「VG」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A MOS transistor 101 generates a gate voltage VG corresponding to a reference current Iref from a reference current source REF100.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０１は、基準電流源ＲＥＦ１００からの基準電流Ｉｒｅｆに応じたゲート電圧ＶＧを生成する。 - 特許庁

A gate line Vg4 is electrically insulated from a Vg redundant wiring, while being arranged to form a cross part G point between wirings.例文帳に追加

ゲート線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線は電気的に絶縁され、配線間のクロス部Ｇ点を形成するように配置されている。 - 特許庁

A voltage/current conversion part 103 is a circuit of a low-breakdown voltage system and generates an output current Iout corresponding to the gate voltage VG.例文帳に追加

電圧電流変換部１０３は、低耐圧系の回路であり、ゲート電圧ＶＧに応じた出力電流Ｉｏｕｔを生成する。 - 特許庁

The driver transistor T4 is provided for applying a drive current corresponding to a gate potential Vg from a power supply PVdd to an organic electroluminescence element EL.例文帳に追加

ゲート電位Ｖｇに応じた駆動電流を電源ＰＶｄｄから有機ＥＬ素子ＥＬに流す駆動トランジスタＴ４を設ける。 - 特許庁

A constant current corresponding to the bias voltage VG flows to the MOS transistor M1 and the MOS transistor M1 is driven by this constant current.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１にバイアス電圧Ｖ_Gに対応する定電流が流れ、この定電流によりＭＯＳトランジスタＭ１は駆動される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor panel capable of suppressing shifting of Vg-Id characteristics of the thin film transistor to the minus side.例文帳に追加

薄膜トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制し、且つ、工程数が増加しない製造方法の提供。 - 特許庁

The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT.例文帳に追加

該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。 - 特許庁

The denominator and numerator of the above function are sum currents ICON2 and ICON1 of a drain current and a constant current IK of two transistors M1 and M2 in which the sources are grounded and the gates are commonly connected, a bias voltage VG is applied and a differential input voltage VC is inputted from a back gate.例文帳に追加

前記関数の分母および分子が、それぞれソース接地され、ゲートが共通接続されてバイアス電圧VGが印加され、バックゲートから差動入力電圧VCが入力される２つのトランジスタM1、M2のそれぞれのドレイン電流と定電流IKの和電流ICON２及びICON１によって構成される。 - 特許庁

At the time of performing image transformation including the affine transformation of the respective pixel positions of a source image, in a virtual transformed image VG which is a virtual image after the affine transformation, a shift vector SV is generated for a pixel AP under consideration in the virtual transformed image VG and a shift position SL is obtained first.例文帳に追加

原画像の各画素位置のアフィン変換を含む画像変換を行う際に、アフィン変換後の仮想的な画像である仮想変換後画像ＶＧにおいて、まず、その仮想変換後画像ＶＧ中の注目画素ＡＰに対してシフトベクトルＳＶを発生させてシフト位置ＳＬを求める。 - 特許庁

In a method for erasing information stored in a flash memory element, erasure is performed, in a state in which a ground potential is applied to a source and first voltage Vd is applied to a drain, by a hot hole injecting method in which bias voltage Vg is applied to a gate stepwise from high voltage to low voltage.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法は、ソースに接地電位を印加しドレインに第１電圧(Vd)を印加した状態で、ゲートに高電圧から低電圧に段階的なバイアス電圧(Vg)を印加することによるホットホール注入方法によって消去を行なう。 - 特許庁

In this field sequential liquid crystal display unit having thin-film transistors each serving as the element for driving a pixel, it is so set that VG×ID≥15E-6VA for a specified source voltage, wherein VG is the gate voltage and ID is the drain current of the thin-film transistor.例文帳に追加

各画素の駆動用素子として薄膜トランジスタを有するフィールドシーケンシャル方式液晶表示装置において、一定のソース電圧に対して、前記薄膜トランジスタのゲート電圧ＶＧとドレイン電流ＩＤの積ＶＧ×ＩＤが１５Ｅ−６ＶＡ以上となるようにする。 - 特許庁

The MOS transistor resistor includes a first MOS transistor M1, which is used as a resistor, an input voltage source 1, which is connected to the source of the first MOS transistor and applies an input voltage Vin, and a gate voltage source 6, which is connected to the gate of the first MOS transistor and applies a gate voltage Vg.例文帳に追加

抵抗器として使用される第１ＭＯＳトランジスタＭ１と、第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、入力電圧Vinを印加する入力電圧源１と、第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ゲート電圧Vgを印加するゲート電圧源６とを備えたＭＯＳトランジスタ抵抗器。 - 特許庁

When a talker manually increases the amplification factor of the received signal amplifier VG to increase the received speech volume, the total loss amount calculation section 14 of the voice switch 10 increases the total loss by an amount nearly equal to the increment of the amplification factor of the received signal amplifier VG.例文帳に追加

話者が手動で受話信号増幅器ＶＧの増幅度を増大して受話音量を大きくした場合、音声スイッチ１０の総損失量算出部１４において、受話信号増幅器ＶＧの増幅度の増大分に略等しい量だけ総損失量を増やすようにしている。 - 特許庁

Then, by varying a voltage VG of a variable voltage source 143, the magnitude relation between an output voltage VREF of a voltage source 144 and the voltage VG is controlled so as to vary a ratio of currents supplied from current mirror circuits 138, 139 to a differential circuit 137 respectively.例文帳に追加

そして、可変電圧源１４３の電圧Ｖ_Ｇを可変して、この電圧Ｖ_Ｇと電圧源１４４の出力電圧Ｖ_ＲＥＦとの大小関係を制御することにより、カレントミラー回路１３８，１３９より差動回路１３７にそれぞれ流れる電流の比を可変する。 - 特許庁

In a voltage generating part 11, an internal voltage Vdd is generated and outputted on the basis of the input of a reference voltage Vg, and a reference voltage clamp circuit 12 clamps the reference voltage Vg to a potential, by which the voltage generating part 11 is made inactive, on the basis of the input of a power down signal pd.例文帳に追加

電圧生成部１１は基準電圧Ｖｇの入力に基づいて、内部電圧Ｖddを生成して出力し、基準電圧クランプ回路１２はパワーダウン信号ｐｄの入力に基づいて、基準電圧Ｖｇを前記電圧生成部１１を不活性化する電位にクランプする。 - 特許庁

The decision is based on a quick rise of front G for the time integrated value VG of floor G as compared with offset soft crash.例文帳に追加

この判定は、正突ソフトクラッシュは、オフセットソフトクラッシュに比してフロントＧのフロアＧの時間積分値ＶＧに対する立ち上がりが速いことに基づく。 - 特許庁

Since a transistor M0 always exists and the feedback loop of an operational amplifier OPA1 is never interrupted, output Vg of the OPA1 is kept constant.例文帳に追加

トランジスタＭ０が常に存在し、オペアンプＯＰＡ１のフィードバックループが決して途切れないため、ＯＰＡ１の出力Ｖｇは一定に保たれる。 - 特許庁

It includes a drive pulse generating circuit 30 which receives an ON signal Va and an OFF signal Vg and generates a drive pulse for the main switching element 14.例文帳に追加

ＯＮ信号ＶａとＯＦＦ信号Ｖｇを受けて、主スイッチング素子１４の駆動パルスを生成する駆動パルス発生回路３０を備える。 - 特許庁

In the presence of error-free operation, the secondary side applies a level "high" (Vd) to the cathode of the diode, and in the presence of faulty operation, a level "low" (Vg).例文帳に追加

故障のない稼動時、２次側はダイオードのカソードに「ハイ」レベル（Ｖｄ）を印加し、故障のある稼動時には「ロー」レベル（Ｇｄ）を印加する。 - 特許庁

To improve operation efficiency by optimizing the number of bits for operating memory cells in a row en bloc in one memory cell row of a VG type memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイの１つのメモリセル行に対し、その行内一括して動作させるビット数を最適化して動作効率を高める。 - 特許庁

To provide a comb-teeth type thin-film transistor which does not degrades VG (gate voltage) - ID (drain current) characteristics, even if drain voltage VD is increased.例文帳に追加

櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧ＶＤを上げても、ＶＧ（ゲート電圧）−ＩＤ（ドレイン電流）特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

Conversely, when the DC-side voltage Vp of the inverter 21 is high, the gate voltage Vg is raised to reduce the switching loss of the IGBT.例文帳に追加

他方、インバータ２１の直流側電圧Ｖｐが高い場合には、ゲート電圧Ｖｇを高くして、ＩＧＢＴのスイッチング損失を低減する。 - 特許庁

When the transistor 41 is off, currents flow into the inductor 49 via a diode 48 to maintain a certain output voltage Vg.例文帳に追加

トランジスタ４１がオフ状態のとき、ダイオード４８を介してインダクタ４９に電流が流れ込み、一定の出力電圧Ｖｇが維持される。 - 特許庁

Since it can be made possible to operate by impressing a positive gate voltage Vg, it can be made possible to operate as a FET of a n channel.例文帳に追加

また、正のゲート電圧Ｖｇを印加することで動作させることができるため、ｎチャネルのＦＥＴとして動作させることができる。 - 特許庁

When the TR Qs turns on in each selection period when the voltage Vg 1 is applied to the scanning line, the organic EL element is biased in a forward direction to emit light.例文帳に追加

電圧Ｖｇ１が走査線に印加される各選択期間にトランジスタＱｓがオン状態になると、有機ＥＬ素子は順方向にバイアスされ発光する。 - 特許庁

When the sampling transistor 31 turns off, variation in gate potential Vg of a driving transistor 32 becomes dull because of electric charges accumulated in the auxiliary capacitor 231.例文帳に追加

サンプリング用トランジスタ３１がオフしたとき、補助容量２３１に蓄えられた電荷により、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇの変化が鈍る。 - 特許庁

At image formation where a development unit 24 operates, the value of the grid bias voltage -Vg of the charging unit 24 is set to the detected target value -Vgt.例文帳に追加

現像ユニット２４が動作する画像形成時、帯電ユニット２４のグリッドバイアス電圧−Ｖｇの値が、上記検出された目標値−Ｖｇｔに設定される。 - 特許庁

When the power Vg is of 5-9 V, the power source Vc 12 is supplied with 12 V via the FET 58, the step-up transformer 60, and the FET 62.例文帳に追加

電源Ｖｂが５〜９［Ｖ］のとき、電源Ｖｃ１２にはＦＥＴ５８、昇圧変換器６０およびＦＥＴ６２を介して１２［Ｖ］が供給される。 - 特許庁

Further, the DC offset calculating unit 32 and a DC offset holding unit 33 set a new ground level VG', based upon the detected DC offset component Vos.例文帳に追加

また、ＤＣオフセット算出部３２およびＤＣオフセット保持部３３が、検出されたＤＣオフセット成分Ｖosに基づいて新たな接地レベルＶＧ’を設定する。 - 特許庁

To see to it that the VG (gate voltage)-ID (drain current) property does not deteriorate, even if the drain voltage VD is raised in a comb-toothed film transistor.例文帳に追加

櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧ＶＤを上げても、ＶＧ（ゲート電圧）−ＩＤ（ドレイン電流）特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

By a synergistic effect of them, gate potential Vg of a TFT 214 for drive becomes higher than threshold Vtp to its source potential.例文帳に追加

これらの相乗効果により、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位Ｖｇが、そのソース電位に対して、当該ＴＦＴの閾値Ｖｔｐ以上に高くなる。 - 特許庁

A gate driving section 150 outputs gate signals Vg 1, etc., Vgn in response to the gate control signal HCS and the first and second driving voltages Von and Voff from the second switching section.例文帳に追加

ゲート駆動部150は、ゲート制御信号HCS、第２スイッチング部からの第１及び第２駆動電圧Von,Voffに応答してゲート信号Vg1・・・Vgnを出力する。 - 特許庁

When the potential of the gate terminal Vg is lowered, the p^+ diffusion regions P1, P2 absorb a minority carrier or a hole from a channel region 4.例文帳に追加

そして、ゲート端子Ｖｇの電位を低下させたときに、ｐ^＋拡散領域Ｐ１及びＰ２がチャネル領域４からマイノリティキャリアである正孔を吸収する。 - 特許庁

The band gap reference circuit comprises a voltage generator (VG), a supply circuit (SC), and a bias circuit (BC) comprising a bias element (BB) and a control element (CB).例文帳に追加

電圧ジェネレータ（ＶＧ）と、供給回路（ＳＣ）と、バイアス要素（ＢＢ）および制御要素（ＣＢ）を含むバイアス回路（ＢＣ）とを、バンドギャップリファレンス回路は含む。 - 特許庁

To realize a thin-film transistor with a superior Vg-Id property without adding strict management of doping process conditions and a new manufacturing process.例文帳に追加

ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 - 特許庁

Thus, it is possible for the switching power source 67 to output directly the gate voltage Vg having a proper level corresponding to the temperature change of an FED panel.例文帳に追加

これにより、スイッチング電源６７からＦＥＤパネルの温度変化に応じた適正レベルのゲート電圧Ｖgを直接出力することが可能になる。 - 特許庁

A gate potential VG of each unit circuit U is set according to a data signal S[j] supplied when the selection circuit 32 selects the unit circuit U.例文帳に追加

各単位回路Ｕのゲート電位ＶGは、選択回路３２による当該単位回路Ｕの選択時に供給されるデータ信号Ｓ[j]に応じて設定される。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal panel, gate voltage Vg is applied in the state in which the potential of a source electrode of a TFT is set to 0 V.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、ＴＦＴのソース電極の電位を０Ｖとした状態で（符号Ｖｓ参照）、ゲート電圧Ｖｇを印加する。 - 特許庁

A switching transistor 22 is connected between a grounding point VG and the output of the negative voltage charge pump 4 and the gate of the transistor 22 is connected to a level shift circuit 23.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ２２は、接地点Ｖ_Gと負電圧チャージポンプ４の出力側との間に接続されると共に、ゲートがレベルシフト回路２３に接続される。 - 特許庁

Three power source supply lines for respectively supplying driving voltages VR, VG and VB are arrayed corresponding to one column of the sub-pixels.例文帳に追加

サブ画素の１列に対応して、各カラー画素に対応した駆動電圧ＶR ，ＶG ，ＶB をそれぞれ供給するための３本の電源供給線が配列されている。 - 特許庁

In this case, when the threshold voltage Vth of the memory element 1 reaches the gate applied voltage Vg, a drain current Ids flowing to the memory element 1 stops flowing.例文帳に追加

その際、メモリ素子１に流れるドレイン電流Ｉｄｓは、メモリ素子１のしきい値電圧Ｖｔｈがゲート印加電圧Ｖｇに達すると、流れなくなる。 - 特許庁

Specifically, a correction expression for obtaining the grid voltage Vg suitable for the electric resistance value of an intermediate transfer belt 7 and matching an environmental change is stored in a data storage section 17.例文帳に追加

詳細には，データ記憶部１７に，中間転写ベルト７の電気抵抗値に適し，環境の変化に応じたグリッド電圧Ｖｇの補正式を記憶する。 - 特許庁

On the other hand, the gate terminal voltage Vg is dropped instantaneously from Vg1 to Vg2 at an arbitrary timing in order to supply power to a control circuit 6.例文帳に追加

また、制御回路６に電力が供給されるように、任意のタイミングでゲート端子電圧Ｖｇを電圧Ｖｇ１からＶｇ２に瞬間的に低下させる。 - 特許庁

Additionally, an average excess air factor in the combustion chamber 1 is calculated, and supercharging by the VG turbocharger 9 is controlled corresponding of the average excess air factor.例文帳に追加

また、燃焼室１内の平均空気過剰率を算出し、この平均空気過剰率に応じてＶＧターボチャージャ９による過給を制御する。 - 特許庁

When an inputted control signal Vsig is in an L level, potential Vg of the output node 15 becomes equal to potential Vn of a power-supply node 13 on the low-voltage side.例文帳に追加

入力された制御信号ＶｓｉｇがＬレベルの場合、出力ノード１５の電位Ｖｇは低圧側の電源ノード１３の電位Ｖｎに等しくなる。 - 特許庁