「a Cu-P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Cu：3.5〜4.3％,Si:5.0〜7.5％,Mg:0.10〜0.25％,Fe≦0.2％、Ｐ≦0.0003％を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁

The Cu sacrifice layer 20 is removed by etching to make the amorphous Ni-P film 8 into a beam structure.例文帳に追加

Ｃｕ犠牲層２０をエッチングにより除去してアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を梁構造にする。 - 特許庁

The solder comprises Sn, Ag, and Cu, and P with a concentration in which crystallization does not occur after soldering is incorporated therein.例文帳に追加

ＳｎとＡｇとＣｕとを含み、はんだ付後に晶出が起こらない濃度のＰを含有させる。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a P machine (game machine) of an awarded point system stores the number of game balls usable for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a P machine (gaming machine) using awarded points, stores the number of game balls used for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected with a gained point type P machine (game machine) stores the number of game balls usable for a game in the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

A CU (card unit) connected to a P machine (gaming machine) using the awarded points, stores the number of game balls used for a game on the P machine.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）と接続されるＣＵ（カードユニット）は、Ｐ台で遊技に使用可能とされる遊技玉数を記憶する。 - 特許庁

The Cu wiring 100 is formed with at least a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, or Ti with an amount not less than 0.1 wt.% and not larger than the maximum solid solubility limit for Cu.例文帳に追加

前記Ｃｕ配線１００は、Ａｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されている。 - 特許庁

To prevent blisters from being deposited in a P-SiN film, at or after the P-SiN film is deposited on a Cu embedded wiring.例文帳に追加

Ｃｕ埋め込み配線上へＰ−ＳｉＮ膜を成膜した時あるいは成膜した後におけるブリスタ不良の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method for producing fine particles of a Cu-P alloy and fine particles of a Cu-Sn-P alloy, which reduces the formation of dendrite by conducting a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたＣｕ−Ｐ合金微粒子、及びＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric element has a ZrCuSiAs type crystal structure, and the composition is shown as LnTPnO_x (Ln is rare earth, M is at least metal atom chosen from Fe, Ru, Os, Co, Ni and Cu, Pn is P, As or Sb, and x is a number of 1.1-0.5).例文帳に追加

ZrCuSiAs型結晶構造を持ち、かつ組成がLnTPnO_x(Lnは希土類を、MはFe,Ru,Os,Co,NiおよびCuから選ばれた少なくとも金属原子を、PnはP、AsまたはSbを、xは1.1〜0.5の数を示す)で示される熱電素子。 - 特許庁

The high Mn-contained molten metal can further contain by mass% of one or more elements selected in the group composed of ≤1% Si, ≤0.5% P, ≤0.5% S, ≤20% Cr, ≤1% Cu, and ≤10% Ni in stead of a part of Mn and Fe.例文帳に追加

高Ｍｎ含有溶融金属が,Mnおよび鉄の一部に代えて,Siを1質量%以下,Pを0.5質量%以下,Sを0.5質量%以下,Crを20質量%以下,Cuを1質量%以下およびNiを10質量%以下からなる群から選ばれた一種以上をさらに含有してもよい。 - 特許庁

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀（Ag）0.2〜2.5重量％と銅（Cu）0.1〜2.0重量％と燐（P）0.001〜0.5重量％とガリウム（Ga）0.001〜0.5重量％及び残りは錫（Sn）から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁

A solder alloy containing 60 to 100 mass ppm P is fed to an Sn-Ag based or Sn-Ag-Cu based solder alloy for replenishing a solder bath against the reduction of a P content in the solder bath occurring in the process of the working of a jet, and the P content is retained.例文帳に追加

噴流稼働中に見られるはんだ浴内のＰ含有量の減少に対して、はんだ浴補充用にSn−Ag系またはSn−Ag−Cu系はんだ合金にＰ60〜100 質量ppm含有するはんだ合金を供給してＰ含有量の維持を図る。 - 特許庁

Such Sn-Cu-Bi-In-P-base leadless solder has not only a melting temperature relatively lower than the existing Sn-Ag-base and Sn-Cu-Ag-base leadless solder but lessens the production of dross in soldering and therefore the thermal damage on the electronic parts is lessened and the soldering work can be smoothly carried out in soldering semiconductors and electronic products.例文帳に追加

このようなSn−Cu−Bi−In−P系無鉛半田は既存のSn−Ag系やSn−Cu−Ag系無鉛半田に比べて比較的に低い溶融温度を有しているばかりでなく半田付けの際、ドロス（dross）発生が少ないので半導体や電子製品を半田付けするとき電子部品に熱損傷を少なくし、半田付け作業を円滑に行うことが出来る。 - 特許庁

An organic EL element is provided with a pixel circuit P which includes a light emitting element, a drive transistor, and a capacitive element, and a control circuit CU.例文帳に追加

有機ＥＬ装置は、発光素子と、駆動トランジスタと、容量素子とを含む画素回路Ｐと、制御回路ＣＵとを備える。 - 特許庁

Cu wiring 100 formed at a groove 10a with a barrier metal layer 2 on a surface while being provided on an interlayer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 10 is composed by a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, and Ti.例文帳に追加

半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝１０ａにＣｕ配線１００が形成されてなる。 - 特許庁

The Cu interconnection line is made of a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si and Ti dispersed from a seed layer 11 within the range from 0.1 wt.% to less than the maximum solid solution limit for Cu and particle diameters are large and grain boundaries are small.例文帳に追加

Ｃｕ配線は、シード層１１から拡散されたＡｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されており、粒径が大きく粒界が少ない。 - 特許庁

The brazing is performed by using Cu-P as a brazing material specially after applying a Cu-plating having ≥15 μm film thickness on a base material of the steel material, such as the stainless steel.例文帳に追加

他にステンレス鋼等の鉄鋼材料の母材に膜厚１５μｍ以上のＣｕメッキを施した後に、ロウ材としてＣｕ−Ｐを用いてロウ付けする。 - 特許庁

The conductive terminal 111n includes an Ni plating 12 which is an Ni alloy composed of an Ni element as its main substance and containing a P element and a Cu base material 11 which is coated with the Ni plating 12 and composed of a Cu element as its main substance.例文帳に追加

導電端子１１１ｎは、Ｎｉ元素を基として組成されるＮｉ合金であってＰ元素を含有するＮｉメッキ１２と、Ｎｉメッキ１２に被覆されＣｕ元素を基として組成されるＣｕ母材１１とから成る。 - 特許庁

To provide a Cu-Mg-P-based copper alloy which has well-balanced and high levels of tensile strength and a spring deflection limit and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

引張り強さとばね限界値が高レベルでバランスの取れたＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a silicon steel sheet containing 0.2 to 4.0% Cu is coated with an insulating film mainly made up of one or more kinds of inorganic compounds selected from among a P compound, an Al compound and an Si compound.例文帳に追加

Cuを 0.2％以上、 4.0％以下含有する電磁鋼板の表面に、Ｐ化合物、Al化合物およびSi化合物のうちから選んだ１種または２種以上の無機化合物を主体とする絶縁被膜を被覆する。 - 特許庁

The powder for a dust core has a composition comprising, by mass, 1 to 5% Cr, 2 to 7% Si and 0.1 to 2% Cu, and also satisfying Cr+Si+Cu+P+Al≤10%, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｃｒ：１〜５％、Ｓｉ：２〜７％、Ｃｕ：０．１〜２％、かつ、Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ｃｕ＋Ｐ＋Ａｌ≦１０％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなることを特徴とする圧粉コア用粉末。 - 特許庁

To provide a reflow Sn-plated copper alloy material excellent in surface flatness and heat peeling resistance in a Cu-Ni-Sn-P-based copper alloy.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金において、表面平滑性および耐熱剥離性に優れたリフローＳｎめっき銅合金材料を提供する。 - 特許庁

This heat transfer pipe is formed of a copper alloy pipe having a composition which contains 0.3-8 mass% of P, and of which the residual part comprises Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

伝熱管は、Ｐを０．３乃至８質量％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる組成を有する銅合金管からなる。 - 特許庁

An Ni-P layer 11 is inserted between a Cu layer 12 making up an external electrode 3 and a surface layer (Au layer) 10.例文帳に追加

外部電極３を構成するＣｕ層１２と表面層（Ａｕ層）１０との間に、Ｎｉ−Ｐ層１１を介在させる。 - 特許庁

An Ni-Cu-based brazing filler metal for a heat exchanger comprising, by weight, 5 to 15% Cu, 20 to 30% Cr, 3 to 5% Si and 3 to 6% P, and the balance Ni with inevitable impurities is used.例文帳に追加

重量％で、Ｃｕが５〜１５％、Ｃｒが２０〜３０％、Ｓｉが３〜５％、Ｐが３〜６％、残部がＮｉと不可避不純物よりなる熱交換器用Ｎｉ−Ｃｕ系ろう材を用いる。 - 特許庁

The Ni-Cr-Cu-Fe-based brazing material for a heat exchanger includes, by weight, 20 to 30% Cr, 5 to 15% Cu, 5 to 30% Fe, 3 to 6% Si, and 3 to 8% P with the balance being Ni and unavoidable impurities.例文帳に追加

重量％で、Ｃｒを２０〜３０％、Ｃｕを５〜１５％、Ｆｅを５〜３０％、Ｓｉを３〜６％、Ｐを３〜８％、残部をＮｉと不可避不純物からなる熱交換器用Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｆｅ系ろう材である。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P-based copper alloy sheet which makes strength enhancement and excellent heat resistance compatible with each other.例文帳に追加

高強度化と優れた耐熱性とを両立させたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P copper alloy sheet in which the increase of strength and excellent oxide film adhesion are made consistent.例文帳に追加

高強度化と優れた酸化膜密着性とを両立させたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P type copper-alloy sheet which has increased strength and excellent platability and in which both of these characteristics are combined.例文帳に追加

高強度化させた上で、メッキ性にも優れ、これら特性を両立（兼備）させたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, even if the position or the attitude of the work W is changed by rotating the positioner P as shown in (b), the user coordinate system Cu can follow.例文帳に追加

このことによって、（ｂ）のように、ポジショナＰが回転してワークＷの位置姿勢が変化したとしても、ユーザ座標系Ｃｕが追従する。 - 特許庁

The copper covering 302 is coated with a low melting point four-element (Cu-Ni-P-Sn) paste-like brazing material 303.例文帳に追加

次いで、銅被覆３０２上に、低融点の４元系（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎ）のペースト状ろう材３０３が塗布される。 - 特許庁

(2); wherein P_CM denotes a value (mass%) obtained by prescribed relational formula; and [TS] denotes the measured value of tensile strength.例文帳に追加

Ｗ＝1.3/｛-0.1[Mn]+3[Cu]+2.5[Ni]+0.6[Mo]+0.3[Cr]+0.1｝^0.5 … (1) Ｙ＝Ｐ_ＣＭ/｛0.18+0.02[([TS]−570)/100]^2} … (2) 但し、Ｐ_ＣＭは、所定の関係式で求められる値（質量％）であり、[TS]は、引張り強度実測値を示す。 - 特許庁

From the P machine to the CU, information about the number of added balls according to a winning or the like and the number of subtracted balls according to shot balls is periodically transmitted.例文帳に追加

Ｐ台からＣＵに対して、入賞等に応じた加算玉数および弾球に応じた減算玉数の情報を定期的に送信する。 - 特許庁

In the tinned strip of Cu-Sn-P-based alloy comprising, as a base material, a Cu-based alloy containing Sn in an amount of 1-12 mass% and P in an amount of 0.01-0.35 mass%, the C-concentration in the boundary face between a plated layer and the base material is adjusted to be ≤0.10 mass%.例文帳に追加

１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

In the electric wire conductor for the wire harness constituted of a wire material of a copper alloy, the copper alloy contains by weight ratio 2% or more and 6% or less of Sn, 10 ppm or more and less than 300 ppm of P, and 1 ppm or more and 50 ppm or less of oxygen, with the balance comprising Cu and impurities.例文帳に追加

銅合金の線材から構成されるワイヤーハーネス用電線導体であり、銅合金が、質量割合で、Snを2％以上6％以下、Pを10ppm以上300ppm未満、酸素を1ppm以上50ppm以下含有し、残部がCu及び不純物からなる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

The copper-zinc alloy plating bath preferably satisfies a P ratio of 3.0 to 7.0 represented by a formula: P ratio = mass of P_2O_7/(mass of Cu + mass of Zn).例文帳に追加

銅−亜鉛合金めっき浴は、下記式、 Ｐ比＝Ｐ_２Ｏ_７の質量／（Ｃｕの質量＋Ｚｎの質量）で表わされるＰ比が３．０〜７．０を満足することが好ましい。 - 特許庁

A photoresist 22 is formed thereon, an amorphous Ni-P film 8 is accumulated on the substrate 1 including the Cu-sacrifice layer 20 by electroless plating method (electroless Ni-P plating).例文帳に追加

フォトレジスト２２を形成した後、Ｃｕ犠牲層２０上を含む基板１上に、無電解メッキ法（無電解Ｎｉ−Ｐメッキ）によりアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を堆積する。 - 特許庁

Ni-P making up such a Ni-P layer 11 shows excellent adhesion for both Cu and Au, and can effectively prevent Au from being diffused.例文帳に追加

かかるＮｉ−Ｐ層１１を構成するＮｉ−Ｐは、ＣｕおよびＡｕの両者に対して優れた密着性を示し、また、Ａｕの拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

The bearing of a motor type fuel pump is consisting of a graphite dispersed Cu based sintered alloy having a composition containing, by mass, 20 to 40% Ni, 0.1 to 0.9% P and 1 to 8% C, and the balance Cu with inevitable impurities, and having a porosity of 5 to 25%.例文帳に追加

モータ式燃料ポンプの軸受を、質量％で、Ｎｉ：２０〜４０％、Ｐ：０．１〜０．９％、Ｃ：１〜８％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成、並びに５〜２５％の気孔率を有する黒鉛分散型Ｃｕ基焼結合金で構成する。 - 特許庁

The bearing of a motor type fuel pump is composed of a graphite dispersion type Cu base sintered alloy having a composition containing, by mass, 10 to 25% Zn, 10 to 25% Ni, 0.1 to 0.9% P, 1 to 8% C, and the balance Cu with inevitable impurities and a porosity of 5 to 25%.例文帳に追加

モータ式燃料ポンプの軸受を、質量％で、Ｚｎ：１０〜２５％、Ｎｉ：１０〜２５％、Ｐ ：０．１〜０．９％、Ｃ ：１〜８％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成、並びに５〜２５％の気孔率を有する黒鉛分散型Ｃｕ基焼結合金で構成する。 - 特許庁

In order to reduce the temperature of the center electrode, and restrain the spark consumption of the center electrode, a heat radiation promoting metal part 2m, made of Cu or an alloy including Cu as a main component, is formed at the position having a distance L_3 of 1.5 mm from the peak P of the convex part, in the direction toward the rear side of the axis line.例文帳に追加

一方、その凸部頂点Ｐから軸線方向後方側における距離Ｌ_３が１．５ｍｍの位置において、中心電極２の温度を低減させ、火花消耗を抑えるためにＣｕ又はＣｕを主体とする合金にて構成される放熱促進用金属部２ｍが存在する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁