「VG」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Based on a gain being controlled by a gain control signal VG, reference voltages Vref1 and Vref2 are converted by a voltage conversion circuit 1A into differential output voltages Vd1 and Vd2 being inputted to an active impedance bridge 2.例文帳に追加

電圧変換回路１Ａにより、基準電圧Ｖｒｅｆ１、Ｖｒｅｆ２は、利得制御信号ＶＧにより制御される利得に基づいて、差動出力電圧Ｖｄ１、Ｖｄ２に変換され、アクティブインピーダンスブリッジ２へ入力される。 - 特許庁

In the charge injections, a positive voltage Vd is applied to the drain region 8d with the reference of the voltage Vs of the source region 8s and the voltage Vg of a polarity, according to a charge to be injected, is applied to the gate electrode 4.例文帳に追加

これらの電荷の注入時に、ソース領域８ｓの電圧Ｖｓを基準にドレイン領域８ｄに正の電圧Ｖｄを印加し、注入しようとする電荷に応じた極性の電圧Ｖｇをゲート電極４に印加する。 - 特許庁

The transistor Q2 makes a current fed from a DC power supply 11 flow to a gate resistor Rg as a collector current Ic, raises a gate voltage VG, and limits the output current Iout by using a limit current value Ilim.例文帳に追加

トランジスタＱ２は、直流電源１１から供給される電流をコレクタ電流Ｉｃとしてゲート抵抗Ｒｇに流し、ゲート電圧ＶＧを上昇させ、出力電流Ｉｏｕｔを制限電流値Ｉｌｉｍで制限する。 - 特許庁

In a threshold voltage modulating system MOS type image sensor, a voltage generating circuit 71 applies a prescribed gate voltage VG and a prescribed drain voltage VD respectively to a gate 14 and the drain 16 of an optical signal detection MOS transistor 112.例文帳に追加

この閾値電圧変調方式ＭＯＳ型イメージサンサは、電圧発生回路７１は、光信号検出用ＭＯＳトランジスタ１１２のゲート１４とドレイン１６に、それぞれ、所定のゲート電圧ＶＧとドレイン電圧ＶＤを印加する。 - 特許庁

The computer 1 acts like a video image reproduction means for reproducing video image data VGD and also like an instruction means for giving an instruction of displaying the video image VG on a screen 21 of the monitor 20 in full-screen indication.例文帳に追加

コンピュータ１は、ビデオ画像データＶＧＤを再生するビデオ画像再生手段として機能すると共に、モニタ装置２０の画面２１にフルスクリーン表示でビデオ画像ＶＧを表示するように指示する指示手段として機能する。 - 特許庁

In the partial mode, when an interval where a scanning signal reaches a level H becomes long, a control signal Vg-c is set to the level H in mid-course, TFTs 175 and 176 are turned on, and the gate voltages of the TFTs 173 and 174 are replenished.例文帳に追加

部分モードにおいて走査信号がＨレベルとなる間隔が長くなる場合に、その途中で制御信号Ｖg-cをＨレベルとし、ＴＦＴ１７５、１７６をオンさせて、ＴＦＴ１７３、１７４のゲート電圧を補充する。 - 特許庁

When a void exists, a voltage (Vg) applied to the void is changed following application (Vapp) of an alternating voltage as shown in Fig 1, and when the voltage reaches a partial discharge generation voltage (Vpd), a partial discharge is generated.例文帳に追加

空隙が存在する場合、図１に示す様に交流電圧の課電（Ｖａｐｐ）に従い、空隙に加わる電圧（Ｖｇ）が変化し、当該電圧が部分放電発生電圧（Ｖｐｄ）に到達した場合に部分放電が発生する。 - 特許庁

In the operational amplifier 34, an element with the characteristic features of decreasing an output voltage from the voltage follower or a gate voltage Vg, when an input signal power S1 added to the gate increases resulting in an increase of a gate current Ig.例文帳に追加

演算増幅器３４は、ゲートに加えられる入力信号電力Ｓ１が増加して、ゲート電流Ｉｇが増加したとき、ボルテージフォロワの出力電圧、すなわちゲート電圧Ｖｇが低下する特性の素子が選択されている。 - 特許庁

Before scanning lines of negative-polarity writing is selected, respective data lines are precharged to a black corresponding voltage Vb- in the former half of a precharging period wherein the respective data lines are precharged and then precharged to a gray corresponding voltage Vg- in the following latter half.例文帳に追加

負極性書込の走査線を選択する前に、各データ線をプリチャージするプリチャージ期間のうち、前半期間に各データ線を黒色相当電圧Ｖb−にプリチャージし、続く後半期間に灰色相当電圧Ｖg−にプリチャージする。 - 特許庁

Each characteristic control potential V[j] is set for each unit circuit U so that the gradation of the electro-optical element E is uniformized over the plurality of unit circuits when the potential VG of each drive transistor TDR is set to a prescribed potential.例文帳に追加

各特性制御電位Ｖ[j]は、各駆動トランジスタＴDRの電位ＶGを所定値に設定したときの電気光学素子Ｅの階調が複数の単位回路Ｕにわたって均一化されるように単位回路Ｕ毎に設定される。 - 特許庁

A level shift circuit 170 includes a current source 171 and a resistor 172, generates a predetermined voltage VD, and shifts a level of a voltage difference Vg between an input and an output of the feedback capacitance C2 so as to increase by the voltage VD.例文帳に追加

レベルシフト回路１７０は、電流源１７１と抵抗１７２とにより所定電圧ＶＤを発生させ、帰還容量Ｃ２の入出力間電位差Ｖｇを、電圧レベルがＶＤだけ上昇するようにレベルシフトさせる。 - 特許庁

A reference power supply of an analog signal having positive and negative polarities divides a single supply voltage Vdd at a partial pressure circuit of resistances R1, R2, and generates a virtual ground (VG) voltage by making the partial pressure voltage pass in a voltage follower circuit VF.例文帳に追加

正負極性をもつアナログ信号の基準電源は、単一電源電圧Ｖｄｄを抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧回路で分圧し、この分圧電圧をボルテージフォロア回路ＶＦを通して仮想的なグランド（ＶＧ）電圧を発生する。 - 特許庁

An output voltage of a dry cell power source BAT is divided by resistors to give a gate voltage Vg and a variable DC voltage feeder 10 including a DC stabilized power source 4 gives a drain voltage Vd.例文帳に追加

ゲート電圧Ｖｇについては乾電池電源ＢＡＴの出力電圧を抵抗分割して与え、ドレイン電圧Ｖｄについては、直流安定化電源４を含む可変直流電圧供給装置１０から与える。 - 特許庁

In addition, a second MOS transistor M2 is provided with a gate receiving a control signal Vg for controlling the transformer conductor, a source connected to the drain of the first MOS transistor M1 and a drain outputting an output signal Vout.例文帳に追加

また、ゲートにトランスコンダクタを制御する制御信号Ｖｇが入力され、ソースが第１のＭＯＳトランジスタＭ１のドレインと接続され、ドレインから出力信号Ｖｏｕｔが取り出される第２のＭＯＳトランジスタＭ２を設ける。 - 特許庁

Data pulse (Vk) applying timing is set so that a wave form which is turned on from the middle to the last of a scanning pulse (Vg) and the wave form which is turned on from the beginning to the middle of the scanning pulse, may be repeated for each one horizontal scanning period.例文帳に追加

データパルス（Ｖｋ）の印加タイミングを、スキャンパルス（Ｖｇ）の途中から最後までを点灯期間とする波形と、スキャンパルスの最初から途中までを点灯期間とする波形とを１水平走査期間毎に繰返すように設定する。 - 特許庁

Therefore, when an operating voltage VDD of the microcomputer and a low voltage detecting circuit is decreased to a voltage between the threshold values Vm and Vg, the malfunction of the memory 12 is operated, and the comparator 13 outputs an unmatch signal 500 for resetting the microcomputer.例文帳に追加

従って、マイクロコンピュータと低電圧検出回路の動作電圧ＶＤＤが低下して、Ｖｍ−Ｖｇの間に入るとメモリ１２が誤動作するため、コンパレータ１３は不一致信号５００を出力してマイクロコンピュータをリセットする。 - 特許庁

After an electron is injected from a semiconductor substrate SUB of a memory cell to a floating gate FG to execute data writing, a gate voltage VG is set to -3V, and a source voltage VS, a drain voltage VD and a substrate voltage VWELL are set to 0V.例文帳に追加

メモリセルの半導体基板ＳＵＢからフローティングゲートＦＧに電子を注入してデータ書込を実行した後、ゲート電圧ＶＧを−３Ｖ、ソース電圧ＶＳとドレイン電圧ＶＤと基板電圧ＶＷＥＬＬを０Ｖにする。 - 特許庁

The imaging device has a control device for maintaining the width and/or interval of the imaging region on the ground constant by making the time (in cases of (b) and (c)) and the intervals (in cases of (a) and (c)) of the exposure variable according to the absolute speed vg.例文帳に追加

露光時間（（ｂ）（ｃ）の場合）および／または露光間隔（（ａ）（ｃ）の場合）を対地速度ｖ_gに応じて可変とすることで、地上の撮像領域の幅および／または間隔を一定に維持する制御装置を備える。 - 特許庁

To provide Shochu much containing 4-vinyl guaiacol (abbr. 4-VG) or vanillin, capable of converted to flavor-preferable Shochu having sweet smell and mature feeling due to much vanillin content, and to provide a method for producing the Shochu.例文帳に追加

バニリンを高含有することにより、甘い芳香や熟成感のある香味良好な焼酎とすることができる、４−ビニルグアヤコール（４−ＶＧと略記）、又はバニリンを高含有する焼酎、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A control terminal G is included to be coupled to gate voltage means adapted to provide a control voltage Vg, which controls the flow of carriers e flowing from a first main terminal S into a second main terminal D1.例文帳に追加

制御端子（Ｇ）は、第１の主端子（Ｓ）から第２の主端子（Ｄ１）に流れるキャリア（ｅ）の流れを制御する制御電圧（Ｖｇ）を供給するように構成されたゲート電圧手段に結合されるように含まれている。 - 特許庁

A microwave sensor 1 quadrature-detects a reception signal vr by using a phase difference between a transmission signal vt and the reception signal vr obtained as a result of its being reflected by the living thing 22, thereby outputting quadrature detection output signals (signals vi and vg).例文帳に追加

マイクロ波センサ１は、送信信号vtと、生物２２により反射された結果得られる受信信号vrとの位相差を利用して受信信号vrを直交検波することで、直交検波出力信号（信号vi,vq）を出力する。 - 特許庁

A half wavelength voltage Vr of R is applied to the individual electrode and the voltage being applied to the common electrode is varied among 0V, Vr-Vg and Vr-Vb, corresponding to three prime colors, in synchronism with the switching timing of three prime color lights.例文帳に追加

個別電極にはＲの半波長電圧Ｖｒを印加すると共に、三原色の光の切換えタイミングに同期して、共通電極に印加する電圧を三原色の各光に対応した０Ｖ，Ｖｒ−Ｖｇ，Ｖｒ−Ｖｂに変化させる。 - 特許庁

This voltage drop detection circuit is constituted so that an N channel transistor 5 which outputs a detection signal indicating the drop of the power source voltage Vcc from an output terminal 6 when control voltage Vg supplied from a control voltage supply circuit 2 becomes less than a threshold Vth is provided.例文帳に追加

制御電圧供給回路２から供給された制御電圧Ｖｇが閾値Ｖｔｈを下回ると、出力端子６から電源電圧Ｖｃｃの低下を示す検出信号を出力するＮチャネルトランジスタ５を設けるように構成した。 - 特許庁

As a GaAs FET 21 of the transmission amplifier 20, the one of a type for applying positive voltage to gate voltage Vg is used, a source is grounded, and "DC+4V" to be output from a first power supply part 22 is supplied to a drain via a low-pass filter 24.例文帳に追加

送信増幅器２０のGaAsＦＥＴ２１としてゲート電圧Ｖｇに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第１電源部２２から出力される「ＤＣ＋４Ｖ」をローパスフィルタ２４を介して供給する。 - 特許庁

The control unit 13 that receives the control command controls a gate voltage VG of the charging MOS transistor 4, so as to cause the charge current ICHG of the charge current value selected by the CPU12 to flow in the charging MOS transistor 4.例文帳に追加

前記制御命令を受けた制御ユニット１３は、充電用ＭＯＳトランジスタ４に、ＣＰＵ１２によって選択された充電電流値の充電電流ＩＣＨＧが流れるように、充電用ＭＯＳトランジスタ４のゲート電圧ＶＧを制御する。 - 特許庁

When an active matrix type liquid crystal panel P is driven, a picture is displayed by applying a gate voltage Vg to the gate electrode 5a of a TFT 5 for every frame and also by applying a write voltage +VD or -VD to the source electrode 5b of the FTF 5.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶パネルＰを駆動する場合、各フレーム毎にＴＦＴ５のゲート電極５ａにゲート電圧Ｖ_g を印加すると共にソース電極５ｂに書き込み電圧＋Ｖ_D 又は−Ｖ_D を印加して画像表示を行う。 - 特許庁

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product.例文帳に追加

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。 - 特許庁

The signal SN and the gain VG are given to a gain setting part 35, a setting gain AG according to each of the voice and non-voice sections is set, and the gain AG is given to the part 35 as a control signal, with respect to a variable gain amplifier 10.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ信号ＳＮと計算利得ＶＧは、利得設定部３５に与えられ、音声区間と非音声区間のそれぞれに対応する設定利得ＡＧが設定され、可変利得増幅器１０に対する制御信号として与えられる。 - 特許庁

A pulse signal is delivered from the positive output of a pulse signal source 7 to the gate of a switching element 1 through an inductor 6 and a gate resistor 8, and the negative output of the pulse signal source 7 is connected with a reference potential VG.例文帳に追加

スイッチング素子１のゲートには、インダクタ６およびゲート抵抗８を介してパルス信号源７の正出力からパルス信号が与えられる構成となっており、パルス信号源７の負出力は、基準電位ＶＧに接続されている。 - 特許庁

The bias circuit of FETs (or bipolar transistors) Q_1 and Q_2 comprises: a notch filter composed of two inductors of an inductance L and a one-terminal grounded capacitor of capacitance 2C; and a one-side power feeding circuit from a bias power supply VG, etc.例文帳に追加

ＦＥＴ（或いはバイポーラトランジスタ）Ｑ１及びＱ２のバイアス回路を、インダクタンスＬの２個のインダクタ及び静電容量２Ｃの一端接地コンデンサにより構成されるノッチフィルタと、バイアス電源ＶＧ等からの片側給電回路により構成する。 - 特許庁

When a voltage VG rises with a rotation rise of the power generator 1 and reaches a prescribed voltage V1, gate control over the thyristor rectifier 5 is started and exciting current supply is started from a power generator 1, and the isolator 12 is opened.例文帳に追加

発電機１の回転上昇にともないその電圧ＶＧが上昇し所定の電圧Ｖ１に達すると、サイリスタ整流器５のゲート制御を開始して発電機１側から励磁電流の供給を開始し、断路器１２を開とする。 - 特許庁

In addition, since outputted current of the voltage controlled current source 13 is not operated in the emitting direction (the direction to raise the integrator output Vg), the voltage controlled current source 13 is operated as the integrator when the detected output Vd is higher than the inputted reference potential Vr.例文帳に追加

また、電圧制御電流源13の出力電流は、吐き出し方向（積分器出力Ｖ_gを上昇させる方向）には動作しないので、検波出力Ｖ_dが入力基準電位Ｖ_rより高い場合は積分器として動作する。 - 特許庁

As a result, since the increase in the loop gain of the closed loop formed by the acoustic side feedback path H_AC and the line side feedback path H_LIN is suppressed, even if the amplification factor of the received signal amplifier VG is increased, the occurrence of howling can be prevented.例文帳に追加

その結果、受話信号増幅器ＶＧの増幅度を増大しても音響側帰還経路Ｈ_AC並びに回線側帰還経路Ｈ_LINにより形成される閉ループの一巡利得の増加が抑制されるので、ハウリングの発生を防止することができる。 - 特許庁

Each pixel circuit P includes a capacitive element C including an electrode e1 and an electrode e2, a drive transistor TDR for generating a drive current IDR according to the potential VG of a gate connected to the electrode e1, and a light emitting element E for receiving a drive current IDR to emit light.例文帳に追加

各画素回路Ｐは、電極ｅ1および電極ｅ2を含む容量素子Ｃと、電極ｅ1に接続されたゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する駆動トランジスタＴDRと、駆動電流ＩDRの供給で発光する発光素子Ｅとを含む。 - 特許庁

Then a deterioration rate ΔIdlin/Idlin of the linear drain current is obtained from the Idlin1 and Idlin2, and a deterioration rate ΔIdsat/Idsat of the saturation drain current is obtained from the Isat1 and Isat2 to calculate the threshold voltage shift ΔVt from ΔVt=-(ΔIdsat/Idsat-ΔIdlin/Idlin)×(Vg-Vt ).例文帳に追加

次に、Ｉdlin１及びＩdlin２から線形ドレイン電流の劣化率ΔＩdlin／Ｉdlinを求め、Ｉdsat１及びＩdsat２から飽和ドレイン電流の劣化率ΔＩdsat／Ｉdsatを求め、ΔＶｔ＝−（ΔIdsat／Idsat−ΔIdlin／Idlin）×（Ｖｇ−Ｖｔ）に従ってしきい値電圧シフトΔＶｔを算出する。 - 特許庁

When signals output from the regions (a) to (h) of the optical detector 11 are defined as Va to Vh, respectively, an optical axis direction position error signal FE representing positional deviation of the light condensing spot to the beam guide layer in the optical axis direction is formed according to FE=(Va+Vc+Ve+Vg)-(Vb+Vd+Vf+Vh).例文帳に追加

光検出器１１の領域ａ〜ｈから出力される信号をそれぞれＶａ〜Ｖｈとして、集光スポットのビームガイド層に対する光軸方向の位置ずれを表す光軸方向位置誤差信号ＦＥを、 ＦＥ＝（Ｖａ＋Ｖｃ＋Ｖｅ＋Ｖｇ）−（Ｖｂ＋Ｖｄ＋Ｖｆ＋Ｖｈ）に従って生成する。 - 特許庁

An FET switching control circuit 7 turns on and off the switching elements 6a and 6b periodically so that one switching element is turned on for a period of driving mode wherein the gate voltage Vg from a power-ON/OFF control circuit 5 is turned on.例文帳に追加

ＦＥＴ切替制御回路７は、電源ＯＮ／ＯＦＦ制御回路５からのゲート電圧ＶｇがＯＮしている駆動モードの期間中は、いずれかのスイッチング素子が通電状態となるように複数のスイッチング素子６ａ，６ｂの通電，非通電を周期的に切り替える。 - 特許庁

To provide a heat insulating device for an actuator of a VG turbocharger of reduced cost and improved reliability by avoiding stress concentration and improving anti-vibration strength through reduction of the rigidity of a section where stress is high and facilitation of deformation.例文帳に追加

応力の高くなる部分の剛性を下げて、変形を容易にすることで、応力集中を避け耐振強度を向上させることにより、コスト低減及び信頼性の向上を図ったＶＧターボのアクチュエータの断熱装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the voltage VG of the power generator 1 reaches V1, a resistance value of the resistor 11 is set so that the exciting current is supplied from the power generator 1 but not supplied from the DC power supply line 9 and the current flowing in the isolator 12 becomes almost zero.例文帳に追加

なお、発電機１の電圧ＶＧがＶ１に達したとき、発電機１側から励磁電流が供給され、直流電源線９側からは供給されず断路器１２を流れる電流がほぼ零になるように、抵抗器１１の抵抗値が設定されている。 - 特許庁

In the partial mode, when an interval where a scanning signal reaches a level H becomes long, a control signal Vg-c is set to the level H in mid-course, a TFT 175 is turned on, and the potential of the common electrode 108 is settled as a common signal Vc of a signal line 167.例文帳に追加

部分モードにおいて走査信号がＨレベルとなる間隔が長くなる場合に、その途中で制御信号Ｖg-cをＨレベルとし、ＴＦＴ１７５をオンさせて、コモン電極１０８の電位を信号線１６７のコモン信号Ｖcに確定させる。 - 特許庁

In the case that levels of read outputs of R, G, B channels of photo sensors while keeping R-LED, G-LED, B-LED lighted are in the order of Vb>Vr>Vg, a ratio of lighting time of the LEDs is in the order of DG> DR>DB.例文帳に追加

Ｒ−ＬＥＤ、Ｇ−ＬＥＤ、Ｂ−ＬＥＤを点灯させたままの状態で光センサのＲ、Ｇ、Ｂの各チャンネルにより読み取った出力が、Ｖｂ＞Ｖｒ＞Ｖｇの順であるならば、ＬＥＤが点灯する時間の割合は、ＤＧ＞ＤＲ＞ＤＢとなる。 - 特許庁

Then, the target value -Vgt of a grid bias voltage -Vg of a charging unit 24, which is necessary for maintaining a charged electric potential -Vod of the developing position on the photoreceptor drum 20 at a set value -Vods, is detected from the detected dark attenuation characteristics.例文帳に追加

そして、感光体ドラム２０における現像位置の帯電電位−Ｖｏｄを、設定値−Ｖｏｄｓに維持するのに必要な、帯電ユニット２４のグリッドバイアス電圧−Ｖｇの目標値−Ｖｇｔが、上記検出された暗減衰特性から検出される。 - 特許庁

When the power source is turned on, inputs to the Q10 and Q11 are gradually increased from 0V to the gate drive voltage similar to exponential function, as the voltage VG rises gradually, so that no sudden application of a voltage to the coupling capacitor C2 is performed and pop-up noise is suppressed.例文帳に追加

電源投入時、電圧ＶＧが漸増するのに伴いＱ１０及びＱ１１の入力が０Ｖからゲート駆動電圧まで指数関数的に漸増するため、カップリングコンデンサＣ２に対する突発的な電圧の印加が行われず、ポップノイズが抑制される。 - 特許庁

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment.例文帳に追加

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。 - 特許庁

A delicate difference of the hump generation degree caused by difference in a manufacturing condition of the semiconductor device or the like is universally evaluated in a stage of development by estimating quantitatively the hump generation potential of the Id-Vg characteristic and the degree of the hump generation to shorten a development period.例文帳に追加

Ｉd-Ｖg 特性のハンプ発生電位及びハンプの発生度合いを定量化することで、開発時において、半導体装置の製造条件等の違いによるハンプの発生度合いの微妙な差を普遍的に評価可能となり、開発期間の短縮につながる。 - 特許庁