「Self Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The SAP is included in a mask layout for efficient self-alignment of various sub-layouts of a target pattern in a multi-patterning lithography process.例文帳に追加

ＳＡＰは、マルチパターニングリソグラフィ工程中のターゲットパターンの様々なサブレイアウトの効率的なセルフアライメントのためにマスクレイアウト内に含まれる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein sufficient insulation can be secured in a self alignment contact (SAC) structure section of a memory gate (MG).例文帳に追加

メモリーゲート（ＭＧ）のセルフアラインコンタクト（ＳＡＣ）構造部分における十分な絶縁性を確保することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor for applying a self-alignment contact process while reducing the sheet resistance and contact resistance of source/drain regions.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のシート抵抗とコンタクト抵抗を低減させながら自己整合コンタクト・プロセスが適用できるＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a self-alignment roller bearing dispersing non-slip lines of spherical rollers and simplifying a manufacturing process and an assembly process.例文帳に追加

球面ころのノンスリップラインを分散させると共に、製造工程および組立工程を簡素化した自動調心ころ軸受を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, intended to perform a channel implant process of a transistor to be provided in a DRAM by means of the self-alignment technology without entailing a faulty alignment to enable improving of a reflash characteristic.例文帳に追加

本発明はＤＲＡＭに備えられるトランジスタのチャネルインプラント工程を誤整列なしで自己整列的に実施してリフラッシュ特性を向上させることができる半導体素子の製造方法に関するものである。 - 特許庁

To newly provide an automatic self-aligning supply arrangement of duct blanks which exactly positions and supplies in self-alignment the blanks to a roll forming machine, blank cutting machine, etc.例文帳に追加

本発明は、ロール成型機，素板の切断機等に素板を正確に位置合わせ自動調芯して供給するダクト素板の自動調芯供給装置を新規に提供することを解決する課題とするものである。 - 特許庁

To provide an OCB(optically self-compensated birefringence) mode liquid crystal display device with a fast transition rate in which bend alignment can be easily formed by applying an initialization voltage as low as several volts.例文帳に追加

数Ｖ程度の初期化電圧印加により容易にベンド配向が形成され、転移速度の速いＯＣＢモード型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To impart vertical alignment and domain formation to a homeotropic pixel element of a liquid crystal display technique by using a technique to form a self-organizing monomolecular film.例文帳に追加

自己組織化単分子膜を形成する技術により液晶ディスプレイ技術のホメオトロピック・ピクセル要素に垂直配向とドメイン形成を与えること。 - 特許庁

To provide a metal paste for soldering having a sufficient self alignment effect and to provide an efficient/stable soldering method.例文帳に追加

十分なセルフアライメント効果を備えた半田接合用の金属ペーストおよび効率的で安定した半田接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method for manufacturing the thin film transistor, and a display device capable of stabilizing characteristics of a self-alignment thin film transistor.例文帳に追加

セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor having vertical transistors superior in characteristics by forming a channel region with self-alignment.例文帳に追加

セルフアラインでチャネル領域が形成されたことにより特性の良好な縦型のトランジスタを備えた固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve operation speed by providing a source/drain region and a trench isolation structure formed by self-alignment and restraining increase of source/drain resistance.例文帳に追加

セルフアラインで形成されたソース・ドレイン領域およびトレンチ素子分離構造を有し、かつソース・ドレイン抵抗の増大を抑制して動作速度の向上を図る。 - 特許庁

To stabilize aperture diameter of a connection hole, which is formed under a trench, and to stabilize the wiring resistance in the connection hole in a self alignment dural Damascene process.例文帳に追加

セルフアラインデュアルダマシンプロセスにおいて、トレンチ下に形成される接続孔の開口径を安定化させ、接続孔内の配線抵抗を安定化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a contact plug which is formed through a self-alignment process and can suppress decrease of a width, and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

自己整合的に形成され、幅の減少を抑制可能なコンタクトプラグを有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating the twin MONOS memory cell incorporates a self-alignment technique for fabricating a small cell in which an N+-type diffusion and nitride storage sites are defined by sidewalls.例文帳に追加

作製の手法は、小さなセルを作製する自己整合テクニックを組み込んでおり、Ｎ＋拡散及びチッ化記憶サイトが側壁によって規定される。 - 特許庁

Silicon nitride films 5 and 10 are formed around a gate electrode 3 and a bit line 8 in order to define a position of a contact plug 13 in a self- alignment manner.例文帳に追加

コンタクトプラグ１３の位置を自己整合的に規定するために、ゲート電極２とビット線８の周りには、シリコン窒化膜５および１０が設けられる。 - 特許庁

Then, ion implantation using the readout electrode and the side walls as masks is carried out to form a second impurity region 8 of one conductivity type in a self-alignment manner.例文帳に追加

読み出し電極とサイドウォールをマスクとするイオン注入により自己整合的に、一導電型の第二不純物領域８を形成する。 - 特許庁

To control the space of a light emission point of each semiconductor laser chip by self-alignment in a semiconductor laser element array which is subjected to hybrid integration.例文帳に追加

ハイブリッドに集積化する半導体レーザ素子アレイにおいて、各半導体レーザチップの発光点の間隔を自己整合的に制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a pipe detachment preventive metal piece with a self-alignment action which prevents components from being loosened and is easily manufactured, and a connection arm fitting structure.例文帳に追加

部品がバラバラにならず、しかも製造が容易であり、自動調心作用を有する管離脱防止金具及び連結アームの取付構造を提供する。 - 特許庁

The base extraction electrode 6 and the emitter opening 7a are formed in a self-alignment manner, the link region on the outer base layer is reduced, and base resistance can be reduced.例文帳に追加

ベース引き出し電極６とエミッタ開口部７ａは自己整合的に形成され、外部ベース層のリンク領域を削減し、ベース抵抗を低減できる。 - 特許庁

In the process of forming a light-shielding pattern, the electrodes which have already been formed are used as a light-shielding pattern, and by giving a self alignment exposure from the rear side of the substrate, the pattern is formed easily.例文帳に追加

既に形成された電極を遮光パターンとして用い、基板背面側よりセルフアライメント露光することにより、容易に形成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of contriving the microfabrication of an active region, and capable of connecting between neighbored active regions through self-alignment.例文帳に追加

活性領域の微細化が図れ、且つ、隣接する活性領域間を自己整合的に接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light absorbing part 13 is formed by a self-alignment in which a ultraviolet ray or laser beam is passed to radiate through the optical path equal to that of the video light.例文帳に追加

この光吸収部１３は、紫外線又はレーザ光を映像光の光路と同等な光路を通過させて照射するセルフアライメントにより形成する。 - 特許庁

A self-alignment pulley 4 is constituted in a manner that a pulley body 5 is supported rotatably around a pulley shaft C1 and swingable around a pivot C2.例文帳に追加

自動調心プーリ４は、プーリ本体５がプーリ軸Ｃ１周りに回転自在にかつ、枢軸Ｃ２周りに揺動自在に支持されて構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a power device with which a self-alignment forming process of a channel can be simplified and cost can be reduced.例文帳に追加

この発明は、チャネルの自己整合形成工程を簡略化でき、低コスト化が可能なパワーデバイスの製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor in self-alignment structure whose current gain cutoff frequency and maximum transmission frequency are improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電流利得遮断周波数及び最大発信周波数を向上させたセルフアライン構造のバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Polysilicon of the side wall gate is filled in a gap between the selection gate electrode and the isolated auxiliary pattern, and a contact 21 is provided for a wiring part 23 formed in a self alignment manner.例文帳に追加

両者の間隙にサイドウォールゲートのポリシリコンが充填され自己整合的に形成された配線部２３に対してコンタクト２１を取る。 - 特許庁

To provide a method for mounting electronic components and a device which allow a self-alignment effect to be effectively utilized, even when the spacing for mounting the electronic components is narrow.例文帳に追加

電子部品の実装間隔が狭い場合でもセルフアライメント効果が有効に活用できる電子部品の実装方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The connection hole is formed by removing in a self-alignment manner the first insulating film for a sidewall spacer (52) formed on the sidewall of the gate electrode.例文帳に追加

接続孔は、第１絶縁膜をゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ（５２）に対して自己整合的に除去することで形成される。 - 特許庁

In the main junction, the IC chip and the substrate are heated entirely, and reflow junction is performed to utilize self alignment of solder following the melting of the solder bump.例文帳に追加

本接合はＩＣチップおよび基板全体を加熱し、リフロー接合し半田バンプの溶融に伴う半田のセルフアライメントを利用することを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode, which permits to form an electrode through self-alignment process with respect to the detailed structure of a carbon nanotube, a quantum dot or the like.例文帳に追加

カーボンナノチューブや量子ドット等の微細な構造に対して自己整合的に電極を形成することを可能とする電極製造方法を提供する。 - 特許庁

SELF ALIGNMENT CONTACT NONVOLATILE MEMORY DEVICE, HAVING PERIPHERAL TRANSISTOR EASILY CORRECTABLE WITH RESPECT TO VARIOUS TECHNIQUE AND APPLICATION, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

多様な技術及びアプリケーションに対して容易に修正可能な周辺トランジスタを有するセルフアラインメントコンタクト不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

Since a self-aligned LDD structure can be patterned by a barrier layer without using an additional photomask, alignment error can be avoided.例文帳に追加

この場合、余分なフォトマスクを使用することなく、バリア層によって自己整合ＬＤＤ構造をパターン化することができるので、アライメントエラーを回避することができる。 - 特許庁

To easily form a fine contact hole in a semiconductor device with a wiring structure with high controllability by self-alignment with a wiring layer.例文帳に追加

配線構造を有する半導体装置において、微細なコンタクト孔を簡便にしかも高い制御性の下に配線層に対してセルフアラインに形成する。 - 特許庁

To provide an OCB(optically self-compensated birefringence) mode type liquid crystal display element which is easily formed with bend alignment by initialization voltage impression of about several V and is high in a transfer rate.例文帳に追加

数Ｖ程度の初期化電圧印加により容易にベンド配向が形成され、転移速度の速いＯＣＢモード型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

That is, a channel formation region, a source region and a drain region can be formed in a self-alignment manner without using an impurity introduction step.例文帳に追加

すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same in which alignment of a semiconductor chip and a circuit substrate can be realized on the self-alignment basis, even when an elecrode pad is formed in the ultra-miniature size for the mounting through the flip-chip connection.例文帳に追加

フリップチップ接続による実装を行う際、電極パッドが微細化した場合であっても、セルフアラインで半導体チップと回路基板とのアライメントを行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves highly reliable trench contact structure of an electrode, which is formed by self-alignment using gate trenches as a mask, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ゲートトレンチをマスクにしたセルフアラインによる電極のトレンチコンタクト構造を高い信頼性で実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, when the solder pattern is reflowed, the chip-like light-emitting device is moved and fixed to the center like self alignment by surface tension of a solder material.例文帳に追加

その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a contact hole of a proper cross section to self-alignment by raising the substrate temperature to a high temperature, without requiring a process of mask removal.例文帳に追加

マスク除去のための工程を必要とせず、基板温度を高温に上昇させてセルフアラインに良好な断面形状のコンタクトホールを形成する技術を提供する。 - 特許庁

In the method for element separate formation, a high concentration region of a well is formed by self-alignment manner on the side surface of STI(shallow trench isolation).例文帳に追加

本発明に係る素子分離形成方法は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）側面に、ウェルの高濃度領域を自己整合的に形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a high sensitivity; low smear sensor capable of forming, in a self alignment manner, a reflection prevention film forming an island-shaped reflection prevention film on a photodiode; and forming a reflection prevention film on the photodiode without securing overlapping accuracy due to patterning of the reflection prevention film beyond necessity.例文帳に追加

反射防止膜のパターニングによる重ね合わせ精度を必要以上に確保することなく、フォトダイオード上に島状の反射防止膜を形成する。 - 特許庁

Thus, ends of the p-type base regions 3, those of n+ type source regions 4, those of the gate electrode 7 and those of the contact holes are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の端部とｎ+型ソース領域４の端部、ゲート電極７の端部とコンタクトホールの端部とが自己整合的に形成される。 - 特許庁