| 例文 |
Self Refreshの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 211件
A signal path B is selected at the time of CBR-refresh and a signal path A is selected at the time of self-refresh by a path selecting circuit C of this delay quantity switching circuit block 40.例文帳に追加
この遅延量切換回路ブロック40の経路選択回路Cにより、CBRリフレッシュ時には信号経路Bを選択し、セルフリフレッシュ時には信号経路Aを選択する。 - 特許庁
Thus, the SDRAM1 shifts to the self-refresh mode following the refresh rate established depending on the SRT set up by the temperature range determination function of the CPU3.例文帳に追加
これにより、SDRAM1は、CPU3の温度レンジ決定機能により決定されたSRTの設定値に応じて設定されたリフレッシュレートに従ってセルフリフレッシュのモードへ移行する。 - 特許庁
After that, when the self-refresh signal RSLF is made to be 'L', a count value can be read out synchronizing with a clock CLK.例文帳に追加
その後、セルフリフレッシュ信号RSLFを“L”にすると、クロックCLKに同期してカウント値を読み出すことができる。 - 特許庁
During a sleep mode, a self-refresh signal causes the control signal to disable the external inputs in the memory device.例文帳に追加
メモリデバイスで休眠モードの動作中、セルフリフレッシュ信号は外部入力を無効にする制御信号の原因である。 - 特許庁
When the semiconductor storage device is switched to the standby mode from the deep standby mode, timers 12 and 14 are started, and they output a constant cycle timer output TN necessary for a self refresh and a timing signal TR of a cycle shorter than the self refresh cycle respectively.例文帳に追加
ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わるとタイマー12及び14が起動され、それぞれセルフリフレッシュに必要な一定周期のタイマー出力TN及びセルフリフレッシュ周期よりも短い周期のタイミング信号TRを出力する。 - 特許庁
In shifting from an active state to a stop state, information on whether to cause an SDRAM to perform a self-refresh operation is held in a flag.例文帳に追加
動作状態から停止状態に遷移する際、SDRAMをセルフリフレッシュ動作させるかどうかの情報をフラグに保持する。 - 特許庁
Then, a signal self_refresh becomes HIGH (3), and a self-refresh operation is instructed to an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 9 through an SDRAM controller 33.例文帳に追加
すると、信号self_refleshがHIGHとなり(3)、SDRAMコントローラ33を介してSDRAM9にセルフリフレッシュ動作が指示される。 - 特許庁
Consequently, at the time of the self-refresh operation, voltage is not transferred between the pair of global input/output line and the pair of local input/output line.例文帳に追加
その結果、セルフリフレッシュ時は、グローバル入出力線対とローカル入出力線対との間で電圧の授受はなくなる。 - 特許庁
The second predetermined value may be fixed, or may be n+1, where n is the value of the bank address counter when self-refresh mode is initiated.例文帳に追加
第2の所定値は固定値、またはnを自己リフレッシュモードが開始されるときのバンクアドレスカウンターの値としてn+1である。 - 特許庁
By this, even when power supply to the CPU 1 is suspended, the self-refresh mode of the main memory 3 is maintained, and thus power saving is improved.例文帳に追加
これにより、CPU1への電力が停止しても、メインメモリ3のセルフリフレッシュモードが維持され、省電力化が向上する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory element which allows unnecessary power consumption associated with an operation in a self refresh mode to be reduced.例文帳に追加
セルフリフレッシュモードの動作に伴う不必要な電力消費を節減することができる半導体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁
The memory 126 includes a refresh circuit 128, enabling continued retention of the image data by the operation in a self-refresh mode, while suppressing power consumption even when the power of the digital camera is switched off.例文帳に追加
メモリ126はリフレッシュ回路128を備え、セルフリフレッシュモードで動作することによりデジタルカメラの電源が切断されても消費電力を抑えながら画像データを保持し続けることが可能である。 - 特許庁
The electronic apparatus is provided at least with a memory control means 1 for maintaining the expansion memory 3 in a self-refresh mode when there is no memory access and on the other hand, releasing a self-refresh command, reading data and writing the data when the add-in memory 3 becomes the target of memory access.例文帳に追加
メモリアクセスのないときには増設メモリ3をセルフリフレッシュモードに保持する一方、メモリアクセスの対象になったときには、セルフリフレッシュ指令を解除して、データの読出し、書き込みを行うことを特徴とするメモリ制御手段1を少なくとも備えている。 - 特許庁
Respective banks are set so that regions for holding or not holding data are included in common during a self-refresh period.例文帳に追加
各バンクにはセルフリフレッシュ期間中にデータを保持する保持領域と非保持領域とが共通に含まれるように設定されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device which can prevent disturbing deterioration during self-refreshing and reduce a refresh current.例文帳に追加
セルフリフレッシュ時におけるディスターブ劣化を防止し、リフレッシュ電流の低電流化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The coupling circuit electrically couples the first node to the second node in response to a boosting enable signal and a self-refresh control signal.例文帳に追加
結合回路はブースティングイネーブル信号とセルフリフレッシュ制御信号に応答して第1ノードを第2ノードに電気的に結合する。 - 特許庁
When an external address latched to the latch circuit 3 and an internal address coincide, operation is performed by finishing a self-refresh mode.例文帳に追加
ラッチ回路3にラッチされた外部アドレスと内部アドレスとが一致したときにセルフリフレッシュモードを終了することにより実行する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit in which timing to enter into a self-refresh mode can be finely set while reducing a layout area.例文帳に追加
レイアウト面積を抑えて、セルフリフレッシュモードに入るタイミングを細かく設定することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING ITS DEFECTIVE MEMORY CELL, METHOD FOR REGULATING INTERNAL POWER SUPPLY POTENTIAL, AND METHOD FOR REGULATING SELF REFRESH PERIOD例文帳に追加
半導体記憶装置、およびその欠陥メモリセル修復方法、内部電源電位調整方法、セルフリフレッシュ周期調整方法 - 特許庁
A self-refresh timing generator 71 detects existence/absence of a read signal outputted from a control signal generating part 13a of a DRAM controller 13a to a memory bank 55, when the read signal is not detected in a prescribed time, the generator 7 generates a refresh signal, and outputs it to a refresh suppression register 72.例文帳に追加
セルフリフレッシュタイミング発生器71は、DRAMコントローラ13の制御信号発生器13aよりメモリバンク55に出力される読み出し信号の有無を検出し、所定時間内に読み出し信号が検出されない場合、リフレッシュ信号を発生し、リフレッシュ抑止レジスタ72に出力する。 - 特許庁
The memory controller 110 comprises a counter 120 counting the prescribed period after detection of an idle state, and self-refresh shift instructing circuits 130, 140 preforming processing required for instructing shifting to a self-refresh state for the dynamic random access memory after the counter 120 counts the period.例文帳に追加
前記メモリコントローラ110は、アイドル状態を検出したあと、所定期間をカウントするカウンタ120と、前記カウンタ120が前記期間をカウント後に、ダイナミックランダムアクセスメモリに対しセルフリフレッシュ状態への移行を指示するために必要な処理を行うセルフリフレッシュ移行指示回路130,140と含む。 - 特許庁
A self refresh control circuit 11 is constituted with an OSC control circuit 16, an oscillation circuit 17, a cycle counter 18, a request generation circuit 19, and controls a refresh cycle based on an oscillation signal for the oscillation circuit 17.例文帳に追加
セルフリフレッシュ制御回路11は、OSC制御回路16、発振回路17、周期カウンタ18、リクエスト発生回路19とを備え、発振回路17の発振信号に基づいてリフレッシュの周期を制御する。 - 特許庁
To quickly perform DMA transfer even in using a memory in which read access is made impossible for a fixed period after releasing self-refresh.例文帳に追加
セルフリフレッシュ解除後の一定期間リードアクセスが不能になるメモリを用いる場合でも、DMA転送を迅速に行うことができるようにする。 - 特許庁
PASS GATE CIRCUIT WITH STABLE OPERATION IN TRANSITION PHASE OF INPUT SIGNAL, SELF-REFRESH CIRCUIT INCLUDING THE PASS GATE CIRCUIT, AND METHOD OF CONTROLLING THE PASS GATE CIRCUIT例文帳に追加
入力信号のトランジション区間で安定的に動作するパスゲート回路、これを備えるセルフリフレッシュ回路、及びパスゲート回路の制御方法 - 特許庁
Then, the tracking code is updated at every ±1 every long period, and the self refresh period is adjusted with the updated tracking code.例文帳に追加
次いで、長い周期ごとに一回ずつトラッキングコードを±1ずつアップデートさせ、アップデートされるトラッキングコードによってセルフリフレッシュ周期を調節する。 - 特許庁
An image processing controller includes a plurality of DRAMs requiring a refresh operation, a storage means for storing an individual transition time for effecting the transition of each of the DRAMs to self-refresh, a monitoring means for monitoring access to the DRAMs, and a memory control means for making the DRAM non-accessed within the transition time to perform self-refresh accompanied by the suspension of the supply of an operation clock.例文帳に追加
リフレッシュ動作を必要とする複数のDRAMと、前記各DRAMをセルフリフレッシュに移行させるまでの個別の移行時間を記憶する記憶手段と、前記DRAMに対するアクセスを監視する監視手段と、前記移行時間内にアクセスが発生しないDRAMに対しては、作動クロックの供給停止を伴うセルフリフレッシュを実行させるメモリー制御手段と、を有する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor memory in which a current caused by a process defect can be reduced and the power consumption at the time of a self-refresh can be reduced.例文帳に追加
プロセス的欠陥に起因する電流を削減し、セルフリフレッシュ時の消費電力を低減することのできる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
In a power down mode, the transistor PT1 is turned on, the transistor PT2 is turned off and no power is supplied to a circuit 400, which is not required for a self refresh.例文帳に追加
パワーダウンモードでPMOSトランジスタPT1がオン、PT2がオフになりセルフリフレッシュに必要でない回路400には電源が供給されない。 - 特許庁
To provide a multi-bank semiconductor memory in which current consumption at the time of a self-refresh mode can be scattered without increasing tRC of specification values.例文帳に追加
セルフリフレッシュモード時の電流消費を仕様値tRCを増大させることなく分散することのできる多バンク半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a storage device that evaluates itself even when a DLL circuit does not execute a locking operation after self-refresh.例文帳に追加
セルフリフレッシュ動作後にDLL回路がロック動作を実行しない状況での記憶装置の評価を行うことが可能な記憶装置を提供する。 - 特許庁
Then, control is performed to return the volatile memory from the self-refresh operation mode depending on the progress of writing of data to the nonvolatile memory.例文帳に追加
そして、不揮発性メモリへのデータ書込みの進行状況に応じて、その揮発性メモリをセルフリフレッシュ動作モードから復帰させるように制御する。 - 特許庁
To accurately hold storage contents of a memory even when a power supply voltage drops, in a memory control device controlling the memory having a self-refresh function.例文帳に追加
セルフリフレッシュ機能を有するメモリを制御するメモリ制御装置において、電源電圧が低下した場合でも、メモリの記憶内容を正確に保持すること。 - 特許庁
A semiconductor memory device using an internal high power supply voltage in a self-refresh operation mode and a method for applying the high power supply voltage to the device are disclosed.例文帳に追加
セルフリフレッシュ動作モードで内部の高電源電圧を使用する半導体メモリ装置及びその高電源電圧の印加方法が開示される。 - 特許庁
The pass gate circuit, the self-refresh circuit including the same and the control method of the pass gate circuit are capable of operating stably in the transition phase of the input signal.例文帳に追加
前記パスゲート回路とこれを備えるセルフリフレッシュ回路及びパスゲート回路の制御方法は入力信号のトランジション区間で安定的に動作しうる。 - 特許庁
The DRAM controller 2 performs the self-refresh operation after the operation temperature setting value of the SDRAM 1 is changed according to the control instruction of the CPU 3.例文帳に追加
DRAMコントローラ2は、CPU3の制御の指示に従ってSDRAM1の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。 - 特許庁
The flag is referred to in returning from the stop state, and when the SDRAM has performed the self-refresh operation in the stop state, initialization processing is omitted.例文帳に追加
停止状態からの復帰時にフラグを参照し、停止状態においてSDRAMがセルフリフレッシュ動作を行っていた場合は初期化処理を省略する。 - 特許庁
The power changeover control circuit and the DRAM self-refresh control circuit are backed up by the primary battery when the 1st power source voltage drops.例文帳に追加
そして、電源切換え制御回路及びDRAMセルフリフレッシュ制御回路は第1の電源の電圧が低下したときに一次電池によりバックアップされる。 - 特許庁
The semiconductor memory device releases the self refresh mode on the basis of a plurality of external signals such as a signal/RAS continuously inputted for there cycles.例文帳に追加
開示される半導体記憶装置は、3サイクル連続して入力される信号/RAS等の複数の外部信号に基づいて、セルフリフレッシュモードを解除する。 - 特許庁
Because it is unnecessary to write a processing program for shifting the semiconductor memory to the self refresh mode in a program, the software processing is prevented from becoming complicated.例文帳に追加
半導体メモリをセルフリフレッシュモードに移行する処理プログラムをプログラム中に書く必要はないため、ソフトウエアの処理が複雑になることが防止できる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory circuit in which sufficient restoring level can be obtained even when self-refresh requiring low current consumption is used.例文帳に追加
低消費電流が要求されるセルフリフレッシュを使用した場合であっても、十分なリストアレベルを得ることがでる半導体記憶回路を提供すること。 - 特許庁
The self refresh module includes a temperature reference table constituted so as to receive the temperature signal and supply a third signal based on the temperature signal, and a temperature divider constituted so as to supply a self refresh pulse based on the second signal and the third signal.例文帳に追加
このセルフリフレッシュモジュールは、上記温度信号を受信して、この温度信号に基づいて第3の信号を供給するように構成された温度参照テーブルと、上記第2の信号および上記第3の信号に基づいてセルフリフレッシュパルスを供給するように構成された温度分割器とを有している。 - 特許庁
In a memory controller that controls data transfer between a volatile memory and a nonvolatile memory, wherein data being held in a plurality of volatile memories each having a refresh operation mode and a self-refresh operation mode is transferred to the nonvolatile memory.例文帳に追加
揮発性メモリと不揮発性メモリとの間でデータの転送を制御するメモリコントローラにおいて、それぞれがリフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを有する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送する。 - 特許庁
When the semiconductor storage device is changed over from the deep stand-by mode to the stand-by mode, timers 12, 14 are started, and they output a constant cycle timer output TN necessary for self-refresh, and a timing signal TR of a cycle shorter than the refresh cycle, respectively.例文帳に追加
ディープスタンバイモードからスタンバイモードに切り替わるとタイマー12及び14が起動され、それぞれセルフリフレッシュに必要な一定周期のタイマー出力TN及びセルフリフレッシュ周期よりも短い周期のタイミング信号TRを出力する。 - 特許庁
When an oscillation count data read-out signal SLFCOUT is made to be 'H' and a self-refresh signal RSLF is made to be 'H', a second counter 7 counts up the oscillation clock SFCI.例文帳に追加
発振カウントデータ読み出し信号SLFCOUTを“H”、セルフリフレッシュ信号RSLFを“H”にすると、第2のカウンタ7が発振クロックSFCIをカウントアップする。 - 特許庁
To provide an electronic apparatus capable of suppressing power consumption as the entire apparatus by making an expansion memory execute a self-refresh mode in the case of no access to the expansion memory.例文帳に追加
増設メモリにアクセスしない場合には、セルフリフレッシュモードを実行させ、機器全体として消費電力の抑制を図ることのできる電子機器を提供する。 - 特許庁
To realize a reduction in number of times of refreshing in both a self-refresh mode and a normal operation mode with a small-scale circuit in a DRAM/logic hybrid LSI.例文帳に追加
DRAM/ロジック混載LSIにおいて、セルフ・リフレッシュ・モード及び通常動作モードの両モードにおけるリフレッシュの回数の低減を小規模な回路で実現できるようにする。 - 特許庁
To reduce current consumption at a low temperature by changing a self-refresh cycle of DRAM, depending on the temperature dependency of the pause characteristic.例文帳に追加
本発明は、DRAMのセルフリフレッシュ周期をポーズ特性の温度依存性に応じて変化させることで、低温時における消費電流を削減することを特徴とする。 - 特許庁
To reduce power consumption at the time of a self-refresh operation in a semiconductor memory device having hierarchical input/output line constitution.例文帳に追加
階層型入出力線構成を有する半導体記憶装置において、セルフリフレッシュ動作時の低消費電力化を可能とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device or the like to effectively use a cache memory for a plurality of banks and reduce current consumption during self-refresh.例文帳に追加
複数のバンクに付随するキャッシュメモリの有効活用とPASRによるセルフリフレッシュ時の消費電流の低減を両立可能な半導体メモリ装置等を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|