「Self Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An oxide film is formed only on a mesa top which is selectively grown by a self alignment process, and a current block layer is grown.例文帳に追加

セルフアラインプロセスにより選択成長されたメサトップにのみ酸化膜を形成し、電流ブロック層を成長する。 - 特許庁

To provide a bond for temporary fixing which can materialize the secure soldering without hindering self alignment.例文帳に追加

セルフアライメントを阻害せず、確実な半田付けを実現できる電子部品の仮止め用ボンドを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a self-alignment transistor, which can simplify the manufacturing process and reduce costs in the manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスを簡略化し、かつ製造プロセスのコストを低減した、自己整合トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium can be simply manufactured by using a self-alignment method and has a large integrated and large capacity memory.例文帳に追加

光記録媒体は、自己整列方法を利用して簡単に製造でき、高集積大容量のメモリを有している。 - 特許庁

A self-referencing interferometer includes an optical system for splitting an alignment beam to create a reference beam and a transformed beam.例文帳に追加

自己参照干渉計は、アライメントビームを分割して参照ビームおよび変性ビームを生成する光学システムを含む。 - 特許庁

The polishing is stopped by the TMR element 18 as a stop layer and the TMR element 18 is exposed through self-alignment.例文帳に追加

そして、ＴＭＲ素子１８をストップレイヤーとして研磨を停止し、自己整合的にＴＭＲ素子１８を露出させる。 - 特許庁

The gate electrode 15 is configured so that the second gate insulating film 14 and the end can be formed like self-alignment.例文帳に追加

このゲート電極１５は、第２のゲート絶縁膜１４とその端部が自己整合的に形成された形態となっている。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus suitably used for the method for manufacturing a microlens by self alignment on a color display panel.例文帳に追加

カラー表示パネル上に自己整合的にマイクロレンズを製造する方法に好適に用いられる露光装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the ion implantation for the P body 4a and the ion implantation for the N source 5a are carried out by self alignment.例文帳に追加

これにより、Ｐボディ４ａ用のイオン注入とＮソース５ａ用のイオン注入はセルフアラインで行なわれる。 - 特許庁

The width of the positioning portion 11ca is narrower than that of the bonding strength securing portion 11cb to make possible the alignment with the shield box 12 by a self-alignment effect in the case of reflow heating.例文帳に追加

位置合わせ部１１ｃａの幅は、接合強度確保部１１ｃｂよりも狭く、リフロー加熱時に、セルフアライメント効果によりシールドボックス１２との位置合わせが可能な幅である。 - 特許庁

With regard to the tonometer that a patient can use for self-measurement at home, the alignment guidance system, which utilizes a target light source (52) positioned in a perpendicular face to the measurement axis (20) that includes a concave mirror (50) and the center of curvature of the concave mirror (50), provides an alignment image to guide for the patient to perform self-alignment.例文帳に追加

患者が家庭で自己測定に用いることができるトノメータにおいては、凹面鏡（５０）及び該凹面鏡（５０）の曲率中心を含み測定軸（２０）に垂直な面内にあるターゲット光源（５２）を利用する位置合わせガイドシステムは、患者が自分で位置合わせを行うのをガイドするための位置合わせ像を提供する。 - 特許庁

To provide a means for forming a channel stopper layer by self-alignment, at the formation of an element isolation layer, using an STI method.例文帳に追加

ＳＴＩ法により素子分離層を形成する場合に、チャネルストッパ層を自己整合的に形成する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a self-alignment technique capable of forming a fine pattern regardless of the overlay error between first and second exposure masks.例文帳に追加

第１の露光マスクと第２の露光マスクのオーバーレイ誤差によらず、微細なパターンを形成できる自己整合技術を提供する。 - 特許庁

The self-alignment contact is formed by etching the interlayer insulating film 530 and a dielectric layer 310 using the caps as masks.例文帳に追加

前記キャップをマスクとして、前記層間絶縁膜５３０と誘電体層３１０をエッチングして自己整合コンタクトを形成する。 - 特許庁

The tip surface of the catheter 10 is inclined for the purpose of the self-alignment of the catheter 10 with respect to an obstacle in insertion.例文帳に追加

カテーテル１０の先端面は、挿入の際に障害物に対するカテーテル１０の自己整位のため傾斜されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light shielding multicolor image sheet with a black matrix of high optical density by a self-alignment system.例文帳に追加

セルフアラインメント方式による高光学濃度のブラックマトリックスを有する遮光性多色画像シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To make a contact margin of a first diffusion layer contact plug relatively large when a conductive layer is formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

導電層を自己整合的に形成する場合において、第１の拡散層コンタクトプラグのコンタクトマージンを比較的大きく取る。 - 特許庁

To precisely and relatively position an optical element and an optical waveguide by suppressing the influence of self alignment action of solder.例文帳に追加

半田のセルフアライメント作用の影響を抑制して光学素子と光導波路とを精密に相対位置決めされるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a self-aligned contact which prevents a short circuit from occurring between adjacent conductive films by securing an enough alignment margin, and a method of manufacturing a semiconductor element utilizing this.例文帳に追加

自己整列されたコンタクト形成方法とこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a self-alignment patterning method that can be used to manufacture a plurality of thin film transistors on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上に複数の薄膜トランジスタを製造するために用いることができる自己整合パターニング方法に関する。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method of a microelectric mechanical switch (MEMS) device provided with a self-alignment spacer or a bump.例文帳に追加

自己整合スペーサまたはバンプを備える微細電気機械的スイッチ（ＭＥＭＳ）デバイスの構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of achieving a self-alignment process of high productivity for easy control.例文帳に追加

制御が容易で生産性の高いセルフアライメントプロセスを実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve self-alignment by mounting an electronic component while determining the center of a coating agent as target coordinates without making a tact time long.例文帳に追加

タクトタイムを長くすることなく、塗布剤の中心を目標座標として電子部品を装着してセルフアライメント効果を得る。 - 特許庁

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed.例文帳に追加

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。 - 特許庁

A drain region 275 is formed outside a control gate 270 which is formed on the sidewall of the insulating film plug 250 by a self alignment method.例文帳に追加

絶縁膜プラグ250の側壁に自己整列方式で形成された制御ゲート270の外側にドレイン領域275を形成する。 - 特許庁

Film thicknesses of the etched cap layers 16 are reduced in the case of the self-alignment process forming the via plugs 22 in a self-alignment manner to the wiring layers 15 and the protective films 16 and 17 for the wiring layers, and design spaces of the via plugs 22 are decreased, thus fining the semiconductor device 10.例文帳に追加

ビアプラグ２２を、配線層１５及びその保護膜１６、１７と自己整合的に形成するセルフアラインプロセスに際して、エッチングされるキャップ層１６の膜厚を小さくし、ビアプラグ２２の設計間隔を縮小することで、半導体装置１０を微細化する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a dummy gate is used a mask for forming the source/drain region in a self- alignment manner, and at the same time the gate electrode is formed in self- alignment manner, thus forming the fine element without generating matching deviation between the source/drain region and gate electrode.例文帳に追加

この半導体装置は、ダミーゲートをマスクにして自己整合的にソース／ドレイン領域を形成すると共に自己整合的にゲート電極を形成している為、ソース／ドレイン領域とゲート電極に合わせずれが生じず微細化された素子を形成することができる。 - 特許庁

The respective lock pieces 4c are engaged with the respective hooking parts 1c3 by a lock dimension L by other tapers T4 for self-alignment.例文帳に追加

各ロック片４ｃは、各ロック片ひっかけ部１ｃ３にそれぞれ他のセルフアライメント用テーパＴ４によってロック寸法Ｌだけ係合する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an MOSFET device where a self-alignment contact process is appropriately performed, while maintaining the thickness of a tungsten gate to be constant.例文帳に追加

自己整列コンタクト工程を適正に行え、タングステンゲートの均一厚さの維持が可能なMOSFET素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n^+ type source region 36 and the p^+ type region 84 can be formed by a self-alignment of the gate electrode 35 and the LDD side spacer 91.例文帳に追加

ゲート電極３５とＬＤＤサイドスペーサ９１のセルフアラインでｎ^+型のソース領域３６とｐ^+型領域８４を形成できる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device with a self-alignment contact structure using a low-resistance material which makes it difficult to perform dry etching for a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にドライエッチングが困難な低抵抗材料を用いて、自己整合コンタクト構造を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide an electronic component mounting method capable of effectively utilizing an self-alignment effect even when the mounting interval between electronic components is small.例文帳に追加

電子部品の実装間隔が狭い場合でもセルフアライメント効果が有効に活用できる電子部品の実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a self alignment method for forming a semiconductor memory array constituted of a plurality of floating gate memory cells on a semiconductor substrate.例文帳に追加

複数のフローティングゲートメモリセルからなる半導体メモリアレイを半導体基板に形成するための自己整合方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reliably forming an inter-layer insulating film of a trench type power MOSFET by self-alignment manner with no waste.例文帳に追加

トレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴにおける層間絶縁膜をセルフアラインに無駄なく信頼性よく形成する方法を提供する。 - 特許庁

In this process, the region 31 is formed by self alignment wherein one end of the gate electrode 35 on the LOCOS oxide film 28 is used as a mask.例文帳に追加

そして、この工程では、ＬＯＣＯＳ酸化膜２８上のゲート電極３５の一端をマスクとしてセルファラインにより形成する。 - 特許庁

The emitter diffusion area 23 is formed by self alignment by forming a side wall 14' together with the NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタと同時にサイドウォール１４’を形成することにより、セルフアラインでエミッタ拡散領域２３を形成するようなプロセスとする。 - 特許庁

In this manufacturing method of the semiconductor device, an intrinsic base 8 and an emitter 14 are formed on a silicon substrate 1 in a self-alignment way.例文帳に追加

本製造方法は、シリコン基板１に真性ベース８とエミッタ１４とが自己整合的に形成された半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a chronograph timepiece for saving display of chronograph time by utilizing advantages of a self-alignment structure having three hammer sections as they are.例文帳に追加

三つのハンマー部を備えたセルフアラインメント構造の長所をそのまま利用しつつクロノグラフ時の表示を省いたクロノグラフ時計の提供 - 特許庁

To provide a method of forming source and drain regions in a high- resistance domain(HRD) in a self alignment manner, in a thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗領域（ＨＲＤ）を自己整合的に形成する方法を提供する。 - 特許庁

Between two pairs of movable band in which an outer periphery of the casing is chucked and released by pressing the casing and separating from the casing, a chuck device is characterized in that a movable band at a self-alignment side is closed first and a movable band at a tightening side is closed only after the movable band at the self-alignment side has been closed.例文帳に追加

ケーシングに圧接、離反させることにより前記ケーシングの外周をチャック、開放する２対の可動バンドの内、調芯側の可動バンドを先に閉じ、締付側の可動バンドを先に閉じた調芯側の可動バンドより遅らせて閉じることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an element arraying method capable of surely, efficiently and accurately arraying elements on a substrate by self-alignment, a method for manufacturing a display device by arraying elements by self-alignment and the display device.例文帳に追加

基板上に素子を確実に自己整列して配列することができ、素子を効率良く且つ精度良く自己整列して配列させることができる素子の配列方法、さらには素子の自己整列により配列する表示装置の製造方法及び表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a self alignment type substrate for mounting optical parts, obtaining excellent optical coupling efficiency of an optical fiber and an optical semiconductor element, further being easily manufactured and having a V-shaped groove and a solder dam capable of self alignment mounting, a method for manufacturing the same and an optical module.例文帳に追加

光ファイバと光半導体素子の良好な光結合効率が得られる上に簡便に作製できる、セルフアライメント実装が可能なＶ溝とはんだダムの自己整合型の光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁

To raise breakdown voltage of an insulating film formed on the side surface of a gate electrode in a semiconductor device where a contact hole is formed by a self-alignment process.例文帳に追加

自己整合的にコンタクトホールを形成する半導体装置において、ゲート電極の側面に形成する絶縁膜の耐圧を大きくする。 - 特許庁

To form a pattern, such as wiring in a self-alignment manner, when a pattern is formed by a liquid drop discharge method, and further to achieve higher adhesion of the pattern.例文帳に追加

液滴吐出方法により配線等のパターンを形成する場合、自己整合的に形成し、さらに該パターンの密着性を高める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of realizing reduction and simplification of a production process and high accuracy through self-alignment.例文帳に追加

製造工程の短縮、簡略化及びセルフアラインによる高精度化を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁