「Ru be」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, a catalyst layer 41 containing Pt, Pd, Rh or Ru may be optionally set in the pipe 1 where the heating device 11 is set.例文帳に追加

さらに、加熱装置11が設置された配管1内には、Pt、Pd、Rh若しくはRuを含む触媒層41が設置される場合がある。 - 特許庁

To provide an electrolytic cell device in which the precipitating in a solution as a fine particle of RuO_2 by a reduction reaction can be prevented when ruthenium (Ru) included in a solution is electrolysis-oxidized and thereby the Ru is volatile-separated as a tetroxide (RuO_4).例文帳に追加

溶液中に含まれるルテニウム(Ru)を電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させる際に、還元反応によってRuO_2の微粒子として沈殿することを防止できる電解セル装置を提供する。 - 特許庁

Although it is true that the word "bow" has the meaning of "senshu (bow/stem/prow)," it also has the meaning of "saizenbu no o-ru (an oar nearest the front)." Taking into consideration that this invention relates to oars of a boat, the above-mentioned word should be translated as "saizenbu no o-ru (front side of an oar)." 例文帳に追加

bowという単語にはたしかに「船首」との意味もあるが、「最前部のオール」という意味も有している。 - 特許庁

By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.例文帳に追加

ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁

Thus, by forming the Ru film 30 by a CVD method using a dismutation reaction, the film quality of the Ru film 30 can be improved and, further, oxidation of a conductive film, etc., under the Ru film 30 can be suppressed.例文帳に追加

このように、不均化反応を利用したＣＶＤ法によりＲｕ膜３０を形成すれば、Ｒｕ膜３０の膜質を向上させることができ、また、Ｒｕ膜３０より下層の導電性膜等の酸化を抑えることができる。 - 特許庁

At this time, the pressure of the gas forming the upper intermediate layer 16b is specified to be 5 to 12 Pa that is higher than 0.5 to 1 Pa for a lower Ru intermediate layer 16a.例文帳に追加

このときの上部中間層16bを形成するガス圧力は５Pa以上12Pa以下と，下部Ru中間層16aの0.5Pa以上1Paに比べて遙かに高い領域とする。 - 特許庁

The thickness of the Ru layer 4 which is an anti-oxidation film is formed to be thinner than the thickness wherein the highest reflectivity is acquired as the whole multilayer film reflecting mirror.例文帳に追加

酸化防止膜であるRu層４の厚さを、多層膜反射鏡全体として最高の反射率が得られる厚さより薄く成膜されている。 - 特許庁

The Ru-Mn-O fine powder comprises a single phase of Ru-Mn-O wherein Mn is dissolved in RuO_2 having a rutile structure, and TCR can be adjusted by changing the proportion of Ru to Mn.例文帳に追加

このＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末は、ルチル構造を有するＲｕＯ_２中にＭｎが固溶したＲｕ−Ｍｎ−Ｏの単一相からなり、ＲｕとＭｎの割合を変えることでＴＣＲを調整することができる。 - 特許庁

The orientational properties of the Ru intermediate film can be improved by film-forming the Ru intermediate layer on the Cu-Ge seed film, thus the noise of a recording medium can be reduced.例文帳に追加

該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。 - 特許庁

As the fuel electrode, an electrode containing Pt or Pt/Ru, for example, can be used.例文帳に追加

燃料極としては、例えばＰｔまたはＰｔ／Ｒｕを含むものを用いることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device capable of ensuring that the processing condition of Ru film can be maintained by preventing erosion of the Ru film at the time of removing the resist in the semiconductor device using the Ru film as an electrode.例文帳に追加

電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置において、レジスト除去を行なうに際して、Ｒｕ膜の侵食を防止してＲｕ膜の加工形状を維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Al and Ru to form into raw materials are subjected to high frequency melting, so as to be powder essentially consisting of an Al13Ru4 intermetallic compound, and Ru powder is mixed therein, and the mixture is sintered.例文帳に追加

原料となるＡｌとＲｕを高周波溶解し、Ａｌ１３Ｒｕ４金属間化合物を主成分とする粉末とし、Ｒｕ粉を混合した後焼結する。 - 特許庁

By removing Ru contamination, that is generated when forming the Ru film used for a capacitor electrode or the like, cross contamination to other wafers can be restrained effectively.例文帳に追加

キャパシタ電極などに用いられるＲｕ膜を形成する際に生じるＲｕ汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

As a catalytic metal for instance, Pt, Ru, Rh, Pd, Ag, Ir, Au, Ni, Cu or the like can be sited.例文帳に追加

触媒金属としては、例えばＰｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ等が挙げられる。 - 特許庁

In the Pt-Ru-Sn based catalyst, the high activity and the high durability can be obtained by using the particulates of a low-Sn composition, Further, elements such as Rh, Au, Pd, Ir and Os are added to the above composition elements for use.例文帳に追加

また、上記組成元素に、さらにＲｈ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｏｓなどの元素を添加して用いることもできる。 - 特許庁

One or more kinds of Pt, Rh, Ru or Pd may be adhered on the surface of the optical catalyst material.例文帳に追加

光触媒物質の表面にはＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させてもよい。 - 特許庁

Examples of hendokumoji (kanji characters - in a Chinese or classical Japanese text - to be read in reverse order): auxiliary verbs such as 如 (gotoshi), 不 (zu), 為 (su, sasu, tari), 令 (shimu), 可 (beshi), 被 (ru, raru), and so on. 例文帳に追加

返読文字の例　助動詞では、如（ごとし）、不（ず）、為（す・さす・たり）、令（しむ）、可（べし）、被（る・らる）など。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A low active catalyst such as Ru is housed inside the 2nd CO converter 22 and CO not converted in the 1st CO converter 18 and CO regenerated by inverse conversion reaction are converted to be removed.例文帳に追加

第二のＣＯ変成槽２２は、内部にRu等の低活性触媒を収容し、第一のＣＯ変成槽１８において未変成のＣＯ及び逆シフト反応により再生されたＣＯを変成除去する。 - 特許庁

To provide a wafer-cleaning method and a wafer-cleaning device for inhibiting cross contamination to other wafers, excluding Ru contamination that is generated in a water, due to an Ru film that is to be used in many ways for the wafer hereafter.例文帳に追加

今後ウェハに多用されるＲｕ膜によりウェハに生じるＲｕ汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを抑制するウェハ洗浄方法及びウェハ洗浄装置を提供する。 - 特許庁

Also disclosed are a method for producing a RU target material where, after the hot press, heating is performed at ≥1,100°C, and pressurization is performed under ≥50 MPa for ≥3 s, so as to be a density of ≥98%, and a RU target material obtained thereby.例文帳に追加

上記ホットプレス後に１１００℃以上に加熱し、５０ＭＰａ以上で３秒以上加圧を行い、密度９８％以上とするＲｕターゲット材の製造方法およびＲｕターゲット材。 - 特許庁

The material to be corroded is ruthenium (Ru), iridium (Ir), platinum (Pt), tantalum(Ta) or silicon (Si).例文帳に追加

また、上記腐食すべき金属材料はルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）又はシリコン（Ｓｉ）である。 - 特許庁

The Ru film, a lower electrode material to be deposited on the sidewall and the bottom of the deep hole in which the capacitive element for accumulating information is formed, is formed on the condition that the ratio of flow rate (Ru(C2H5C5H4)2/O2) of a material be 10% or higher.例文帳に追加

情報蓄積用容量素子が形成される深い孔の側壁および底部に堆積すべき下部電極材料であるＲｕ膜を、原料の気化流量比（Ｒｕ（Ｃ_2Ｈ_5Ｃ_5Ｈ_4）__2／Ｏ_2）が、１０％以上となる条件で成膜する。 - 特許庁

The sputtering target is made from Ru or an Ru alloy, and the content ratio of a crystal orientation on a face (002) in an integrated intensity value measured on the surface of the target with an X-ray diffraction analysis is set to be 0.05 or larger.例文帳に追加

ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における（００２）面の結晶方位含有比を０．０５以上とする。 - 特許庁

When the interface layer comes into contact with Ru, RuO_2 and PZT so as to be composed of a metal oxide layer composed of an oxide by Pb, Ti and Ru, a ferroelectric characteristic which is industrially sufficient is displayed.例文帳に追加

しかし、この界面層がＲｕに接してＲｕＯ２、ＰＺＴに接してＰｂ、Ｔｉ、Ｒｕの酸化物よりなる金属酸化層よりなるならば工業的には充分な強誘電体特性が示すものが得らた。 - 特許庁

In step 4, the film formation speed of the Cu film can be accelerated dependently upon crystallinity on the surface of the Ru film.例文帳に追加

このＳＴＥＰ４では、Ｒｕ膜の表面の結晶性に依存して、Ｃｕ膜の成膜速度を大きくすることができる。 - 特許庁

When Pt and Ru are in the oxidized state, their electronic states may be changed, which will affect the properties of the catalyst.例文帳に追加

Ｐｔ及びＲｕが酸化状態となると、その電子状態が変化して触媒の性質にも影響すると考えられる。 - 特許庁

The direct memory controller (DMA) controller 4 can continuously read out read units RU by successively supplying head addresses of the read unit RU to be read from an address management part 7 to an address designation control part 5.例文帳に追加

ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）コントローラ４は、アドレス管理部７がアドレス指定制御部５に対して読出すべき読出し単位ＲＵの先頭アドレスを順次供給していくことで、読出し単位ＲＵを継続的に読出していくことができる。 - 特許庁

To provide a sintered Ru target material which is suppressive in the occurrence of nodules (projections) at the time of sputtering and can be stably supplied.例文帳に追加

スパッタリングの際にノジュール（突起物）が発生するのを抑制した安定供給可能な焼結Ｒｕターゲット材を提供する。 - 特許庁

Thereby, the magnetic recording layer 4 can be film-deposited in a stress free state and the magnetic recording medium 10 having high magnetic characteristics can be manufactured even by using a material other than Ru for the underlayer 3.例文帳に追加

これにより磁気記録層４をストレスフリーで成膜でき、下地層３にＲｕ以外の材料を用いても特性の高い磁気記録媒体１０を作製できる。 - 特許庁

The barrier metal film to be used contains Ti and Ru, and has a composition ratio of Ti of 5 to 25 atom%.例文帳に追加

前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする - 特許庁

To provide Cu (copper) wiring forming method, in which elution of Cu will not be generated upon CMP (chemical mechanical polishing) when the Ru material is employed as a barrier metal film for the Cu wiring.例文帳に追加

Ｒｕ材料をＣｕ配線のバリアメタル膜として使用した際、ＣＭＰ時にＣｕ溶出の発生しないＣｕ配線形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the film thickness, which is 50% or larger of the film thickness (a) of the thickest part of the Ru film can be secured, even at the bottom (b) of the deep hole.例文帳に追加

その結果、深い孔の底部ｂにおいてもＲｕ膜の最も厚い部分の膜厚ａの５０％以上の膜厚を確保することができる。 - 特許庁

To provide technique with which an Ru film for constituting the lower electrode of an information storing capacitor-element can be formed accurately in the inside of a hole.例文帳に追加

孔の内部に情報蓄積用容量素子の下部電極を構成するＲｕ膜を精度良く形成することのできる技術を提供する。 - 特許庁

Dopant impurities may be one or more species such as Eu, Ce, Mn, Ru, and/or mixtures thereof present as activators.例文帳に追加

ドーパント不純物は、活性化剤として存在する１つ又は複数の化学種（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｍｎ、Ｒｕ及び／又はそれらの混合物等）であり得る。 - 特許庁

The flood can be properly detected by so installing a flood detection sensor as to correspond to the upper accumulating chamber Ru and the lower accumulating chamber Rb.例文帳に追加

そして、上部滞留室Ｒｕ及び下部滞留室Ｒｂに対応して浸水検出センサを設けることにより浸水を好適に検出可能となる。 - 特許庁

By the seed layer 39 formed on the inside wall of the groove 38, the incubation time is shortened when the Ru film is formed by the CVD method, the surface of the plug 35 is hardly exposed to oxygen, and the continuity of the Ru film to the plug 35 can be ensured.例文帳に追加

溝３８の内壁に形成されたシード層３９により、Ｒｕ膜をＣＶＤ法で形成する際のインキュベーション時間が短縮されて、プラグ３５の表面はほとんど酸素に晒されないので、Ｒｕ膜とプラグ３５との導通を確保することができる。 - 特許庁

For example, when the heat conductive layer 21 is made of CuNi and the high melting material layers 22 and 23 are made of Ru, the temperature dependency of the resistance change ratio of the entire heating element 20 can be appropriately made small because in CuNi and Ru, the temperature dependency of a resistance change ratio is inclined to be opposite.例文帳に追加

また発熱導体層２１を例えばＣｕＮｉで形成し、高融点材料層２２，２３をＲｕで形成すると、ＣｕＮｉとＲｕは、抵抗変化率の温度依存性が逆の傾向であるため、前記発熱体２０全体の抵抗変化率の温度依存性を適切に小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by MOCVD method of a PZT capacitance comprising various superior ferroelectric characteristics on an Ru lower electrode which is easy to etch and to specify an Ru-PZT interface structure obtained by the method so as to be applied to a ferroelectric memory device.例文帳に追加

本発明は、エッチングがし易いＲｕ下部電極上において優れた強誘電体諸特性をもつＰＺＴ容量のＭＯＣＶＤ法による成膜方法を示すと共に、これによって得られるＲｕとＰＺＴ界面構造を特定し、かつ強誘電体メモリデバイスに適用する。 - 特許庁

Accordingly, the cold water and hot-water pump is controlled, so as to be operated at the optimum number of revolution in accordance with the length of the pipeline or the load condition of the indoor machines RU or the like.例文帳に追加

これにより、冷暖房運転時等に冷温水ポンプが配管長さや室内機ＲＵなどの負荷状態に応じた適正な回転数に制御される。 - 特許庁

The silicon wafer is heat-treated in a mixed atmosphere in which oxygen is added to an inert gas, and the Ru element which is sublimated during the heat treatment is ionized under atmospheric pressure so as to be mass spectrometrically analyzed.例文帳に追加

シリコンウェハを、不活性ガスに酸素を添加した混合雰囲気で熱処理し、前記熱処理中に昇華したＲｕ元素を大気圧イオン化質量分析する。 - 特許庁

When the storage node electrode SN is formed as a laminated structure of the Ru film 16 and the SRO film 17, contact failures of the SRO film with a tungsten plug 12 can be prevented.例文帳に追加

ストレージノード電極ＳＮをＲｕ膜１６とＳＲＯ膜１７との積層構造とすることにより、ＳＲＯ膜とタングステンのプラグ１２とのコンタクト不良を防止できる。 - 特許庁

The Schottky electrode 12 has a thick film that may exhibit ultraviolet-ray permeability, for example, one having at least one layer consisting of Pt, Ru, Pd, Au, Ni, Ir, Os, Re, Rh, Te or W can be used.例文帳に追加

ショットキー電極１２は、紫外線透過性を呈するような膜厚を有しており、例えば、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔｅ又はＷからなる層を少なくとも一層備えたものを用いることができる。 - 特許庁

In a preferable embodiment, an anti-IL-4 antibody for forming a solid phase is labelled with an Ru complex fluorescent agent to form a fluorescence probe and an anti-IL-4 antibody for use in detection is added to a sample to be bonded to IL 4 being the substance to be measured.例文帳に追加

好ましい実施例として、固相化用の抗IL-4抗体をＲｕ錯体蛍光剤にて標識して蛍光プローブとし、試料中には検出用抗IL-4抗体を添加し、測定対象物質であるIL4と結合させる。 - 特許庁

Moreover, since the piezoelectric thin film 5 is disposed on an upper surface 4b consisting mainly of a signal crystal Ru, reaction can be avoided from happening at the interface with the lower electrode 4, and the interface of the piezoelectric thin film 5 can be flattened.例文帳に追加

しかも、この圧電薄膜５が単結晶のＲｕを主成分とする上面４ｂ上に配置されるので、下部電極４との界面で反応が起こるのを回避でき、圧電薄膜５の界面を平坦にすることができる。 - 特許庁

An area designation part 31 designates an area on a personal image In designated by an operator as a designation area Ru containing the face and head hair to be corrected of a single person, a head hair color kind information acquisition part 33 acquires head hair color kind information Vh showing the kind of color of the head hair based on color information of the designation area Ru or the like.例文帳に追加

領域指定部３１が、操作者が指定した人物画像Ｉｎ上の領域を補正対象となる単一人物の顔と頭髪を含む指定領域Ｒuとして指定し、頭髪色種別情報取得部３３が、その頭髪の色の種別を表す頭髪色種別情報Ｖhを、指定領域Ｒuの色情報等に基づいて取得する。 - 特許庁