「VG」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferred that VG×ID is ≥20E-6VA but ≤80E-6VA.例文帳に追加

この場合、ＶＧ×ＩＤが２０Ｅ−６ＶＡ以上８０Ｅ−６ＶＡ以下となるようにすることが好ましい。 - 特許庁

Further, the game apparatus calculates the attitude of the input device corresponding to the corrected gravitational vector Vg.例文帳に追加

さらに、ゲーム装置は、補正された重力ベクトルＶｇに対応する入力装置の姿勢を算出する。 - 特許庁

In this case, a voltage Vstb at the substrate voltage terminal 24 is set smaller than a gate voltage Vg in an OFF state.例文帳に追加

その際に、基板電圧端子２４の電圧Ｖstbをオフ時のゲート電圧Ｖgよりも小さく設定する。 - 特許庁

A grid electrode 12 on which voltage Vg is applied is disposed between the discharge electrode 10 and a photoreceptor 13.例文帳に追加

電圧Ｖｇを印加したグリッド電極１２を放電電極１０と感光体１３間に配置する。 - 特許庁

The voltage Vn of the analog signal Sn is compared with its voltage Vg by the graphic master 200.例文帳に追加

このアナログ信号Ｓｎの電圧Ｖｎは、グラフィックマスタ２００によりその電圧Ｖｇと比較される。 - 特許庁

The limit value computing means 252 computes the commanded upper limit value Rmax of output voltage/frequency (Vg/fg) according to the lowered output voltage Vg using a predetermined arithmetic expression, and outputs it to an AVR 21.例文帳に追加

制限値演算手段２５２は、低下した出力電圧Ｖｇに応じて所定の演算式により出力電圧／周波数（Ｖｇ／ｆｇ）の指令上限値Ｒｍａｘを演算してＡＶＲ２１に出力する。 - 特許庁

The imaging part 60 performs interpolation processing with respect to the respective kinds of raw data UR, UG, UB, generates interpolation image data VR, VG, VB, synthesizes the interpolation image data VR, VG, VB, and then, generates synthetic image data V.例文帳に追加

撮像部６０は、各生データＵＲ、ＵＧ、ＵＢに対して補間処理を施して補間画像データＶＲ、ＶＧ、ＶＢを形成し、これら補間画像データＶＲ、ＶＧ、ＶＢを合成して合成画像データＶを形成する。 - 特許庁

To write or read a plurality of memory transistors continuing to a word line in parallel in a VG memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイにおいて、ワード線に連なる複数のメモリトランジスタを並列に書き込みまたは読み出す。 - 特許庁

The converter 21 is provided with a piezoelectric element to convert the vibration into voltage, namely an electromotive voltage Vg.例文帳に追加

変換器２１は圧電素子を備えており、これにより振動が電圧に変換され、起電圧Ｖｇが発生する。 - 特許庁

The fluctuation quantity of the voltage Vg is detected as the fluctuation quantity of a signal current Isig in a signal processing circuit.例文帳に追加

電圧Ｖｇの変動量は、信号電流Ｉsigの変動量として、信号処理回路で検出される。 - 特許庁

When the output voltage Vg of a generator 3 is temporarily lowered to a predetermined value or below due to application of a load, a voltage drop detector 251 detects that and outputs the lowered output voltage Vg to a limit value computing means 252.例文帳に追加

負荷投入にともない発電機３の出力電圧Ｖｇが一時的に所定値以下に低下したとき、電圧低下検出器２５１が検出してこの低下した出力電圧Ｖｇを制限値演算手段２５２に出力する。 - 特許庁

The control circuit CL starts operation of the switch SW so as to cut-off the alternative path Lbp, based on a gate drive voltage Vg for each FET 30a-30f, within a region where change in the gate drive voltage Vg is flattened.例文帳に追加

そして、制御回路ＣＬは、各ＦＥＴ３０ａ〜３０ｆのゲート駆動電圧Ｖgに基づいて、当該ゲート駆動電圧Ｖgの変化が平坦化する領域にある場合に、迂回経路Ｌbpを遮断すべくスイッチＳＷを作動させる。 - 特許庁

The voltage difference Vg between the input and the output of the feedback capacitance C2 is always larger than 0, the feedback capacitance C2 is not influenced by a change in the voltage difference Vg between the input and the output, and the negative feedback operation is stably implemented.例文帳に追加

これにより、帰還容量Ｃ２の入出力間電位差Ｖｇが常にＶｇ＞０を満たし、帰還容量Ｃ２が入出力間電位差Ｖｇの変化に影響を受けず、安定した負帰還動作を行うことができる。 - 特許庁

Resultingly, a higher side voltage out of a voltage Ve and a voltage Vf is output as a voltage Vg to a g-point, and an A/D converter 26 detects the abnormality of the voltage output from the battery 10, based on the voltage Vg.例文帳に追加

この結果ｇ点には、電圧Ｖｅまたは電圧Ｖｆのいずれか高い方の電圧が、電圧Ｖｇとして出力され、ＡＤコンバータ２６は、電圧Ｖｇに基づいてバッテリ１０が出力する電圧の異常検出を行う。 - 特許庁

A capacitor element C1 is electrically connected to a gate electrode of the drive transistor Tdr to set and maintain a gate potential Vg.例文帳に追加

容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。 - 特許庁

The capacitor C1 is electrically connected to a gate electrode of the drive transistor Tdr and sets and holds a gate potential Vg.例文帳に追加

容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。 - 特許庁

Also, a bit line 11b is connected to a reading circuit 22, a bit line 11b is associative-grounded to Vg=(V1+V2)/2.例文帳に追加

また、ビット線１１ｂを読み出し回路２２に接続し、ビット線１１ｂは、Ｖｇ＝（Ｖ１＋Ｖ２）／２に仮想接地される。 - 特許庁

Further, the switching elements 6a and 6b are both turned off for a period of sleep mode wherein the gate voltage Vg is off.例文帳に追加

また、ゲート電圧ＶｇがＯＦＦしているスリープモードの期間中はスイッチング素子６ａ，６ｂを全て非通電状態にする。 - 特許庁

A game apparatus calculates a gravitational vector Vg, which represents a gravitational direction viewed from an input device, based on operation data.例文帳に追加

ゲーム装置は、入力装置から見た重力方向を表す重力ベクトルＶｇを操作データを用いて算出する。 - 特許庁

In an initialization period PRS, a potential VG of a gate of a driving transistor TDR is initialized to turn on the driving transistor TDR.例文帳に追加

初期化期間ＰRSにおいては、駆動トランジスタTDRのゲートの電位ＶGを初期化することで駆動トランジスタTDRを導通させる。 - 特許庁

In this case, the value of the gate voltage Vg after the lowering is lower than the operating threshold voltage Vth of the inverter circuit 21.例文帳に追加

この場合、低下後のゲート電圧Ｖｇの値は、インバータ回路２１の動作しきい値電圧Ｖｔｈよりも低い。 - 特許庁

The gate of a MOSFET is insulated from other terminals to facilitate fixing Vg to a desired value.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲートはその他の端子から絶縁されているため、Ｖｇは所望の値に固定することが容易である。 - 特許庁

Thus, a gate drive pulse is applied, even to a thin- film transistor on the disconnected wiring via the Vg redundant wiring Y.例文帳に追加

よって、断線した配線上の薄膜トランジスタにも、Ｖｇ冗長配線Ｙを介してゲート駆動パルスが印加される。 - 特許庁

Consequently by driving with column inversion, a polarity of a gradation voltage VG is reversed by pixel.例文帳に追加

したがって、カラム反転駆動を行なうことにより、画素単位で階調電圧ＶＧの極性を反転させることができる。 - 特許庁

This control system is provided with a nonvariable differential gear stopper 1 having the preset torque distribution ratio (TBR-VG=3).例文帳に追加

予め設定されるトルク配分比（ＴＢＲ−ＶＧ＝３）を持った非可変の差動歯車止め（１）が設けられている。 - 特許庁

The capacitive element C1 is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor Tdr to set and hold a gate potential Vg.例文帳に追加

容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。 - 特許庁

A P-channel MOSFET is used for the upstream side power element 21, and the control voltage formation circuit 41 is provided with a low voltage auxiliary circuit 50 for increasing the control voltage Vg when the control voltage Vg decreases to a predetermined value or lower.例文帳に追加

上流側パワー素子２１にＰチャネルＭＯＳＦＥＴが用いられ、制御電圧形成回路４１には、制御電圧Ｖｇが所定値以下に低下した場合に、制御電圧Ｖｇを高く変化させる低電圧補助回路５０が設けられている。 - 特許庁

A determination signal generation circuit (110) generates a supply voltage determination signal (VG) in accordance with a first supply voltage (VDD) and a second supply voltage (VSS), and the second switch (124) is controlled on/off according to the supply voltage determination signal (VG).例文帳に追加

判定信号生成回路（１１０）は、第１電源電圧（ＶＤＤ）と第２電源電圧（ＶＳＳ）とに基づいて電源電圧判定信号（ＶＧ）を生成し、第２スイッチ（１２４）は、電源電圧判定信号（ＶＧ）に基づいて開閉が制御される。 - 特許庁

When operating refreshing, SW-D is set to SW-E side, SW-E is set to Vg (on2) side, and SW-C is conducted.例文帳に追加

リフレッシュ動作は、ＳＷ−ＤをＳＷ−Ｅ側、ＳＷ−ＥをＶｇ（ｏｎ２）側、そしてＳＷ−Ｃを導通させる。 - 特許庁

A hold value of the C sample hold circuit 51c is a value VN+Vg of adding the constant electric potential VN to a gain of the amplifier 40.例文帳に追加

Ｃサンプルホールド回路５１ｃの保持値は、定電位ＶＮに増幅アンプ４０のゲインを加算した値（ＶＮ＋Ｖｇ）になる。 - 特許庁

Then, a display signal Vs is written in the pixel cell 52 selected by the block control signal Vb and the scanning signal Vg.例文帳に追加

表示信号Ｖｓは、ブロック制御信号Ｖｂと走査信号Ｖｇによって選択された画素セル５２内に書き込まれる。 - 特許庁

In this case, a delay time Td2 of a drain voltage Vd to a gate voltage Vg is made longer than a variable delay time Td0.例文帳に追加

この場合、ゲート電圧Ｖｇに対するドレイン電圧Ｖｄの遅延時間Ｔｄ２を可変遅延時間Ｔｄ０より長くする。 - 特許庁

Even if the amplitude of the blow selective signal is smaller than that of the blow signal VG, the high voltage can be applied to the anti-fuse 26.例文帳に追加

ブロー選択信号の振幅がブロー信号ＶＧの振幅より小さくても高電圧をアンチヒューズに印加することができる。 - 特許庁

As a result, even if the drain voltage VD is raised to, for example, 40 V, the VG-ID property will not deteriorate.例文帳に追加

この結果、ドレイン電圧ＶＤを例えば４０Ｖと上げても、ＶＧ−ＩＤ特性が劣化しないようにすることができる。 - 特許庁

To prevent crosstalk generated by disconnection at intermediate parts of Vg lines for driving TFTs arranged in a photoelectric transducer panel.例文帳に追加

光電変換素子パネルに配置されたＴＦＴを駆動させるＶg線が途中で断線することで生ずるクロストークを防止する。 - 特許庁

The error amplifier 5 thus controls the gate voltage Vg of a P-channel MOSFET 4 by means of only a differential amplification circuit 11.例文帳に追加

よって、誤差増幅器５は、差動増幅回路１１のみによって、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４のゲート電圧Ｖｇを制御する。 - 特許庁

The method for producing Shochu much containing 4-VG is provided by using C14 strain or No. 15 strain belonging to saccharomyces/cerevisiae.例文帳に追加

サッカロミセス・セレビシエに属するＣ１４株又はＮｏ．１５株を用いる４−ＶＧを高含有する焼酎の製造方法。 - 特許庁

The electromotive voltage Vg is rectified with a rectifier circuit 23 and a large capacitance capacitor 24 is charged with a rectified voltage.例文帳に追加

起電圧Ｖｇが整流回路２３によって整流され、整流電圧によって、大容量コンデンサ２４が充電される。 - 特許庁

A plurality of TFTs arranged in matrix are driven by a bias applied to a plurality of gate lines (Vg line) 13.例文帳に追加

複数のゲート線（Ｖｇ ｌｉｎｅ）１３に印加されるバイアスによりマトリックス状に配置された複数のＴＦＴを駆動させる。 - 特許庁

The Vg-Id characteristics of the gate insulating film 12 of the first MOS transistor becomes satisfactory suppressing dispersion in threshold voltage.例文帳に追加

第１ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１２のＶｇ−Ｉｄ特性が良好となりしきい値電圧のばらつきが抑制される。 - 特許庁

When operating transmission, SW-D is set to SW-E side, SW-E is set to Vg (on1) side, and TFT is turned on.例文帳に追加

転送動作は、ＳＷ−ＤをＳＷ−Ｅ側、ＳＷ−ＥをＶｇ（ｏｎ１）側にして、ＴＦＴをオン状態にする。 - 特許庁

To accurately measure Id-Vg characteristic when using a pseudo MOSFET for evaluating an SOI substrate, and to minimize the influence over aging for obtaining a value with superior producibility.例文帳に追加

擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩ基板を評価するときにＩｄ−Ｖｇ特性を精度良く測定できる。 - 特許庁

The correction drive applies an active state selection voltage (-Vg) to a selected wire, to which the active state selection voltage (-Vg) is applied at the display drive time, during a correction drive period, and applies a correction drive voltage (-V) that has a negative polarity, to all the signal wires.例文帳に追加

補正駆動は、補正駆動期間中、表示駆動時にアクティブ状態選択電圧（−Ｖｇ）が印加された選択線に、アクティブ状態選択電圧（−Ｖｇ）印加するとともに、全ての信号線に負極性の補正駆動電圧（−Ｖ）を印加する。 - 特許庁

As for measurement of real time self-cleaning and concentration of volatile gas (VG) by the PID, the PID measures the concentration of the VG by streaming the EG through the ICh of the DU1, and the EG passing through the ICh of the DU2 is hermetically sealed in the inside to be used for self- cleaning.例文帳に追加

ＰＩＤによるリアルタイム自己洗浄及び揮発性ガス（ＶＧ）濃度の測定は、ＤＵ１のＩＣｈを通してＥＧを流してＰＩＤがＶＧ濃度を測定し、ＤＵ２のＩＣｈを通るＥＧは内部に密閉して自己洗浄に用いる。 - 特許庁

In a plurality of MISFETs different in gate length L, the dependency of the gate voltage Vg of a capacity Cg between gate source drains is deviated, Cg is differentiated by Vg, and the difference of the differentiation value between the two MISFETs different in gate length.例文帳に追加

ゲート長Ｌの異なる複数のＭＩＳＦＥＴにおいて、ゲート−ソース・ドレイン間の容量Ｃｇのゲート電圧Ｖｇ依存性を導出し、上記ＣｇをＶｇで微分しゲート長の異なる２つのＭＩＳＦＥＴ間の上記微分値の差を分析する。 - 特許庁