「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma generated between an upper electrode 18 and the lower electrode 19 acts on the mount to process the mount including many of the lead frame members at once in the closed state of the processing chamber 17.例文帳に追加

処理室１７が閉鎖された状態で、上部電極１８と下部電極１９との間に発生されるプラズマの作用により、多数のリードフレーム部材の実装部は一度に処理される。 - 特許庁

This rear plate for the plasma display panel is formed with the barrier layer on the dielectric layer, and the hardened-state dielectric layer and the barrier layer formed on the dielectric layer are simultaneously baked together.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル用背面板は、誘電体層上に障壁層が形成されており、硬化状態の誘電体層と、該誘電体層上に形成された障壁層が同時焼成されている。 - 特許庁

After a reset pulse for generating wall charges in all discharge cells of a plasma display panel is applied to respective row electrodes at a time, the row electrodes are temporarily grounded and then placed in a floating state.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの全ての放電セルに壁電荷を形成されるリセットパルスを一斉に行電極の各々に印加した後に、行電極各々を一旦接地してからフローティング状態に設定する。 - 特許庁

The porous state of the transparent substrate continuously varies along the etching depth by exposing the surface of the transparent substrate to plasma composed of a hydrocarbon compound containing, for example, fluorine atoms.例文帳に追加

透明基板の多孔質化状態は、透明基板の表面を例えば弗素原子を含む炭化水素化合物からなるプラズマ中に暴することによって、エッチング深さ方向に連続的に変化する。 - 特許庁

The emission intensity of the atomized plasma 5 is measured in a state without the mirror 2 to determine the emission intensity Ir1 of a resonance line spectrum of a target element and the emission intensity Iul of an excitation line spectrum of Ar.例文帳に追加

ミラー２のない状態でアトマイズプラズマ５の発光強度を測定し、目的元素の共鳴線スペクトルの発光強度Ｉｒ１と、Ａｒの励起線スペクトルの発光強度Ｉｕ１を測定する。 - 特許庁

This forming method comprises introducing a mixed gas comprising an inert gas and a reactive gas into a discharge space between electrodes and converting it to a plasma state, in or around atmospheric pressure, exposing a substrate to the reactive gas in a plasma condition to form a transparent conductive film, and then heating it.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、不活性ガスと反応性ガスからなる混合ガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒し、基材上に透明導電膜を形成した後、熱処理する透明導電膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a plasma ignition device, capable of preventing breakage of an electronic component incorporated in the ignition device even when a spark plug gets into a short-circuited state from a power supply system such as a battery, and capable of reducing damage on an internal combustion engine due to erroneous plasma jet ejection, wearing of the spark plug, and power consumption.例文帳に追加

点火プラグがバッテリなどの電源系とショート状態になった場合でも点火装置内の電子部品の破壊を防止することが出来ると共に、プラズマジェットの誤噴射による内燃機関へのダメージ、点火プラグの消耗、消費電力を軽減することが出来るプラズマ式点火装置を提供する。 - 特許庁

The resist removing apparatus includes a vacuum chamber 10, a wafer-mounting stage 21 pivotally provided in a reversible state in the vacuum camber 10, and a plasma-generating means 11, mounted at an upper part of the wafer mounting stage 21 for causing the plasma to flow down onto a wafer-mounting face 21a.例文帳に追加

真空チャンバ１０と、真空チャンバ１０内に設けられ、反転自在に回動可能なウエハ載置台２１と、ウエハ載置台２１の上方に設けられ、ウエハ載置台２１のウエハ載置面２１ａにプラズマをダウンフローさせるプラズマ生成手段１１とを備えたことを特徴とするレジスト除去装置およびこれを用いたレジスト除去方法である。 - 特許庁

Odor components and hazardous components in air are cleaned off by making the adsorbent in an adsorption block 11A adsorb them, and the adsorbent is regenerated by impressing plasma generated with a plasma generating apparatus 21 before the adsorbent reaches the saturated adsorption state to desorb the odor components and the hazardous components from the adsorbent.例文帳に追加

吸着ブロック（１１Ａ）の吸着剤に空気中の臭気成分及び有害成分を吸着させて浄化する一方、吸着剤が飽和吸着状態になる前にプラズマ発生装置（２１）で発生させたプラズマを吸着剤に印加し、吸着剤から臭気成分及び有害成分を脱離させて再生する。 - 特許庁

In this state, when a command is sent to a high-voltage pulse generator 11 from a controller 8, a high-temperature plasma is generated, and an EUV light emitted from the high-temperature plasma is reflected on a condensing reflector 4, so that it is introduced to an opening 5a of the aperture 5 and is emitted from an EUV light emitting section 6.例文帳に追加

この状態で、制御部８から高電圧パルス発生部１１に指令が送信されと、高温プラズマが発生し、高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光反射鏡４に反射されることによってアパーチャー部材５の開口５ａに導入されＥＵＶ光出射部６から出射する。 - 特許庁

In the high voltage pulsed welding method, in a state where a plurality of members (A, B) as the objects for welding are mutually butted, high voltage pulse capable of instantaneously converting a welding boundary (C) between both the members into plasma is applied to the members, and the welding boundary between the members is instantaneously converted into plasma, thus the plurality of members are welded.例文帳に追加

接合対象とする複数の部材（Ａ,Ｂ）を互いに突き合わせた状態で、前記両部材間の接合界面（Ｃ）を瞬時的にプラズマ化し得る高電圧パルスを上記部材に印加し、部材間の接合界面を瞬時的にプラズマ化することによって前記複数の部材間を接合する。 - 特許庁

After an electrode terminal of a plasma display panel 7 is connected with one terminal of a flexible wiring board 3 with an ACF 23 in-between, a probe 26 is made in contact with the electrode terminal of the plasma display panel 7 and a probe 27 is made in contact with the other terminal of the flexible wiring board 3 and a connection state is directly inspected by an electric conduction inspection unit 5.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル７の電極端子とフレキシブル配線基板３の一方の端子をＡＣＦ２３を介して接続した後、プラズマディスプレイパネル７の電極端子にプローブ２６を当接し、フレキシブル配線基板３の他の端子にプローブ２７を当接して導通検査装置５によって接続状態を直接検査する。 - 特許庁

In the member 21 to be etched, the numerical aperture as the ratio of the area of aperture parts to the whole area opposite in the whole face opposite to the side of a substrate 3 in a plane view state is set in accordance with the condition of raw material gas plasma, and the production of a uniform metal film is performed without according to the condition of the raw material gas plasma.例文帳に追加

被エッチング部材２１は、平面視状態で基板３側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率が原料ガスプラズマの状況に応じて設定され、原料ガスプラズマの状況に拘らず均一な金属膜の作製が行なわれる。 - 特許庁

To provide a driving method and a plasma display apparatus which can reduce power consumption by reducing reactive power in the case of driving a plasma display panel capable of shortening a discharge delay at the time of writing operation even in a highly accurate state and realizing stable writing discharge by a driving method of which the light emitting efficiency is improved.例文帳に追加

高精細化しても書込み動作時の放電遅れを短くでき安定した書込み放電を実現することができるプラズマディスプレイパネルを発光効率を改善した駆動方法によって駆動する際、さらに無効電力を低減して消費電力を削減できる駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

When pressure in the treatment chamber 10 is reduced, both the elevating/lowering rod 15 and the elevating/lowering body 14 are elevated by a pressure difference and plasma treatment can be carried out in a state that the elevating/lowering body 14 is in close proximity to the lower surface of the semiconductor wafer 8 and thereby uniform plasma treatment can be carried out stably.例文帳に追加

これにより処理室１０内の減圧時に昇降ロッド１５と昇降体１４とをともに圧力差により上昇させて、昇降体１４が半導体ウェハ８の下面に近接した状態でプラズマ処理を行うことができ、均一なプラズマ処理を安定して行うことができる。 - 特許庁

The surface treating method comprises rendering a reactive gas in a plasma state by the discharge of both opposing electrodes under atmospheric pressure or pressure in the neighborhood of atmospheric pressure, and exposing the surface of a substance to be treated to the reactive gas in a plasma state, and the irregularities and voids are formed on the surface of the substance to be treated by making the discharge intensity by the above electrodes nonuniform.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極双方の放電により反応性ガスをプラズマ状態とし、被処理物の表面を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒して処理する表面処理方法であって、前記電極による放電強度を不均一にすることで、被処理物表面に凹凸及び空隙を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This method for forming a metal-atom-containing film on a substrate comprises converting a reactive gas containing metal atoms to a plasma state, by supplying an electric power of 1 W/cm2 or higher with a high-frequency higher than 100 kHz in between two facing electrodes, and discharging them under atmospheric pressure or similar pressure; and exposing the substrate to the reactive gas in the plasma state.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給して放電させることにより、金属原子を含む反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に、金属原子含有膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel capable of increasing a light emitting efficiency, sealing a front substrate and a rear substrate and, in the temporarily sealed state before discharge gas is filled in a clearance between the sealed substrates, easily performing an exhaust process for removing residual gas in atmospheric state filled in the clearance between the sealed substrates.例文帳に追加

発光効率を高めるとともに、前面基板と背面基板を密封し、その内部に放電ガスを充填する前の仮封止状態で、内部に満たされている大気圧状態の残留ガスを除去する排気工程を容易に行うことができるプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

A method for forming an insulation film includes: a step of forming the insulation film on a substrate; and a step of exposing the insulation film to atomic state oxygen O* or atomic state hydrogen nitride NH* which is generated with a plasma of an inert gas Kr or Ar to convert the film quality.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method by which a joining portion of patterns is made invisible even when division exposure is carried out responding to a large screen and a large area, for example, in a display device such as a PDP (plasma display panel), the appearance in a nondisplay state is not damaged, and degradation in the picture quality in a display state is suppressed.例文帳に追加

大画面、大面積に対応して分割して露光する場合でも、パターンのつなぎ部を視認できないレベルとして、例えば、ＰＤＰなどの表示装置において非表示状態での外観を損なうことがなく、さらに、表示状態での画質低下を抑制する。 - 特許庁

This O_3 generation device to generate O_3 to be supplied to the exhaust emission of the internal combustion engine by generating plasma generates O_3 when a driving state of the internal combustion engine is in a decelerated driving state where an engine load lowers.例文帳に追加

本発明に係るＯ_３生成装置は、プラズマを発生させることによって内燃機関の排気中に供給するためのＯ_３を生成するＯ_３生成装置であって、内燃機関の運転状態が機関負荷が低下する減速運転状態であるときにＯ_３を生成する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can form a film with a uniform composition, and prevents the state of a plasma from changing with time, thereby not reducing a productivity.例文帳に追加

組成の均一な成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものであり、さらに経時的にプラズマの状態が変化することを防ぐことで、生産性が低下しないスパッタリング装置を提供するものである。 - 特許庁

Thus the system includes causing discharge by application of the DC pulse voltage, and even in the expanded state of the inter-electrode spacing, plasma can be efficiently created, and the intra-surface distribution of a film thickness can be improved.例文帳に追加

このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、電極間隔を広げた状態においてもプラズマを効率よく生成できると共に膜厚の面内分布も改善できる。 - 特許庁

The body 14 of the ring has an annular shape along the edge of the substrate 2, which is to be formed with a film using a material gas in a plasma state, with the inner edge 14a being formed higher than an outer part.例文帳に追加

リング本体１４は、プラズマ状態の原料ガスを用いる成膜処理が施される基板２の縁部に沿う環形状で、かつ、内縁部１４ａがその外側の部分よりも高く形成されている。 - 特許庁

A method reduces the pressure inside a vacuum film deposition container 1 to a vacuum state and applies a voltage to an electrode 3A disposed inside the vacuum film deposition container 1 to generate plasma from the introduced gas G introduced into the vacuum film deposition container 1.例文帳に追加

真空成膜容器１内を真空に減圧し、真空成膜容器１内に配置した電極３Ａに電力を印加し、真空成膜容器１内に導入した導入ガスＧからプラズマを生成する。 - 特許庁

The substrate is brought into contact with water molecules (for example, immersed in pure water) to introduce a hydroxy group into a carbon atom in a radical state, immediately after the substrate is subjected to the oxidation treatment (for example, oxygen gas low temperature plasma discharge).例文帳に追加

基板に酸化処理（例えば酸素ガス低温プラズマ放電処理）を行なった直後に、基板に水分子を接触させ（例えば純水に浸漬）、ラジカル状態のな炭素原子に水酸基を導入する。 - 特許庁

Introducting the raw gas into the vacuum vessel 1 in the decompounded state, can introduce a radical or an ion on the sample uniformly to improve the uniformity of the sample even though the plasma density profile is nonuniform.例文帳に追加

原料ガスを分解した状態で真空容器１に導入することにより、プラズマ密度分布が不均一な場合でも、試料上に均一にラジカルやイオンを導入でき試料の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a plasma display device with high quality by eliminating defects of a bonding state of a sheet getting uneven in the case a lengthwise panel constituent material sheet with a panel-making material layer formed on a base film is used.例文帳に追加

ベースフィルム上にパネル構成材料層を形成した長尺のパネル構成材料シートを用いる場合に、シートの貼り付け状態が不均一となる不具合を解消し、高品質のプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

The antenna section 40 has a slot hole 41, and the processing gas having been supplied to the inside of the rectangular waveguide 22 in an atmospheric pressure state is transformed into plasma using microwaves and is discharged through the slot hole 41 toward an external workpiece.例文帳に追加

アンテナ部４０は、スロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 - 特許庁

As the particle, positive ions, negative ions, mixed gases of the positive and negative ions, charged particles such as α rays and β rays, various gas particles gotten into a plasma state, ozone, particles such as free radical, and medical agents, etc. can be used.例文帳に追加

粒子としては、正イオン、負イオン、および正負イオンの混合したガスや、α線、β線などの荷電粒子や、各種プラズマ化したガス粒子、オゾン、ラジカルなどの粒子、薬剤の粒子などを用いることができる。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control device for an internal combustion engine improving exhaust emission control efficiency by optimally controlling an operating state of a plasma generator arranged in an exhaust passage in accordance with an atmosphere of exhaust gas.例文帳に追加

排気通路に配置されたプラズマ発生装置の作動状態を排気ガスの雰囲気に応じて最適に制御することにより、排気浄化効率の向上を図った内燃機関の排気浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method and an apparatus therefor which can realize a stable discharge state under the atmospheric pressure condition and treat circuit boards with a small quantity of process gas, using a simple and convenient apparatus.例文帳に追加

大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで回路基板の処理が可能な放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁

A process keeps a temperature rising state, after a plasma is generated in a film-forming chamber, nitrogen atoms are made to react with boron and carbon in the film-forming chamber, and the boron-carbon-nitrogen film is formed on a substrate.例文帳に追加

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、昇温状態に保持する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

After a plurality of pixel electrodes 4 are formed on the element substrate 2, a mask member 30 is arranged to superpose mask openings 32 on the pixel electrodes 4 corresponding to a red color R, and plasma treatment is executed in this state.例文帳に追加

素子基板２に複数の画素電極４を形成した後、赤色（Ｒ）に対応する画素電極４に対してマスク開口部３２が重なるようにマスク部材３０を配置し、この状態でプラズマ処理を行なう。 - 特許庁

To extend a writing voltage operation margin for securing a successful display state by improving a writing failure to be caused by excessive quantity of active particles in address period in an AC plasma display.例文帳に追加

ＡＣ型プラズマディスプレイにおいてアドレス期間における活性粒子の量が過剰なために生じる書き込み不良を改善し、良好な表示状態を確保するための書き込み電圧動作マージンを拡大する。 - 特許庁

The support arms 7 are provided at the vacuum box 5 to make the filaments 3 fitted at tips pass through the opening part 14 of the gate valve in the open state, and move between the vacuum box 5 and the plasma generation vessel 4.例文帳に追加

支持アーム７は、先端に設けられたフィラメント３を、開状態のゲートバルブの開口部１４を通過させて真空ボックス５とプラズマ生成容器４との間を移動させるように真空ボックス５に設けられている。 - 特許庁

To provide a work processor which makes it possible to immediately know to what degree the dirt is eliminated from a work and can release the plasma of appropriate power according to the state of dirt adhered to the work.例文帳に追加

ワークからどの程度の汚れが除去されたかを速やかに知ることができると共に、ワークに付着する汚れの状態から、適切な出力のプラズマを放出し得るワーク処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma display device with high quality by eliminating defects of a bonding state of a sheet getting uneven in the case a lengthwise panel-making material sheet with a panel-making material layer formed on a base film is used.例文帳に追加

ベースフィルム上にパネル構成材料層を形成した長尺のパネル構成材料シートを用いる場合に、シートの貼り付け状態が不均一となる不具合を解消し、高品質のプラズマディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁

The antireflection film is manufactured by forming an antireflection layer by exposing, to a reactive gas converted into a plasma state using an atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus, the surface having the higher additive concentration of a cellulose ester film containing organic solvent-soluble additives at least one of which has a concentration gradient in the thickness direction.例文帳に追加

有機溶媒可溶性の添加剤を含有し、該添加剤の少なくとも１種が厚さ方向に濃度勾配を有するセルロースエステルフィルムの該添加剤濃度の高い側の面に、大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、プラズマ状態とした反応ガスに、該セルロースエステルフィルム面をさらすことによって反射防止層を形成させて反射防止フィルムを製造する。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

The plasma processing device is provided with a plurality of electrodes 102, an electrode moving means 111b for adjusting a distance between the electrodes, a probe 302 having a heating means, a measuring means 401 for measuring a voltage value and a current value between the electrodes, and an analysis means 400 that analyzes the values obtained by the measuring means in order to detect a plasma state.例文帳に追加

複数の電極１０２と、該電極の間の距離を調節する電極移動手段１１１ｂと、加熱手段を有するプローブ３０２と、前記電極間の電圧値及び電流値を計測する計測手段４０１と、該計測手段で得られた値を解析し、プラズマの状態を検知する解析手段４００とを具備する。 - 特許庁

The manufacturing method of a TFT has a process for forming semiconductor films 3a, 3b on a substrate 1 and has a process for implanting conductive impurities into the semiconductor films, by exposing the substrate to a plasma atmosphere 30 containing the conductive impurities for the semiconductor films in the state wherein at least a channel region of the semiconductor films is exposed to the plasma atmosphere.例文帳に追加

本ＴＦＴの製造方法は、基板１上に半導体膜３ａ，３ｂを形成する工程と、半導体膜の少なくともチャネル領域が露出した状態で、当該半導体膜に対する導電性不純物を含むプラズマ雰囲気３０中に基板を暴露して、導電性不純物を半導体膜に注入する工程を備える。 - 特許庁

The high tension power generating part 11 is controlled by an ECU 13 adding a signal showing an operational state from a detecting device 18 and information from a current probe 19, and controls the current supply power quantity to the plasma generation device 12 so that a minimum amount of the reducing component needed to the effected by the plasma generation device 32 can be supplied.例文帳に追加

高圧電源発生部１１は、検知装置１８からの運転状態を示す信号、および電流プローブ１９よりの情報を加味してＥＣＵ１３によって制御され、プラズマ発生装置１２への通電電力量を触媒装置３２で作用する最小限必要とされる還元性成分が供給されるように制御する。 - 特許庁

The thin film deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate includes a film deposition vessel having a film deposition space for depositing the thin film on the substrate in a vacuum state, a gas introducing part for introducing gas to be used for thin film deposition into the film deposition space of the film deposition vessel, and a plasma electrode part for generating plasma by using the gas in the film deposition space.例文帳に追加

基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。 - 特許庁