「VG」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A charged-particle detector X which detects ions to be incident by making the ions pass through MCPs 11,12 is arranged to face the incidence plane 11a of ions on the MCP 11 and has a grid electrode 2 with a potential Vg lower than the potential Vin of the incidence plane 11a.例文帳に追加

入射されるイオンをＭＣＰ１１，１２を通過させて検出する荷電粒子検出器Ｘは，ＭＣＰ１１へのイオンの入射面１１ａに対向して配置されると共に該入射面１１ａの電位Ｖｉｎより低い電位Ｖｇが与えられたグリッド電極２を備えている。 - 特許庁

Then, in the operation of a saturation region (Vd>Vg>Vth), a hole of an electron-hole pair, generated by collisional ionization in the vicinity of the low concentration drain region 14c of a channel 28 flows into the intrinsic region 14f below the low concentration source region 14b, not below the channel 28.例文帳に追加

そして、飽和領域（Ｖｄ＞Ｖｇ＞Ｖｔｈ）での動作では、チャネル２８の低濃度ドレイン領域１４ｃ近傍において衝突電離により発生した電子正孔対のうちの正孔はチャネル２８下ではなく低濃度ソース領域１４ｂ下の真性領域１４ｆに流れ込む。 - 特許庁

To provide a heat insulating structure of an L-shaped thin plate, which protects an actuator of a VG turbo reduced in cost and improved in reliability by enhancing vibration resistance strength through reduction of generated stress by damping vibration in a vibrating part.例文帳に追加

振動する部分の振動を減衰させることで、発生応力の減少を図り、耐振強度を向上させることにより、コスト低減及び信頼性の向上を図ったＶＧターボのアクチュエータを保護するＬ形薄板の断熱材構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a third resetting step t3 to t4, the voltage to be applied to the first display electrode line is maintained at the first voltage VBX and the voltage to be applied to the second display electrode line is gradually lowered to a fourth voltage VG which is lower than the third voltage VBF.例文帳に追加

第３リセット段階ｔ３〜ｔ４では、第１ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_ＢＸに維持された状態で、第２ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第３電圧Ｖ_ＢＦより低い第４電圧Ｖ_Ｇまで持続的に下降する。 - 特許庁

At this point, a pixel pitch is denoted as P, a total of overlapped capacity of the Sig line and the Vg line per one pixel as Ca, the overlapped area of the Sig line and the optoelectric converter per one pixel as S, the film width of the interlayer dielectric as d, a specific permittivity as ε, and a vacuum permittivity as ε_0.例文帳に追加

その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。 - 特許庁

In a battery pack formed by connecting a plurality of modules each of which is composed of a plurality of cells in series, the average value Vamin of the voltages of the cells of a module having a minimum voltage is used as a target value Vg for capacity adjustment, and each cell is discharged by time which corresponds to its deviation from the target value.例文帳に追加

複数個のセルからなるモジュールを複数組直列に接続して構成した組電池において、最低電圧モジュールのセル電圧平均値Ｖａｍｉｎを容量調整目標値Ｖｇとし、各セルを目標値との偏差に対応した時間だけ放電させる。 - 特許庁

Consequently, the drain-source voltage Vds rises to Vds1 (>0) during an interval when the gate terminal voltage Vg is lower than Vg1 and since a current flows into a capacitor C, the voltage Vc across the capacitor C rises from Vc1 to Vc2.例文帳に追加

これにより、ゲート端子電圧Ｖｇが電圧Ｖｇ１より小さい期間、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが電圧Ｖｄｓ１（＞０）に上昇し、その電圧によりコンデンサＣに電流が流れ、該コンデンサＣの両極間の電圧Ｖｃが電圧Ｖｃ２からＶｃ１に上昇する。 - 特許庁

The pixel circuit P includes the electro-optical element E having a grayscale, corresponding to a drive current IDR flowing through a path r1, a drive transistor TDR disposed in the path r1 and controlling the drive current IDR according to the potential VG at the gate, and a capacitive element CA having electrodes a1 and a2.例文帳に追加

画素回路Ｐは、経路ｒ1に流れる駆動電流ＩDRに応じた階調となる電気光学素子Ｅと、経路ｒ1上に配置されてゲートの電位ＶGに応じて駆動電流ＩDRを制御する駆動トランジスタＴDRと、電極ａ1およびａ2を有する容量素子ＣAとを具備する。 - 特許庁

A reference voltage Vofs is set to a second offset voltage Vofs2, and a gate potential Vg of the drive transistor is set to the second offset voltage Vofs2, in an initialization in which a write transistor is made conductive, in a threshold value correction preparatory period where a low potential Vini is selected.例文帳に追加

低電位Ｖｉｎｉが選択されている閾値補正準備期間において、書き込みトランジスタが導通状態になる初期化動作では、基準電圧Ｖｏｆｓを第２オフセット電圧Ｖｏｆｓ２に設定して駆動トランジスタのゲート電位Ｖｇを第２のオフセット電圧Ｖｏｆｓ２に初期化する。 - 特許庁

Then, the raindrop amount detecting section 16 makes a correction section 15 to correct the output voltage Vs which is to be acquired in the light emission period, by using the variational gradient ΔVg, which is acquired in the light non-emission period, and detects the amount of raindrops, based on the correction processed output voltage Vg' which has been corrected.例文帳に追加

そして雨滴量検出部１６は、補正部１５に対し、これら発光期間に取得される出力電圧Ｖｓを、非発光期間に取得される変化勾配ΔＶｇを用いて補正させ、補正された補正後出力電圧Ｖｇ’に基づいて雨滴量を検出する。 - 特許庁

The transistor T1 of the photoelectric converting circuit 10 constitutes a source follower circuit; a photodiode PD is connected between the gate and source of the transistor T1 through a capacitor C1, and the gate of the transistor T 1 is connected to a second high-potential power source Vg through a resistance R1.例文帳に追加

光電変換回路１０のトランジスタＴ１はソースフォロワ回路を構成し、このトランジスタＴ１のゲート−ソース間にはコンデンサＣ１を介してフォトダイオードＰＤが接続され、トランジスタＴ１のゲートは抵抗Ｒ１を介して第２の高電位電源Ｖｇに接続されている。 - 特許庁

The drain-side potential of the amplifying transistor 5 is made higher and the potential of the read signal line 7 is made into second potential (Vrst) higher than the first potential (Vg) thereafter by the scanning circuit 20, so that the potential of the signal charge accumulation unit 3 is made higher than a potential just after reset.例文帳に追加

その後、走査回路２０によって、増幅トランジスタ５のドレイン側電位を高くして読み出し信号線７の電位を上記第１の電位(Ｖg)よりも高い第２の電位(Ｖrst)にすることにより、信号電荷蓄積部３の電位をリセット直後の電位よりも高くする。 - 特許庁

The void defect as well as the face roughness in the periphery of the wafer can be effectively reduced without adding another process by controlling the distance Dw between wafers and gas flow rate Vg of hydrogen or the like within the predetermined range in a general batch furnace.例文帳に追加

一般的なバッチ式炉において、ウェーハ間の距離Ｄｗと水素などのガス流速Ｖｇとを所要範囲に制御することにより、ボイド状欠陥の低減を行うと同時にウェーハ外周部の面荒れを効果的に低減でき、新たな工程を付加することなく簡単に実施できる。 - 特許庁

When driving is completed for a frame, and before the driving is shifted to the next frame, scanning potential Vg and signal potential Vsig are respectively held at certain fixed potential and also a driving pause period for halting the driving circuit is arranged, to reduce the power consumption of the liquid crystal display elements when displaying the still picture.例文帳に追加

フレームが終了し、次のフレームに移る前に走査電位Ｖgおよび信号電位Ｖsigをそれぞれある固定電位に保つとともに駆動回路を休止させる駆動休止期間を設け、静止画像を表示する場合の液晶表示素子の消費電力を低減する。 - 特許庁

The output signal CP of a comparator 54 is inputted to a charge controlling part 50 as a charge voltage monitoring signal, and the charging circuit 30 is controlled so that a capacitor voltage Vg given to an input terminal on the one side of the comparator 54, conforms to a set voltage Vs given from a main controlling part 28.例文帳に追加

充電制御部５０は、比較器５４の出力信号ＣＰを充電電圧監視信号として入力し、比較器５４の一方の入力端子に与えられるコンデンサ電圧Ｖgが主制御部２８より与えられる設定電圧Ｖsに一致するように、充電回路３０を制御する。 - 特許庁

If a current detection section 21 detects an overcurrent, the protection circuit 22 stops the application of the gate voltage Vg, the supply voltage limiting circuit 23 reduces the supply voltage, and the discharge circuit 24 discharges the electric charges stored in the smoothing capacitor C.例文帳に追加

そして、電流検出部２１により過電流が検出されると、保護回路２２によりゲート電圧Ｖｇの印可が停止され、電源電圧制限回路２３により電源電圧が低減され、放電回路２４により平滑コンデンサＣに蓄積された電荷が放電される。 - 特許庁

In the switching power circuit, a trigger signal Ve in the same cycle as a reference pulse signal Vp outputted from a reference pulse generating circuit 2 is inputted into the set terminal S of a logical circuit 14, and also a signal Vg with its polarity reverse to this signal is inputted into a sample hold circuit 21.例文帳に追加

基準パルス発生回路２から出力される基準パルス信号Ｖｐと同周期のトリガ型信号Ｖｅを論理回路１４のセット端子Ｓに入力すると共に、この信号と極性が逆となる信号Ｖｇをサンプルホールド回路２１に入力する。 - 特許庁

To provide an optical sensor element, capable of carrying out detection of a light reception quantity by using the nonvolatile change in the Vg-Id characteristics by reception of light in a newly-discovered semiconductor layer, in the so-called "MOS type element" that uses a semiconductor layer formed of an oxide semiconductor.例文帳に追加

酸化物半導体からなる半導体層を用いたいわゆるＭＯＳ型の素子において、新たに見い出された半導体層での受光によるＶｇ−Ｉｄ特性の不揮発的な変化を利用した受光量の検知を行うことが可能な光センサー素子を提供する。 - 特許庁

In each feature lines L1 to L8 set in the template image data VG, a difference correlation value |F-Gs| between the line data of the feature lines L1 to L8 and search image data VF for one screen is calculated, and the difference correlation value |F-Gs| obtained in each feature lines L1 to L8 is successively accumulatively added together with positional coordinates.例文帳に追加

そして、このテンプレート画像データに対し設定した特徴ラインＬ１〜Ｌ８ごとに、そのラインデータと１画面分のサーチ画像データＶF との差分相関値｜Ｆ−Ｇs｜を算出し、この特徴ラインＬ１〜Ｌ８ごとに得られた差分相関値｜Ｆ−Ｇs｜を位置座標を合わせて順次累積加算する。 - 特許庁

When the output voltage VO is larger than the second reference voltage VR2, an output voltage VG of the error amplifier AMP is supplied to the gate of the output MOS transistor MP, and in the other case, the partial voltage VG1 is supplied to the gate of the output MOS transistor MP so that the breakdown of the output MOS transistor due to overcurrents can be prevented.例文帳に追加

第２基準電圧ＶＲ２よりも出力電圧ＶＯが大きい場合に誤差増幅器ＡＭＰの出力電圧ＶＧを、逆の場合に分電圧ＶＧ１を出力ＭＯＳトランジスタＭＰのゲートに供給することで、出力ＭＯＳトランジスタの過電流による破壊を防止する。 - 特許庁

In this regulator 25 which is provided with an FET 50, resistances 51 and 52, a differential amplifier 53, and a DC voltage source 54, a means for allowing a gate voltage VG to fluctuate according as a power supply voltage VCC to be added to an input terminal (a) fluctuates is arranged between the input terminal (a) and a gate terminal (G) of the FET 50.例文帳に追加

本発明に係るレギュレータ２５はＦＥＴ５０、抵抗５１、５２、差動増幅器５３、及び直流電圧源５４を有するレギュレータにおいて、入力端子ａとＦＥＴ５０のゲート端子（Ｇ）との間に、入力端子ａに加わる電源電圧Ｖ__CCの変動に応じてゲート電圧Ｖ_Gを変動させる手段を設けている。 - 特許庁

The protecting circuit 51 uses two MOSFET 33 and 40, with which gate threshold voltages are respectively different and the same load current correspondent voltage VC outputted from the load current detecting circuit 50 is impressed to gates, as switches for protection for changing the gate voltage VG of the power switch element 2 on two stages.例文帳に追加

上記の保護回路５１は、ゲートしきい値電圧が各々異なり負荷電流検出回路５０から出力される同一の負荷電流対応電圧Ｖ_Cがゲートに加えられる２つのＭＯＳＦＥＴ３３，４０を、パワースイッチ素子２のゲート電圧Ｖ__Gを２段階に変化させる保護用スイッチとして用いる。 - 特許庁

The circuit operates a gate potential correction of decreasing a gate potential Vg of a driving transistor Tr by inputting a voltage change in a scan line WSL1 from a voltage Von1 to a voltage Voff1 to a gate of the drive transistor Tr2 via the threshold-correction auxiliary transistor Tr3 and a threshold-correction auxiliary capacitor C2.例文帳に追加

走査線ＷＳＬ１における電圧Ｖon１から電圧Ｖoff１への電圧変化を、閾値補正補助トランジスタＴｒ３および閾値補正補助容量素子Ｃ２を介して駆動トランジスタＴｒ２のゲートへ入力させ、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電位Ｖｇを下げるゲート電位補正動作を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding the occurrence of an undesirable hump phenomenon by a response of drain current Id by gate voltage Vg by a parasitic transistor to be generated in an edge portion of an active region adjacent to an interface between an isolation region and the active region.例文帳に追加

素子分離領域と活性領域との界面に隣接した活性領域のエッジ部分に生じる寄生トランジスタによって、ゲート電圧Ｖｇによるドレイン電流Ｉｄの応答で好ましくないハンプ現象の発生を回避することができる半導体素子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The impression voltages Vx, Vy is changed by the change of the gate voltage Vg changed by the variable power sources 24, 25, and the value of a scanning voltage flowing through scanning electrodes is changed, by impressing the impression voltages Vx, Vy on the scanning electrodes of of the plasma display panel.例文帳に追加

可変電源２４，２５によるゲート電圧Ｖｇの変化で印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙの値を変化させるとともに、印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙがプラズマディスプレイパネルの走査電極に印加することにより走査電極に流れる走査電流の値を印加用電圧Ｖｘ，Ｖｙの変化で変化させる。 - 特許庁

The active matrix circuit is constituted to add a high-frequency signal to a state selection signal Vg for changing each TFT to either of the active state or the nonactive state, and to impress a high-frequency component added to the state selection signal input into each TFT, to each colored particle.例文帳に追加

このアクティブマトリクス回路は、各ＴＦＴをアクティブ状態と非アクティブ状態のいずれかに変化させる状態選択信号Ｖｇに高周波信号が付加され、かつ、各ＴＦＴに入力された状態選択信号に付加された高周波成分が各着色粒子に印加されるように、構成されている。 - 特許庁

The printer is so constituted that when a last page (P-th page) of a printing material represented by received printing data is to be printed only on a portion upper than a boundary designated by a coordinate value VG, contents of the P-th page and the (P-1)-th page are contracted to be printed in one page.例文帳に追加

印刷装置を、受信した印刷データが表している印刷物の最終ページ（第Ｐページ）が、座標値Ｖ_Gで指定される境界よりも上方にのみ描画が行われるものものであった場合、第Ｐページ及び第Ｐ−１ページの内容を、縮小して１ページに収めて印刷するように構成する。 - 特許庁

The peak value Vp, i.e., a signal value after being amplified and threshold levels Ref1, Ref2 are compared with each other to generate an amplification factor switching signal Vg based on the compared result and then the amplification factor of the SOS sensor 54 is switched to an optimum one.例文帳に追加

コンパレータ７４、７６によって、このピーク値Ｖｐ、すなわち増幅後の信号値と、閾値レベルRｅｆ１、Rｅｆ２とを比較し、増幅率切替信号生成回路６６によって、当該比較結果に基づいて、増幅率切替信号Ｖｇを生成し、ＳＯＳセンサ５４の増幅率を最適な増幅率に切替える。 - 特許庁

A drive controlling transistor T5 is inserted between the driver transistor T4 for applying a drive current corresponding to a gate potential Vg from a power supply PVdd to an organic electroluminescence element EL and the organic electroluminescence element EL and a short-circuiting transistor T3 is provided which controls whether or not the driver transistor T4 is to be diode-connected.例文帳に追加

ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流を電源ＰＶｄｄから有機ＥＬ素子ＥＬに流す駆動トランジスタＴ４と前記有機ＥＬ素子の間に駆動制御トランジスタＴ５を挿入配置するとともに、駆動トランジスタＴ４をダイオード接続するかを制御する短絡トランジスタＴ３を設ける。 - 特許庁

In the oil-containing bushing 3, the bushing is impregnated with a lubricant having a dynamic viscosity of ISO-VG grade 46-460, the number of an effluent component measured by the GPC method of 1, the number average molecular weight of 800-2,300 and a ratio of a mass average molecular weight and the number average molecular weight of 1.0-1.2.例文帳に追加

含油ブシュ３は、ＩＳＯ−ＶＧグレード４６〜４６０の動粘度を有し、ＧＰＣ法により得られる溶出成分の数が１で、数平均分子量が８００以上２３００以下であり、質量平均分子量と前記数平均分子量との比が１．０以上１．２以下である潤滑油をブシュに含浸させてなる。 - 特許庁

This MOS transistor model is a BISM3 model, wherein a resistor 10 having an invariant resistance value is connected to an MOS transistor model MT at the drain side thereof, to whose resistor 10 a variable resistor 20 having a resistance value which changes depending on the gate potential VG and the drain potential VD is further connected in series.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタモデルは、ドレイン側に、不変抵抗値を有する抵抗１０がＭＯＳトランジスタモデルＭＴに接続されたＢＩＳＭ３モデルに、さらにゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤに依存して抵抗値が変化する可変抵抗２０を抵抗１０に直列に接続したものである。 - 特許庁

When the selection period ends and returns to the non-selection period, the circuit part 22 changes over at least one electrode K of the two to a prescribed potential higher than the anode potential to raise the surface potential VG of the substrate 4 up to the level between the anode potential and the prescribed potential, and accelerates the rise of the discharge in the next selection period.例文帳に追加

回路部２２は選択期間が終って非選択期間に戻る時二本のうち少くとも一本の電極Ｋをアノード電位より高い所定電位に切り換えて基材４の表面電位ＶＧをアノード電位と所定電位の間まで高め、次の選択期間における放電の立上りを加速する。 - 特許庁

As a gate and a drain of the driving transistor Tr15 is short circuited by a switch transistor Tr13, the voltage of the terminal of the driving transistor Tr15 side of the hold capacitance C11, that is, a gate voltage of the driving transistor Tr15 side is Vg(Iref) which corresponds to the reference current Iref.例文帳に追加

スイッチトランジスタＴｒ１３によって駆動トランジスタＴｒ１５のゲート・ドレイン間は短絡されているので、保持容量Ｃ１１の駆動トランジスタＴｒ１５側の端子の電圧、すなわち駆動トランジスタＴｒ１５のゲート電圧は基準電流Ｉｒｅｆに相当する電圧であるＶｇ（Ｉｒｅｆ）になる。 - 特許庁

By configuring such that the phase distortion from the increase of the input signal power S1 and a phase change from the change of the gate voltage Vg is offset, the phase difference between input and output (θ2-θ1) is to be in linear direction, resulting in the improvement of the phase distortion from the increase of the input signal power S1.例文帳に追加

入力信号電力Ｓ１の増加に伴う位相歪とゲート電圧Ｖｇの変化に伴う位相変化が相殺されるように構成することにより、入出力の位相差（θ２−θ１）が線形の方向となるので、入力信号電力Ｓ１の増加に伴う位相歪が改善される。 - 特許庁

In doing so, we appreciate the Principles for Responsible Agricultural Investment (PRAI) elaborated by the World Bank, FAO, IFAD and UNCTAD, support the ongoing extensive consultations on these principles, and welcomed the approval of the Voluntary Guidelines for the Responsible Governance of Tenure of Land, Fisheries and Forests (VG).例文帳に追加

そのため，我々は，世界銀行，ＦＡＯ，ＩＦＡＤ，及びＵＮＣＴＡＤによって作成された責任ある農業投資原則（ＰＲＡＩ）を評価し，それらの原則に関する現在進行中の広範囲の協議を支援し，土地保有，漁業及び森林の責任あるガバナンスのための任意ガイドライン（ＶＧ）の承認を歓迎した。 - 経済産業省

For example, a gate bias circuit is provided for setting the change of the gate voltage Vg supplied to a control terminal corresponding to Vapc to be great in the area lower than the threshold voltage Vth of the respective MOSFET, to be small near the Vth and to be a gate voltage, with which desired characteristics can be provided, in the area of the high voltage from the area close to the Vth.例文帳に追加

例えば、Ｖapc に対する制御端子に供給されるゲート電圧Ｖg の変化を、ゲート電圧Ｖg が各ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖthより低い領域では大きく、Ｖth近傍では小さく、更にＶth近傍からＶapc 電圧の高い領域では、所望の特性が得られるゲート電圧になるように設定するゲートバイアス回路が設けられている。 - 特許庁

A DC/DC converter modulates the frequency of an on-off control signal VRC obtained by rectifying an AC input voltage VAC from a commercial AC power supply 1 by rectifying diodes 16, 17 for causing the frequency components of the on-off control signal VG to disperse in a fixed range.例文帳に追加

本発明によるＤＣ−ＤＣコンバータでは、商用交流電源１からの交流入力電圧Ｖ_ACを各整流ダイオード１６、１７で整流して得られる脈流電圧Ｖ__RCに応じて制御回路９から出力されるオン・オフ制御信号Ｖ_Gの周波数を変調し、オン・オフ制御信号Ｖ_Gの周波数成分を一定の範囲に分散させる。 - 特許庁

The method comprises steps of synchronizing the frequency of the generator 1 with that of the power grid 2, and regulating the voltage of the generator 1 towards the voltage of the power grid 2, thus connecting the generator 1 to the grid 2 when the voltage of the generator 1 reaches a first voltage V_1 lower than the power grid voltage Vg.例文帳に追加

本方法は、発電機１の周波数を配電網２の周波数と同期させる工程と、発電機１の電圧を配電網２の電圧に合わせて調整する工程と、発電機１の電圧が配電網の電圧Ｖ_g よりも低い第１の電圧値Ｖ_1 に達した時に、発電機１を配電網２と接続する工程とを有する。 - 特許庁

A phase control circuit formed of a rectifier circuit 21, a comparator 22 and a timing circuit 23 controls the phase of a gate pulse (controlling pulse) Vg controlling on/off operation of an auxiliary horizontal output FET (second switching element) 18 to adjust the off-timing of FET 18 to control the peak value of the pulse Vdr generated at FET 18 to be constant.例文帳に追加

整流回路２１,比較器２２,タイミング回路２３より構成される位相制御回路は、補助水平出力ＦＥＴ(第２のスイッチング素子)１８のオンオフ動作を制御するゲートパルス(制御パルス)Ｖgの位相を制御し、ＦＥＴ１８のオフタイミングを調整することにより、ＦＥＴ１８に発生するパルスＶdrの波高値が一定になる様に制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor that uses an oxide semiconductor, having improved production efficiency by improving the semiconductor characteristics (including mobility, on/off and Vg(ON)) of the oxide semiconductor and reducing the variation; and to provide a semiconductor element that uses the oxide semiconductor, and to provide a thin-film transistor.例文帳に追加

本発明の目的は、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体の、半導体特性（移動度、ｏｎ／ｏｆｆ、Ｖｇ（ＯＮ））を向上させ、ばらつきを低減させて、生産効率が向上した製造方法を提供することであり、また、この酸化物半導体を用いた半導体素子、薄膜トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

The print head is equipped with m sets of the driver equipment 1 performing a drive-controlling against a resistor to be a heater with a power supply voltage VDD being given to the equipment and a regulator 2 by which a power supply voltage VH, which is higher than the voltage VDD, is transformed to a voltage VG, which is supplied to each driver equipment 1.例文帳に追加

本発明プリントヘッドは、電源電圧ＶＤＤが与えられるとともにヒータとなる抵抗体の駆動制御を行うｍ個のドライバ装置１と、電源電圧ＶＤＤより高電圧となる電源電圧ＶＨが供給されるとともに電源電圧ＶＨを電圧ＶＧに変圧して各ドライバ装置１に供給するレギュレータ２と、を備える。 - 特許庁

An output voltage VG of an error amplifier AMP for amplifying a difference voltage between a first reference voltage VR1 and a voltage VM and a partial voltage VG1 to such extents that an output MOS transistor MP is not completely turned off are switched by a switch to be controlled by an output from a comparator CP which compares a second reference voltage VR2 with an output voltage VO.例文帳に追加

第1基準電圧ＶＲ１と電圧ＶＭとの差電圧を増幅する誤差増幅器ＡＭＰの出力電圧ＶＧと出力ＭＯＳトランジスタＭＰを完全にＯＦＦさせない程度の分電圧ＶＧ１とを、第２基準電圧ＶＲ２と出力電圧ＶＯとを比較する比較器ＣＰからの出力により制御されたスイッチにより切替える。 - 特許庁

Effective center voltage of the BP bias is approximately -417 V, potential difference Vb between the effective center voltage value and peak voltage in the direction flying to the photoreceptor drum is 883 V, potential difference Vb between peak voltage in the direction of returning to the developing sleeve is 817 V, the Vg is made greater than Vb and more toner is oscillated localized to the photoreceptor drum side.例文帳に追加

ＢＰバイアスの実効的な中心電圧は約−４１７Ｖで、実効中心電圧値と、感光ドラム飛翔方向のピーク電圧間の電位差Ｖｇは８８３Ｖ、現像スリーブ戻し方向のピーク電圧間の電位差Ｖｂは８１７Ｖで、ＶｂよりもＶｇが大となって、トナーが多く感光ドラム側に偏って振動する。 - 特許庁

Consequently, the gate potential Vg of the driving transistor 22 rises up to the signal voltage Vsig earlier than when an input signal voltage Vsig is directly written, and the writing of the input signal voltage Vsig can instantaneously be completed, so the mobility correction can be made in the state wherein the writing of the input signal voltage Vsig is completed.例文帳に追加

これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが入力信号電圧Ｖｓｉｇを直接書き込む場合よりも早く信号電圧Ｖｓｉｇまで立ち上がり、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みを瞬時に完了させることができるために、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みが完了した状態で移動度補正を行うことができる。 - 特許庁

The amplifier circuit includes: an amplification section (50) for amplifying a first signal to generate a second signal (Vo), and a characteristic correction section (20) for generating the first signal by performing or without performing frequency characteristic processing to all or a part of input signals (Vg) based on a state variable (VxTyp) that varies according to the state of the amplification section.例文帳に追加

増幅回路は、第１信号を増幅して第２信号（Vo）を生成する増幅部（５０）と、当該増幅部の状態に応じて変動する状態変数（VxTyp）に基づいて、その入力信号（Vｇ）の全部又は一部に対し周波数特性処理を施し又は施さないで、前記第１信号を生成する特性補正部（２０）と、を備える。 - 特許庁