「PLASMA STATE」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma treatment apparatus that uses a counter electrode which is divided into a plurality of portions for detecting the distribution state of plasma in a treatment vessel, and at the same time, can arrange each of divided counter electrodes at optimum position according to the state of the detected plasma.例文帳に追加

複数に分割された対向電極を用いて、処理容器内におけるプラズマの分布状態を検出しつつ、検出されたプラズマの状態に応じて分割された対向電極のそれぞれを最適な位置に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ionic species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or the absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ion species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a front glass filter for a plasma display, the glass filter in a state of a finished front plate easily grounded and easily distributed in this state.例文帳に追加

完成した前面板の状態で、アースを容易に取ることができ、且つこの状態で流通が容易なプラズマディスプレイ用前面ガラスフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a real time image monitoring system for laser oscillator suitable for real time monitoring of discharged state of the laser oscillator or the state of plasma.例文帳に追加

レーザ発振器の放電状態や、プラズマ光の状態をリアルタイムに監視するのに適したレーザ発振器のリアルタイム画像モニタリングシステムを提供すること。 - 特許庁

Display cells of a plasma display panel are initialized to a light emitting cell state (a non-light emitting cell state) only in a leading subfield within one field display period.例文帳に追加

１フィールド表示期間の先頭のサブフィールドにおいてのみで、プラズマディスプレイパネルの表示セルを発光セル状態(非発光セル状態)に初期化せしめる。 - 特許庁

To provide steel which can be used as a member subjected to repeated stress even in a state of being as plasma-cut.例文帳に追加

プラズマ切断ままでも繰り返し応力が作用する部材として用いることができる鋼材を提供する。 - 特許庁

This device comprises a load lock chamber 1 internally kept in vacuum state, a plasma chamber 2 and a process chamber 3.例文帳に追加

内部が真空状態に保持されるロードロックチャンバ１、プラズマチャンバ２およびプロセスチャンバ３で構成されている。 - 特許庁

The reaction gas is made into a plasma state by microwaves of ≥5 kW to produce the diamond by the vapor phase synthesis.例文帳に追加

また、５ｋＷ以上のマイクロ波により前記反応ガスをプラズマ状態にしてダイヤモンドを気相合成する。 - 特許庁

Then, after decreasing the substrate temperature in the state of atmospheric pressure, secondary plasma ashing processing of the substrate is once again performed.例文帳に追加

続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

As a result, the gap G (G1 or G2) is wider on the upstream side, where a plasma generation condition is better, and becomes narrower on the downstream side, where the plasma generation condition is worse, so that the balance of the state of plasma generated on the upstream side and on the downstream side is kept.例文帳に追加

これにより、間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）がプラズマの発生条件のよい上流側では広くなり、プラズマの発生条件の悪い下流側では狭くなり、上流側と下流側のプラズマの発生状態がバランスする。 - 特許庁

Under a state where a substrate W is supported by one of these electrodes, the plasma of processing gas is formed by forming a high frequency electric field between the first and second electrodes, and plasma processing is performed on the substrate W by this plasma.例文帳に追加

そして、いずれかの電極に基板Ｗを支持させた状態で、第１および第２の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより基板Ｗにプラズマ処理を施す。 - 特許庁

An impedance measuring unit 7 is provided in an electrode 2, impedance from the electrode 2 during plasma discharge to a vacuum process chamber 3 and a phase value are measured, and the state of plasma and the state of power loss are estimated and determined.例文帳に追加

電極２にインピーダンス測定装置７を備え、プラズマ放電中の電極２から真空プロセスチャンバ３までのインピーダンス及び位相値を測定し、プラズマの状態や電力損失状況の推定及び判断を行う。 - 特許庁

To provide a new and epoch-making plasma generator where the generation of a long-length plasma column can be easily and stably retained to a state of being confined inside a coil over a long period.例文帳に追加

簡易に長尺なプラズマ柱を長期に渡り安定してコイル内に閉じ込めた状態に発生維持させることができる新規かつ画期的なプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a desired output and a stable plasma state according to a change in process conditions and a chamber structure in a plasma treatment apparatus using a high-frequency power supply.例文帳に追加

高周波電源を用いたプラズマ処理装置において、プロセス条件の変化やチャンバ構造に応じて、所望の放電出力及び安定したプラズマ状態を得るようにする。 - 特許庁

To provide a driving device for a plasma display panel whose power recovering operation changes with change in the switching state of an address selecting circuit, a driving method thereof, and a plasma display device.例文帳に追加

アドレス選択回路のスイッチング状況の変化に応じて電力回収動作が変化するプラズマ表示パネルの駆動装置，その駆動方法，及びプラズマ表示装置を提供する。 - 特許庁

By this setup, the measurement of the electric sensor 7 can be corrected for a temperature rise of the external surface 11 of the device due to plasma processing, and a state of plasma can be monitored with high accuracy.例文帳に追加

これにより、プラズマ処理による装置外表面１１の温度上昇による、電気センサー７計測値の補正を可能とし、高精度にプラズマ状態をモニタすることができる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device capable of easily controlling and setting the appropriate state of a multi-pole magnetic field depending on types of processes of plasma treatment to perform desired treatment easily.例文帳に追加

プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing device capable of efficiently processing objects to give a substantially-uniform surface state and increase the adhesion property improving effect.例文帳に追加

効率的よく被処理物を実質的に均一な表面状態に処理でき、さらに接着性改善効果が高くなるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus directly checking whether plasma is in a suitable state instead of checking the processed quality of a substrate by processing the substrate.例文帳に追加

基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In a state that an evaporation source 12 and a plasma generation space, and a substrate 14 held by a substrate holding unit are separated by a shutter 20, the evaporation source is heated to generate plasma 105.例文帳に追加

蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。 - 特許庁

To provide a technology for detecting a status change of plasma accurately and with high freedom, even in the case plasma is generated by DC discharge in the container in vacuum state.例文帳に追加

真空状態にある容器の内部で、直流放電によりプラズマを発生させた場合であっても、プラズマの状態変化を、精度良くかつ高い自由度で検出できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for plasma CVD (chemical vapor deposition) where, in a state of maintaining the advantages of a metallic mask, the service life of the mask can be elongated even if a plasma CVD system is used for the cleaning of the mask.例文帳に追加

金属製マスクの利点を維持した状態で、マスクの洗浄にプラズマＣＶＤ装置を使用しても寿命を延ばすことができるプラズマＣＶＤ用マスクを提供する。 - 特許庁

The high frequency power supply 24 supplies high frequency power by pulse controlling to the plasma generating antenna 22 so that non-steady-state plasma may be generated repeatedly in the ion generating tube 21.例文帳に追加

高周波電源２４は、イオン発生管２１においてプラズマの非定常状態を繰り返し発生するように、プラズマ発生用アンテナ２２に、高周波電力をパルス制御して供給する。 - 特許庁

To realize the same display quality as that of a plasma display panel in a product state as a display device, and carry out a test with high precision in carrying out a lighting test of the plasma display panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの点灯検査を行う際に、表示装置として製品化された状態のプラズマディスプレイパネルと同等の表示品位を実現し、高精度の検査を行うようにする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus which can easily control and set up the adequate state of multipole magnetic fields corresponding to the kind of the plasma treatment, and can easily execute a good treatment.例文帳に追加

プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場の状態を容易に制御、設定することができ、良好な処理を容易に行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To build up a plasma display system whose display state can be monitored in real time from a remote place by a personal computer.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の表示状態をパソコンにより遠隔地からリアルタイムで監視できるプラズマディスプレイシステムを構築する。 - 特許庁

To provide a plasma display apparatus and a driving method that prevent an excessive state of picture quality when the power source is turned off.例文帳に追加

電源が遮断された際の画質の過度状態を防止できるプラズマディスプレイ装置及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

With such an arrangement, plasma can be formed under a state of uniform density on the center side of the processing space distant from the ceiling.例文帳に追加

これにより、天井から離れた処理空間の中心側に密度が均一な状態でプラズマを形成する。 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, METHOD FOR TREATING SURFACE OF SUBSTRATE TO BE TREATED AND METHOD FOR OBSERVING ADHERENCE STATE OF PLASMA PRODUCT例文帳に追加

半導体製造装置、被処理基板表面の処理方法およびプラズマ生成物の付着状態の観察方法 - 特許庁

To provide a plasma display panel capable of preventing generation of vibration sound at driving, and obtaining excellent state of display.例文帳に追加

駆動時における振動音の発生を防ぎかつ良好な表示状態が得られるプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

Further, while the state of the discharge plasma is monitored by a monitoring apparatus 13, the opening/closing operation of a regulation valve 12 is performed.例文帳に追加

また、監視装置１３で放電プラズマの状態を監視して、調整弁１２の開閉作動を行なう構成である。 - 特許庁

To stabilize the state inside a chamber, starting from the beginning of a process to the end in a substrate processor that uses plasma.例文帳に追加

プラズマを利用した基板処理装置においてチャンバ内の状態をプロセスの最初から最後まで安定させること。 - 特許庁

These elements with self-sustaining discharge characteristics can accelerate the ionization of Ta and hereby plasma state can be stabilized.例文帳に追加

これら自己維持放電特性を有する元素はＴａのイオン化を促進し、これによりプラズマ状態が安定する。 - 特許庁

To provide a device and a method capable of measuring a crystalline state of a semiconductor base material under a plasma environment.例文帳に追加

プラズマ環境下で半導体基材の結晶状態を測定することができる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

When the cushion 31 is removed after transportation, the plasma display 51 can be used in a normal state.例文帳に追加

輸送完了時にクッション３１を取り外せば、プラズマディスプレイ５１を通常の状態で使用に供することができる。 - 特許庁

Hereby, even if the plasma generation state is changed, the gap between the nozzle 5 and the work 6 can be detected accurately.例文帳に追加

これにより、プラズマの発生状況が変化しても、精度よくノズル５とワーク６間のギャップを検出することができる。 - 特許庁

To accurately monitor the state of any one of a plurality of plasma generating nozzles through a simple structure.例文帳に追加

簡便な構成により複数のプラズマ発生ノズルのうちいずれかのプラズマ発生ノズルの状態を精度良く監視する。 - 特許庁

Thus, the state of the plasma for vapor deposition 10 is stably controlled by controlling the ion beam 9.例文帳に追加

よって、イオンビーム９を制御することにより、蒸着用プラズマ１０の状態を安定的に制御することができる。 - 特許庁

To avoid disadvantageous points in this field state at the moment and to enable to obtain an improved plasma picture screen.例文帳に追加

現在の本分野の状況の不利な点を回避すること、及び改良されたプラズマ画像スクリーンを入手可能とする。 - 特許庁

A voltage control section 60 controls a voltage applied by a plasma power supply section 15, depending on a state of the liquid 17.例文帳に追加

電圧制御部６０は、プラズマ電源部１５が印加する電圧を液体１７の状態に応じて制御する。 - 特許庁

The discharge power supply 12 is connected to an auxiliary anode 2 via a first switching element SW1, and plasma (pilot) can be held between the plasma generating cathode 1 and the auxiliary anode 2 in the standby state when no plasma process is under way.例文帳に追加

また、補助陽極２には第１スイッチング素子ＳＷ１を介して放電電源１２が接続され、プラズマ処理が行われていない待機状態においてプラズマ発生用陰極１と補助陽極２との間でプラズマ（種火）を保持することができる。 - 特許庁

To provide a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) system where, in the case a thin film is deposited on a film by plasma discharge between a pair of electrodes, the return path of a plasma discharge current is secured at a position close to the electrodes, and a satisfactory film deposition state can be achieved.例文帳に追加

フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、プラズマ放電電流の帰路を電極に近接した位置に確保し、良好な成膜状態を施すことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

The plasma etching device of the crystal plate 7 for reducing the plate 7 in an ultra-thin manner by plasma etching provided a recess on a mounting part for mounting the plate 7 to be treated, and plasma treats the plate 7 in the recess in a state in which the plate 7 is individually held.例文帳に追加

水晶板７をプラズマエッチングにより薄化する水晶板７のプラズマエッチング装置において、処理対象の水晶板７を載置する載置部に凹部を設けこの凹部内に水晶板７を個別に保持させた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁