「are N」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体２をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

On a surface of the n-type semiconductor substrate 13, a collector n^+ type region 16 and an emitter n^+ type region 17 are formed apart each other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１３の表面部には、コレクタｎ^+ 型領域１６とエミッタｎ^+ 型領域１７が互いに離れて形成されている。 - 特許庁

An address signal Ad-m, a select signal Sel-n and a clock signal Clk are supplied to a unit circuit 40 corresponding to a {3(m-1)+n}th line.例文帳に追加

｛３（ｍ−１）＋ｎ｝行目に対応する単位回路４０には、アドレス信号Ａd-m、セレクト信号Ｓel-nおよびクロック信号Ｃlkが供給される。 - 特許庁

Then, 2n*2n*2n pieces of new table data are calculated from these whole difference data and the old table data (S405).例文帳に追加

そして、この全差分データと旧テーブルデータとから、２^n＊２^n＊２^n個の新テーブルデータを求める（Ｓ４０５）。 - 特許庁

On an N-row N-column matrix grating, N^2 two-input two-output element switches are arranged.例文帳に追加

本発明は、Ｎ行Ｎ列のマトリックスの格子上に２入力２出力のＮ^２個の要素スイッチを配置する。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

For each of n (n: any integer of 2 or more) standard odors, measurements by m (m: same as n) odor sensors are performed.例文帳に追加

ｎ個（ｎは２以上の整数）の標準においのそれぞれについて、ｍ個（同）のにおいセンサにより測定を行う。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台９に、ｎ＝２以上のｎ相交流電圧を印加する電極１、２、３を設け、ｎ相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

The adjacent standard nozzles are disposed away by a standard nozzle pitch N, wherein N=n*ds, and ds is a dot pitch.例文帳に追加

隣接する標準ノズルは標準ノズルピッチＮだけ離間しており、ここでＮ＝ｎ＊ｄｓであり、ｄｓはドットピッチである。 - 特許庁

In the processes 1_-1-1_-N, horizontally polarized wave antennas 2_-1-2_-N and vertically polarized wave antennas 3_-1-3_-N are disposed alternately in order.例文帳に追加

工程１_−１〜１_−Ｎには、水平偏波アンテナ２_−１〜２_−Ｎと垂直偏波アンテナ３_−１〜３_−Ｎが順番および交互に配設されている。 - 特許庁

Correction values Ws_1-Ws_n are determined based on the light intensities Wh_1-Wh_n and the light intensities Ah_1-Ah_n.例文帳に追加

光強度Ｗｈ_１…Ｗｈ_ｎ及び光強度Ａｈ_１…Ａｈ_ｎに基づいて、補正値Ｗｓ_１…Ｗｓ_ｎを求める。 - 特許庁

Both first and second charge transfer MOS transistors M1(N) and M2(N) are N channel transistors.例文帳に追加

第１及び第２の電荷転送用ＭＯＳトランジスタＭ１（Ｎ），Ｍ２（Ｎ）の両方をＮチャネル型で構成する。 - 特許庁

Then, the reduced images are allocated for every N page in accordance with the N up setting data to be input to generate an N up image.例文帳に追加

そして、縮小された画像を、入力されるＮアップ設定データに従って、Ｎページ分づつ割り付けたＮアップ画像を生成する。 - 特許庁

Cores C1 to CN for transmitting various signals are covered by core coverings D1 to DN and housed within the shields E1 to EN.例文帳に追加

シールドＥ_1〜Ｅ_Nの内部には各種信号を送信するための芯線Ｃ_1〜Ｃ_Nが芯線被覆Ｄ_1〜Ｄ_Nで覆われた状態で収納されている。 - 特許庁

Furthermore, the unit time magnification (n) and the reflection ratio (a) are changed in accordance with y0(n), y(n) from a GCR signal arithmetic means 21.例文帳に追加

また、ＧＣＲ信号演算手段２１からのｙ０（ｎ）、ｙ（ｎ）に応じて、単位時間倍率ｎ及び反映比率ａを変更する。 - 特許庁

Error correction data for the series of data 1-n separated into respective physical storage areas are stored in the other physical storage area n+1 as data p1.例文帳に追加

各物理記憶領域に分離された一連のデータ1〜データnに対するエラー訂正データを別の物理記憶領域n+1にデータp1として格納する。 - 特許庁

There are 2^n combinations for signal routes which the signal passes because of N stages, based on the number of stages of the selectors SL.例文帳に追加

信号が通過する当該経路の組み合わせは、セレクタＳＬの段数に基づき、Ｎ段であるため２^nとおりの信号経路の組み合わせが生じる。 - 特許庁

In a use symbol extracting part 31, M' points (L≤M'<(NTGI/T) are extracted from the end of a valid symbol from N+(NTGI/T) compound digital signals.例文帳に追加

使用シンボル抽出部31では、N+(NT_GI/T)個の複素ディジタル信号から有効シンボルの末尾からM'点(L≦M'＜N+(NT_GI/T))を抽出する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

First, n(n; positive integer) pieces of variables as the object of encryption and the number m(m; a positive integer of m≥n) of encrypted variables are selected.例文帳に追加

符号化の対象となるｎ個（ｎ；正の整数）の変数と符号化後の変数の個数ｍ（ｍ；ｍ≧ｎの正の整数）を選択する。 - 特許庁

When sound recording mode is selected, the sound is picked up by microphones MICh1, MICh2, MICh3, and sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) are stored in a storage part 3.例文帳に追加

録音モードが選択されると、マイクロホンＭＩＣｈ１，ＭＩＣｈ２，ＭＩＣｈ３による収音が行われ、音声データＳｈｍ１（ｎ），Ｓｈｍ２（ｎ），Ｓｈｍ３（ｎ）が記憶部３に記憶される。 - 特許庁

When the hoop width direction and the thickness direction are set x and y respectively, the curved shape is expressed by y=x^n and 1.7≤n≤2.2, in particular.例文帳に追加

特に、この湾曲した形状は、フープ幅方向をｘ、厚さ方向をｙとしたときに、ｙ＝ｘ^n、１．７≦ｎ≦２．２で表される。 - 特許庁

Besides, the N+ type embedded layer 6A is integrated with the N-type well area 2B and deep N-type well areas (2B and 6A) are formed.例文帳に追加

また、Ｎ＋型の埋め込み層６Ａは、Ｎ型ウエル領域２Ｂと一体化され深いＮ型ウエル領域（２Ｂ、６Ａ）が形成される。 - 特許庁

Digital image data of n bits are converted into digital image of n+m bits with a γ-correction table and displayed by using a D/A converter of n+m bits.例文帳に追加

ｎビットのデジタル画像データをγ補正テーブルでｎ＋ｍビットに変換し、ｎ＋ｍビットのＤ／Ａコンバータを用いて表示する。 - 特許庁

Subsequently, in the step S12, prediction currents ide(n+1), iqe(n+1) of one control period Tc forward are calculated on the basis of the voltage vector V(n).例文帳に追加

続くステップＳ１２においては、電圧ベクトルＶ（ｎ）に基づき、１制御周期Ｔｃ先の予測電流ｉｄｅ（ｎ＋１），ｉｑｅ（ｎ＋１）を算出する。 - 特許庁

Selectors 22-1-22-n are arranged corresponding to N-sets of output ports P#1-P#N of the matrix switch 21 to conduct N:1 select control.例文帳に追加

セレクタ２２−１〜２２−ｎは、マトリクススイッチ２１のＮ個の出力ポートＰ＃１〜Ｐ＃Ｎに対応して配置され、Ｎ：１のセレクト制御を行う。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加

その結果、ベース電極とｎ型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とｎ型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁

(2) If there are N (N≥3) introduction ports, an angle formed by two of the N introduction ports and the silicon core bars is 160 degrees or more.例文帳に追加

（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。 - 特許庁

When replay mode is selected, the sound pickup stops, and the sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) stored in the storage part 3 are used to generate replay sound data.例文帳に追加

再生モードが選択されると、収音が停止され、記憶部３に記憶された音声データＳｈｍ１（ｎ），Ｓｈｍ２（ｎ），Ｓｈｍ３（ｎ）を用いて再生音声データが生成される。 - 特許庁

Also, lengths L of first short sides 61C, 62C and second short sides 61D, 62D are set at L=n×λ/2 (n is an integer between 4≤n≤12).例文帳に追加

また、第１短辺６１Ｃ、６２Ｃ及び第２短辺６１Ｄ、６２Ｄの長さＬは、Ｌ＝ｎ×λ／２（ｎは、４≦ｎ≦１２の間の整数）に設定されている。 - 特許庁

N kinds (N is an integer of two or more) of print modes using one nozzle group of N sets of nozzle groups are used.例文帳に追加

Ｎ組（Ｎは２以上の整数）のノズルグループの内の１つのノズルグループを利用するＮ種類の印刷モードを利用する。 - 特許庁

The measurement results M1...Mm, N1...Nn of each of these measurement series M, N are each determined in rotation positions where the samples have equal distance from each other.例文帳に追加

これら測定系列（Ｍ，Ｎ）の各々の測定結果（M_1…M_m，N_1…N_n）は、上記試料の互いに等距離な回転位置において各々決定される。 - 特許庁

On the first P-well area 55a, N-type diffusion areas 53d and 53s are formed so as to sandwich parts of the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aの上層には、第1Pウェル領域55aの一部を挟んで形成されたN型拡散領域53dおよびN型拡散領域53sを有する。 - 特許庁

YmSiXn (1) wherein Y is an organic functional group, X is a hydrolyzed group, m and n are each an integer of 1-3, and they satisfy n+m=4.例文帳に追加

Ｙ_m ＳｉＸ_n （１） （但し、Ｙは有機官能基、Ｘは加水分解基、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３の整数であって、ｍ＋ｎ＝４を満足する。） - 特許庁

The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加

−[Ｃ(Ｈ、Ｆ)_2]_n−Ｘ−(ＣＦ_2)_m−ＳＯ_3Ｈ ・・・（１） 但し、Ｘは、Ｏ又は直接結合、ｎ、ｍは、それぞれ、１以上３以下の整数。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A counting response message to be transferred from a node #8 to a node #1, a total count value n (n=1) and a node ID list (#8) are registered.例文帳に追加

ノード＃８からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには、総計数値n＝１およびノードIDリスト（＃８）が登録されている。 - 特許庁

N+ type embedded layers (6A and 6B) are formed while being superimposed on an N-type well area 2B and the bottom of an N-type collector layer 4 by the same process.例文帳に追加

Ｎ＋型埋め込み層（６Ａ、６Ｂ）は、同一工程にてＮ型ウエル領域２Ｂ及びＮ型コレクタ層４の底部に重畳して形成される。 - 特許庁

The impurity concentration of the N-type region 5a is higher than that of the N-type well 3, and those of the N-type regions 6, 8 are higher than it.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａはＮ型ウェル３より不純物濃度が高く、Ｎ型領域６，８はそれよりも更に高い。 - 特許庁

In a counting response message to be transferred from a node #5 to a node #1, a total count value n (n=2) and a node ID list (#5, #6) are registered.例文帳に追加

ノード＃５からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには総計数値n＝２およびノードIDリスト（＃５，＃６）が登録されている。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

Pointers P(n), where n=1-N, are prepared for the number N of a plurality of basic plotting patterns to be plotted by the layout function.例文帳に追加

面付け機能によって複数描画すべき基本描画パターンの数Ｎの分だけポインタＰ（ｎ）、但しｎ＝１〜Ｎ、を準備する。 - 特許庁

Thus, the n-type impurity region is formed, which is constituted by putting a high concentration n-type impurity region 211 into which the n-type first impurities and the n-type second impurities are introduced into a state adjacent to the lightly-doped n-type impurity region 212 into which only the n-type second impurities are introduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型第１不純物とｎ型第２不純物とを導入した高濃度ｎ型不純物領域２１１と、ｎ型第２不純物のみを導入した低濃度ｎ型不純物領域２１２とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁