「RESISTIVE ELEMENT」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

When a wire 130 or the like is to be formed in the customized layer 120 in response to demands of an intermediate user such as a machine manufacturer, the connection structure of the wire 130 is made different from that of the laminate 150, thereby forming the capacitance element 140 or resistive elements 141-144.例文帳に追加

機器メーカなどの中間ユーザの要求に対応してカスタマイズ層１２０に配線１３０などを形成するとき、積層体１５０に対する配線１３０の接続構造を相違させることにより、容量素子１４０や抵抗素子１４１〜１４４が形成される。 - 特許庁

The circuit 16 is a resistor circuit, which is reconfigured by a resistor element, which is selected from among resistor elements 18 consisting of a plurality of previously provided resistor elements connected in series, so that the circuit 16 may have a prescribed resistive value.例文帳に追加

ゲイン調整回路は、予め作り込まれている並列接続の複数個の抵抗素子からなる抵抗回路１８から、ゲイン調整回路が所定の抵抗値になるように抵抗素子を選択し、選択した抵抗素子で再構成された抵抗回路である。 - 特許庁

The gate electrode 105 is electrically connected to a resistive element 108 formed on a first interlayer dielectric 106 covering the gate electrode 105, through metal wiring 109 formed on a second interlayer dielectric 107 covering the first interlayer dielectric 106.例文帳に追加

ゲート電極１０５は、該ゲート電極１０５を覆う第１の層間絶縁膜１０６の上に形成された抵抗素子１０８と、第１の層間絶縁膜１０６を覆う第２の層間絶縁膜１０７の上に形成されたメタル配線１０９を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

In a magnetic memory device having a memory cell array 2 provided with a plurality of memory cells 60 having a magneto resistive element 61, the device is provided with a refresh control section reading information stored in the memory cell and performing refresh operation rewriting the information immediately after the information is read out.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子６１を有する記憶セル６０を複数個備えた記憶セルアレイ２を有する磁気記憶装置において、記憶セルに格納された情報を読み出し、この読み出した情報をその直後に再書き込みするリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御部を備えている。 - 特許庁

To provide a voltage-dividing resistor, and its manufacturing method, which can perform length adjustment (resistance value adjustment) of a high resistive element layer easily and accurately in a short time for adjusting supply voltage to each terminal of an electron gun at manufacturing of a cathode-ray tube.例文帳に追加

陰極線管の製造時に、電子銃の各端子への供給電圧を調整するための高抵抗体層の長さ調整（抵抗値調整）を容易に短時間で精度良く実施できる電圧分割抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magneto-resistive effect element includes a first magnetic layer of which the magnetized direction is substantially fixed; a thin-film layer which is arranged on the first magnetic layer and includes one of oxides, oxynitrides and metals; and a second magnetic layer arranged on the thin film layer of which the magnetized direction is substantially fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。 - 特許庁

An ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4a remained in the MOSFET-formed region, and the ion implantation of arsenic is made into the poly-Si layer 4b remained in the poly-Si resistive-element-formed region at the same time.例文帳に追加

そして、ＭＯＳＦＥＴ形成領域に残したＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａに対してヒ素のイオン注入を行なうと同時に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域に残したＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂに対してもヒ素のイオン注入を行なう。 - 特許庁

The inner component (the component for molding the high voltage connector) 27 is attached to first and second electric wire assemblies 21 and 23 comprising a connection terminal 1, a resistive element 3 and an electric wire 5, and it is used for positioning in a mold for the electric wire assemblies 21 and 23 during molding of a resin sealed body.例文帳に追加

このインナー部品（高圧コネクタ成形用部品）２７は、接続端子１、抵抗素子３および電線５からなる第１および第２の電線組立体２１，２３に装着され、樹脂封止体成形時の電線組立体２１，２３の金型内における位置決めに用いられる。 - 特許庁

The resistive element is provided with connecting units for both ends contacted with an electrode formed on the printed circuit board, a resistor unit which forms a required resistance value between the connecting units at both ends and a resistance inclination unit formed between the resistor units and the connecting units.例文帳に追加

抵抗素子は、プリント基板上に形成した電極部分に接触する両端の接続部と、前記両端の接続部の間に所望の抵抗値を形成する抵抗部と、前記抵抗部と前記接続部の間に形成した抵抗傾斜部とを有する。 - 特許庁

To make joint strength higher and to make resistive component of a joint interface sufficiently lower, when a conductive substrate is joined to a laminate constituted by forming a GaN semiconductor on a substrate, and then the substrate on the laminate side is removed to manufacture a GaN semiconductor light emitting element.例文帳に追加

基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。 - 特許庁

Outer ends of the plates 6b of the resistive element 6 and the flanges 6d are closely kept into contact with a tube wall 5a of the flue tube 5 to reduce a gap between the flue tube 5 and the plates 6b, thus the combustion gas can surely snake and the heat exchanging efficiency can be improved.例文帳に追加

抵抗体６のプレート６ｂの外端とフランジ６ｄとが煙管５の管壁５ａに密着し、煙管５とプレート６ｂの間隙を少なくできたから、燃焼ガスが確実に蛇行して熱交換率が向上できるものである。 - 特許庁

Data writing is carried out by changing writing conditions by a writing condition setting circuit (5) after reading written data under control of a writing control circuit (4) at the time of the data writing of a variable resistive element type memory cell (M) of a memory cell array (1).例文帳に追加

メモリセルアレイ（１）の可変抵抗素子型メモリセル（Ｍ）のデータの書込時、書込制御回路（４）の制御の下に書込データを読出した後、書込条件設定回路（５）により書込条件を変更してデータの書込を実行する。 - 特許庁

A second inductor 12 is provided by magnetically coupling the first inductor, and one end of this inductor is connected to a control terminal of the FET through a capacitor 13 and the other end thereof is connected to a junction point between the resistive element 6 and the first inductor.例文帳に追加

第１のインダクタと磁気結合して第２のインダクタ１２を設け、このインダクタの一端を、コンデンサ１３を介してＦＥＴの制御端子に接続し、他端を抵抗素子６と第１のインダクタとの接続点に接続する。 - 特許庁

Further, the variable current source control section 32 controls a variable current source 33 to adjust a current flowing through the resistive element R11 in a way of minimizing an output offset voltage on the basis of an output signal of a comparator 31 thereby adjusting a voltage at the output reference voltage input terminal T6.例文帳に追加

さらに可変電流源制御部３２は、コンパレータ３１の出力信号に基づいて出力オフセット電圧が最小になるように、可変電流源３３を制御して抵抗素子Ｒ１１を流れる電流を調整して出力基準電圧入力端子Ｔ６の電圧を調整する。 - 特許庁

After a resistor film TM is formed on a substrate, the surface of a region corresponding to an effective resistance portion JT of the resistive element 311 on the resistor film TM is covered to form a hard mask layer M1 so as to expose the surface of the other region.例文帳に追加

抵抗体膜ＴＭを基板上に形成後、その抵抗体膜ＴＭ上にて抵抗素子３１１の実効抵抗部ＪＴに対応する領域の面を被覆し、他の領域の面が露出するように、ハードマスク層Ｍ１を形成する。 - 特許庁

Since the master 40 connected to the connector 30 determines the communication timing depending on the resistance R1 of the resistive element 32 in the connector 30, a general-purpose master can be used for the master 40 of each PLC network 20.例文帳に追加

コネクタ３０内の抵抗素子３２の抵抗値Ｒ1に応じて、そのコネクタ３０に接続されているマスタ４０が通信タイミングを決定するので、各ＰＬＣネットワーク２０のマスタ４０として汎用のマスタを使用することができる。 - 特許庁

Thus, the communication timing between the PLC networks 20 adjacent to each other is deviated by differentiating the resistance R1 of the resistive element 32 in each connector 30 to prevent interference between the PLC networks 30.例文帳に追加

したがって各コネクタ３０内の抵抗素子３２の抵抗値Ｒ1を各々異ならせておくことにより、互いに隣接するＰＬＣネットワーク２０間の通信タイミングをずらして、ＰＬＣネットワーク２０同士の混信を防止することができる。 - 特許庁

To provide a current detection circuit capable of restraining fluctuation of an offset voltage generated in the current detection circuit by an external unnecessary magnetic field, even under current detection, and an initialization method for the current detection circuit, in the pulse current detection circuit using a magneto-resistive element.例文帳に追加

磁気抵抗素子を用いたパルス電流検出回路において、電流検出中でも外部不要磁界によって電流検出回路が発生するオフセット電圧の変動を抑制することが可能な電流検出回路及び電流検出回路の初期化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistive element incorporated in a wiring board and comprising a pair of element electrodes 2a and a resistor 20 connecting the element electrodes in which the matter that the resistance increases at the contact point of a conventional wiring electrode 2a and the resistor 20 due to thermal expansion/contraction of the wiring board is solved.例文帳に追加

一対の素子電極２ａと当該素子電極間を接続する抵抗体２０を具備する配線基板内蔵用の抵抗素子において、従来の配線電極では、配線基板の熱伸縮などによって配線電極２ａと抵抗体２０の接触点で抵抗値が上昇してしまう問題を解決する配線基板内蔵用抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a capacitance element made of high dielectric oxide having a perovskite structure, a capacitance element made of nitride and a resistance element made of high-resistive metallic material are integrated on the same compound semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same, wherein characteristics of the elements are not deteriorated and a process cost can be reduced.例文帳に追加

特に、ペロブスカイト構造の高誘電体酸化物による容量素子と窒化物による容量素子と高抵抗金属材料による抵抗素子とを同一化合物半導体基板上に集積化した半導体装置およびその製造方法に関し、素子の特性を損ねることなく、プロセスコストの低減を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Input ports P_1-P_8 of a controller are provided with a reference voltage output terminal 12 for outputting a reference voltage Vref, a voltage input terminal 13 for inputting the voltage of the temperature sensitive resistance element or the movable contact resistance element, an internal resistive element 14 branched from the voltage input terminal 13, and equipped with an internal resistance Rc, and a ground terminal 15.例文帳に追加

コントローラの入力ポートＰ_1乃至Ｐ_8には、基準電圧Vrefを出力するための基準電圧出力端子１２と、感温型抵抗素子または可動接触型抵抗素子の電圧を入力するための電圧入力端子１３と、該電圧入力端子１３から分岐して内部抵抗Rcを備えた内部抵抗端子１４と、接地端子１５とを備えてある。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 and the like electrically; a diffusion region 43 formed adjacent to the STI separation layer 32; an insulation film 41 formed on the diffusion region 43; and a resistive element 34 formed on the insulation film 41.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１などを電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２に隣接して形成された拡散領域４３と、拡散領域４３上に形成された絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に形成された抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁

The flexible infrared ray radiation heating element is formed by adhering a surface having an adhesive on a portable warmer to one surface of an infrared ray radiator of a resin ceramics or an infrared ray radiator element coated with a flexible resin on the upper and lower surfaces of the resistive element which is coated or impregnated with a carbon coating on a woven cloth and dried.例文帳に追加

織布にカーボン塗料を塗布又は含浸・乾燥した抵抗体の上下両側面を柔軟性樹脂で被着した遠赤外線放射抵抗体、又は樹脂セラミックスの遠赤外線放射体の片面にカイロに接着剤を具備した面を接着し形成されている可撓性遠赤外線放射発熱体とする。 - 特許庁

This heater includes a base material, a carbon based heating element layer provided on the base material while containing at least amorphous carbon, a first protective layer obtained by mixing a metal or a metalloid compound in a heat resistive resin material to cover the carbon based heating element layer, and a second protective layer made of glass having a melting point of not more than 500°C.例文帳に追加

基材と、前記基材上に設けられ、少なくともアモルファス炭素を含む炭素系発熱体層と、前記炭素系発熱体層を被覆する、耐熱樹脂体質材中に金属または半金属化合物を混合した第一の保護層と、さらに前記保護層を被覆する、融点が５００℃以下のガラスからなる第二の保護層とを具備したヒータとする。 - 特許庁

Wide heating element paste of a silver-group material beginning with Ag (silver), and Pd (palladium), a ruthenium system, a carbon system or the like is screen-printed between the wiring patterns 14, 15 in a length direction of the insulation substrate 11, baked at high temperature to form a strip resistive heating element 16 with a given resistance value and a thickness of around 10 μm.例文帳に追加

配線パタン１４，１５間に絶縁基板１１の長手方向に幅広のＡｇ（銀）・Ｐｄ（パラジウム）をはじめとする銀系材料や、ルテニウム系、炭素系等などの発熱体ペーストをスクリーン印刷、高温で焼成し所定の抵抗値を有する膜厚が１０μｍ程度の帯状の発熱抵抗体１６を形成する。 - 特許庁

In a magnetic head, a gap on a floating surface between an upper part magnetic shield and a lower part magnetic shield is narrower than that between the upper part magnetic shield and the lower part magnetic shield which are formed at a part in which an electrode formed to contact with a magnetic domain control film is formed to be the thickest in the element height direction of a magneto-resistive effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔が、磁区制御膜に接して形成された電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

Thereby the element isolating oxide film 2 in the vicinities of the resistance elements 4 can be partitioned in necessary regions, and the formation of a recessed part in a central part of the element isolation oxide film 2 can be restrained, when the film 2 is polished by a CMP method, so that the dimensional accuracy of the shapes of the resistive elements 4 can be improved.例文帳に追加

抵抗素子４近傍の素子分離酸化膜２を必要な範囲に区切ることができ、ＣＭＰ法による素子分離酸化膜２の研磨の際に素子分離酸化膜２の中央部に凹みが形成されてしまうことを抑止できるため、抵抗素子４の形状の寸法精度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

In the polymer heating element 1 provided with a pair of electrodes 4 made by pinching a base-side resin film 2 and a cover-side resin film 3, and a resistive element 5 formed between the pair of electrodes, at least either the base-side resin film 2 or the cover-side resin film 3 contains biodegradable resin as an ingredient.例文帳に追加

ベース側樹脂フィルム２とカバー側樹脂フィルム３に狭持してなる一対の電極４と、前記一対の電極間に形成された抵抗体５とを備えた高分子発熱体において、前記ベース側樹脂フィルム２及び前記カバー側樹脂フィルム３の少なくとも一つが、生分解性の樹脂を成分として含有することを特徴とする高分子発熱体１。 - 特許庁

An earphone includes a first acoustic chamber including a reactive element and a resistive element in parallel, a second acoustic chamber separated from the first acoustic chamber by an acoustic transducer, and a housing to support the apparatus from the concha of a wearer's ear and to extend the second acoustic chamber into the ear canal of the wearer's ear.例文帳に追加

イヤフォンは、並列になった反応性および抵抗性要素を含む第１音響チャンバと、音響振動子によって第１音響チャンバから隔離された第２音響チャンバと、装着者の耳の耳甲介から装置を支持し、かつ装着者の耳の耳孔内に第２音響チャンバを伸ばしているハウジングと、を含んでいる。 - 特許庁

Since the timing of pulse change which is represented by reset release can be set to be variable by an external resistive element, no such delay time as depends on the time constant that uses a large external capacitive element is required, resulting in no shorter time delay before the pulse change represented by reset release at the time of momentary interruption of power supply.例文帳に追加

外付け抵抗素子によってリセット解除に代表されるパルス変化のタイミングを可変に設定することができ、それは、大きな外付け容量素子を用いる時定数に依存する遅延時間を必要とせず、故に、電源瞬停時にリセット解除に代表されるパルス変化までの遅延時間は短くならない。 - 特許庁

The resistive memory element has a first electrode, a first insulating layer which is formed on the first electrode and has a first hole which exposes a part of the first electrode, a first resistance change layer which is brought into contact with the exposed first electrode and extended on the first insulating layer at a periphery of the first hole and a first switching element which is electrically connected to the first resistance change layer.例文帳に追加

第１電極、第１電極上に備わったものであり、第１電極の一部を露出させる第１ホールを有する第１絶縁層、露出された第１電極と接触され、第１ホール周囲の第１絶縁層上に拡張された第１抵抗変化層、及び第１抵抗変化層と電気的に連結された第１スイッチング素子を備える抵抗性メモリ素子である。 - 特許庁

This thermal actuator comprises a cantilevered element extending from a base element and normally residing at a first position before activation, a first layer constructed of an electrically resistive material such as titanium aluminide, a coupling device that conducts electrical current serially between first and second resistor segments, and second layer constructed of a dielectric material having a low coefficient of thermal expansion and attached to the first layer.例文帳に追加

サーマルアクチュエータは、基部要素から延在し活性以前に第一位置に通常存在しているカンチレバー型要素を含み、アルミニウム化チタンなどの電気的に伝導性の物質から構成される第一層と、間に電気的な流れが連続的に伝導するカップリング装置と、並びに低係数の熱膨張を有し、前記第一層に付加された誘電体物質から構成される第二層とを含む。 - 特許庁

A parallel matching circuit 50 is inserted between two wires of a balanced transmission line 30 for interconnecting an intermediate frequency amplifier 15a and an intermediate frequency amplifier 15b of a radio module and a series resonance circuit 60 comprising a resistive element 61, and a reactance element 62 is connected between the voltage neutral point and the ground terminal of the parallel matching circuit 50.例文帳に追加

無線モジュールの中間周波増幅器１５ａと中間周波増幅器１５ｂとの間を接続する平衡伝送線路３０において、この平衡伝送線路３０の２線間に並列型整合回路５０を挿入すると共に、この並列型整合回路５０の電圧中性点と接地端との間に抵抗素子６１とリアクタンス素子６２とからなる直列共振回路６０を接続する。 - 特許庁

A method is provided, where the method uses the micro systemplatform having a micro fluid engineering component, a resistive heating element, a temperature-sensing element, mixed structure, capillary, and disposable valve, and uses the microsystem platform of these for performing biological, immunological, immunologic, and chemical assay.例文帳に追加

ミクロ流体工学構成要素、対抗性加熱要素、温度感知要素、混合構造、キャピラリーおよび捨てバルブを有する本発明の微量システムプラットホームおよび、生物学的、酵素的、免疫学的、および化学的アッセイを行うためのこれらの微量システムプラットホームを使用する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistive memory device that can increase current density via a diode and improve rectification characteristics more than conventional technique and then further can increase degree of integration of the element by forming a vertical selection diode using a nanotube or nanowire; and a method of fabricating the same.例文帳に追加

ナノチューブまたはナノワイヤを用いて垂直選択ダイオードを形成することにより、従来技術に比べてダイオードを介した電流密度の増加及び整流特性の向上を可能にし、それとともに素子の集積度を更に増加させることのできる抵抗性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an input transistor A3 having an input transistor gate electrode A9 connected to an output transistor A1 in a preceding stage through a metal wiring A2a, and a dummy transistor A5 connected to an input transistor gate electrode A9 through a resistive element A4.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、前段出力トランジスタＡ１に金属配線Ａ２ａを介して接続された入力トランジスタゲート電極Ａ９を有する入力トランジスタＡ３と、入力トランジスタゲート電極Ａ９に抵抗素子Ａ４を介して接続されたダミートランジスタＡ５を備える。 - 特許庁

The ceramic heater is provided with a first ceramic board, a second ceramic board fitted on the first ceramic board with a thermal conductivity larger than that of the first ceramic board, and a resistive heating element installed between the first ceramic board and the second ceramic board.例文帳に追加

セラミックヒータであって、第１セラミック基板と、前記第１セラミック基板上に設けられ、前記第１セラミック基板の熱伝導率よりも熱伝導率の大きな第２セラミック基板と、前記第１セラミック基板と前記第２セラミック基板の間に設けられる発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a high frequency attenuator that can be manufactured by a designing method with extra capacity to manufacturing restriction in a process of manufacturing a resistive element or conductive pattern gap that is connected with high frequency transmission line without degrading accuracy in attenuation, and that furthermore attenuates high frequency energy by a minute amount.例文帳に追加

高周波伝送線路に接続された抵抗体すなわち導体パターンギャップ製作工程の製造限界に対して余裕を持つ設計手法により製作でき且つ減衰量の精度を劣化させずに製作可能であり、更に高周波エネルギを微小量だけ減衰させ得る高周波減衰器を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes: a step of sequentially forming a metal-containing film 108 and polysilicon film 109; a step of patterning the metal-containing film and polysilicon film to be shaped to the resistive element; and a step of forming a hollow region 119 under the polysilicon film by removing a portion of the metal-containing film.例文帳に追加

基板上に金属含有膜１０８及びポリシリコン膜１０９を順次形成する工程と、前記金属含有膜及び前記ポリシリコン膜を抵抗素子形状にパターニングする工程と、前記金属含有膜の少なくとも一部分を除去することにより、前記ポリシリコン膜の下に中空領域１１９を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a control circuit in which reading operation for determining the resistance state of a variable resistive element VR is executed by applying a prescribed voltage to the selected memory cell MC arranged at the crossing part of a selected bit line BL and a selected word line WL and by detecting a current Icell flowing in the selected bit line BL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、選択されたビット線ＢＬ及び選択されたワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電圧を印加して、選択されたビット線ＢＬに流れる電流Ｉｃｅｌｌを検知することにより、可変抵抗素子ＶＲの抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する制御回路を備える。 - 特許庁

ESD protection of an output circuit is performed by connecting an ESD protection diode to an external connection terminal receiving an output of an external output circuit in a semiconductor device and also by individually arranging a resistive element as an ESD protection resistance between each output terminal of a plurality of output transistors driven in parallel by an output control signal and the external connection terminal in the external output circuit.例文帳に追加

半導体装置における外部出力回路の出力を受ける外部接続端子にＥＳＤ保護用ダイオードを接続すると共に、前記外部出力回路には、出力制御信号によって並列的に駆動される複数の出力トランジスタの出力端子と前記外部接続端子との間に個別にＥＳＤ保護抵抗としての抵抗素子を配置して、出力回路のＥＳＤ保護を行う。 - 特許庁

The variable resistive element 21 includes: a first terminal and a second terminal; a plurality of current-to-voltage converters 41 connected in series; and a correction voltage selecting circuit 51 which modifies a resistance value between the first and second terminals by changing the number of stages of the plurality of current-to-voltage converters 41 connected in series between the first and second terminals.例文帳に追加

可変抵抗素子２１は、第１端子及び第２端子と、直列に接続された複数の電流電圧変換器４１と、第１端子と第２端子との間に接続される直列に接続された複数の電流電圧変換器４１の段数を変更することにより、第１端子と第２端子との間の抵抗値を変更する補正電圧選択回路５１とを備える。 - 特許庁

The oscillation circuit 1 includes: the piezoelectric vibrator XO, a resistive element R1 and an excitation circuit 10 juxtaposed to one another between an input node XIN and an output node XOUT; a capacitor C1 arranged between the input node XIN and a grounding node GND; and a capacitor C2 arranged between the output node XOUT and the grounding node GND.例文帳に追加

発振回路１は、入力ノードＸＩＮと出力ノードＸＯＵＴとの間に互いに並列に設けられた圧電振動子ＸＯ、抵抗素子Ｒ１、および励振回路１０と、入力ノードＸＩＮと接地ノードＧＮＤとの間に設けられたコンデンサＣ１と、出力ノードＸＯＵＴと接地ノードＧＮＤとの間に設けられたコンデンサＣ２とを含む。 - 特許庁

In one embodiment, MOSFET contains at least two trench regions filled up with an insulator which are formed in a first semiconductor region apart from each other in the lateral direction so as to form a drift region; and at least one resistive element arranged along the periphery of each trench region filled up with an insulator.例文帳に追加

本発明のある実施形態によると、ＭＯＳＦＥＴは、間にドリフト領域を形成するように第１の半導体領域に横方向に沿って間隔を空ける少なくとも２つの絶縁体が充填されたトレンチ領域と、２つの絶縁体が充填されたトレンチ領域のそれぞれの外周に沿って配置される少なくとも１つの抵抗素子とを含む。 - 特許庁

To provide a downsized temperature variable attenuator having a simple structure by adopting a circuit mainly using distributed constants such as a microstrip line and a coplanar line so as to keep the specified impedance constant only with one temperature variable resistive element, thereby adjusting the attenuation depending on temperature and stabilizing a temperature compensation operation of an amplifier.例文帳に追加

本発明はマイクロストリップラインや、コプレーナラインのような、主に分布定数を使用する回路を採用することにより、１個の温度可変抵抗素子を用いるのみで、特定インピーダンスが一定に保ちつつ、温度に応じて減衰量を調整できるようにして、増幅器の温度補償動作を安定させ、小型で、構造が簡単な温度可変型減衰器を得るにある。 - 特許庁