「ZAP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Before the Zener zap Z5X is zapped, T5 becomes '0' and T5 becomes '1' after the Zener zap Z5X is zapped.例文帳に追加

ツェナーザップＺ５Ｘをザッピングする前はＴ５が‘０’となり、ツェナーザップＺ５Ｘをザッピングした後においてはＴ５が‘１’となる。 - 特許庁

To provide a trimming circuit that utilizes a Zener zap transistor(TR) so as to effectively set a setting switch.例文帳に追加

ツェナーザップトランジスタを利用して設定トランジスタを効果的にセットする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can eliminate the need for trimming element, such as, a Zener zap.例文帳に追加

ツェナーザップ等のトリミング用素子を不要とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which generated heat in a zap short-circuit part is effectively diffused in the case of zap trimming with a Zener diode, and burning to a polyimide based insulating film can be prevented.例文帳に追加

ツェナーダイオードによるザップトリミングの際のザップ短絡部の発熱を有効に拡散させ、ポリイミド系絶縁膜への焼損を防止し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enhance accuracy at executing the trimming of a Zener zap system, and to improve reliability.例文帳に追加

ツェナーザップ方式のトリミングを行う際の精度を高め、信頼性を改善する。 - 特許庁

To stabilize the characteristics of a zap diode of a semiconductor device in which the zap diode is formed on a semiconductor substrate on which another semiconductor element is also formed through an insulating film after zapping.例文帳に追加

他の半導体素子が形成された基板上に絶縁膜を介してザップダイオードが形成された半導体装置において、ザップダイオードのザップ後の特性を安定させること。 - 特許庁

In the trimming element which consists of a series combination of a Zener zap diode 10a and a fuse element 12a, a destruction short-circuit current Izap o the Zener zap diode is set smaller than a blow-out current Ifuse of the fuse element.例文帳に追加

ツェナーザップダイオード１０ａとヒューズ素子１２ａとが直列に接続されているトリミング素子において、ツェナーザップダイオード１０ａの破壊短絡電流Ｉzap をヒューズ素子１２ａの溶断電流Ｉfuseよりも小さくする。 - 特許庁

To provide a reliable and long-life zener zap PROM circuit used for a long time even when a zener zap element including a thin Al filament formed by zapping at a low current of about 10 to 20 mA is used.例文帳に追加

１０〜２０ｍＡ程度の低電流でザップして形成した細いＡｌフィラメント線から成るツェナーザップ素子を用いても、信頼性的に長寿命で、長期間にわたって使用が可能なツェナーザップＰＲＯＭ回路を提供する。 - 特許庁

Moreover, the oscillating frequency of an oscillation circuit is set higher, when the zapping state of the zap diode crumbles.例文帳に追加

また、ザップダイオードのザッピング状態がくずれたときに発振回路における発振周波数が高くなるように設定する。 - 特許庁

Furthermore, when the setting is finished, a Zener zap diode 52 is trimmed to fix the control TR 30 to an off-state.例文帳に追加

さらに、設定が終わった場合には、ツェナーザップダイオード５２をトリミングして、制御トランジスタ３０をオフ状態の固定する。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 36 is formed on the zap diode and a metallic film 39 is formed on the insulating film 36.例文帳に追加

そのザップダイオード上に層間絶縁膜３６を形成し、その層間絶縁膜３６の上に金属膜３９を積層する。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

An output current Io to the load circuit 34 of a semiconductor integrated circuit 21 is adjusted to a prescribed value with the trimming of a Zener zap system.例文帳に追加

半導体集積回路２１の負荷回路３４への出力電流Ｉｏは、ツェナーザップ方式のトリミングで、所定値に調整される。 - 特許庁

During a normal circuit operation, the data read in the read mode is output from the latch circuit 6 without applying any current to the zener zap element 1.例文帳に追加

通常の回路動作時では、ツェナーザップ素子１に電流を印加せずにリードモード時に読み込んだデータをラッチ回路６より出力する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit adjusting device which can adjust the characteristic of IC to a design value even before zapping through the use of a DA converter, a Zener zap and the like.例文帳に追加

ＤＡコンバータとツェナーザップ等を用い、ザッピング前でも、ＩＣの特性をほぼ設計値に合わせることができる集積回路調整装置を提供する。 - 特許庁

A transistor Q1 as an inverter and the Zener zap Z5X are connected to the input terminal T5 is the highest bit MSB of the DA converter 10.例文帳に追加

ＤＡコンバータ１０の最上位ビットＭＳＢの入力端子Ｔ５には、インバータとしてのトランジスタＱ１やツェナーザップＺ５Ｘ等を接続する。 - 特許庁

Moreover, the same is fed by a prescribed amount or more with a prescribed slope from an exclusive zap gas introducing nozzle to the substrate face in order to prevent the fine particles from resticking to the substrate face.例文帳に追加

また、専用のザップガス導入ノズルから基板面に所定の傾きで所定量以上供給し、微粒子が基板面に付着することを防止する。 - 特許庁

Only in a read mode before a change to a normal operation mode, a read current is applied to a zener zap element 1 to read data of each bit, and the data is output to a latch circuit 6.例文帳に追加

通常動作モードに移る前のリードモード時にのみツェナーザップ素子１にリード電流を印加して各ビットのデータを読み、そのデータをラッチ回路６に出力する。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 21, and a p-type semiconductor region 22 and a p^+ type semiconductor region 23 around the region 21 are arranged on the Zener zap diode semiconductor layer 13.例文帳に追加

このツェナーザップダイオード半導体層１３にＮ^＋型半導体領域２１とこれを包囲するＰ型半導体領域２２及びＰ^＋型半導体領域２３を設ける。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with the Zener diode for zap trimming, a heat dissipating layer 23 whose material has thermal conductivity equal to or higher than that of aluminum, and a polyimide based insulating film 9 above the heat dissipating layer 23, which covers the part including at least an anode contact part 21 and a cathode contact part 22 of the Zener diode and the zap short-circuit part 5, via an insulating film 7.例文帳に追加

ザップトリミングするツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードの少なくともアノードコンタクト部２１及びカソードコンタクト部２２並びにザップ短絡部５を含む部分を絶縁膜７を介して覆うアルミニウムと同等もしくはそれよりも高い熱伝導率をもつ材質の放熱層２３と、放熱層２３の上層にポリイミド系絶縁膜９を備えたものである。 - 特許庁

The zap diode composed of N^+-type cathode regions 33 and 35 and a P^+-type anode region 34 is formed on the semiconductor substrate on which another semiconductor element is also formed through the insulating film 32.例文帳に追加

他の半導体素子が形成された半導体基板３１の上に絶縁膜３２を介してＮ^+カソード領域３３，３５およびＰ^+アノード領域３４からなるザップダイオードを形成する。 - 特許庁

A voltage is applied from a voltage source VB through a diode D10 to a terminal P1, and the collector currents of transistors Q4, Q6 and Q8 serving as current sources are supplied to Zener Zap diodes Z1, Z2 and Z3.例文帳に追加

電圧源ＶＢからダイオードＤ１０を通して端子Ｐ１に電圧を与え、各ツェナーザップダイオードＺ１，Ｚ２，Ｚ３に電流源であるトランジスタＱ４，Ｑ６，Ｑ８のコレクタ電流を流す。 - 特許庁

A control circuit 18 has a switching signal control circuit 31 including an oscillator, an overheat protection circuit 32, and a zap circuit 33 which stops the operation of a switching element 12 according to signals from the overheat protection circuit 32.例文帳に追加

制御回路１８は、発振器を含むスイッチング信号制御回路３１と、加熱保護回路３２と、該過熱保護回路３２からの信号によりスイッチング素子１２の動作を停止させるザップ回路３３とを有している。 - 特許庁

In a first trimming, the current It is so controlled as to meet Izap<It<Ifuse, thus destructing and short-circuiting the Zener zap diode 10a while not melting the fuse element 12a, resulting in electrically short- circuiting the trimming element which is electrically open before trimming.例文帳に追加

１回目のトリミングの印加電流Ｉt をＩzap ＜Ｉt ＜Ｉfuseに制御して、ツェナーザップダイオード１０ａを破壊短絡し、ヒューズ素子１２ａを溶断せずに、トリミング前の電気的に開放なトリミング素子を電気的に短絡する。 - 特許庁

One P-type high-concentration diffusion layer 23 and three or more (for example, four) N-type high-concentration diffusion layers 24-1 to 24-4, joined thereto, which constitute a ZAP diode are formed in a region enclosed with a field oxide film 22.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２による包囲内に、ザップダイオードを構成している１つのＰ型高濃度拡散層２３とこれに接合された３つ以上（例えば、４つ）のＮ型高濃度拡散層２４−１〜２４−４とが形成されている。 - 特許庁

The trimming method executes measurements (S10) by means of a PCM (a process control module) as a procedure of performance evaluation of diffusion processes, wherein the information on each of voltage values (Vt), wiring resistances and a variation in contact resistances is acquired and the information is utilized to generate the parameters for Zener zap trimming (S20, S30).例文帳に追加

拡散工程の出来映え評価手法としてのＰＣＭ（プロセス・コントロール・モジュール）測定（Ｓ１０）において、電圧値（Ｖｔ）、配線抵抗、コンタクト抵抗のばらつきの各情報を取得し、それらの情報を、ツェナーザップトリミング用のパラメータ作成に利用する（Ｓ２０，Ｓ３０）。 - 特許庁

The zap circuit 33 includes a power supply terminal VCC connected with a control terminal TC, an input terminal IN connected with the inverting output terminal of the RS flip flop circuit 32c of the overheat protection circuit 32, and an output terminal OUT connected with one input terminal of a NAND circuit 34.例文帳に追加

ザップ回路３３は、制御端子Ｔ_C と接続された電源端子ＶＣＣと、加熱保護回路３２のＲＳフリップフロップ回路３２ｃの反転出力端子と接続された入力端子ＩＮと、ＮＡＮＤ回路３４の一方の入力端子と接続された出力端子ＯＵＴとを有している。 - 特許庁

When the defect on the above substrate is repaired by supplying gas for evaporating to the substrate and irradiating to a fixed part on the above substrate with a laser beam, supplying more than the fixed amount of gas for evaporating from a fixed zap gas introducing nozzle from obliquely above the fixed part on the substrate works to prevent the attachment of the particulates on the substrate.例文帳に追加

蒸散用ガスを基板面へ供給し、レーザ光を該基板面上の所定部に照射し、該基板上の欠陥を修正する場合、蒸散用ガスを専用のザップガス導入ノズルから基板面上の所定部の斜め上方から所定量以上供給し、微粒子が基板面に付着することを防止する。 - 特許庁

You can't zap out of here, can you?例文帳に追加

ここから飛べないんだろ? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Because you can't do that. you can't just zap...例文帳に追加

そんなこと出来ない 消そうなんて... - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

You zap an idea into people's heads.例文帳に追加

みんなの頭にある考えを消すのよ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Nanobees zap tumors with real bee venom;例文帳に追加

本物の蜂の毒で腫瘍を退治する「ナノ蜂」 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

So steve, how about let's zap the brain with electricity?例文帳に追加

スティーブ 脳に電気ショックを 当てたらどうだろう - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

They zap the patient with electroshocks, then go through the eye with an ice pick例文帳に追加

患者に電気ショックの 帽子を被らせて... アイスピックで目を突いて... - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

If you're gonna zap an idea into people's heads, you should really make sure that it's the truth.例文帳に追加

みんなの考えた世界を 消すつもりなら 真実を確かめるべきよ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

If the status information tells you that the service is running, but you know that it is not, then you can reset the status information to "stopped" with the zap argument:例文帳に追加

実際にはサービスが停止しているのが分かっているのに、起動中と表示される場合、以下のようにzap引数で"停止"状態に修正します。 - Gentoo Linux

So if we're still alive 30 years from now, they'll find our older self, zap him back to us, and we'll kill him like any other job.例文帳に追加

もし30年後に生きてれば― 見つけ出されて 過去に送られ― 自身に殺させる - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

You have to zap the invading spaceships to get points. 例文帳に追加

(テレビゲームなどで)得点をあげるには侵略してくる宇宙船をやっつけなければならない. - 研究社 新英和中辞典

To provide inhibitors of JAK, JNK, CDK and ZAP-70 protein kinase, useful in treatment of various diseases and disorders associated with activity of JAK, JNK, CDK and ZAP-70.例文帳に追加

ＪＡＫ、ＪＮＫ、ＣＤＫおよびＺＡＰ−７０の活性に関連した種々の疾患または病気を治療する際に有用である、ＪＡＫ、ＪＮＫ、ＣＤＫおよびＺＡＰ−７０タンパク質キナーゼのインヒビターの提供。 - 特許庁

To treat various disorders or diseases related to activity of JAK, JNK, CDK and ZAP-70.例文帳に追加

ＪＡＫ、ＪＮＫ、ＣＤＫおよびＺＡＰ−７０の活性に関連した種々の疾患または病気を治療すること。 - 特許庁

CDK and ZAP-70 protein kinase inhibitors.例文帳に追加

ある実施態様では、これらの化合物は、ＪＡＫ、ＪＮＫ、ＣＤＫおよびＺＡＰ−７０タンパク質キナーゼのインヒビターとして有効である。 - 特許庁

To provide novel compounds, pharmaceutical compositions thereof, and methods for using such compounds, used to treat, ameliorate or prevent a condition which responds to inhibition of anaplastic lymphoma kinase (ALK) activity, focal adhesion kinase (FAK), zeta-chain-associated protein kinase 70 (ZAP-70), insulin-like growth factor (IGF-1R), or a combination thereof.例文帳に追加

未分化リンパ腫キナーゼ(ALK)活性、接着斑キナーゼ(FAK)、ゼータ鎖関連タンパク質キナーゼ70(ZAP-70)、インシュリン様増殖因子(IGF-1R)またはその組み合わせの阻害に応答する状態を処置し、寛解させ、または予防するため、新規化合物およびその医薬組成物、および該化合物の使用方法の提供。 - 特許庁

The followings are discovered: the compounds and the pharmaceutically acceptable compositions thereof are effective as JAK, JNK, CDK and ZAP-70 protein kinase inhibitors.例文帳に追加

本発明はまた、本発明の化合物を含有する薬学的に受容可能な組成物および種々のタンパク質キナーゼが媒介する障害の処置においてこれらの化合物および組成物を利用する方法を提供する。 - 特許庁