「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Not only monitoring physical characteristics of plasma jet P emitted from the plasma jet generation device 11 with a sensor 131 at a measurement part 13, but also the situation of that state is photographed with a CCD camera 132, and thus acquired monitoring information and image information are sent to a PID control part 14.例文帳に追加

プラズマジェット発生装置１１から発射したプラズマジェットＰの物理特性を、測定部１３におけるセンサ１３１でモニタリングするとともに、その状態をＣＣＤカメラ１３２で撮像し、得られたモニタリング情報及び画像情報をＰＩＤ制御部１４に送る。 - 特許庁

The one-turn coil-like antenna 1 is constituted of two windings wound in the peripheral direction, in a state where the windings wound in the peripheral direction become double in a feeding section, so as to supplement the generation of a plasma in the feeding section so that the plasma having a superior axial symmetric property may be generated.例文帳に追加

１ターンのコイル状のアンテナは、２本の周方向に巻かれた巻線によって構成され、給電部において周方向に巻かれた巻線が２重になるようにすることで、給電部でのプラズマの生成を補い、軸対称性に優れるプラズマ生成を可能とする。 - 特許庁

An SOI substrate 20 is placed on the projections 3b, etching gas is introduced into the processing chamber 2, high-frequency power is applied to the lower electrode 3 to generate plasma, and an oxide film is dry-etched, in a state in which the surface of the SOI substrate facing the lower electrode 3 is exposed to the plasma.例文帳に追加

そして、突出部３ｂ上にＳＯＩ基板２０を配置して、処理室２内にエッチングガスを導入すると共に、下部電極３に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、ＳＯＩ基板２０の下部電極３側の面もプラズマに曝した状態で、酸化膜をドライエッチングする。 - 特許庁

By covering the plasma electrode surface of the negative ion source with carbon nanotubes, electrons are emitted from the carbon nanotubes at a sheath voltage of source plasma for ion generation and the electrode surface is brought into a state that the work function is equivalently lowered to intensify a negative ion generation reaction.例文帳に追加

負イオン源のプラズマ電極表面をカーボンナノチューブで覆うことにより、イオン生成用のソースプラズマのシース電圧でカーボンナノチューブから電子が放出されて等価的に仕事関数が低下した電極表面状態となり負イオン生成反応が増強された負イオン源。 - 特許庁

The existence of the trouble state is judged by subjecting electromagnetic wave emission radiated by plasma discharge upon a plasma emission processing in a reaction chamber to photoelectric conversion to obtain a voltage value 31, and comparing this voltage value 31 with a predetermined non-changing fixed value Th1 along a time axis.例文帳に追加

反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値３１を取得し、この電圧値３１を時間軸に沿って非変化の所定の固定値Ｔｈ１と大小比較するなどして、異常状態の有無を判断する。 - 特許庁

When forming a edge joint by welding a part Y to be welded consisting of an edge 18 of one end of a discharge tube 11 and an edge 14 of a partition plate 12, the part Y to be welded is welded at the state that a plasma arc is rotated so that the axis in the longitudinal direction of the plasma arc depicts a conical face.例文帳に追加

排気管１１の一端部のへり１３と仕切板１２のへり１４とからなる被溶接部Ｙを溶接してへり継手を形成する際に、プラズマアークを該プラズマアークの長さ方向の軸が円錐面を描くように回転させた状態で、被溶接部Ｙに対して溶接を行う。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device having a substrate maintaining member which is capable of uniformly introducing film thickness distribution, in a film-forming process in a vacuum state by stabilizing an electric discharge state in plasma and the like, in the vicinity of a substrate.例文帳に追加

基板周辺でのプラズマ等における放電状態の安定化を図り、真空状態での製膜処理における膜厚分布をより均一に導くことを可能とした基板保持部材を有する真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a monitoring method of laser beam welding capable of precisely monitoring a welding state even when the environment between a plasma beam and an observer converging part is varied.例文帳に追加

プラズマの光と観測器集光部の間の環境が変動するような場合でも溶接状態を正確に判定することができるレーザ溶接の監視方法を提供する。 - 特許庁

An Si-containing conductive layer 3 formed on a surface of the Cu wiring is subjected to a plurality of times, for example, two times of plasma treatments to thereby adjust and fix a composition state of the Si-containing conductive layer 3.例文帳に追加

Ｃｕ配線２の表面に形成したＳｉ含有導電層３を複数回、例えば２回プラズマ処理し、Ｓｉ含有導電層３の組成状態を調節して固定化する。 - 特許庁

Therefore, the synthesis of the coiled carbon fibers in the synthesis region 13 is carried out in the presence of the gas in an excited state activated by the plasma treatment.例文帳に追加

このため、合成領域１３におけるコイル状炭素繊維の合成は、プラズマ処理により活性化されて励起状態とされたガスの存在下において行われることになる。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

To provide an optimum processing method for swiftly recovering a plasma processor to a state that it is available for manufacturing a semiconductor device after maintenance without using a special wafer or the like.例文帳に追加

特殊なウェハ等を使用することなくプラズマ処理装置をメンテナンス後に速やかに半導体装置の製造に使える状態に回復するために最適な処理方法を提供する。 - 特許庁

In addition, by controlling the voltage of a voltage applying means, an arc discharge state can be easily and quickly controlled, thereby improving the controllability and stability of cathode arc plasma.例文帳に追加

また、電圧印加手段の電圧を制御することによって、アーク放電状態を容易にかつ素早く制御することができるので、カーソードアークプラズマの制御性および安定性が向上する。 - 特許庁

Next, isotropic plasma etching is executed in a state where a resist mask 5 is formed so that an upper hole portion 43h of a contact hole 4h is formed to be large on the upper layer side insulating film 43.例文帳に追加

次に、レジストマスク５を形成した状態で、等方性プラズマエッチングを行い、上層側絶縁膜４３にコンタクトホール４ｈの上穴部分４３ｈを大径に形成する。 - 特許庁

The vacuum pump 14 communicating with the reaction container so as to leave a definite distance from the reaction container sucks the air in the plasma generation container and the reaction container to form a vacuum state.例文帳に追加

反応容器から一定の距離を隔てて該反応容器と連通する真空ポンプ１４が、プラズマ発生容器及び反応容器内の空気を吸い出して真空状態にする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus capable of accurately determining the arrival of the timing of appropriate maintenance necessary for optimally maintaining the operation state of the apparatus.例文帳に追加

装置稼働状態を最適に保つために必要とされる適切なメンテナンス時期が到達したか否かを精度良く判定することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

During plasma discharging, the surface of a treatment substrate is irradiated with lasers having a certain excitation wavelength, and the concentration of an impurity on the surface of the treatment substrate and the crystallized state are measured by scattered light.例文帳に追加

プラズマ放電中に、ある励起波長のレーザを処理基板表面に照射し、処理基板表面の不純物濃度及び結晶状態を、散乱光によって測定する。 - 特許庁

To enable a characteristics inspection of a plasma display panel to be carried efficiently by detecting a perfect lighting state precisely by discriminating a screen defect such as non-lighting of a discharge cell or the like.例文帳に追加

不灯の放電セルなどの画面欠陥と区別して、完全点灯状態を高精度に検出し、プラズマディスプレイパネルの特性検査を効率よく行うことができるようにする。 - 特許庁

In this way, the plasma is processed by measuring the electron density distribution, knowing the position of equal distribution state, and adjusting the level of the pedestal, so that the surface of the processed material may be arranged in that position.例文帳に追加

こうして電子密度分布を計測し、均一分布状態の位置を知り、その位置に被処理体の表面が配置されるよう台座の高さを調節してプラズマ処理する。 - 特許庁

To provide an electric bulb in which a lead wire is easily and firmly connected to a filament to thereby avoid a state that it does not turned on, without soldering and plasma arc welding, and which is inexpensive, as well as method for manufacturing the same.例文帳に追加

半田付けやプラズマアーク溶接を使用することなく、容易でかつ確実にリード線をアイレットに接続し、接触不良による不点灯を防止し、また低コスト化を図る。 - 特許庁

The plasma membrane holding the membrane receptor in a functional state is prepared from a transformed yeast obtained by introducing a recombinant expression vector containing a gene encoding the membrane receptor.例文帳に追加

膜受容体をコードする遺伝子を含む組み換え発現ベクターを酵母に導入して得られる形質転換酵母から調製された、膜受容体を機能的な状態で保持する形質膜。 - 特許庁

As a result, concurrently with the epitaxial growth of a semiconductor layer on the surface of each semiconductor wafer W, nitrogen which is activated in plasma state are supplied to the wafers W.例文帳に追加

これにより、半導体ウエハＷの表面における半導体層のエピタキシャル成長と並行して、プラズマ状態の活性化された窒素が半導体ウエハＷに供給される。 - 特許庁

To provide a fuel reforming device having excellent mobility, responsiveness, and durability, in which a reformed gas containing hydrogen is generated by subjecting a fuel in a liquid state to plasma discharge.例文帳に追加

燃料を液体の状態でプラズマ放電することによって水素を含有する改質ガスを発生させて、機動性、応答性、耐久性に優れた燃料改質装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the film comprises forming the film on a base material by performing plasma discharge with respect to a mixed system of a compound including a group 14 element and a substance made into a supercritical state.例文帳に追加

１４族元素を含む化合物、及び超臨界状態とした物質の混合系でプラズマ放電を行うことにより基材上に膜を形成する膜の製造方法である。 - 特許庁

The plasma generation units PU-1 to PU-3 are suspended and supported in a state where each of them is tilted by a predetermined angle in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the waveguide 10.例文帳に追加

プラズマ発生ユニットＰＵ−１〜ＰＵ−３は、各々導波管１０の長手方向と直交する方向に所定角度だけ傾斜させた状態で吊り止め支持されている。 - 特許庁

In the device and method, an atmospheric-pressure mixed gas plasma emission substance is used as a sub-aperture polisher of, for instance, silica in a fusion state and single-crystalline silicon, silicon carbide and other materials.例文帳に追加

この装置及び方法は、例えば融合状態にあるシリカと単結晶シリコン、炭化ケイ素及び他の材料のサブアパーチュアポリッシャとして大気圧混合ガスプラズマ放出物を用いる。 - 特許庁

To attain a stable plasma state over a long period of time in the case where e.g. a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film is deposited by applying e.g. bias sputtering.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現する。 - 特許庁

To provide a method for exciting and/or ionizing a material utilizing plasma as an excitation and/or ion source, capable of obtaining high excitation efficiency and ionization efficiency regardless of a material state (in other words, solution state, solid state, composition, size, or the like).例文帳に追加

物質の状態（つまり、溶液状態か固体状態か、組成、または大きさ等）に関わらず、高い励起効率とイオン化効率を得ることができる、プラズマを励起および／またはイオン源とした物質の励起および／またはイオン化方法、およびこの励起方法を利用した分析方法と分析装置を提供する。 - 特許庁

In this surface treatment method, a reactive gas is introduced under or near under the atmospheric pressure into the discharge space between electrodes to be converted into a plasma state; and a phosphor is exposed to the reactive gas in the plasma state to deposit an oxide, e.g. silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, or zirconium oxide, on the surface of the phosphor.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、反応性ガスを電極間の放電空間に導入してプラズマ状態とし、蛍光体を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒し、蛍光体表面に酸化物、例えば、けい素の酸化物、チタンの酸化物、アルミニウムの酸化物、ジルコニウムの酸化物を付着させることを特徴とする蛍光体の表面処理方法。 - 特許庁

In the substrate wherein a polymer layer and a sealing layer are laminated on a flexible base material, at least one layer of the laminated layers makes a reactive gas into a plasma state by electrically discharging between opposed electrodes under atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure and a surface of the base material is exposed to the reactive gas under the plasma state to form the substrate.例文帳に追加

可撓性基材上に、ポリマー層と封止層とを積層した基板において、前記積層の少なくとも１層が、大気圧又は大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間に放電させることで反応性ガスをプラズマ状態とし、このプラズマ状態の反応性ガスに前記基材表面を曝すことにより形成されたことを特徴とする基板である。 - 特許庁

In a transparent conductive substrate for liquid crystal displays, an electric power of 1 W/cm^2 with a high frequency voltage above 100 kHz is supplied between facing electrodes to excite active gas into a plasma state; and a substrate is exposed in the active gas in plasma state to form a transparent conductive film on it.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越える高周波電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給し放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスに基材を晒すことによって透明導電膜を形成し、液晶表示装置用透明導電性基材とする。 - 特許庁

In a magneto-optic recording material provided with the phase transition optical recording layer on the substrate surface, the magneto-optic recording layer is formed by impressing voltage between opposite electrodes under pressure at atmosphere pressure or in the vicinity of the atmosphere pressure, making reactive gas into a plasma state by discharging the voltage between both poles and exposing the substrate surface to the reactive gas at the plasma state.例文帳に追加

基材上に相変化型光記録層が設けられた光磁気記録材料において、光磁気記録層を、大気圧または大気圧近傍の圧力下において対向する電極間に電圧を印加し、両極間に放電させることにより反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスに前記基材を晒すことにより形成する。 - 特許庁

In the magneto-optic recording material provided with the magneto-optic recording layer on the substrate surface, the magneto-optic recording layer is formed by impressing voltage between opposed electrodes under pressure at atmosphere pressure or in the vicinity of the atmosphere pressure, making reactive gas into a plasma state by discharging the voltage between both poles and exposing the substrate surface to the reactive gas at the plasma state.例文帳に追加

基材上に光磁気記録層が設けられた光磁気記録材料において、光磁気記録層を、大気圧または大気圧近傍の圧力下において対向する電極間に電圧を印加し、両極間に放電させることにより反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスに前記基材を晒すことにより形成する。 - 特許庁

In a subfield group, in each of one subfield corresponding to luminance gradation in each pixel based on an input video signal and at least one succeeding subfield succeeding to the one subfield, a drive pulse for transiting a discharge cell from an ON state to an OFF state (or from the OFF state to the ON state), is applied to a plasma display panel 50.例文帳に追加

サブフィールド群内において、入力映像信号に基づく各画素毎の輝度の階調に対応した１のサブフィールド及び当該１のサブフィールドに後続する少なくとも１の後続サブフィールドの各々で、放電セルを発光状態から消灯状態（又は消灯状態から発光状態）に遷移させるべき駆動パルスをプラズマディスプレイパネル５０に印加する。 - 特許庁

More specifically, the method of manufacturing the spherical glass powder comprises introducing the glass raw materials in a gaseous state or atomized state into the plasma formed by the DC process and vitrifying the raw materials, then spheroidizing the formed glass droplets by surface tension and solidifying the solidified glass.例文帳に追加

具体的には、気体状態または霧化状態のガラス原料をＤＣ法によるプラズマ内に導入してガラス化し、形成したガラス液滴を表面張力により球状化させたのち凝固させる球状ガラス粉末の製造方法である。 - 特許庁

In this state, the rugged surface of the insulating layer 203 is flattened by selectively etching off the projecting sections of the insulating layers 203 projecting from the surface of the liquid 210 by causing the plasma to act on the projecting sections.例文帳に追加

この状態で、液体２１０の液面より吐出している層間絶縁層２０３の凸部にプラズマを作用させ、凸部を選択的にエッチング除去し、層間絶縁層２０３の表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a method of processing while monitoring the state of deposits on an inner wall of a processing chamber, the inside of plasma, or the like in real time and managing at all times in order to manufacture a semiconductor device stably and efficiently.例文帳に追加

半導体装置の製造を安定して効率よく行うため、処理室内壁の堆積物の状態やプラズマ内部をリアルタイムでモニタを行い、常時管理しながら処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light source device which stably maintains a high temperature plasma state, after the start of lighting, stably maintains light emission and suppresses drop of lighting lifetime due to heating of an arc tube.例文帳に追加

点灯開始後の高温プラズマ状態を安定に維持して発光を安定に維持させることができ、また発光管の加熱による点灯寿命の低下を抑制した光源装置を実現すること。 - 特許庁

The resin plate material 13 is bonded to the peripheral edge of an opening 11 of a cover body 12 by the FIPG in a state of applying plasma irradiation processing to the mating face 131 with its cover body 121.例文帳に追加

そして、樹脂板材１３を、そのカバー本体１２１との合わせ面１３１にプラズマ照射処理を施した状態で、ＦＩＰＧによりカバー本体１２の開口１１周縁に接着している。 - 特許庁

The enclosure member 420, the collecting members 411 and a plasma progression path 402 have no connected relation with an arc source 409, and are held to an electrically neutral floating state.例文帳に追加

外囲部材４２０、捕集部材４１１及びプラズマ進行路４０２は、アーク電源４０９との接続関係がなく、電気的に中性の浮遊状態に保持されているプラズマ生成装置を提案する。 - 特許庁

In this driving method of a plasma display panel, the selecting of a sub-field with respect to display gradation is changed by the selected state of the sub-field of an adjacent cell and a sub-field identical to that of the adjacent cell or a sub-field of one sub-field before is selected.例文帳に追加

表示階調に対するサブフィールドの選択を、近接するセルのサブフィールドの選択状態によって変化させ、近接するセルと同じか、又は、１つ前のサブフィールドを選択する。 - 特許庁

To form a metal bus electrode from the same material while maintaining electrode quality regardless of a state of a background of the metal bus electrode, in paste used for a plasma display panel.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルに用いるペーストは、金属バス電極の下地の状態に関わらず、電極の品質を維持したまま、同一の材料にて金属バス電極を形成することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a dechucking failure detecting method which can easily and surely detect a dechucked state of a workpiece held on a mounting board by electrostatic chucking.例文帳に追加

静電吸着により載置台に保持された被処理体のデチャック状態を容易にかつ確実に検出することができるプラズマ処理装置およびデチャック異常の検出方法を提供する。 - 特許庁

The moisture preventing film is preferably composed of a metal film, a metal oxide film, a metal nitride film, a metal carbide file, a plasma polymerized film, a glass film or a rein film independently or in a laminated state.例文帳に追加

防湿膜は、金属膜、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属炭化物膜、プラズマ重合膜、ガラス皮膜、または樹脂皮膜が単独で、または積層されて構成されていることが好ましい。 - 特許庁

Next, the mask member 30 is arranged to superpose the mask openings 3 on the pixel electrodes 4 corresponding to the other color by shifting the position of the mask member 30, and the plasma treatment is sequentially executed in this state.例文帳に追加

次に、マスク部材３０の位置をずらし、他の色に対応する画素電極４に対してマスク開口部３２が重なるようにマスク部材３０を配置し、この状態でプラズマ処理を順次、行なう。 - 特許庁