「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma processing device controls the state of electric energy generated by electromagnetic waves emitted into a plasma and magnetic fields, and the state of capacitive coupling discharge, of inductive coupling discharge, and of electronic cyclotron resonance discharge, thereby controls the generation of active species.例文帳に追加

プラズマ中に放射する電磁波と磁場による電子エネルギ状態制御、及び容量結合放電、誘導結合放電、電子サイクロトロン共鳴放電の各放電状態制御により、電子エネルギ状態を制御し、活性種発生を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device wherein such a state of its inside as the end point of an etching reaction can be detected accurately.例文帳に追加

エッチング反応の終点等の装置内の状態を精度よく検出することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Next, on the circular substrate, a thin film made of a compound of silicon is formed by irradiation of the plasma in the above-mentioned state.例文帳に追加

次に、上述した状態のプラズマの照射により円形基板の上にシリコンの化合物からなる薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel which is improved in light-emission property by obtaining a fluorescent substance in good crystallinity state.例文帳に追加

結晶性のよい状態で蛍光体を得ることにより、発光特性を向上せしめたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

Accordingly, charges are released from the wafer W by bringing the plasma by exciting the argon gas and the wafer W under a charged state into contact.例文帳に追加

これにより、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態のウエハＷを接触させてウエハＷから電荷を逃がす。 - 特許庁

Then, the metal wiring is exposed to an inert gas plasma in the same processing apparatus in which a vacuum state in this dry etching step is maintained.例文帳に追加

次に、このドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、不活性ガスプラズマに晒す。 - 特許庁

To suppress a temperature rise in a tray even if plasma treatment is performed in a state that a substrate is mounted on the tray.例文帳に追加

基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。 - 特許庁

The substrate 20 is put in a deposition device in the state of pasting the polyimide tape 23 thereto and a thin film 16 is formed by a plasma CVD.例文帳に追加

ポリイミドテープ23を貼り付けた状態で基板20を蒸着装置内に入れ、プラズマＣＶＤにより薄膜16を形成する。 - 特許庁

When AC voltage is applied from the electrodes 20, a plasma similar state occurs in the vicinity of the surfaces of the hole parts of the piezoelectric body 10.例文帳に追加

電極２０から交流電圧を印加すると、圧電体１０の孔部表面近傍にプラズマ類似状態が発生する。 - 特許庁

The container 17 is installed in the lengthwise direction of the line state plasma, and includes a first adjustment mechanism 21 to adjust the plasma concentration in the lengthwise direction, a second adjustment mechanism 22 to adjust the plasma concentration in the widthwise direction, and a third adjustment mechanism 23 for fine adjustment.例文帳に追加

容器１７はライン状プラズマの長さ方向に設けられており、長さ方向のプラズマ濃度を調整する第１の調整機構２１、幅方向のプラズマ濃度を調整する第２の調整機構２２、微調整のための第３の調整機構２３を有している。 - 特許庁

The transmitted reflected light beams Lr and plasma beams Lp are submitted to photoelectric conversion by a sensor 303 for reflected light beam and a sensor 304 for plasma beam, and based on electric signals according to the reflected beams Lr and plasma beams Lp, the welding state in the work 800 is detected.例文帳に追加

伝送された反射光Ｌｒ、プラズマ光Ｌｐを反射光用センサ３０３、プラズマ光用センサ３０４で光電変換し、反射光Ｌｒおよびプラズマ光Ｌｐに応じた電気信号に基づいてワーク８００における溶接状態を検出する。 - 特許庁

To provide a device and method for a plasma treatment by which various kinds of plasma treatments can be made by easily controlling the state of the plasma in accordance with the treatment without extending the footprint even when the diameter of a vacuum chamber is increased.例文帳に追加

真空チャンバの大径化によるフットプリントの増大を招くことがなく、かつ、実行する処理に応じてプラズマの状態を容易に制御することができ、各種のプラズマ処理に容易に対応することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To make plasmatic a process gas in a process container by a high frequency power, and to optimize a plasma state when a board mounted on a mounting tray is subjected to a plasma process, whereby the board is subjected to the plasma process at a high in-plane uniformity.例文帳に追加

処理容器内にて処理ガスを高周波電力によりプラズマ化し、載置台上に載置された基板に対してプラズマにより処理を行う際に、プラズマの状態の最適化を図り、これにより基板に対し面内均一性の高いプラズマ処理をすること - 特許庁

To provide an interior wall member for chamber which has a high plasma resistance, is not worn nor torn much by sputtering and etching, can stably maintain the state of plasma, and can reduce the contamination by particles, etc.例文帳に追加

耐プラズマ性に優れ、スパッタリングやエッチングによる損耗が少なく、プラズマ状態を安定に維持するとともにパーティクル等による汚染を低減化するプラズマ処理装置のチャンバー内壁部材を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device, a dry etching method and a plasma controller such that etching processing can be performed in an optimum plasma state wherein etching damage to an etching mask as well as a material to be etched is taken into consideration.例文帳に追加

被エッチング材料に加えてエッチングマスクのエッチングダメージを考慮した最適なプラズマ状態でエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびプラズマ制御装置を提供する。 - 特許庁

By this, the mixture gas is introduced is such a state that a flow rate of the inert molecule not containing nitrogen is larger than that of the nitrogen-containing molecule to make the mixture gas into plasma, and the plasma treatment is performed.例文帳に追加

このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 - 特許庁

In this state, the opening part of the mask 10 is positioned on a metal joint provided at a component 4, and plasma ions are emitted from a second electrode 7 toward a first electrode 6 by a plasma controller 17.例文帳に追加

この状態でマスク１０の開口部を部品４に設けられた金属接合部上に位置決めし、プラズマコントローラ１７により第２電極７からと第１電極６に向けてプラズマイオンを照射する。 - 特許庁

Discharge gas filled in a plasma channel 11 becomes to be in discharged state by allowing a discharge voltage to be applied between the cathode electrode 4 and the anode electrode 5 arranged in the plasma channel 11.例文帳に追加

プラズマチャンネル１１内に配置されたカソード電極４およびアノード電極５間に放電電圧が印加されることによって、プラズマチャンネル１１内に充填された放電ガスが放電状態になる。 - 特許庁

Accordingly, ion generated by plasma discharge can be made stably incident into the pin member 10, and self-bias voltage can be detected stably to properly monitor the plasma discharge state.例文帳に追加

これにより、プラズマ放電によって発生したイオンをピン部材１０に安定して入射させることができ、セルフバイアス電圧を安定して検出してプラズマ放電の状態を適正に監視することができる。 - 特許庁

The gas treatment apparatus comprises a plasma decomposition apparatus 26 for decomposing the reactive elements included in the gas and pumps 25, 27 which are connected to the plasma decomposition apparatus 26 to set the gas to the evacuated state.例文帳に追加

本発明のガス処理装置は、ガスに含まれる反応性成分を分解するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６に接続され、前記ガスを減圧状態にするためのポンプ２５，２７と、を含む。 - 特許庁

In a pixel data write process in a sub-field having a small weighting, a plasma display panel is set to either an emitted cell state or non- emitted cell state according to the pixel data, while it scans each discharge cell of the plasma display panel in plural display line units.例文帳に追加

重み付けの小なるサブフィールドでの画素データ書込行程ではプラズマディスプレイパネルの放電セル各々を複数表示ライン単位で走査しながら、画素データに応じた発光セル状態又は非発光セル状態のいずれか一方に設定して行く。 - 特許庁

To provide an arc detecting device sensitively and instantaneously confirming the internal state of a process chamber, and detecting abnormality in the plasma state in the process chamber in real time.例文帳に追加

工程チャンバ内部の状態を敏感にかつ即時に確認することができ、リアルタイムに工程チャンバ内のプラズマ状態の異常を感知することができるアーク検出装置を提供する。 - 特許庁

Then quantitative data of each emission type is monitored and the state of operation of the plasma treating apparatus and the state of treatment of the wafer is judged according to the change in quantitative data of each type of emission.例文帳に追加

次いで，各発光種の定量データを監視し，各発光種の定量データの変化に基づいてプラズマ処理装置の運転状態，ウエハの処理状態を判断する。 - 特許庁

In the initial state, the arc discharge generates no plasma 5 and is guided to the irradiation position of a laser beam 16.例文帳に追加

初期状態においてはアーク放電によるプラズマ５は発生しておらず、アーク放電はレーザ光１６の照射位置に誘導される。 - 特許庁

To form a thin film of high uniformity in a substrate surface by carrying gas actived with remote plasma onto the substrate in an active state.例文帳に追加

リモートプラズマで活性化したガスを、基板上に活性な状態のまま運び、基板面内に均一性の高い薄膜を形成する。 - 特許庁

The plasma-excited species of hydrogen reduce the oxidized state of tantalum, thereby yielding a substantially conductive tantalum nitride film on the substrate.例文帳に追加

水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

This method for diagnosing the morbid state of arteriosclerosis or a blood vessel endothelium lesion comprises the measurement of the concentration of serotonin in a specimen of blood plasma.例文帳に追加

血漿試料中のセロトニン濃度を測定することからなる、血管内皮障害や動脈硬化病態の診断方法。 - 特許庁

Methane in the material gas is decomposed under a plasma state, chemical species having high reactivity is generated, and crystal of diamond is synthesized.例文帳に追加

プラズマ状態の下で原料ガス中のメタンが分解し、反応性に富む化学種が生成され、ダイヤモンドの結晶が合成される。 - 特許庁

The anodized aluminum product in a state where the crack 3 has been generated is exposed to oxygen plasma generated by exciting a gas at least containing oxygen atoms.例文帳に追加

クラック３が発生した状態のアルマイト製品を、少なくとも酸素原子を含むガスを励起して生成した酸素プラズマに曝す。 - 特許庁

This method for monitoring a plasma chamber includes steps of: measuring an optical characteristic of plasma generated in the plasma chamber including a window in a predetermined measurement wavelength band (S10); extracting a process status index from the measured optical characteristic (S30); and thereafter determining a state of the plasma chamber by analyzing the extracted process status index (S50).例文帳に追加

ウィンドウを有するプラズマチャンバ内に生成されるプラズマの光学的特性を所定の測定波長帯域で測定（Ｓ１０）し、前記測定された光学的特性から工程状態指数を抽出（Ｓ３０）した後、前記抽出された工程状態指数を分析（Ｓ５０）して、前記プラズマチャンバの状態を判断するステップを含む。 - 特許庁

To provide a plasma heating apparatus which allows a tundish to be moved without causing a plasma torch and a torch support apparatus to perform ascending movement in advance by suspending a junction of the plasma torch and the torch support in a rockable manner when the tundish is moved by the occurrence of the moving motion of the tundish in such a state that the plasma torch is inserted into the tundish.例文帳に追加

タンディッシュ内にプラズマトーチが挿入されている状態において、タンディッシュの移動動作の発生によりタンディッシュを移動させる際に、プラズマトーチとトーチ支持装置の接合部を揺動可能に垂下して、予めプラズマトーチ及びトーチ支持装置の上昇動作をさせることなくタンディッシュを移動させることができるプラズマ加熱装置を提供する。 - 特許庁

The plasma treatment apparatus 10 is provided with an inner chamber 20 housing the plasma source 30 and the treated substrate 2 and an outer chamber 12 housing the inner chamber 20 and plasma treatment is carried out in a state that the interior pressure of the inner chamber 20 is greater than the interior pressure of the outer chamber 12.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、プラズマソース３０および被処理基材２を収納する内チャンバ２０と、内チャンバ２０を収納する外チャンバ１２とを備え、内チャンバ２０の内圧が外チャンバ１２の内圧よりも大きい状態で被処理基材２をプラズマ処理する。 - 特許庁

The state of plasma for etching is changed between the state that the metal laminated film layer of a substrate to be processed is etched and the state that layers after a silicon layer containing impurities are etched to thereby perform the two etching in one vacuum chamber.例文帳に追加

被処理基板の金属積層膜層をエッチングするときのプラズマ状態と、不純物が含まれたシリコン層以降をエッチングするときのプラズマ状態とを変更することで、一つの真空室にて上記２つのエッチングを実施する。 - 特許庁

A plasma generator 2 can be mounted to the external wall of the blade shape part in a state that the first and the second plasma generators are positioned on the positive pressure side face 46 and the negative pressure side face 48 of the blade shape part, respectively.例文帳に追加

プラズマ発生器２は、第１及び第２の複数のプラズマ発生器をそれぞれ翼形部の正圧及び負圧側面４６，４８上に位置させた状態で、翼形部の外壁上に取付けることができる。 - 特許庁

To provide a plasma display apparatus having structure for holding a panel by a holding member in a state that the generation of noise in driving is suppressed and a method for manufacturing the plasma display apparatus.例文帳に追加

パネルを保持部材によって保持する構造のプラズマディスプレイ装置において、駆動中でのノイズの発生を抑制した状態にパネルを保持したプラズマディスプレイ装置、およびその製造方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

A sputtering apparatus 1 as a thin film deposition apparatus comprises a vacuum container 11 to maintain the inside in a vacuum state, and a plasma generating means 80 connected to the vacuum container 11 to generate plasma in the vacuum container 11.例文帳に追加

内部を真空に維持する真空容器１１と、真空容器１１に接続され真空容器１１内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段８０と、を備える薄膜形成装置としてのスパッタ装置１である。 - 特許庁

There is provided a small-sized plasma generating device capable of establishing a state in which a plasma density is different depending on positions as shown in 4.A, and a radical density is different depending on positions as shown in 4.B.例文帳に追加

本発明によれば、小型のプラズマ発生装置を用い、例えば４．Ａに示されるようにプラズマ密度が位置によって異なり、４．Ｂに示されるようにラジカル密度が位置によって異なる状態を形成できる。 - 特許庁

To provide a plasma MIG welding method of generating a MIG arc 3a and a plasma arc 3b from one welding torch WT, in which the stable droplet transfer state of the MIG arc is maintained even if torch height Lp is changed.例文帳に追加

１つの溶接トーチＷＴからミグアーク３ａ及びプラズマアーク３ｂを発生させるプラズマミグ溶接方法において、トーチ高さＬｐが変化しても安定したミグアークの溶滴移行状態を維持すること。 - 特許庁

With this arrangement, plasma generated by the energy beams is to be with less free expansion than a prior art, and a density of gas of the plasma material in a discharge area can be maintained in a high state.例文帳に追加

このため、エネルギービームによって発生させたプラズマを、従来よりも自由膨張が少ないものにすることができ、放電領域におけるプラズマ原料のガスの密度を高い状態に維持することができる。 - 特許庁

To detect the shape of fluorophor layer formed on a substrate by non-destructive inspection during the manufacturing process of a plasma display panel, with respect to a method for evaluating the application state of the fluorophor of a plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの蛍光体塗布状態を評価する方法に関し、基板に形成された蛍光体層の形状を非破壊検査によって、プラズマディスプレイパネルの製造工程中に検出することを課題とする。 - 特許庁

When a direct current is supplied effectively between the cathode 6 and the anode 10 from a power source 9 for plasma electrical discharge in this state, plasma 5 is generated in the space between both the electrodes 6, 10.例文帳に追加

この状態で、プラズマ放電用電源装置９から陰極６と陽極１０との間に、実効的に直流の電力を供給すると、これら各電極６、１０間の空間内にプラズマ５が発生する。 - 特許庁

To enable to provide a method having superior spatial resolution and time resolution in monitoring a plasma state with the use of an optical method.例文帳に追加

光学的手法を用いた、プラズマ状態のモニタリングにおいて、空間分解能および時間分解能に優れた手法の提供を可能とする。 - 特許庁

To provide a discharge cell capable of obtaining a uniform plasma state, its manufacturing method and a display device using the discharge cell.例文帳に追加

均一なプラズマ状態が得られる放電セルおよびその製造方法、ならびにそのような放電セルを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus capable of suppressing reduction in film quality by stabilizing the discharge state of plasma, at the beginning of film formation.例文帳に追加

製膜初期におけるプラズマの放電状態を安定させることにより、膜質の低下を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

The antenna inductively couples energy from the RF energy source with a treatment gas through the dielectric member to form a plasma state and to treat a substrate.例文帳に追加

アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。 - 特許庁