「RESISTIVE ELEMENT」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable performing highly accurate and high speed read-out by preventing destruction of bias effect and tunnel barrier when voltage applied to a magneto resistive element is kept at a low level and a tunnel type magneto resistive element is used as a storage element.例文帳に追加

磁気抵抗素子に印加する電圧を低く保ち、トンネル型磁気抵抗素子を記憶素子に用いたときの、バイアス効果、トンネルバリアの破壊を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しを可能にする。 - 特許庁

By folding a part (an end of this planar heating element 1) excluding a PTC resistive element 3, the PTC resistive element 3 can be arranged in the whole of an installation area.例文帳に追加

ＰＴＣ抵抗体３を除く一部（面状発熱体１の端部）を折り曲げることによって、ＰＴＣ抵抗体３を設置面積全体に配置することができる。 - 特許庁

The overcurrent protection circuit 1 is composed of a chip-on board for mounting the switching element 3, the protection circuit 5, and the resistive element 4 onto the substrate 6; and sets a wire that is wire-bonded onto the chip-on board to be the resistive element 4.例文帳に追加

過電流保護回路１は、スイッチング素子３と保護回路５と抵抗素子４を基板６に実装するチップオンボードで構成しており、チップオンボードにワイヤーボンディングしてなるワイヤーを抵抗素子４としている。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a circuit which can apply a reforming voltage pulse for returning each resistive state of a variable resistive element with a deteriorated switching characteristic to an initial resistive state to a memory cell including the variable resistive element whose switching element deteriorates to make a reading margin small as a result of applying a rewriting voltage pulse of several times.例文帳に追加

多数回の書き換え電圧パルスの印加の結果、スイッチング特性が劣化し読み出しマージンが小さくなった可変抵抗素子を含むメモリセルに、スイッチング特性が劣化した可変抵抗素子の各抵抗状態を初期抵抗状態に戻すためのリフォーミング電圧パルスを印加可能な回路を有する。 - 特許庁

To provide a copper foil with a resistive layer that has minimal resistance value variation as a resistive element, is capable of sufficiently maintaining adhesion to a resin substrate upon which the foil is layered, and has superior properties as a resistive element for rigid and flexible substrates.例文帳に追加

抵抗素子とした場合の抵抗値のバラツキが小さく、積層される樹脂基板との密着性が十分に維持でき、リジットおよびフレキシブル基板用の抵抗素子として優れた特性を有する抵抗層付銅箔を提供する。 - 特許庁

The welding device includes at least two optical sensors mounted in order to detect the breakage condition of the wire and a position detecting sensor which includes an elastic spring and a variable resistive element and detects abrasion degree of the wire according to a change in the resistive value of the variable resistive element caused by a change in the position of the elastic spring.例文帳に追加

また、ワイヤーの切断状態を感知するために設置される少なくとも二つの光センサーと、弾性スプリング及び可変抵抗素子を含み、弾性スプリングの位置の変動による可変抵抗素子の抵抗値の変化によって、ワイヤーの摩耗程度を感知する位置感知センサーとを含む。 - 特許庁

The earth wire 6 is provided with a resistive element 7, a capacitive element 8, and a coil element 9, the impedance of which is a prescribed value which is being zero.例文帳に追加

アース配線６には、零でない所定のインピーダンスの値を持つ抵抗素子７、コンデンサー素子８及びコイル素子９が設けられている。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the resistive element and the wiring circuit board with the built-in resistive element wherein the adjusted resistance value thereof can be obtained by adjusting the resistance value of the auxiliary resistor 42 according to laser trimming etc.例文帳に追加

さらに、補助抵抗体４２をレーザートリミング等により抵抗値調整することにより、抵抗値調整された本発明の抵抗素子及び抵抗素子内蔵配線回路板を得ることができる。 - 特許庁

The memory cell includes a resistive memory element pattern between two electrodes, and one of the two electrodes shows a plug configuration which decreases contact area with the resistive memory element pattern.例文帳に追加

本発明の抵抗メモリセルは二つの電極の間にある抵抗メモリ要素パターンを含み、前記二つの電極のうちいずれか一つはプラグ形態を示して前記抵抗メモリ要素パターンとの接触面積が減少する。 - 特許庁

At this point, when the resistance value of the resistive element TR is small, one portion Izap2 of the zapping current Izap0 flows into the resistive element TR for preventing zapping from being made efficiently.例文帳に追加

このとき、抵抗素子ＴＲの抵抗値が小さければ、ザッピング電流Ｉｚａｐ０の一部Ｉｚａｐ２が抵抗素子ＴＲに流れ込み、効率良くザッピングを行なうことができない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a thin film transistor and a resistive element formed using a polysilicon film in which the resistance of the resistive element can be stabilized, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ポリシリコン膜を用いて薄膜トランジスタと抵抗素子とが形成された半導体装置において、抵抗素子の抵抗値の安定化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, in zapping, the island voltage V1 is increased for setting the pn junction formed in the resistive element TR to be in a high-potential backward bias state, the resistance of the resistive element TR is increased, and the loss of the zapping current is reduced.例文帳に追加

そこで、ザッピング時には、島電圧Ｖ１を増加して抵抗素子ＴＲに形成されるＰＮ接合を高電位の逆バイアス状態とし、抵抗素子ＴＲを高抵抗化して、ザッピング電流のロスを低減する。 - 特許庁

The configuration, when operating the semiconductor device 2, prevents the heat generated in the semiconductor device 2 from causing heat conduction to the resistive element 4, thereby controlling solder peeling of the resistive element 4.例文帳に追加

上記構成により、半導体素子２の動作時に、半導体素子２で発生する熱が抵抗素子４に伝わることを抑制し、抵抗素子４の半田剥がれを防止できる。 - 特許庁

To provide a variable resistive element capable of relaxing a restriction on an electrode material and easily being produced, and a nonvolatile semiconductor memory device having the variable resistive element.例文帳に追加

電極材料に対する制約が緩和され、製造プロセス上容易な可変抵抗素子、及び、当該可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistive element that, when forming a resistive element having a target resistance from its precursor, can easily adjust the resistance value of the precursor, and provide a precursor thereof and a resistance adjustment method.例文帳に追加

前駆体から目標抵抗値を有する抵抗素子を形成するにあたり当該前駆体の抵抗値の調整を簡単に行うようにしてなる抵抗素子、その前駆体及び抵抗値調整方法を提供する。 - 特許庁

When the control signal LV is in "H" level, no current is carried to the resistive element R2, and a capacitor C2 is charged with the single resistance value of the resistive element R1#.例文帳に追加

制御信号ＬＶが「Ｈ」レベルである場合、抵抗素子Ｒ２に電流は流れず、抵抗素子Ｒ１＃の単独抵抗値でコンデンサＣ２を充電することになる。 - 特許庁

A series circuit 12 connecting in series a resistive element 10 against temperature variation and a resistor 11, is connected in series to a parallel circuit connecting in parallel a resistive element 14 against temperature variation and a resistor 15.例文帳に追加

温度変動対応型抵抗素子１０と抵抗体１１が直列接続されている直列回路１２と、温度変動対応型抵抗素子１４と抵抗体１５が並列接続されている並列回路１６とを直列に接続する。 - 特許庁

A first trimming process for adjusting a resistance value itself is performed to the second resistive element 3B, that is the resistive element for light emission for allowing the LED 2 to emit light.例文帳に追加

そして、ＬＥＤ２を発光させる発光用抵抗素子である第２の抵抗素子３Ｂに対して抵抗値自体の調整をする第１のトリミング工程を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that improves relative precision of a resistive element by reducing arrangement region area of the resistive element used for an analog circuit, and to provide a method of designing a layout of the semiconductor device.例文帳に追加

アナログ回路に利用される抵抗素子の配置領域面積を低減し、抵抗素子の相対精度を向上させる半導体装置及び半導体装置のレイアウト設計方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, in a spare transistor Qn3 and a spare transistor Qn4, gate and source electrodes are connected to VSS, while drain electrodes are connected to VSS through a resistive element R3 and a resistive element R4, respectively.例文帳に追加

一方、予備トランジスタＱｎ３及び予備トランジスタＱｎ４は、ゲート端子及びソース端子がＶＳＳへと接続され、ドレイン端子は各々抵抗素子Ｒ３及び抵抗素子Ｒ４を介してＶＳＳへと接続される。 - 特許庁

From a pulse waveform when the resistance read pulse is applied, through the cell of the resistive memory element, a descending very-small voltage is measured, and also the resistance of the resistive memory element is measured by the use of the measured very-small voltage.例文帳に追加

前記抵抗読み取りパルスを印加した時のパルス波形から前記抵抗メモリ素子のセルを通して、降下する微少電圧と、これを使い、抵抗メモリ素子の抵抗を測定する。 - 特許庁

In the method and system for measuring the resistance of a resistive memory element, in order to measure the resistance of the resistive memory element, first, a data write pulse is applied, and then a resistance read pulse is applied.例文帳に追加

抵抗メモリ素子の抵抗測定方法及び抵抗測定システムにおいて、前記抵抗メモリ素子の抵抗測定のために、まず、データ書き込みパルスを印加した後、抵抗読み取りパルスを印加する。 - 特許庁

When the control signal LV is in "L" level, the potential level of a node NC is charged to a potential level Vc based on a composition resistance value according to the parallel connection of a resistive element R1# and a resistive element R2.例文帳に追加

制御信号ＬＶが「Ｌ」レベルである場合、抵抗素子Ｒ１＃と抵抗素子Ｒ２との並列接続に従う合成抵抗値に基づいてノードＮＣの電位レベルは、Ｖｃの電位レベルまで充電される。 - 特許庁

A first transmission line 3, a resistive element 4, a second transmission line 5 connected to the resistive element 4, and a surface ground pattern 6 are formed on the surface of a substrate 1.例文帳に追加

基板１の表面に、第１の伝送線路３と、抵抗素子４と、抵抗素子４に接続された第２の伝送線路５と、表面グランドパターン６が形成されている。 - 特許庁

This electrifying device is provided with a resistive element 22 whose resistance value is changed in the moving direction and an electricity feeding electrode feeding electricity to the resistive element.例文帳に追加

移動方向に抵抗値が変化する抵抗体２２と、抵抗体２２に給電する給電電極とを備えたものであることを特徴とする帯電装置。 - 特許庁

A resistive element group 13 is composed of four serially connected resistance groups R, 2R, 4R and 8R, and the mountable vehicle type discriminating terminal 9 is connected to both ends of the resistive element group 13.例文帳に追加

抵抗素子群１３は、Ｒ，２Ｒ，４Ｒ，８Ｒが直列に接続された４個の抵抗群から構成され、抵抗素子群１３の両端に搭載車種判別端子９が接続される。 - 特許庁

At least partially conductive splits 39, 51 practically equal to the resistive element Rs in length are arranged in the container 20 nearly in parallel with the resistive element Rs and nearly at the same height in the container 20.例文帳に追加

長さが抵抗性素子Rsと実質的に同じである少なくとも部分的に導電性の細片39, 51は、容器内で抵抗性素子Rsにほぼ平行で、容器20内でほぼ同じ高さになるように容器20内に配置される。 - 特許庁

To eliminate positional deviation of a magnet and a magneto-resistive element and to provide highly accurate positioning in a sensor device such as a rotation detection magnetic sensor wherein a positional relationship of the magnet and the magneto-resistive element significantly affects characteristics.例文帳に追加

磁石と磁気抵抗素子の位置関係が特性に大きく影響を及ぼす回転検出磁気センサのようなセンサ装置において、磁石と磁気抵抗素子との位置ずれをなくし、かつ高精度な位置決めを提供するものである。 - 特許庁

The plugs (9, 19) not only connect the end portions of the resistive element layer 5 to wiring layers (8, 18) on the interlayer insulating film 7, but also connect the ends of the resistive element layer 5 to the principal surface of the semiconductor substrate 1 simultaneously.例文帳に追加

プラグ９，１９は、抵抗体層５の端部と層間絶縁膜７の上の配線層８，１８とを接続するだけでなく、抵抗体層５の端部と半導体基板１の主面とを同時に接続する。 - 特許庁

Therefore, a current Is flowing in the bit line 11b is Is=Vs(Rb-Ra)/(Ra×Rb). Where, a resistive value of the storage element Ia is assumed to Ra, a resistive value of the storage element Ib is assumed to be Rb.例文帳に追加

従って、ビット線１１ｂに流れる電流Ｉｓは、記憶素子１ａの抵抗値をＲａ、記憶素子１ｂの抵抗値をＲｂとすると、Ｉｓ＝Ｖｓ・（Ｒｂ−Ｒａ）／（Ｒａ・Ｒｂ）となる。 - 特許庁

Alternatively, the magnetic head is composed by using an resistive effect element or a huge magneto-resistive effect element almost having no inductance component, and the magnetic head is connected to the rotary coil of the rotary transformer 10.例文帳に追加

あるいはインダクタンス成分を殆どもたない磁気抵抗効果素子又は巨大磁気抵抗効果素子を用いて磁気ヘッドを構成し、該ヘッドをロータリートランスのローターコイルに接続する。 - 特許庁

To provide a resistive element which secures reliability in contact between a thin film resistor and an electrode pad and suppresses the occupying area of a substrate, while realizing a high resistance value and excellent in high frequency passing characteristics, in the resistive element accommodated in the substrate.例文帳に追加

基板内蔵抵抗素子において、薄膜抵抗体と電極パッドとの接触信頼性を確保し、基板占有面積を抑え、かつ高い抵抗値を実現し、高周波通過特性に優れた抵抗素子を提供する。 - 特許庁

An insulating layer 150 enclosing a resistive memory element 130 and an insulating layer 160 enclosing a conductive line 180 connected to the resistive memory element have different stresses, hardness, porosity degrees, dielectric constants or heat conductivities.例文帳に追加

抵抗メモリ要素１３０を包む絶縁膜１５０と抵抗メモリ要素に連結される配線１８０を包む絶縁膜１６０が異なる応力、硬度、多孔率、誘電率、または熱伝導率を示す。 - 特許庁

Then, when a resistor is printed between conductors, the resistive element is printed so as to leave a space, where the conductor is not in contact to the resistive element (or a noncontact part 2b), in the constricted part of the conductor.例文帳に追加

次いで、導体間に抵抗を印刷する際に、導体のくびれ部において、導体と抵抗体とが接触しない空間（あるいは非接触部）を残すようにして抵抗体を印刷する。 - 特許庁

Specifically when the heating resistive element is tri-divided in a lengthwise direction, the following relational expression is obtained: a>b/2 where: a = gross area of the heating resistive element located at the central part and b = gross area of the section located at both ends.例文帳に追加

特に前記発熱抵抗体を長手方向に３分割した時、中央部に位置する部分の発熱抵抗体の総面積をａ、両端部に位置する部分の総面積をｂとした時、ａ＞ｂ／２とする。 - 特許庁

The heating portion 20 has a thin film-shaped heating resistive element portion 200, and the heating resistive element portion 200 has flat parts 50A and 50B and a folded portion 60 formed in the flat parts 50A and 50B.例文帳に追加

発熱部２０は、薄膜状の発熱抵抗素子部２００を有し、該発熱抵抗素子部２００は、平面部５０Ａ、５０Ｂ及び平面部５０Ａ、５０Ｂに形成される折り畳み部６０を備える。 - 特許庁

To improve the insulation performance between extraction an electrode layer and a shielding layer connected to a magneto-resistive element without increasing the thickness of the insulating layer between the magneto-resistive element and the shielding layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗効果素子に接続される引き出し電極層とシールド層との間の絶縁性能を向上させる。 - 特許庁

A starter circuit has a resistive element, a shutoff switch, and a capacitor disposed in series between a supply voltage line and a ground line, and outputs the initialization signal from a first connection node connecting the resistive element and the shutoff switch.例文帳に追加

スタータ回路は、電源電圧線と接地線の間に直列に配置された抵抗素子、遮断スイッチおよびキャパシタを有し、抵抗素子と遮断スイッチとを接続する第１接続ノードから初期化信号を出力する。 - 特許庁

Positions along the resistive element connect to each of the rows (14) or columns (16) such that each of the different positions along the resistive element supplies a different voltage to the respective row or column than a remainder of the positions.例文帳に追加

各行（１４）または各列（１６）に接続される抵抗素子上の位置は、抵抗素子上の異なる位置のそれぞれが対応する行または列に、それ以外の部分に印加する電圧とは異なる電圧を印加するような位置になっている。 - 特許庁

The regenerative braking resistance 14h is used as a rod-shaped heating resistive element, and the heating resistive element is routed along the inner peripheral surface of an end portion 14a of a control device case 140 that contacts the cooling device 13.例文帳に追加

回生ブレーキ抵抗１４ｈを棒状発熱抵抗体とし、この発熱抵抗体を、制御装置筐体１４０が冷却装置１３と接する端部１４ａの内周面に沿って引き回す。 - 特許庁

One end of a resistive element 5 is connected to the output of the circuit 3, and one end of a resistive element 6 is connected to the output of the circuit 4.例文帳に追加

インバータ回路３の出力端には抵抗素子５の一端が接続され、インバータ回路４の出力端には抵抗素子６の一端が接続される。 - 特許庁

As a result, the bow tie antenna device can be obtained by obtaining the smooth frequency characteristic over the broadband without the need for provision of the radio wave absorbing body and the resistive element and eliminating the need for the radio wave absorbing body and the resistive element.例文帳に追加

この結果、電波吸収体および抵抗素子を設けずに広帯域に亙り平滑な周波数特性が得られ、また前記電波吸収体および抵抗素子を設けていないことから、高効率なボウタイアンテナ装置が得られる。 - 特許庁

The switch is in conduction state, and then the internal resistive element is electrically connected to a ZQ terminal in the state that the external resistive element is not connected to the external terminal.例文帳に追加

外部端子に外部抵抗素子が接続されていない状態で、スイッチを導通状態にして内部抵抗素子をＺＱ端子に電気的に接続する。 - 特許庁

This sensor comprises a magneto-resistive element 22, a transistor 23 for amplification, a resistive element 24, a circuit substrate 25, a magnet 34 impressing a bias magnetic field, and a non-magnetic protection case 28.例文帳に追加

磁気抵抗素子２２、増幅用トランジスタ２３、抵抗素子２４、回路基板２５、バイアス磁界を印加する磁石３４及び非磁性保護ケース２８からなる。 - 特許庁