「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma display device and a driving method therefor, capable of realizing favorable and stable display quality by setting a state of charges in a display cell after the end of a priming period even if a firing potential varies.例文帳に追加

放電開始電圧が変動しても、プライミング期間終了後における表示セル内の電荷状態を一定とし、良好且つ安定した表示品位を実現することができるプラズマ表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the accelerated weathering resistant testing method for a coating film using a remote plasma apparatus, the inside of the apparatus is set to a reduced pressure state, and e.g. oxygen gas is introduced to the inside of the apparatus.例文帳に追加

リモートプラズマ装置を用いることを特徴とする塗膜の促進耐候性試験方法であって、上記リモートプラズマ装置内を減圧状態にすることができるとともに、例えば、酸素ガスを装置内に導入することができる。 - 特許庁

The shower plates 3a and 3b have gas introducing ports 18 for feeding reaction gas made into the state of plasma by the microwaves into the treating chamber, and each has a lower face facing to the treating chamber and an upper face located on the side reverse to the lower face.例文帳に追加

シャワープレート３ａ、３ｂはマイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを処理室に供給するためのガス導入孔１８を有し、処理室に面する下面およびその下面と逆側に位置する上面とを有する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring a process capable of certainly detecting such a change as plasma light emission to be used when an object to be processed having a low numerical aperture is etched, even if the change of a process state is small, and a processing device.例文帳に追加

開口率の低い被処理体をエッチングする時のプラズマ発光強度の変化のようにプロセス状態の変化が小さくてもその変化を確実に検出することのできるプロセスの監視方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The array antenna unit 30 has a plurality of pole bolts connectable to the ceiling side connectors, and plasma is generated by power supply from the high-frequency power source in such a state that the pole bolts are connected to the ceiling side connectors.例文帳に追加

アレイアンテナユニット３０は、天井側コネクタに接続可能な複数本の電極棒を有し、電極棒が天井側コネクタに接続された状態で高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide a plasma arc spot welding equipment where the welding quality is stabilized by monitoring a real time welding state by the behavior of an arc voltage following a normal welding sequence in a cycle and judging various abnormalities in welding.例文帳に追加

１サイクルの正常な溶接シーケンスに従ったアーク電圧の挙動から現在の溶接状況を監視して様々な溶接異常を判別し、溶接品質の安定化を図ったプラズマアークスポット溶接機を提供する。 - 特許庁

This allows chemical bonding change of the photoresist and the occurrence of popping and the residue to be decreased to enhance the yield of products since the temperature of the substrate is decreased in the state of atmospheric pressure by the plasma ashing processes for a while.例文帳に追加

このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 - 特許庁

Light from a discharge exciting part between electrodes 2, 3 of the gas laser oscillator is detected by a photosensor 11, and a signal processing part 12 determine the plasma state of the discharge exciting part on the basis of the detection information of the photosensor 11.例文帳に追加

ガスレーザー発振器の電極２，３の間の放電励起部からの光をフォトセンサ１１によって検知し、そのフォトセンサ１１の検知情報に基づいて、信号処理部１２が放電励起部のプラズマ状態を判定する。 - 特許庁

Further, there is provided a cooling unit 3 for cooling a semiconductor substrate, and a plasma nitriding unit 4 for introducing active nitrogen into the base film in a state where the temperature of the semiconductor substrate cooled by cooling unit 3 is in 100°C or less.例文帳に追加

更に、半導体基板を冷却する冷却部３、及び冷却部３により冷却された半導体基板の温度が１００℃以下の状態で、下地膜に活性窒素を導入するプラズマ窒化部４が設けられている。 - 特許庁

To provide a surface treatment device capable of uniformly treating a work by transporting generated plasma in an extensively distributed state with low concentration, and an optical element forming die subjected to the surface treatment thereby.例文帳に追加

発生するプラズマを広範囲に低濃度に分布した状態で輸送して被処理体の均一な処理を行うことができる表面処理装置及びそれによって表面処理される光学素子成形用型を提供すること。 - 特許庁

The method of driving the plasma display apparatus includes the steps of applying a first voltage to the data electrodes and applying a voltage as a ground level or a floating state to the data electrodes.例文帳に追加

本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、プラズマディスプレイパネルのデータ電極に第１電圧を印加するステップと、前記データ電極にグラウンドレベル、または、フローティング状態で印加するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the film 3 for near-infrared absorption, which absorbs near-infrared rays generated from a plasma display device 2, a near-infrared absorbent 1, which absorbs near-infrared rays, is added in a dispersed state.例文帳に追加

プラズマディスプレイ２から生じる近赤外線を吸収する近赤外線吸収用のフィルムであって、該フィルム３には近赤外線を吸収する近赤外線吸収剤１が分散状態で添加されているものである。 - 特許庁

In the manufacturing method for the substrate, a layer containing molybdenum is formed on a substrate, and atmospheric pressure plasma treatment using at least nitrogen gas is carried out for the substrate in a state wherein the layer containing molybdenum is exposed.例文帳に追加

本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。 - 特許庁

It is desirable that the plasma state is generated by applying a voltage to a space in which the diketone and at least one member selected from among nitrogen, oxygen, hydrogen, carbon dioxide, nitrous oxide, argon, helium, xenon, and krypton are present.例文帳に追加

このジケトンのプラズマ状態は、ジケトンと、窒素、酸素、水素、二酸化炭素、亜酸化窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノン、及びクリプトンから選択される少なくとも１種とが存在する空間に、電圧を印加することによって形成するのが好ましい。 - 特許庁

By bringing the wire 3 into contact with the wire feed hole 21 at three or more points, the number of contact points of the wire 3 with the contact tip 15 is increased, the power feed state to the wire 3 is stabilized, and the plasma arc can be consistently generated.例文帳に追加

ワイヤ送給孔２１にワイヤ３を３点以上接触させることで、ワイヤ３とコンタクトチップ１５との接点が増えることにより、前記ワイヤ３への給電状態が安定し、プラズマアークを安定して発生させることができる。 - 特許庁

Moreover, a plasma luminescence L2 from the target 30 resulting from the condensation and irradiation with the laser light L1 is measured by a light measurement device 40 and the measured signals are analyzed by an analyzer 50 to evaluate the state of the generation of the high-speed particles P.例文帳に追加

また、レーザ光Ｌ１の集光照射に伴うターゲット３０からのプラズマ発光Ｌ２を光計測装置４０で計測し、その計測信号を解析装置５０で解析して高速粒子Ｐの発生状態を評価する。 - 特許庁

The thin film forming device for forming the thin film on the substrate comprises: a film deposition container provided with a deposition space for forming the thin film on the substrate in an evacuated state; a starting gas introduction part for introducing a starting gas for thin film into the deposition space in the film deposition container; and a plasma electrode part for generating plasma by using the starting gas for thin film in the deposition space.例文帳に追加

基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間の前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ電極部と、を有する。 - 特許庁

The forming method of the silicon oxide layer generates a plasma of oxygen containing gas flowing between an electrode and the surface of a silicon wafer under an atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure, and forming the silicon oxide layer by contacting the plasma with the surface of the silicon wafer in a state that a temperature gradient is formed from the surface of the silicon wafer to its bottom side.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下で電極とシリコンウエハの表面との間に流入させた酸素含有ガスのプラズマを生成し、シリコンウエハの表面から底面にかけて温度勾配を形成した状態でプラズマをシリコンウエハの表面と接触させることによりシリコン酸化物層を形成するシリコン酸化物層の形成方法である。 - 特許庁

The method for forming the thin oxide film is a method for forming a thin oxide film on a substrate 6 by a plasma bloom 13 generated from a target 3, wherein the plasma bloom 13 is generated from the target 13 in the state of applying a magnetic field between the target 3 and the substrate 6 in a vacuum chamber 2 to which gaseous argon and gaseous oxygen are supplied.例文帳に追加

本発明の酸化物薄膜の形成方法は、ターゲット３から発生したプラズマプルーム１３により基板６上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法であって、アルゴンガスと酸素ガスとを供給した真空チャンバ２内において、ターゲット３と基板６との間に磁場を加えた状態で、ターゲット３からプラズマプルーム１３を発生させる。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing chamber for performing prescribed plasma processing operations to an object to be processed, a gas supply mechanism for supplying a gas for processing of the object, a first vacuum pump connected to the processing chamber and having a vacuum state kept therein, and a second vacuum pump connected to the gas supply mechanism for evacuating the gas supply mechanism.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記被処理体を処理するためのガスを供給するガス供給機構と、前記処理室に接続されて当該処理室内を減圧状態に維持する第１の真空ポンプと、前記ガス供給機構に接続されて当該ガス供給機構を排気する第２の真空ポンプを有する。 - 特許庁

The ECU 60 determines whether the filter can be continuously reclaimed on the basis of sensor signals from temperature sensors 62 and 64 and information such as an operating state of the internal combustion engine 1, and it operates the plasma generator as needed.例文帳に追加

ＥＣＵ６０は温度センサ６２，６４からのセンサ信号や内燃機関１の運転状態等の情報に基づいてフィルタ（ＤＰＦ６）の連続再生が可能な状態であるかを判定し、必要に応じてプラズマ発生装置を作動させる。 - 特許庁

When atmosphere in the vicinity of the treatment object S is air or oxygen or water (vaporized state) is supplied from a radical source supply pipe 4 to the treatment object, and reacted with the hollow cathode plasma P of argon, oxygen is converted to an atomic oxygen and water is converted to a hydroxy radical.例文帳に追加

処理対象Ｓ近傍の雰囲気が空気であったり、或いはラジカル源供給管４から酸素又は水（気化状態）を供給すれば、アルゴンのホローカソードプラズマＰとの反応により、酸素が原子状酸素に、水がヒドロキシルラジカルになる。 - 特許庁

To achieve a plasma display panel capable of achieving superior image display by stabilization of a light-emitting state as well as capable of improving instability of discharge starting voltage due to a residual gas and capable of securing a driving margin without complicating a structure and a manufacturing process.例文帳に追加

構造や製造工程を複雑化することなく残留ガスによる放電開始電圧の不安定性を改善し駆動マージンを確保するとともに発光の状態の安定化により、良好な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現する。 - 特許庁

To realize a plasma display panel capable of excellent image display, by securing a driving margin as well as stabilization of a light emission state, through improvement on instability of breakdown voltage due to residue gas without comlexifying a structure or a manufacturing process.例文帳に追加

構造や製造工程を複雑化することなく残留ガスによる放電開始電圧の不安定性を改善し駆動マージンを確保するとともに発光の状態の安定化により、良好な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルを実現する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor component comprises the step of plasma cleaning a wafer ring 301, in a state in which a semiconductor chip 203 cut out from a wafer 201 or the wafer 201 before cut out to semiconductor chips 203 is fixed to a wafer sheet 302.例文帳に追加

ウエハ２０１から切り分けた半導体チップ２０３または半導体チップ２０３に切り分ける前のウエハ２０１がウエハシート３０２に固定された状態でウエハリング３０１にプラズマ洗浄処理を施すようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The microplasma 300, generated inside the plasma capillary 40, is injected from a body opening 48, and subjects a bonding pad 5 to surface treatment under the sealed state from the outside, by a sealing-gas flow 400 injected from an annular opening 76 at the front end.例文帳に追加

プラズマキャピラリ４０の内部で生成されたマイクロプラズマ３００は、本体開口４８から噴出し、先端の環状開口７６から噴出したシールガス流４００によって外気とシールされた状態でボンディングパッド５の表面処理を行う。 - 特許庁

To provide a device and a method of recovering power of a plasma display panel (PDP) for improving the power recovery efficiency thereof irrespective of the number of pixels made conductive in accordance with a picture state by using a single energy storage element and a relatively small number of elements.例文帳に追加

単一のエネルギー蓄積素子及び比較的少ない数の素子で画面状態によって導通されるピクセルの数に関係なく向上した電力回収効率を有するＰＤＰの電力回収装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Electrostatic attraction of the support substrate 11 is performed on a substrate installation surface 41a of a dry-etching device 6, and dry-etching of the crystal substrate 9 on which a plasma is generated is performed at a state that heat transmission gas is supplied between the support substrate 11 and the substrate installation surface 41a.例文帳に追加

支持基板１１をドライエッチング装置６の基板載置面４１ａに静電吸着すると共に、支持基板１１と基板載置面４１ａの間に伝熱ガスを供給した状態で、プラズマを発生させた水晶基板９をドライエッチングする。 - 特許庁

In the deodorizing apparatus 10 including a high-voltage discharging section 1 capable of generating low-temperature plasma and a catalyst section 2 filled with the oxidation promoting catalyst 6, a water supplying means 7 capable of keeping the oxidation promoting catalyst in a wet state is also included.例文帳に追加

低温プラズマを発生させることのできる高圧放電部１と、酸化促進触媒６を充填した触媒部２とを含む脱臭装置１０において、前記酸化触媒を湿潤状態にすることができる給水手段７を更に含む。 - 特許庁

And a streamer discharge is generated by applying an alternating high voltage between the electrodes 21, 22, then the plasma state cleaning media created by the discharge is sprayed to the object 5 to be cleaned, and the surface of the object 5 is cleaned.例文帳に追加

そして、放電電極２１、２２間に交流高電圧を印加してストリーマ状放電を発生させ、それによってプラズマ化した洗浄媒体を洗浄対象物５へ向けて吹き付けることによって、対象物５の表面を洗浄する。 - 特許庁

In addition, before the main etching step, a pre-etching step is performed by supplying a third amount of high-frequency power which is larger than the first amount of high-frequency power to the stage electrode 14 so as to change the etching gas inside the vacuum chamber 11 into the plasma state.例文帳に追加

加えて、このメインエッチング工程の前に、ステージ電極１４に第一の電力量よりも大きい第三の電力量で高周波電力を供給して、真空槽１１内のエッチングガスをプラズマにするプレエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor in which an area over a photodiode is prevented from being exposed to a plasma; the flexibility in the thickness of a sidewall film used also as a reflection preventing film is enhanced; and the film thickness of the reflection preventing film is optimized despite the deposited film thickness to enhance the responsivity at the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード上をプラズマに晒さないようにし、反射防止膜と兼用化するサイドウォール膜厚の自由度を増やし、デポ膜厚によらず、反射防止膜の膜厚最適化を図り、フォトダイオードでの受光感度を向上させる。 - 特許庁

In this structure, the plasma process is performed in a state that a temperature difference is formed by a temperature adjusting mechanism so that the temperature at a ring provided so as to surround the periphery of the board is higher by 50°C or more than the temperature of the board on the mounting tray.例文帳に追加

載置台上の基板の温度よりもこの基板の周囲を囲むように設けられたリング部の温度が５０℃以上高くなるように温度調整機構により温度差を形成した状態にてプラズマ処理を行う構成とする。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device from deteriorating in reliability by a method, wherein a transistor capable of recovering its characteristics is in a state where a gate insulating film suffers no damage, even if wirings are formed through an inductively coupled plasma etching method.例文帳に追加

誘導結合型プラズマを用いて等価回路で表した場合に保護ダイオードに接続されるような配線加工を行うと、電気遮蔽効果によりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され、トランジスタ性能が低下するという問題の解決を図る。 - 特許庁

The vapor deposition state can be kept constant and the fluctuation in the concentration of an additive can be suppressed, and further, a uniform glass preform can be manufactured by controlling the temperature of the vapor deposition part 12a to be constant by moving the position of the plasma flame 24.例文帳に追加

このようにプラズマ炎２４の位置を移動させて蒸着部１２ａの温度を一定にすることにより、蒸着状態を一定に保って添加物濃度の変動を抑えることができ、均一なガラス母材を製造することができる。 - 特許庁

A silicon nitriding film formed by a plasma CVD method exists on the peripheral circuit part 24 of the outside of at least an imaging area 23, and a solid-state imaging element 1 without having the silicon nitriding film is constituted on the sensor part 11 of the imaging area 23.例文帳に追加

少なくとも撮像領域２３外の周辺回路部２４上に、プラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜を有し、撮像領域２３内のセンサ部１１上にはこのシリコン窒化膜を有しない固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To improve the yield of a semiconductor device by maintaining a processing shape even when an anisotropic plasma etching state for metal (especially, a wiring plate) is restarted after being interrupted for some reason.例文帳に追加

金属（特に配線箇所）の異方性プラズマエッチング工程において、何らかの事情により工程が中断された後に工程を再開しても、その加工形状を維持することができ、半導体装置の歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes a process of forming a wiring layer 10, and a process of forming a first insulating film 20 on the wiring layer 10 under the condition that hydrogen in the state of plasma is not more than 1% of all the gas components.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、配線層１０を形成する工程と、プラズマ状態中の水素が全ガス成分中の１％以下である条件下で、配線層１０上に第１の絶縁膜２０を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure using a simple device, and carrying out processing with a small amount of processing gas in a peeling process in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理方法及びその装置を提供。 - 特許庁

A high-density plasma is formed near the target and discharged by a magnetic field of the superconducting magnet 105, in a state where gas is introduced to the decompression chamber 101, then a catalyst is carried and supported by the electrolyte, after flying atoms or clusters of the catalytic metal.例文帳に追加

減圧室１０１をガスを導入した状態において超電導磁石１０５の磁場により高密度プラズマをターゲット付近に形成しつつ放電させ、触媒金属の原子またはクラスタを飛翔させて電解質に触媒を担持させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the arrangement film of carbon nanotube aggregate, a hydrocarbon gas is treated by a plasma assist CVD method and carbon nanotubes are densely grown and aggregated into conical substances in a self-assembled state.例文帳に追加

炭化水素ガスをプラズマアシストCVD法により処理し、カーボンナノチューブを円錐状物質として、蜜に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法。 - 特許庁

The light generated inside the helium gas in its plasma state in the laser irradiation is transmitted from an optical fiber 15 to an analyzing section 16, and the hydrogen contained in the measurement region is analyzed quantitatively from the emission intensity of an emission wavelength of the hydrogen.例文帳に追加

レーザー照射中においてプラズマ化したヘリウムガスの内部で発生する光を光ファイバ１５から分析部１６に伝送し、水素の発光波長の発光強度に基づいて測定部位に含まれる水素を定量的に分析する。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

To provide a display device capable of preventing wrong discharge of a pixel cell to be set in an extinction state, by using a plasma display panel having a cell structure in which a selection cell and a display cell are separated, and to provide a driving method for the display panel.例文帳に追加

選択セルと表示セルとを分離したセル構造を有するプラズマ表示パネルを用いて、消灯状態に設定されるべき画素セルの誤放電を防止することができる表示装置及びその表示パネルの駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum-treating device having a substrate holding member which can make the distribution of film thicknesses more uniform when a film forming treatment is performed in an evacuated state by stabilizing the discharging of a plasma etc., in the periphery of a substrate.例文帳に追加

基板周辺でのプラズマ等における放電状態の安定化を図り、真空状態での製膜処理における膜厚分布をより均一に導くことを可能とした基板保持部材を有する真空処理装置を提供すること。 - 特許庁