processing device 100 includes a flat antenna plate 31 having a first slot 32a and a second slot 32b which are arranged in the concentric circle state.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、同心円状に配列された第１のスロット３２ａおよび第２のスロット３２ｂを有する平面アンテナ板３１を備えている。 - 特許庁

The flank of pulse rising is short so that a high electric field is generated, and inside the light emission tube 1, cesium in the plasma state is ionized to a high degree.例文帳に追加

パルスの立ち上がりの傾斜面は短く、それにより高電場を発生し、発光管内でプラズマ状態のセシウムを高い度合いでイオン化する。 - 特許庁

To enable the extension of the lifetime of a member which is used in the state that at least a part is exposed in a reaction vessel in which a halogen plasma is generated.例文帳に追加

ハロゲンプラズマが生成される反応容器内に少なくとも一部が露出する状態で使用されるセラミックス部材の寿命を延長する。 - 特許庁

A high frequency is applied to an electrode of the treatment chamber 3 in this state to generate plasma in the treatment chamber 3, conducting, ashing treatment to the substrate W.例文帳に追加

この状態で処理チャンバー３の電極に高周波を印加し、処理チャンバー３内にプラズマを発生せしめ、基板Ｗをアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus where a stable plasma state can be maintained and that has a structure capable of extending life of the outer circumferential ring such as a Si ring in a chamber.例文帳に追加

安定なプラズマ状態を維持でき、Ｓｉリングなどチャンバー内の外周リングの長寿命化が図れる構成を有するドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus wherein a transmission path of microwaves is maintained in an appropriate state even after the temperature increases, and to provide a method of supplying the microwaves.例文帳に追加

昇温後においてもマイクロ波の伝送路を適正な状態に保つマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波の給電方法の提供。 - 特許庁

For each treatment of a prescribed number of substrates, oxygen (O_2) is fed in an etching chamber 11 and oxygen plasma is generated, while the inside of the etching chamber is held in a vacuum state.例文帳に追加

所定枚数の基板を処理するごとに、エッチングチャンバ１１内を真空に保ったまま酸素（Ｏ_２）を導入して酸素プラズマを生成させる。 - 特許庁

To provide a plasma display device capable of reducing reactive power in a display state of a screen having a small display rate.例文帳に追加

本発明の目的は、表示率の小さい画面の表示状態において、無効電力を低減できるプラズマディスプレイ表示装置を提供することにある。 - 特許庁

By the plasma nitriding, highly active nitrogen atoms are created on the surface of silicon oxide film or the surface of silicon oxide nitride film thus bringing about active state.例文帳に追加

このプラズマ窒化処理により、そのシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面に高活性な窒素原子を生成させて活性な状態にする。 - 特許庁

Plasma is generated by a gas mixture consisting of chlorine gas and halogen gas and containing the chlorine gas by 0.05-10.0 vol.% in a normal state.例文帳に追加

塩素ガスとハロゲンガスとから成ると共にこの塩素ガスを標準状態で０．０５〜１０．０％の体積の割合で含む混合ガスにより、プラズマを生成する。 - 特許庁

Then, the measurement region is irradiated with laser light from a laser irradiation section 5, thereby bringing the helium gas to be in its plasma state so as not to cause ablation at the measurement region.例文帳に追加

測定部位に向かってレーザー照射部５よりレーザーを照射して測定部位にアブレーションが生じないようにヘリウムガスをプラズマ化する。 - 特許庁

When gas containing at least HC and O_2 is brought into contact with an HC reforming catalyst to partially oxidize the HC, the catalyzed reaction system is made in a plasma state.例文帳に追加

少なくともHC及びO_2を含むガスをHC改質触媒に接触させることでHCを部分酸化するにあたり、触媒反応系をプラズマ状態とする。 - 特許庁

To provide a gap detection device capable of detecting a gap between a nozzle and a work accurately even if a plasma generation state is changed.例文帳に追加

プラズマの発生状況が変化しても、精度よくノズルとワーク間のギャップを検出することができるギャップ検出装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

Since a wiring board 10 is exposed to plasma 28 in a state that a patterned metallic wiring layer 15 is covered with a protection layer 18 in this surface processing method, plasma processing is applied to the surface of a base material 11 exposed between laminated films 13, but the metallic wiring layer 15 is not exposed to plasma 28.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、パターニングされた金属配線層１５を保護層１８で覆った状態で配線板１０をプラズマ２８に晒すので、積層膜１３間に露出する基材１１の表面はプラズマ処理されるが、金属配線層１５がプラズマ２８に晒されることがない。 - 特許庁

The exhaust emission control device for the internal combustion engine is provided with an exhaust after treatment device 4 arranged in an exhaust passage 2, a plasma generator (a high voltage generator 58) changing into a plasma state the exhaust gas flowing through the exhaust after treatment device 4 and generating activated species, and an ECU 60 controlling operation of the plasma generator.例文帳に追加

内燃機関の排気浄化装置は、排気通路２に配設された排気後処理装置４と、この排気後処理装置４を流れる排気ガスをプラズマ状態として活性種を生成するプラズマ発生装置（高電圧発生器５８）と、プラズマ発生装置の作動を制御するＥＣＵ６０とを備えている。 - 特許庁

In the half-mirror film forming method, a reactive gas is made into a plasma state, by performing discharge between mutually facing electrodes 25 and 36 under atmospheric pressure or in the neighborhood of the atmospheric pressure, and the half-mirror film is formed on the base material, by exposing the base material F having translucence in the reactive gas of the plasma state.例文帳に追加

このハーフミラー膜形成方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下において対向する電極２５と３６の間に放電することにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、透光性を有する基材Ｆをプラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって基材上にハーフミラー膜を形成する。 - 特許庁

The method is for retaining surface state of a substrate which is treated for hydrophilicity by ultraviolet ray treatment, corona treatment, or plasma treatment and keeps the surface state of a substrate under an environmental condition of 7°C or lower.例文帳に追加

紫外線処理、コロナ処理又はプラズマ処理により親水処理を施した基板の表面状態保持方法であって、７℃以下の環境下で保持することを特徴とする基板の表面状態保持方法とする。 - 特許庁

To provide a system for designing a matching circuit of a plasma treatment apparatus, by which a maker of matching circuits procures impedance Z0, Z1 through a communicating means to produce a matching circuit corresponding to a plasma discharged state, thereby lessening power loss on the matching circuit.例文帳に追加

整合回路の製作メーカがインピーダンスZ0,Z1を、通信手段を介して入手し、プラズマ放電状態に対応した整合回路を製作し、整合回路での電力損失を低下させるプラズマ処理装置の整合回路設計システムを提供する。 - 特許庁

In the plasma CVD apparatus that forms film by bring a gaseous starting material into a plasma state in the film forming chamber and by accelerating it and bombarding a substrate surface with it, the inner wall of the film forming chamber is composed of a material having a thermal conductivity of 200 W/m.K or below.例文帳に追加

製膜室内で製膜原料ガスをプラズマ状態とし、基板表面に加速衝突させて製膜するプラズマＣＶＤ装置において、熱電導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料で製膜室の内壁を構成して成る。 - 特許庁